CN108609664B - 正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法 - Google Patents
正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108609664B CN108609664B CN201810531587.7A CN201810531587A CN108609664B CN 108609664 B CN108609664 B CN 108609664B CN 201810531587 A CN201810531587 A CN 201810531587A CN 108609664 B CN108609664 B CN 108609664B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- sensitive material
- butyl alcohol
- solution
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 222
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 60
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 22
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910019058 CoSnO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 16
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 11
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 229910019043 CoSn Inorganic materials 0.000 claims description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021580 Cobalt(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 abstract 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 81
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 5
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 5
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 3
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 229940088710 antibiotic agent Drugs 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000005556 hormone Substances 0.000 description 1
- 229940088597 hormone Drugs 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 235000013599 spices Nutrition 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N valeric aldehyde Natural products CCCCC=O HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011782 vitamin Substances 0.000 description 1
- 229940088594 vitamin Drugs 0.000 description 1
- 229930003231 vitamin Natural products 0.000 description 1
- 235000013343 vitamin Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G51/00—Compounds of cobalt
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/38—Particle morphology extending in three dimensions cube-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种正丁醇气敏材料及其制备方法以及正丁醇气敏器件及其制备方法。正丁醇气敏材料为CoSnO3纳米粉体,其为中空的立方体结构且其粒径为80~150nm。气敏材料制备方法为:将氯化锡水溶液和柠檬酸水溶液混合得到溶液Ⅰ;将氯化钴水溶液与溶液Ⅰ混合,加入NaOH或KOH搅拌再加入NaOH或KOH搅拌得到混合溶液,第一次和第二次加入的NaOH或KOH与氯化锡的摩尔比分别为6~10:1和12~16:1;将混合溶液进行水热反应并将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体,前驱体升温煅烧得到锡酸钴纳米粉体。本发明气敏材料对正丁醇的灵敏度高、选择性好,制备的气敏器件具有对正丁醇气体高度敏感的检测功能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体气敏原件技术领域,具体涉及一种正丁醇气敏材料及其制备以及正丁醇气敏器件及其制备方法。
背景技术
正丁醇主要用于制造邻苯二甲酸、脂肪族二元酸及磷酸的正丁酯类增塑剂,它们广泛用于各种塑料和橡胶制品中,也是有机合成中制丁醛、丁酸、丁胺和乳酸丁酯等的原料。还是油脂、药物(如抗生素、激素和维生素)和香料的萃取剂,醇酸树脂涂料的添加剂等,又可用作有机染料和印刷油墨的溶剂,脱蜡剂。正丁醇易挥发,空气中的正丁醇能对人产生刺激影响身体健康,且在空气中高于一定浓度易与空气形成爆炸混合物,妨碍生产以及公共安全。因此需要检测生产场地空气中正丁醇的含量。
半导体气敏器件是一个宽带检测装置,既可以检测ppm级的有毒气体也可以用于检测百分比浓度高的易燃易爆气体。
现今正丁醇半导体气敏传感器在国内处于探索研究阶段,安全生产提高了人们对正丁醇等易燃易爆气体的关注,对正丁醇气体的检测和监控在现在生活中变得越来越重要,正丁醇半导体气敏传感器的性能主要取决于气敏材料的性能。目前国内没有成熟的正丁醇气敏材料,因此制备一种响应灵敏度高、工作温度低,超低检测极限和长期稳定性好的正丁醇气敏材料及其气敏元件将会有很大的市场前景。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种灵敏度高、选择性好、工作温度低、长期稳定性好的正丁醇气敏材料及其制备方法以及正丁醇气敏器件的制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
提供一种正丁醇气敏材料,所述正丁醇气敏材料为CoSnO3纳米粉体,所述CoSnO3纳米粉体为中空的立方体结构且其粒径为80~150nm。
提供上述正丁醇气敏材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)称取SnCl4·5H2O配制成氯化锡水溶液,称取柠檬酸配制成柠檬酸水溶液,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将CoCl2·6H2O溶于水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将所述溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入NaOH或KOH,搅拌15-30min,然后第二次加入NaOH或KOH,搅拌15min,得到混合溶液,第一次加入的NaOH或KOH与混合溶液中氯化锡的摩尔比为6~10:1,第二次加入的NaOH或KOH与混合溶液中氯化锡的摩尔比为12~16:1;
(4)将所述混合溶液转入反应釜中进行水热反应,反应结束后,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体;
(5)将所述前驱体CoSn(OH)6纳米粉进行升温煅烧得到所述CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。
进一步,所述溶液Ⅰ中SnCl4·5H2O和柠檬酸的浓度均为0.1-0.4mol/L。
进一步,所述混合溶液中SnCl4·5H2O和CoCl2·6H2O的摩尔比为1:1。
进一步,所述水热反应的反应温度为120-180℃,反应时间为6-12h。
进一步,所述步骤(5)中煅烧的温度为300℃,时间为1-4h。
本发明提供上述正丁醇气敏材料制备得到的正丁醇气敏器件。
本发明还提供上述正丁醇气敏器件的制备方法,包括以下步骤:将所述正丁醇气敏材料研磨后与无水乙醇混合调成糊状,将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经退火处理得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
进一步,所述退火处理的温度为300~450℃,时间为0.5~4h。
本发明所述正丁醇气敏器件的主要技术指标如下:
1、器件的检测范围:10ppm-10000ppm(气体体积分数:1ppm=1X10-6);
2、器件的工作温度:140℃-300℃;
3、检测灵敏度:3-300;
4、器件反应时间:小于60s;
5、器件恢复时间:小于60s。
本发明的有益效果是:本发明合成了一种新型半导体气敏材料,用这种新型半导体材料制作的正丁醇气敏器件具有对正丁醇气体高度敏感的检测功能,对100ppm浓度的正丁醇气体灵敏度在18-24,可用于空气中正丁醇的安全检测,对100ppm浓度的乙醇气体敏感度在9-12。并且本发明制作的正丁醇气敏器件具有较高的选择性,对二甲苯、甲醛的灵敏度较低(正丁醇灵敏度:二甲苯灵敏度=9:1,正丁醇灵敏度:甲醛灵敏度=11:1),只对正丁醇具有较高的灵敏度。
附图说明
图1为本发明实施例1得到的CoSnO3的扫描电镜图;
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
正丁醇气敏器件的制备
(1)称取70.12g(0.2mol)SnCl4·5H2O溶于2L水中,将42.0g(0.2mol)C8H8O7·H2O溶于2L水中,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将47.59g(0.2mol)CoCl2·6H2O溶于2L水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入2L0.6mol/L的NaOH溶液搅拌15-30min,加入2L 1.2mol/L的NaOH溶液搅拌15min得到混合溶液,然后将所得混合溶液转入反应釜中进行溶剂热反应,180℃下反应12h,随后将反应釜自然冷却至室温,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体。
4)将得到的前驱体CoSn(OH)6纳米粉体放入马弗炉中升温300℃煅烧4小时得到CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。将本实施例所得产物进行表征分析,结果为中空的立方体结构,纯度大于99%,平均粒径为150nm。
5)称取上述得到的CoSnO3纳米粉体1g精细研磨,并用适量无水乙醇调成糊状,然后将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经300~450℃退火处理0.5~4h得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
本实施例制备得到的正丁醇气敏器件采用郑州炜盛电子科技有限公司生产的气敏元件测试系统WS-30A仪器进行气敏性能测试,测试方法为静态配气法。测试结果为:当工作温度为200℃时,对100ppm正丁醇的灵敏度为18.66,对正丁醇表现出好的灵敏性。
实施例2
正丁醇气敏器件的制备
(1)称取2.104g(6mmol)SnCl4·5H2O溶于20mL水中,将1.260g(6mmol)C8H8O7·H2O溶于20mL水中,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将1.428g(6mmol)CoCl2·6H2O溶于20mL水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入20mL3mol/L的NaOH溶液搅拌15-30min,加入20mL 4.8mol/L的NaOH溶液搅拌15min得到混合溶液,然后将所得混合溶液转入反应釜中进行溶剂热反应,180℃下反应6h,随后将反应釜自然冷却至室温,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体。
4)将得到的前驱体CoSn(OH)6纳米粉体放入马弗炉中升温300℃煅烧2小时得到CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。将本实施例所得产物进行表征分析,结果为中空的立方体结构,纯度大于99%,平均粒径为100nm。
5)称取上述得到的CoSnO3纳米粉体1g精细研磨,并用适量无水乙醇调成糊状,然后将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经300~450℃退火处理0.5~4h得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
本实施例制备得到的正丁醇气敏器件采用郑州炜盛电子科技有限公司生产的气敏元件测试系统WS-30A仪器进行气敏性能测试,测试方法为静态配气法。测试结果为:当工作温度为200℃时,对100ppm正丁醇的灵敏度为22.43,对正丁醇表现出好的灵敏性。
实施例3
正丁醇气敏器件的制备
(1)称取2.805g(8mmol)SnCl4·5H2O溶于20mL水中,将1.680g(8mmol)C8H8O7·H2O溶于20mL水中,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将1.903g(8mmol)CoCl2·6H2O溶于20mL水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入20mL3.6mol/L的NaOH溶液搅拌15-30min,加入20mL 6.4mol/L的NaOH溶液搅拌15min得到混合溶液,然后将所得混合溶液转入反应釜中进行溶剂热反应,120℃下反应6h,随后将反应釜自然冷却至室温,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体。
4)将得到的前驱体CoSn(OH)6纳米粉体放入马弗炉中升温300℃煅烧1小时得到CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。将本实施例所得产物进行表征分析,结果为中空的立方体结构,纯度大于99%,平均粒径为80nm。
5)称取上述得到的CoSnO3纳米粉体1g精细研磨,并用适量无水乙醇调成糊状,然后将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经300~450℃退火处理0.5~4h得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
本实施例制备得到的正丁醇气敏器件采用郑州炜盛电子科技有限公司生产的气敏元件测试系统WS-30A仪器进行气敏性能测试,测试方法为静态配气法。测试结果为:当工作温度为200℃时,对100ppm正丁醇的灵敏度为24,对正丁醇表现出好的灵敏性。
实施例4
正丁醇气敏器件的制备
(1)称取1.4kg(4mol)SnCl4·5H2O溶于20L水中,将840g(4mol)C8H8O7·H2O溶于20L水中,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将951.72g(4mol)CoCl2·6H2O溶于20L水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入20L1.8mol/L的NaOH溶液搅拌15-30min,加入20L 3mol/L的NaOH溶液搅拌15min得到混合溶液,然后将所得混合溶液转入反应釜中进行溶剂热反应,120℃下反应8h,随后将反应釜自然冷却至室温,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体。
4)将得到的前驱体CoSn(OH)6纳米粉体放入马弗炉中升温300℃煅烧2小时得到CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。将本实施例所得产物进行表征分析,结果为中空的立方体结构,纯度大于99%,平均粒径为120nm。
5)称取上述得到的CoSnO3纳米粉体1g精细研磨,并用适量无水乙醇调成糊状,然后将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经300~450℃退火处理0.5~4h得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
本实施例制备得到的正丁醇气敏器件采用郑州炜盛电子科技有限公司生产的气敏元件测试系统WS-30A仪器进行气敏性能测试,测试方法为静态配气法。测试结果为:当工作温度为200℃时,对100ppm正丁醇的灵敏度为20.12,对正丁醇表现出好的灵敏性。
实施例5
正丁醇气敏器件的制备
(1)称取175.3g(0.5mol)SnCl4·5H2O溶于2L水中,将105g(0.5mol)C8H8O7·H2O溶于2L水中,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将118.97g(0.5mol)CoCl2·6H2O溶于2L水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入2L2.5mol/L的NaOH溶液搅拌15-30min,加入2L 4mol/L的NaOH溶液搅拌15min得到混合溶液,然后将所得混合溶液转入反应釜中进行溶剂热反应,150℃下反应10h,随后将反应釜自然冷却至室温,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体。
4)将得到的前驱体CoSn(OH)6纳米粉体放入马弗炉中升温300℃煅烧2小时得到CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。将本实施例所得产物进行表征分析,结果为中空的立方体结构,纯度大于99%,平均粒径为140nm。
5)称取上述得到的CoSnO3纳米粉体1g精细研磨,并用适量无水乙醇调成糊状,然后将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经300~450℃退火处理0.5~4h得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
本实施例制备得到的正丁醇气敏器件采用郑州炜盛电子科技有限公司生产的气敏元件测试系统WS-30A仪器进行气敏性能测试,测试方法为静态配气法。测试结果为:当工作温度为200℃时,对100ppm正丁醇的灵敏度为19.12,对正丁醇表现出好的灵敏性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种正丁醇气敏材料的制备方法,其特征在于,正丁醇气敏材料为CoSnO3纳米粉体,所述CoSnO3纳米粉体为中空的立方体结构且其粒径为80~150nm,所述正丁醇气敏材料的制备方法包括以下步骤:
(1)称取SnCl4·5H2O配制成氯化锡水溶液,称取柠檬酸配制成柠檬酸水溶液,将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ;
(2)将CoCl2·6H2O溶于水中,得到溶液Ⅱ;
(3)在磁力搅拌下将所述溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀,加入NaOH或KOH,搅拌15-30min,然后第二次加入NaOH或KOH,搅拌15min,得到混合溶液,第一次加入的NaOH或KOH与混合溶液中氯化锡的摩尔比为6~10:1,第二次加入的NaOH或KOH与混合溶液中氯化锡的摩尔比为12~16:1;
(4)将所述混合溶液转入反应釜中进行水热反应,反应结束后,将反应产物抽滤、洗涤、干燥,得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体;
(5)将所述前驱体CoSn(OH)6纳米粉进行升温煅烧得到所述CoSnO3纳米粉体,即为正丁醇气敏材料。
2.根据权利要求1所述的正丁醇气敏材料的制备方法,其特征在于,所述溶液Ⅰ中SnCl4·5H2O和柠檬酸的浓度均为0.1~0.4mol/L。
3.根据权利要求1所述的正丁醇气敏材料的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中SnCl4·5H2O和CoCl2·6H2O的摩尔比为1:1。
4.根据权利要求1所述的一种气敏材料的制备方法,其特征在于,所述水热反应的反应温度为120~180℃,反应时间为6~12h。
5.根据权利要求1所述的正丁醇气敏材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中煅烧的温度为300~500℃,时间为1~4h。
6.一种正丁醇气敏器件,其特征在于,使用权利要求1-5任一项所述的正丁醇气敏材料的制备方法制备得到的正丁醇气敏材料制得。
7.一种如权利要求6所述的正丁醇气敏器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将所述正丁醇气敏材料研磨后与无水乙醇混合调成糊状,将其均匀涂敷在电极管表面,自然风干后经退火处理得到气敏电极管,然后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装,制备得到正丁醇气敏器件。
8.根据权利要求7所述的正丁醇气敏器件的制备方法,其特征在于,所述退火处理的温度为300~450℃,时间为0.5~4h。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810531587.7A CN108609664B (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810531587.7A CN108609664B (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108609664A CN108609664A (zh) | 2018-10-02 |
CN108609664B true CN108609664B (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=63664253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810531587.7A Expired - Fee Related CN108609664B (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108609664B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110455874A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-15 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法 |
CN110672669B (zh) * | 2019-10-14 | 2022-03-29 | 武汉工程大学 | 四氧化三钴气敏器件、其制备方法、应用以及臭氧辅助正丁醇气体测试方法 |
CN114414634B (zh) * | 2022-01-20 | 2023-07-21 | 重庆工商大学 | 一种铁掺杂的羟基锡酸钴气体传感器材料及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1724383A (zh) * | 2005-06-21 | 2006-01-25 | 电子科技大学 | 一种制备一维纳米二氧化锡材料的方法 |
CN103145178A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-06-12 | 武汉工程大学 | 苯气敏材料的制备方法 |
-
2018
- 2018-05-29 CN CN201810531587.7A patent/CN108609664B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1724383A (zh) * | 2005-06-21 | 2006-01-25 | 电子科技大学 | 一种制备一维纳米二氧化锡材料的方法 |
CN103145178A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-06-12 | 武汉工程大学 | 苯气敏材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
3D Graphene Encapsulated Hollow CoSnO3 Nanoboxes as a High Initial Coulombic Efficiency and Lithium Storage Capacity Anode;Jian Huang等;《small》;20171231;第10页右栏第2段 * |
Adsorption studies of ethanol and butanol on Co3O4 nanostructures – A DFT study;Nagarajan等;《Chemical Physics》;20170509;第491卷;第61–68页 * |
Facile hydrothermal synthesis of cobalt stannate (Co2SnO4) nano particles for electrochemical properties;V. K. Premkumar等;《J Mater Sci: Mater Electron》;20161129;第4780页右栏第1段、图4和4783页右栏最后一段 * |
Facile synthesis of highly ethanol-sensitive SnO2 nanoparticles;Jun Zhang等;《Sensors and Actuators B》;20090326;第139卷;第369–374页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108609664A (zh) | 2018-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108609664B (zh) | 正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法 | |
CN108609667B (zh) | 臭氧气敏材料及制备方法、臭氧气敏器件及制备方法 | |
CN100537431C (zh) | 一种制备纳米二氧化锡的方法 | |
CN113740391B (zh) | 一种MOF衍生的NiO-Co3O4丙酮气体传感器的制备方法 | |
CN105753040B (zh) | 用于丙酮气敏传感器的纳米In2O3粉末的制备方法 | |
CN101792116B (zh) | 羧酸化学改性金属氧化物纳米颗粒的制备方法 | |
CN108680610B (zh) | 一种基于MoS2-PbS复合材料的室温NO2气体传感器及其制备方法 | |
CN104909407B (zh) | 一种氧化钼纳米纤维纸及其制备方法 | |
CN106904659A (zh) | 一种多层空心二氧化锡花状纳米片表面生长三氧化二铁纳米棒的制备方法 | |
CN106568811A (zh) | 一种基于Cu‑BTC/聚吡咯纳米线/石墨烯纳米复合材料的氨气传感器及其制备方法 | |
CN105203601A (zh) | 氢气气敏材料及其制备以及氢气气敏器件的制备方法 | |
CN111141783B (zh) | 一种二氧化锡纳米颗粒气敏材料及其制备方法和应用 | |
CN104638066A (zh) | ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法 | |
CN108622944A (zh) | 一种pH值及粘合剂调控的具软磁性和丙酮气体敏感性的铁酸铜镍材料的制备及应用 | |
CN108994315B (zh) | 一种以卡拉胶为模板及还原剂制备银纳米线材料的方法 | |
CN101693602A (zh) | 一种氧化锌薄膜的制备方法 | |
CN108299950B (zh) | 一种高灵敏压力蒸汽指示油墨及其制备方法 | |
CN106629835B (zh) | 一种二氧化钛纳米颗粒的可控制备方法 | |
CN102951673B (zh) | 一种纳米氧化锌棒的制备方法 | |
CN107941858A (zh) | 一种基于VO2@ZnO的丙酮气敏传感器的制备方法 | |
CN107091863B (zh) | 一种三维层状NiZnAl半导体多金属氧化物复合材料及其制备方法和应用 | |
CN104088133A (zh) | 枝状结构ZnSnO3/TiO2复合纳米纤维湿敏材料的制备方法 | |
CN113698640A (zh) | 一种纳米碳酸钙/生物基薄膜的制备方法 | |
CN110028097B (zh) | 用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS-SnO2 | |
CN109655499B (zh) | 一种用于二氧化氮传感器的气敏材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200728 |