CN108598066B - 一种高可靠玻璃钝化高压硅堆及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆及其制造方法，包括环形减震套、电极引线、钨电极、管芯、保护罩、减震弹簧和连接机构，所述钨电极设置有两个，所述电极引线焊接在钨电极的一侧，所述管芯由多个芯片组成，所述管芯的外侧套接有保护罩，所述保护罩的外侧套接有环形减震套，所述环形减震套由左固定环和右固定环组成，所述左固定环和右固定环的对应两侧内壁均通过减震弹簧与保护罩外侧连接，所述左固定环的一侧通过连接机构与右固定环连接，所述连接机构由插槽、拉杆、复位弹簧、卡板、卡杆、通孔、固定槽、插杆和卡孔组成，该高压硅堆，有利于缓冲减震，保护管芯，延长其使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及二极管技术领域，具体为一种高可靠玻璃钝化高压硅堆及其制造方法。
背景技术
高压硅堆又叫硅柱，它是一种硅高频高压整流二极管，工作电压在几千伏至几万伏之间。常用于黑白电视机或其他电子仪器中作高频高压整流，它之所以能有如此高的耐压本领，是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的。外面用高频陶瓷进行封装。
一般的高压硅堆的外部并没有设置缓冲减震，不能够对管芯进行好好的保护，在遇到挤压时，可能造成管芯的损坏，还有就算有减震机构，当减震机构部分损坏时，只能整体更换，浪费材料，针对这种缺陷，所以我们设计一种高可靠玻璃钝化高压硅堆及其制造方法，来解决管芯的保护问题，同时将环形减震套设计为拼接机构，当部分结构损坏时，有利于拆卸更换，不需要整体报废，有利于节约资源。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高可靠玻璃钝化高压硅堆及其制造方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括环形减震套、电极引线、钨电极、管芯、保护罩、减震弹簧和连接机构，所述钨电极设置有两个，所述电极引线焊接在钨电极的一侧，所述管芯由多个芯片组成，所述管芯的外侧套接有保护罩，所述保护罩的外侧套接有环形减震套，所述环形减震套由左固定环和右固定环组成，所述左固定环和右固定环的对应两侧内壁均通过减震弹簧与保护罩外侧连接，所述左固定环的一侧通过连接机构与右固定环连接，所述连接机构由插槽、拉杆、复位弹簧、卡板、卡杆、通孔、固定槽、插杆和卡孔组成，所述左固定环的一侧对应两端均开设有插槽，所述插槽的一侧开设有固定槽，所述固定槽的一侧开设有通孔，通孔外部空气联通，所述固定槽的对应两侧通过卡板连接，所述卡板的一侧中心处粘接有拉杆，且拉杆穿过通孔与外部空气接触，所述卡板的另一侧中心处粘接有卡杆，所述卡板的一侧通过复位弹簧与固定槽一侧连接，所述复位弹簧套接在拉杆的外侧，所述右固定环的一侧对应两端均粘接有插杆，所述插杆的一侧开设有卡孔，所述右固定环通过插杆和插槽与左固定环连接。
一种高可靠玻璃钝化高压硅堆制造方法，包括如下步骤：步骤一，芯片成型；步骤二，部件的组装；步骤三，环形减震套的安装；
其中在所述的步骤一中，将管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片；
其中在所述的步骤二中，再将含有钨电极的电极引线焊接在芯片的两端，再将保护罩套接在管芯的外侧；
其中在所述的步骤三中，将左固定环通过连接机构与右固定环连接，形成环形减震套，左固定环和右固定环再通过减震弹簧与保护罩连接。
根据上述技术方案，所述保护罩由第一陶瓷层、第一防静电层、防水层、散热层、第二防静电层和第二陶瓷层组成，所述第一陶瓷层的顶部粘接有第一防静电层，所述第一防静电层的顶部涂有防水层，所述防水层的顶部粘接有散热层，所述散热层的顶部粘接有第二防静电层，所述第二防静电层的顶部粘接有第二陶瓷层。
根据上述技术方案，所述散热层为一种铜铁合金材料构件。
根据上述技术方案，所述防水层由二苯基甲烷二异氰酸酯、聚酯多元醇、增塑剂、填料和溶剂油组成。
根据上述技术方案，所述减震弹簧通过强力胶分别保护罩、左固定环和右固定环粘接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过向外侧拉动拉杆，带动卡板移动，使复位弹簧受挤压压缩，从而带动卡杆移动，再将插杆插入到插槽中，松掉拉杆，由于复位弹簧的弹力作用，通过卡板带动卡杆移动，使卡杆进入到卡孔中，使左固定环和右固定环进行连接，再将减震弹簧通过强力胶分别保护罩、左固定环和右固定环粘接，当环形减震套受到挤压时，减震弹簧起到减震和缓冲作用；当左固定环和右固定环其中一个损坏时，通过向外侧拉动拉杆，使卡杆脱离卡孔，使左固定环和右固定环能够分离，进行更换，有利于节约资源；将管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片，再将含有钨电极的电极引线焊接在芯片的两端，再将保护罩套接在管芯的外侧，将左固定环通过连接机构与右固定环连接，形成环形减震套，左固定环和右固定环再通过减震弹簧与保护罩连接，有利于进行制造。
附图说明
图1是本发明的整体结构图；
图2是本发明的整体内部结构图；
图3是本发明的左固定环内部图；
图4是本发明的右固定环内部图；
图5是本发明的保护罩内部图；
图6是本发明的高压硅堆制造方法流程图；
图中标号：1、环形减震套；2、电极引线；3、钨电极；4、管芯；5、芯片；6、保护罩；7、减震弹簧；8、左固定环；9、右固定环；10、插槽；11、拉杆；12、复位弹簧；13、卡板；14、卡杆；15、通孔；16、固定槽；17、插杆；18、卡孔；19、连接机构；20、第一陶瓷层；21、第一防静电层；22、防水层；23、散热层；24、第二防静电层；25、第二陶瓷层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5，本发明提供一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括环形减震套1、电极引线2、钨电极3、管芯4、保护罩6、减震弹簧7和连接机构19，钨电极3设置有两个，电极引线2焊接在钨电极3的一侧，管芯4由多个芯片5组成，管芯4的外侧套接有保护罩6，保护罩6的外侧套接有环形减震套1，环形减震套1由左固定环8和右固定环9组成，左固定环8和右固定环9的对应两侧内壁均通过减震弹簧7与保护罩6外侧连接，左固定环8的一侧通过连接机构19与右固定环9连接，连接机构19由插槽10、拉杆11、复位弹簧12、卡板13、卡杆14、通孔15、固定槽16、插杆17和卡孔18组成，左固定环8的一侧对应两端均开设有插槽10，插槽10的一侧开设有固定槽16，固定槽16的一侧开设有通孔15，通孔15外部空气联通，固定槽16的对应两侧通过卡板13连接，卡板13的一侧中心处粘接有拉杆11，且拉杆11穿过通孔15与外部空气接触，卡板13的另一侧中心处粘接有卡杆14，卡板13的一侧通过复位弹簧12与固定槽16一侧连接，复位弹簧12套接在拉杆11的外侧，右固定环9的一侧对应两端均粘接有插杆17，插杆17的一侧开设有卡孔18，右固定环9通过插杆17和插槽10与左固定环8连接，有利于保护管芯4，进行减震。
参见图6，一种高可靠玻璃钝化高压硅堆制造方法，包括如下步骤：步骤一，芯片5成型；步骤二，部件的组装；步骤三，环形减震套1的安装；
其中在所述的步骤一中，将管芯4进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯4的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯4背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片5；
其中在所述的步骤二中，再将含有钨电极3的电极引线2焊接在芯片5的两端，再将保护罩6套接在管芯4的外侧；
其中在所述的步骤三中，将左固定环8通过连接机构19与右固定环9连接，形成环形减震套1，左固定环8和右固定环9再通过减震弹簧7与保护罩6连接。
根据上述技术方案，保护罩6由第一陶瓷层20、第一防静电层21、防水层22、散热层23、第二防静电层24和第二陶瓷层25组成，第一陶瓷层20的顶部粘接有第一防静电层21，第一防静电层21的顶部涂有防水层22，防水层22的顶部粘接有散热层23，散热层23的顶部粘接有第二防静电层24，第二防静电层24的顶部粘接有第二陶瓷层25，有利于绝缘和防静电。
根据上述技术方案，散热层23为一种铜铁合金材料构件，有利于散热。
根据上述技术方案，防水层22由二苯基甲烷二异氰酸酯、聚酯多元醇、增塑剂、填料和溶剂油组成，有利于防水。
根据上述技术方案，减震弹簧7通过强力胶分别保护罩6、左固定环8和右固定环9粘接，有利于连接。
基于上述，本发明的优点在于，本发明通过向外侧拉动拉杆11，带动卡板13移动，使复位弹簧12受挤压压缩，从而带动卡杆14移动，再将插杆17插入到插槽10中，松掉拉杆11，由于复位弹簧12的弹力作用，通过卡板13带动卡杆14移动，使卡杆14进入到卡孔18中，使左固定环8和右固定环9进行连接，再将减震弹簧7通过强力胶分别保护罩6、左固定环8和右固定环9粘接，当环形减震套1受到挤压时，减震弹簧7起到减震和缓冲作用；当左固定环8和右固定环9其中一个损坏时，通过向外侧拉动拉杆11，使卡杆14脱离卡孔18，使左固定环8和右固定环9能够分离，进行更换，有利于节约资源；将管芯4进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯4的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯4背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片5，再将含有钨电极3的电极引线2焊接在芯片5的两端，再将保护罩6套接在管芯4的外侧，将左固定环8通过连接机构19与右固定环9连接，形成环形减震套1，左固定环8和右固定环9再通过减震弹簧7与保护罩6连接，有利于进行制造。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括环形减震套(1)、电极引线(2)、钨电极(3)、管芯(4)、保护罩(6)、减震弹簧(7)和连接机构(19)，其特征在于：所述钨电极(3)设置有两个，所述电极引线(2)焊接在钨电极(3)的一侧，所述管芯(4)由多个芯片(5)组成，所述管芯(4)的外侧套接有保护罩(6)，所述保护罩(6)的外侧套接有环形减震套(1)，所述环形减震套(1)由左固定环(8)和右固定环(9)组成，所述左固定环(8)和右固定环(9)的对应两侧内壁均通过减震弹簧(7)与保护罩(6)外侧连接，所述左固定环(8)的一侧通过连接机构(19)与右固定环(9)连接，所述连接机构(19)由插槽(10)、拉杆(11)、复位弹簧(12)、卡板(13)、卡杆(14)、通孔(15)、固定槽(16)、插杆(17)和卡孔(18)组成，所述左固定环(8)的一侧对应两端均开设有插槽(10)，所述插槽(10)的一侧开设有固定槽(16)，所述固定槽(16)的一侧开设有通孔(15)，通孔(15)外部空气联通，所述固定槽(16)的对应两侧通过卡板(13)连接，所述卡板(13)的一侧中心处粘接有拉杆(11)，且拉杆(11)穿过通孔(15)与外部空气接触，所述卡板(13)的另一侧中心处粘接有卡杆(14)，所述卡板(13)的一侧通过复位弹簧(12)与固定槽(16)一侧连接，所述复位弹簧(12)套接在拉杆(11)的外侧，所述右固定环(9)的一侧对应两端均粘接有插杆(17)，所述插杆(17)的一侧开设有卡孔(18)，所述右固定环(9)通过插杆(17)和插槽(10)与左固定环(8)连接。
2.根据权利要求1的一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于：所述保护罩(6)由第一陶瓷层(20)、第一防静电层(21)、防水层(22)、散热层(23)、第二防静电层(24)和第二陶瓷层(25)组成，所述第一陶瓷层(20)的顶部粘接有第一防静电层(21)，所述第一防静电层(21)的顶部涂有防水层(22)，所述防水层(22)的顶部粘接有散热层(23)，所述散热层(23)的顶部粘接有第二防静电层(24)，所述第二防静电层(24)的顶部粘接有第二陶瓷层(25)。
3.根据权利要求2的一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于：所述散热层(23)为一种铜铁合金材料构件。
4.根据权利要求2的一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于：所述防水层(22)由二苯基甲烷二异氰酸酯、聚酯多元醇、增塑剂、填料和溶剂油组成。
5.根据权利要求1的一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于：所述减震弹簧(7)通过强力胶分别保护罩(6)、左固定环(8)和右固定环(9)粘接。
6.一种高可靠玻璃钝化高压硅堆制造方法，包括如下步骤：步骤一，芯片(5)成型；步骤二，部件的组装；步骤三，环形减震套(1)的安装；其特征在于：
其中在所述的步骤一中，将管芯(4)进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯(4)的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯(4)背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片(5)；
其中在所述的步骤二中，再将含有钨电极(3)的电极引线(2)焊接在芯片(5)的两端，再将保护罩(6)套接在管芯(4)的外侧；
其中在所述的步骤三中，将左固定环(8)通过连接机构(19)与右固定环(9)连接，形成环形减震套(1)，左固定环(8)和右固定环(9)再通过减震弹簧(7)与保护罩(6)连接。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224454A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Fuji Electric Co Ltd | 高圧半導体整流素子 |
| CN201540888U (zh) * | 2009-10-21 | 2010-08-04 | 周哲 | 二极管装配结构 |
| CN201877425U (zh) * | 2010-09-15 | 2011-06-22 | 上海美高森美半导体有限公司 | 高压硅堆 |
| CN203103299U (zh) * | 2013-01-25 | 2013-07-31 | 上海美高森美半导体有限公司 | 汽车点火器用高可靠性高压二极管 |
| CN203491256U (zh) * | 2013-09-16 | 2014-03-19 | 海湾电子(山东)有限公司 | 高压硅堆二极管 |
| JP2014107378A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| CN204538012U (zh) * | 2015-04-22 | 2015-08-05 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种高可靠玻璃钝化高压硅堆 |
| CN106057789A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-10-26 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种贴片式高压硅堆及其生产工艺 |
| CN107768328A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 华北电力大学 | 一种实现双面散热和压力均衡的功率器件 |
-
2018
- 2018-04-19 CN CN201810353182.9A patent/CN108598066B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224454A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Fuji Electric Co Ltd | 高圧半導体整流素子 |
| CN201540888U (zh) * | 2009-10-21 | 2010-08-04 | 周哲 | 二极管装配结构 |
| CN201877425U (zh) * | 2010-09-15 | 2011-06-22 | 上海美高森美半导体有限公司 | 高压硅堆 |
| JP2014107378A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP5975856B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| CN203103299U (zh) * | 2013-01-25 | 2013-07-31 | 上海美高森美半导体有限公司 | 汽车点火器用高可靠性高压二极管 |
| CN203491256U (zh) * | 2013-09-16 | 2014-03-19 | 海湾电子(山东)有限公司 | 高压硅堆二极管 |
| CN204538012U (zh) * | 2015-04-22 | 2015-08-05 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种高可靠玻璃钝化高压硅堆 |
| CN106057789A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-10-26 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种贴片式高压硅堆及其生产工艺 |
| CN107768328A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 华北电力大学 | 一种实现双面散热和压力均衡的功率器件 |
Also Published As
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Denomination of invention: A highly reliable glass passivated high-voltage silicon stack and its manufacturing method Effective date of registration: 20231108 Granted publication date: 20191119 Pledgee: China Merchants Bank Limited by Share Ltd. Nantong branch Pledgor: RUGAO DACHANG ELECTRONICS Co.,Ltd. Registration number: Y2023980064388 |
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