CN108550655B - 基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 - Google Patents
基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108550655B CN108550655B CN201810464670.7A CN201810464670A CN108550655B CN 108550655 B CN108550655 B CN 108550655B CN 201810464670 A CN201810464670 A CN 201810464670A CN 108550655 B CN108550655 B CN 108550655B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- full
- solar battery
- perovskite solar
- inorganic perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title claims abstract description 21
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000031709 bromination Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 33
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- SGWTWSJQYHSLLT-UHFFFAOYSA-M CO.[Br-].[Cs+] Chemical compound CO.[Br-].[Cs+] SGWTWSJQYHSLLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 claims description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 6
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明提供了基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，本发明具体是在FTO导电玻璃上制备二氧化钛电子传输层，随后旋涂溴化铅溶液，然后喷涂溴化铯溶液，形成高纯相、大晶粒CsPbBr3钙钛矿吸光层，随后沉积界面修饰层材料，最后刮涂碳背电极，组装成全无机钙钛矿太阳能电池。本发明中通过改进制备方法并优化碳电极与钙钛矿吸光层的界面能级结构，提高了电池的光电转换效率以及稳定性，制备方法简单可行，成本低廉，同时具有可大面积生产的商业前景。
Description
技术领域
本发明属于新材料技术以及新能源技术领域，具体涉及基于喷涂辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用。
背景技术
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池是近年来迅速发展的一类具有介观结构的新型薄膜太阳能电池，目前最高光电转换效率已经达到22%以上，但是杂化钙钛矿材料在高温或高湿环境容易降解导致器件稳定性较差。而无机CsPbBr3钙钛矿材料具有优异的环境稳定性，同时全无机钙钛矿太阳能电池迅速发展成为太阳能光伏发电领域的明星。
尽管小尺寸器件的光电转换效率已经达到商业化的基本要求，但目前的CsPbBr3吸光层都是通过旋涂沉积技术制备的，导致器件面积较小，不利于其大规模商业化应用。因此，开发一种制备大面积无机钙钛矿太阳能电池的技术具有重要的理论意义和实用价值。
发明内容
本发明的目的在于提供了基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，本发明可以获得成本低、制备简单、大面积无机钙钛矿太阳能电池，加速钙钛矿太阳能电池的产业化进程，具有重要的实用价值和经济价值。
为实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
本发明提供了基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)、将二硫化钼纳米粉末溶解于二甲基苄胺溶液；制得二硫化钼分散液；
(2)、将所述二硫化钼分散液搅拌均匀后，超声分散，静置后取上清液；
(3)、将所述上清液搅拌加热；离心去除残渣后获得分布均匀的二硫化钼量子点溶液；
(4)、配制浓度为0.1~1 mol/L的钛酸异丙酯乙醇溶液，配制溶度为0.05~0.1 g/mL的二氧化钛浆料，配制浓度为0.01~0.05 mol/L的四氯化钛水溶液；配制浓度为1~2 mol/L溴化铅DMF溶液和浓度为0.05~0.1 mol/L的溴化铯甲醇溶液；
(5)、将所述钛酸异丙酯乙醇溶液在FTO导电玻璃基体上旋涂成薄膜，并高温煅烧，获得二氧化钛致密层；
(6)、将所述TiO2浆料旋涂在步骤(5)中制得的二氧化钛致密层表面，并高温煅烧；制得二氧化钛薄膜；
(7)、将步骤(6)制得的二氧化钛薄膜浸泡在所述四氯化钛溶液中，在60~80度下加热，并高温煅烧制备介孔二氧化钛薄膜；
(8)、将所述溴化铅DMF溶液旋涂在步骤(7)制备的二氧化钛薄膜表面，加热；
(9)、将所述溴化铯甲醇溶液喷涂在步骤(8)中制备的薄膜表面，加热，重复喷涂过程多次，制得高纯相CsPbBr3钙钛矿吸光层；
(10)、将所述二硫化钼量子点溶液旋涂在步骤(9)制备的钙钛矿层吸光层表面，获得二硫化钼量子点修饰的钙钛矿层；
(11)、在所述步骤(10)制备的钙钛矿层表面刮涂碳浆料并干燥，组装成所述全无机钙钛矿太阳能电池。
进一步的：所述二硫化钼纳米粉末和二甲基苄胺溶液的质量体积比为0.5:100~1.5:100。
进一步的：所述步骤(2)中静置时间为12~16小时。
进一步的：所述步骤(3)中上清液在120~140℃下搅拌加热4~6小时。
进一步的：所述步骤(5)中旋涂的转速为6500-7500转/分。
进一步的：所述步骤(5)和(6)中在450~550度下煅烧30~60分钟。
进一步的：所述步骤(9)中的喷涂速度为60~80 μL/s。
本发明还提供了所述的制备方法制得的全无机钙钛矿太阳能电池。
所述全无机钙钛矿太阳能电池的开路电压为1.2 V～1.4 V、短路电流密度为5mA·cm-2～7 mA·cm-2、填充因子为0.7～0.8、光电转换效率为6%～8%。
本发明还提供了所述的全无机钙钛矿太阳能电池在作为电池组件中的应用。
与现有技术相比，本发明的优点和技术效果是：
1、本发明充分利用二硫化钼量子点的带隙可调性、优良的空穴传输能力，通过优化CsPbBr3钙钛矿层与碳电极的界面能级结构，提高了空穴提取过程，降低了电子-空穴的复合，优化后的全无机钙钛矿太阳能电池的光电转换效率可达6.8%。
2、本发明采用的喷涂辅助法与常规的两步液相法相比，具有制备方法简单、重复性好、易操作、可制备大面积钙钛矿薄膜的优势。多次喷涂溴化铯溶液，有利于减少钙钛矿薄膜中CsPb2Br5以及Cs4PbBr6等非钙钛矿相的生成，对提高电池的光电转换效率以及稳定性至关重要。
附图说明
图1为本发明所设计的全无机钙钛矿太阳能电池的制备过程示意图及相应薄膜的扫描电镜图像。
图2为本发明所制备的全无机钙钛矿太阳能电池经过二硫化钼量子点界面修饰前后的J-V曲线。
图3为本发明所制备的全无机钙钛矿电池的稳定性能。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步详细的说明。
实施例1
本发明所述基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
1、将1 g二硫化钼纳米粉末溶于100 mL的二甲基苄胺溶液(质量浓度≥98%)；制得二硫化钼分散液；
2、将所述二硫化钼分散液搅拌均匀后，超声分散，超声4~6小时，静置后取上清液；
3、将所述上清液置于三通烧瓶中于120~140℃下搅拌加热4~6小时，再离心去除残渣后，获得分布均匀的二硫化钼量子点溶液；
4、配制浓度为0.1~1 mol/L的钛酸异丙酯乙醇溶液，配制溶度为0.05~0.1 g/mL的二氧化钛浆料，配制浓度为0.01~0.05 mol/L的四氯化钛水溶液；配制浓度为1~2 mol/L溴化铅DMF溶液（将溴化铅溶于DMF溶液中）和浓度为0.05~0.1 mol/L的溴化铯甲醇溶液（将溴化铯溶于甲醇溶液中）；
5、将100 μL所述的钛酸异丙酯乙醇溶液在FTO导电玻璃基体上以转速7000转/分旋涂30秒成薄膜，并在550度下煅烧30分钟，获得二氧化钛致密层；
6、将步骤4配制的所述TiO2浆料以转速2000转/分在所述制得的二氧化钛致密层表面旋涂30秒，并在450度下煅烧30分钟；制得二氧化钛薄膜；
7、将步骤6制得的二氧化钛薄膜浸泡在步骤4中配制的四氯化钛溶液中，在75度下加热30分钟，并在450度下煅烧30分钟制备多孔二氧化钛薄膜；
8、将步骤4制备的所述溴化铅DMF溶液旋涂在步骤7制备的二氧化钛薄膜表面，转速为2000转/分，时间为30秒，之后在80度下加热30分钟；
9、将步骤4制备的溴化铯甲醇溶液喷涂在步骤8中制备的薄膜表面，喷涂速度为60~80 μL/s，250度下加热5分钟；重复此溴化铯溶液的喷涂过程1~6次，制得高纯相CsPbBr3钙钛矿吸光层；
10、将步骤3制备的二硫化钼量子点溶液旋涂在步骤9制备的CsPbBr3钙钛矿层，转速为2000转/分，时间为30秒，获得二硫化钼量子点修饰的钙钛矿吸光层；
11、在步骤10制备的钙钛矿层表面刮涂碳浆料并干燥，组装成本发明所述的全无机钙钛矿太阳能电池。
如图1-3所示，通过本发明上述方法，获得了开路电压为1.2 V～1.4 V、短路电流密度为5 mA·cm-2～7 mA·cm-2、填充因子为0.7～0.8、光电转换效率为6%～8%、在湿度为60%~80%的条件下连续放置700小时电池性能无明显衰减的全无机钙钛矿太阳能电池。本发明所述全无机钙钛矿太阳能电池可以作为电池组件和电站应用。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其进行限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的普通技术人员来说，依然可以对前述实施案例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明所要求保护的技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)、将二硫化钼纳米粉末溶解于二甲基苄胺溶液；制得二硫化钼分散液；
(2)、将所述二硫化钼分散液搅拌均匀后，超声分散，静置后取上清液；
(3)、将所述上清液搅拌加热；离心去除残渣后获得分布均匀的二硫化钼量子点溶液；
(4)、配制浓度为0.1~1 mol/L的钛酸异丙酯乙醇溶液，配制溶度为0.05~0.1 g/mL的二氧化钛浆料，配制浓度为0.01~0.05 mol/L的四氯化钛水溶液；配制浓度为1~2 mol/L溴化铅DMF溶液和浓度为0.05~0.1 mol/L的溴化铯甲醇溶液；
(5)、将所述钛酸异丙酯乙醇溶液在FTO导电玻璃基体上旋涂成薄膜，并高温煅烧，获得二氧化钛致密层；
(6)、将所述二氧化钛浆料旋涂在步骤(5)中制得的二氧化钛致密层表面，并高温煅烧；制得二氧化钛薄膜；
(7)、将步骤(6)制得的二氧化钛薄膜浸泡在所述四氯化钛水溶液中，在60~80度下加热，并高温煅烧制备介孔二氧化钛薄膜；
(8)、将所述溴化铅DMF溶液旋涂在步骤(7)制备的二氧化钛薄膜表面，加热；
(9)、将所述溴化铯甲醇溶液喷涂在步骤(8)中制备的薄膜表面，加热，重复喷涂过程多次，制得高纯相CsPbBr3钙钛矿吸光层；
(10)、将所述二硫化钼量子点溶液旋涂在步骤(9)制备的钙钛矿层吸光层表面，获得二硫化钼量子点修饰的钙钛矿层；
(11)、在所述步骤(10)制备的钙钛矿层表面刮涂碳浆料并干燥，组装成所述全无机钙钛矿太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述二硫化钼纳米粉末和二甲基苄胺溶液的质量体积比为0.5:100~1.5:100。
3.根据权利要求1所述的基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中静置时间为12~16小时。
4.根据权利要求1所述的基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中上清液在120~140℃下搅拌加热4~6小时。
5.根据权利要求1所述的基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中旋涂的转速为6500-7500转/分。
6.根据权利要求1所述的基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)和(6)中在450~550度下煅烧30~60分钟。
7.根据权利要求1所述的基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(9)中的喷涂速度为60~80 μL/s。
8.权利要求1~7任一项所述的制备方法制得的全无机钙钛矿太阳能电池。
9.根据权利要求8所述的全无机钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述全无机钙钛矿太阳能电池的开路电压为1.2 V～1.4 V、短路电流密度为5 mA·cm-2～7 mA·cm-2、填充因子为0.7～0.8、光电转换效率为6%～8%。
10.权利要求8所述的全无机钙钛矿太阳能电池在作为电池组件中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810464670.7A CN108550655B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810464670.7A CN108550655B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108550655A CN108550655A (zh) | 2018-09-18 |
| CN108550655B true CN108550655B (zh) | 2019-07-30 |
Family
ID=63495039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810464670.7A Expired - Fee Related CN108550655B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108550655B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109638162B (zh) * | 2018-12-14 | 2022-07-05 | 江西理工大学 | 一种高质量CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法 |
| CN109802040A (zh) * | 2019-01-26 | 2019-05-24 | 中国海洋大学 | 基于聚-3己基噻吩/酞菁锌复合空穴层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法与应用 |
| CN109888049B (zh) * | 2019-02-02 | 2021-05-07 | 上海大学 | 无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法 |
| CN110289327B (zh) * | 2019-06-25 | 2021-05-18 | 青岛亿恩方能源环保科技有限公司 | 基于PbBr2微孔调控的全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
| CN110504363A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-26 | 浙江天地环保科技有限公司 | 一种全无机钙钛矿太阳能电池制备方法 |
| CN110690302B (zh) * | 2019-08-19 | 2021-08-17 | 五邑大学 | 一种CsPbBr3薄膜及其制备方法和一种器件 |
| CN111403612A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-10 | 武汉理工大学 | 一种水系前驱体钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 |
| CN111933731A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 暨南大学 | 一种基于全无机钙钛矿的全光谱吸收光伏-热电集成太阳能电池及其制备方法和应用 |
| CN113270549B (zh) * | 2021-04-19 | 2024-04-05 | 厦门大学 | 一种含修饰层结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN113140679B (zh) * | 2021-04-20 | 2023-12-12 | 大正(江苏)微纳科技有限公司 | 钙钛矿电池、其制备方法及其修饰层制备方法 |
-
2018
- 2018-05-16 CN CN201810464670.7A patent/CN108550655B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108550655A (zh) | 2018-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108550655B (zh) | 基于喷雾辅助法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
| CN107579134B (zh) | 基于连续旋涂制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
| CN108878554A (zh) | 基于镧系稀土离子掺杂CsPbBr3的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
| CN105810442B (zh) | 一种g‑C3N4增强型太阳能电池的制造方法 | |
| CN106384785B (zh) | 一种锡掺杂甲基铵基碘化铅钙钛矿太阳能电池 | |
| CN109004048A (zh) | 一种铯铅溴无机钙钛矿量子点薄膜的制备方法及基于其的光伏器件 | |
| CN107240643B (zh) | 溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池及其制作方法 | |
| CN106972104B (zh) | 一种碱金属氟化物掺杂的钙钛矿太阳电池制备方法 | |
| CN104362253A (zh) | 全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法 | |
| CN110047951A (zh) | 基于过渡金属离子掺杂全无机钙钛矿电池制备及其应用 | |
| CN107565023B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
| CN104016405A (zh) | 一种花状介孔二氧化钛材料及其制备方法与应用 | |
| CN108232017B (zh) | 一种低温高效的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108807680B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池 | |
| CN110311012A (zh) | 基于无机钙钛矿纳米晶界面层的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
| CN106384784A (zh) | 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池 | |
| CN109768163A (zh) | 一种TiO2/CdS钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
| CN109980092A (zh) | 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103943721A (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途 | |
| CN106637287A (zh) | 一种制备钽酸镧氧氮化物高效光电极的方法 | |
| CN110416361A (zh) | 一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
| CN104377036B (zh) | 一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法 | |
| CN109065727A (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
| CN105304821A (zh) | 钙钛矿薄膜及太阳能电池的制作方法 | |
| CN107130256A (zh) | 硼掺杂氮化碳修饰二氧化钛复合光电极及其制备方法、应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190730 Termination date: 20200516 |