CN108538572A - 电容器封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电容器封装结构，其包括电容单元、第一包覆层以及第二包覆层。电容单元包括电容器、第一导电引脚以及第二导电引脚。第一包覆层包覆整个电容器、一部分的第一导电引脚以及一部分的第二导电引脚。第二包覆层包覆整个第一包覆层、一部分的第一导电引脚以及一部分的第二导电引脚。第一包覆层与第二包覆层两者的其中之一为一种由封装材料所形成的封装胶体，且第一包覆层与第二包覆层两者的另外之一为一种由防潮阻气材料所形成的防潮阻气薄膜。借此，本发明能提升电容器封装结构整体的防潮性与阻气性，并有效提升电容器封装结构的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构，特别是涉及一种电容器封装结构。
背景技术
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括：滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质以及用途，有不同的型态，包括固态电解电容器、钽质电解电容器、积层陶瓷电容器、薄膜电容器等等，其中，固态电解电容器具有小尺寸、大电容量以及频率特性优越等优点，可使用于中央处理器的电源电路的解耦合作用上。然而，现有技术中，用于封装电容器的封装结构所能够提供的防潮性与阻气性都不佳而需要进行改善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电容器封装结构。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种电容器封装结构，其包括：一电容单元、一防潮阻气薄膜以及一封装胶体。所述电容单元包括一电容器、一电性连接于所述电容器的第一导电引脚以及一电性连接于所述电容器的第二导电引脚。所述防潮阻气薄膜包覆整个所述电容器。所述封装胶体包覆整个所述防潮阻气薄膜。其中，所述第一导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第一内埋部以及一连接于所述第一内埋部且外露在所述封装胶体的外部的第一外露部，且所述第二导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第二内埋部以及一连接于所述第二内埋部且外露在所述封装胶体的外部的第二外露部。其中，所述防潮阻气薄膜具有一环绕地连接于所述第一导电引脚的所述第一内埋部的第一防潮阻气强化结构以及一环绕地连接于所述第二导电引脚的所述第二内埋部的第二防潮阻气强化结构。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜为一种具有疏水链的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述电容器的外表面上。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜为一种具有硅烷耦合剂的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述电容器的外表面上。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基(carboxyl group)、酰氯基(acyl chloride group)、硅醚官能基(silylether group)、硅烷醇基(silanol group)、氯硅烷基(chloro silane group)以及硫醇基(thiol group)所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基(alkyl group)、苄基(benzylgroup)、C1-C3氟烷基(alkyl fluoride group)、羧酸酯基(ester group)以及环氧基(epoxy group)所组成的群组。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜为一种具有1-辛硫醇(1-octanethiol)、苯甲酸(Benzoic acid)、苯甲酰氯(Benzoyl chloride)、5,5,5-三氟戊酸(5,5,5-Trifluoropentanoic acid)、十八烷基三甲氧基硅烷(Trimethoxy(octadecyl)silane)、3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷(3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane)或者辛酰氯(Octanoyl chloride)的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述电容器的外表面上。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜具有一环绕地连接于所述第一导电引脚的所述第一内埋部的第一防潮阻气强化结构以及一环绕地连接于所述第二导电引脚的所述第二内埋部的第二防潮阻气强化结构，其中，所述防潮阻气薄膜具有一完全覆盖所述电容器的外表面的第三防潮阻气强化结构以及一被所述封装胶体所完全覆盖的第四防潮阻气强化结构。
本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种电容器封装结构，其包括：一电容单元、一封装胶体以及一防潮阻气薄膜。所述电容单元包括一电容器、一电性连接于所述电容器的第一导电引脚以及一电性连接于所述电容器的第二导电引脚。所述封装胶体包覆整个所述电容器。所述防潮阻气薄膜包覆整个所述封装胶体。其中，所述第一导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第一内埋部以及一连接于所述第一内埋部且外露在所述防潮阻气薄膜的外部的第一外露部，且所述第二导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第二内埋部以及一连接于所述第二内埋部且外露在所述防潮阻气薄膜的外部的第二外露部。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜为一种具有疏水链的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述封装胶体的外表面上。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜为一种具有硅烷耦合剂的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述封装胶体的外表面上。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基(carboxyl group)、酰氯基(acyl chloride group)、硅醚官能基(silylether group)、硅烷醇基(silanol group)、氯硅烷基(chloro silane group)以及硫醇基(thiol group)所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基(alkyl group)、苄基(benzylgroup)、C1-C3氟烷基(alkyl fluoride group)、丙烯酸基(ester group)以及环氧基(epoxy group)所组成的群组。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜为一种具有苯甲酰氯(Benzoyl chloride)、5,5,5-三氟戊酸(5,5,5-Trifluoropentanoic acid)、十八烷基三甲氧基硅烷(Trimethoxy(octadecyl)silane)、3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane)或者辛酰氯(Octanoyl chloride)的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述封装胶体的外表面上。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种电容器封装结构，其包括：一电容单元、一第一包覆层以及一第二包覆层。所述电容单元包括一电容器、一电性连接于所述电容器的第一导电引脚以及一电性连接于所述电容器的第二导电引脚。所述第一包覆层包覆整个所述电容器、一部分的所述第一导电引脚以及一部分的所述第二导电引脚。所述第二包覆层包覆整个所述第一包覆层、一部分的所述第一导电引脚以及一部分的所述第二导电引脚。其中，所述第一包覆层与所述第二包覆层两者的其中之一为一种由封装材料所形成的封装胶体，且所述第一包覆层与所述第二包覆层两者的另外之一为一种由防潮阻气材料所形成的防潮阻气薄膜。其中，所述第一导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第一内埋部以及一连接于所述第一内埋部且外露在所述第二包覆层的外部的第一外露部，且所述第二导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第二内埋部以及一连接于所述第二内埋部且外露在所述第二包覆层的外部的第二外露部。
更进一步地，所述防潮阻气薄膜至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基(carboxyl group)、酰氯基(acyl chloride group)、硅醚官能基(silylether group)、硅烷醇基(silanol group)、氯硅烷基(chloro silane group)以及硫醇基(thiol group)所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基(alkyl group)、苄基(benzylgroup)、C1-C3氟烷基(alkyl fluoride group)、羧酸酯基(ester group)以及环氧基(epoxy group)所组成的群组。
本发明的有益效果在于，本发明技术方案所提供的电容器封装结构，其可通过“所述第一包覆层包覆整个所述电容器、一部分的所述第一导电引脚以及一部分的所述第二导电引脚，且所述第二包覆层包覆整个所述第一包覆层、一部分的所述第一导电引脚以及一部分的所述第二导电引脚”以及“所述第一包覆层与所述第二包覆层两者的其中之一为一种由封装材料所形成的封装胶体，且所述第一包覆层与所述第二包覆层两者的另外之一为一种由防潮阻气材料所形成的防潮阻气薄膜”的技术特征，以提升电容器封装结构整体的防潮性与阻气性，进而有效提升电容器封装结构的使用寿命。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一、第二实施例的电容单元的剖面示意图。
图2为本发明第一实施例中，形成一防潮阻气薄膜以包覆整个电容器的剖面示意图。
图3为本发明第一实施例的防潮阻气薄膜形成在电容器上的剖面示意图。
图4为本发明第一实施例中，形成一封装胶体以包覆整个防潮阻气薄膜的剖面示意图。
图5为本发明第一实施例中，弯折第一导电引脚以及第二导电引脚，以使得第一导电引脚以及第二导电引脚沿着封装胶体的外表面延伸的剖面示意图。
图6为本发明第二实施例中，形成一封装胶体以包覆整个电容器的剖面示意图。
图7为本发明第二实施例中，形成一防潮阻气薄膜以包覆整个封装胶体的剖面示意图。
图8为本发明第二实施例的防潮阻气薄膜形成在封装胶体上的剖面示意图。
图9为本发明第二实施例中，弯折第一导电引脚以及第二导电引脚，以使得第一导电引脚以及第二导电引脚沿着封装胶体的外表面延伸的剖面示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实例来说明本发明所公开有关“电容器封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的技术范围。以下的实施方式所公开的内容，请一并参阅图1至图9所示。
第一实施例
请参阅图1至图5所示，本发明第一实施例提供一种电容器封装结构Z的制作方法，其可包括下列步骤：
首先，如图1所示，提供一电容单元1，电容单元1包括一电容器10，一电性连接于电容器10的第一导电引脚11’以及一电性连接于电容器10的第二导电引脚12’；然后，配合图1至图3所示，形成一防潮阻气薄膜2以包覆整个电容器10；接着，配合图2以及图4所示，形成一封装胶体3以包覆整个防潮阻气薄膜2；最后，配合图4以及图5所示，弯折第一导电引脚11’以及第二导电引脚12’，以使得第一导电引脚11以及第二导电引脚12沿着封装胶体3的外表面300延伸。
举其中一例来说，配合图1至图3所示，防潮阻气薄膜2可为一种具有疏水链(hydrophobic chain)的自组装单分子膜，并且自组装单分子膜可以是通过浸镀(dipcoating)或是蒸镀(vapor deposition)的方式以形成在电容器10的外表面100上。
举另外一例来说，配合图1至图3所示，防潮阻气薄膜2可为一种具有硅烷耦合剂(silane coupling agent)的自组装单分子膜，并且自组装单分子膜可以是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在电容器10的外表面100上。
具体来说，在本发明实施例中，防潮阻气薄膜2可至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基(carboxyl group)、酰氯基(acyl chloride group)、硅醚官能基(silyl ether group)、硅烷醇基(silanol group)、氯硅烷基(chloro silanegroup)以及硫醇基(thiol group)所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基(alkylgroup)、苄基(benzyl group)、C1-C3氟烷基(alkyl fluoride group)、羧酸酯基(estergroup)以及环氧基(epoxy group)所组成的群组。换句话说，本发明实施例所使用的防潮阻气薄膜2中所包含的自主装分子，是包含具有化学稳定性、热稳定性以及疏水性的官能基团(R2基团)，并搭配具有化学反应性以及自我聚合能力或是与基材表面产生特定化学键结的官能基团(R1基团)，来达到隔绝外部环境的气体或湿气，进而达到防潮以及阻气的效果。再进一步而言，本发明的发明人发现，在使用包含所述通式的化合物的防潮阻气薄膜2之下，电容器封装结构Z的寿命可以显著提升。
举另外再一例来说，配合图1至图3所示，防潮阻气薄膜2可为一种具有1-辛硫醇(1-octanethiol)、苯甲酸(Benzoic acid)、苯甲酰氯(Benzoyl chloride)、5,5,5-三氟戊酸(5,5,5-Trifluoropentanoic acid)、十八烷基三甲氧基硅烷(Trimethoxy(octadecyl)silane)、氯二甲基辛硅烷(chlorodimethyloctylsilane)、3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷(3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane)或者辛酰氯(Octanoyl chloride)的自组装单分子膜，并且自组装单分子膜可以是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在电容器10的外表面100上。
更进一步来说，自组装单分子膜(self-assembly monolayer，SAM)是有机分子通过其头基与一固体基板间的特定吸引力，自发性地吸附至固体表面所形成的二维分子薄膜。所谓的自组装单分子膜，是分子通过分子与固体基板间的特定作用力，自发性地吸附在固体载体表面，形成紧密、甚至有序结构的分子薄膜。然而，本发明的防潮阻气薄膜2不限于上述所举例的自组装单分子膜。
借此，本发明第一实施例可通过上述的制作方法以制作出一种电容器封装结构Z。也就是说，如图5所示，本发明第一实施例还可进一步提供一种电容器封装结构Z，其包括：一电容单元1、一防潮阻气薄膜2以及一封装胶体3。
更进一步来说，如图5所示，电容单元1包括一电容器10、一电性连接于电容器10的第一导电引脚11以及一电性连接于电容器10的第二导电引脚12。另外，防潮阻气薄膜2包覆整个电容器10，并且封装胶体3包覆整个防潮阻气薄膜2。举例来说，第一导电引脚11与第二导电引脚12分别可为一正极引脚以及一负极引脚。
更进一步来说，如图5所示，第一导电引脚11具有一从电容器10延伸而出且被防潮阻气薄膜2与封装胶体3所包覆的第一内埋部11A以及一连接于第一内埋部11A且外露在封装胶体3的外部的第一外露部11B，并且第二导电引脚12具有一从电容器10延伸而出且被防潮阻气薄膜2与封装胶体3所包覆的第二内埋部12A以及一连接于第二内埋部12A且外露在封装胶体3的外部的第二外露部12B。
值得一提的是，如图5所示，防潮阻气薄膜2具有一环绕地连接于第一导电引脚11的第一内埋部11A的第一防潮阻气强化结构21以及一环绕地连接于第二导电引脚12的第二内埋部12A的第二防潮阻气强化结构22。另外，防潮阻气薄膜2的内表面上具有一完全覆盖电容器10的外表面100的第三防潮阻气强化结构23，并且防潮阻气薄膜2的外表面上具有一被封装胶体3所完全覆盖的第四防潮阻气强化结构24。
因此，本发明第一实施例所提供的电容器封装结构Z，其可通过“防潮阻气薄膜2包覆整个电容器10”以及“封装胶体3包覆整个防潮阻气薄膜2”的技术特征，使得外界的水气(H2O)或氧气(O2)不易直接穿过防潮阻气薄膜2或者不易穿过防潮阻气薄膜2与第一导电引脚11(或第二导电引脚12)之间的连接面而接触到电容器10，借此以提升电容器封装结构Z整体的防潮性与阻气性，进而有效提升电容器封装结构Z的使用寿命。
第二实施例
请参阅图1、图6至图9所示，本发明第二实施例提供一种电容器封装结构Z的制作方法，其可包括下列步骤：
首先，如图1所示，提供一电容单元1，电容单元1包括一电容器10、一电性连接于电容器10的第一导电引脚11’以及一电性连接于电容器10的第二导电引脚12’；然后，配合图1以及图6所示，形成一封装胶体3以包覆整个电容器10；接着，配合图6至图8所示，形成一防潮阻气薄膜2以包覆整个封装胶体3；最后，配合图7以及图9所示，弯折第一导电引脚11’以及第二导电引脚12’，以使得第一导电引脚11以及第二导电引脚12沿着封装胶体3的外表面300延伸。
举其中一例来说，配合图6至图8所示，防潮阻气薄膜2可为一种具有疏水链(hydrophobic chain)的自组装单分子膜，并且自组装单分子膜可以是通过浸镀(dipcoating)或是蒸镀(vapor deposition)的方式以形成在封装胶体3的外表面300上。
举另外一例来说，配合图6至图8所示，防潮阻气薄膜2可为一种具有硅烷耦合剂(silane coupling agent)的自组装单分子膜，并且自组装单分子膜可以是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在封装胶体3的外表面300上。
具体来说，在本发明实施例中，防潮阻气薄膜2可至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其与第一实施例相同，故不再此多做说明。举另外再一例来说，配合图6至图8所示，防潮阻气薄膜2可为一种具有1-辛硫醇(1-octanethiol)、苯甲酸(Benzoic acid)、苯甲酰氯(Benzoyl chloride)、5,5,5-三氟戊酸(5,5,5-Trifluoropentanoic acid)、十八烷基三甲氧基硅烷(Trimethoxy(octadecyl)silane)、3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷(3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane)或者辛酰氯(Octanoyl chloride)的自组装单分子膜，并且自组装单分子膜可以是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在封装胶体3的外表面300上。
更进一步来说，自组装单分子膜(self-assembly monolayer，SAM)是有机分子通过其头基与一固体基板间的特定吸引力，自发性地吸附至固体表面所形成的二维分子薄膜。所谓的自组装单分子膜，是分子通过分子与固体基板间的特定作用力，自发性地吸附在固体载体表面，形成紧密、甚至有序结构的分子薄膜。然而，本发明的防潮阻气薄膜2不以上述所举例的自组装单分子膜为限。
借此，本发明第二实施例可通过上述的制作方法以制作出一种电容器封装结构Z。也就是说，如图9所示，本发明第二实施例还可进一步提供一种电容器封装结构Z，其包括：一电容单元1、一防潮阻气薄膜2以及一封装胶体3。
更进一步来说，如图9所示，电容单元1包括一电容器10、一电性连接于电容器10的第一导电引脚11以及一电性连接于电容器10的第二导电引脚12。另外，封装胶体3包覆整个电容器10，并且防潮阻气薄膜2包覆整个封装胶体3。
更进一步来说，如图9所示，第一导电引脚11具有一从电容器10延伸而出且被防潮阻气薄膜2与封装胶体3所包覆的第一内埋部11A以及一连接于第一内埋部11A且外露在防潮阻气薄膜2的外部的第一外露部11B，并且第二导电引脚12具有一从电容器10延伸而出且被防潮阻气薄膜2与封装胶体3所包覆的第二内埋部12A以及一连接于第二内埋部12A且外露在防潮阻气薄膜2的外部的第二外露部12B。
值得一提的是，如图9所示，防潮阻气薄膜2具有一环绕地连接于第一导电引脚11的第一内埋部11A的第一防潮阻气强化结构21以及一环绕地连接于第二导电引脚12的第二内埋部12A的第二防潮阻气强化结构22。另外，防潮阻气薄膜2具有一完全覆盖封装胶体3的外表面300的第三防潮阻气强化结构23。
因此，本发明第二实施例所提供的电容器封装结构Z，其可通过“封装胶体3包覆整个电容器10”以及“防潮阻气薄膜2包覆整个封装胶体3”的技术特征，使得外界的水气(H2O)或氧气(O2)不易直接穿过防潮阻气薄膜2或者不易穿过防潮阻气薄膜2与第一导电引脚11(或第二导电引脚12)之间的连接面而接触到电容器10，借此以提升电容器封装结构Z整体的防潮性与阻气性，进而有效提升电容器封装结构Z的使用寿命。
以下将针对前述第一实施例以及第二实施例的具体实施方式以及实验结果作出详细说明。
第一种实验示例
首先，在第一实验示例中，是如同前述第一实施例所述，在形成封装胶体3之前，先形成一防潮阻气薄膜2以包覆整个电容器10。换句话说，在第一实验示例中，是将电容器10浸泡于用以形成防潮阻气薄膜2的防水药剂中2分钟，再于80℃下烘烤1小时以形成防潮阻气薄膜2。接下来，在形成封装胶体3之后，对电容器产品进行测试。
防水药剂包含溶于甲醇(MeOH)溶剂中的1-辛硫醇(1-octanethiol，CH3(CH2)6CH2SH)。另外，在第一实验示例中，是分别将电容器10浸泡于浓度为0.5vol％、1vol％、1.5Vol％的防水药剂中。另外，以未浸泡于任何防水药剂中的电容器10作为参考样本。针对前述不同浓度的防水药剂以及参考样本，都是分别使用10个(10pcs)电容器10。
在每个条件下分别对电容器10进行抗湿性测试以及高温直流(DC)测试，测试电容量的变化量率(ΔCap)以及DF值的变化。测试结果如下列表格所示。在下列表格中，Cap代表电容量(Capacitance)，DF代表降低损耗因子(Dissipation Factor)，而ΔCap则代表初始状态下的电容量与放置于测试条件下特定时间后的电容量之间的变化率。
抗湿性测试
高温DC测试
由上述测试结果可知，在先进行内部镀膜，再形成封装胶体3的工艺中，随着所使用的防水药剂的浓度增加，产品的抗湿特性有显著的增加。换句话说，在抗湿性测试下，使用防水药剂形成防潮阻气薄膜2的产品的电容量上升率比未包含防潮阻气薄膜2的参考样本的电容量上升率小。另外，随着所使用的防水药剂的浓度增加，产品的容量衰减下降。换句话说，在高温DC测试下，使用防水药剂形成防潮阻气薄膜2的产品的电容量下降率比未包含防潮阻气薄膜2的参考样本的电容量下降率小。
第二种实验示例
接下来，在第二实验示例中，是如同前述第二实施例所述，先形成封装胶体3以包覆整个电容器10，再形成防潮阻气薄膜2以包覆整个封装胶体3。换句话说，在第二实验示例中，是在进行封装步骤后，再将封装完成的电容器10浸泡于防水药剂中5分钟，最后再于125℃下烘烤2小时，以形成防潮阻气薄膜2。接下来，对此产品进行测试。
防水药剂包含溶于乙醇(EtOH)溶剂中的3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷(3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane，结构式如下所示)。另外，在第二实验示例中，是分别将电容器10浸泡于浓度为1vol％、2vol％、3vol％的防水药剂中。另外，以未浸泡于任何防水药剂中的电容器10作为参考样本。针对前述不同浓度的防水药剂以及参考样本，都是分别使用10个(10pcs.)电容器10。
3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane
在每个条件下对10个电容器10进行抗湿性测试以及高温直流(DC)测试，测试电容量的变化量率(ΔCap)以及DF值的变化。测试结果如下列表格所示。在下列表格中，Cap代表电容量，DF代表降低损耗因子，而ΔCap则代表初始状态下的电容量与放置于测试条件下特定时间后的电容量之间的变化率。
抗湿性测试
高温DC测试
由上述测试结果可知，在先进行封装，再形成防潮阻气薄膜2的工艺中，随着所使用的防水药剂的浓度增加，产品的抗湿特性有显著的增加。另外，随着所使用的防水药剂的浓度增加，产品的阻气性上升，且容量衰减下降。
据此，由第一实验示例以及第二实验示例的测试结果可知，本发明实施例所提供的电容器封装结构可以达到优异地阻隔外部环境对电容器的影响的效果，并有效提升电容器的寿命。
实施例的有益效果
如图5或图9所示，本发明实施例提供了一种电容器封装结构Z，其包括：一电容单元1、一第一包覆层以及一第二包覆层。电容单元1包括一电容器10、一电性连接于电容器10的第一导电引脚11以及一电性连接于电容器10的第二导电引脚12。第一包覆层包覆整个电容器10、一部分的第一导电引脚11以及一部分的第二导电引脚12，并且第二包覆层包覆整个第一包覆层、一部分的第一导电引脚11以及一部分的第二导电引脚12。
更进一步来说，第一包覆层与第二包覆层两者的其中之一为一种由封装材料所形成的封装胶体3，并且第一包覆层与第二包覆层两者的另外之一为一种由防潮阻气材料所形成的防潮阻气薄膜2。再者，第一导电引脚11具有一从电容器10延伸而出且被防潮阻气薄膜2与封装胶体3所包覆的第一内埋部11A以及一连接于第一内埋部11A且外露在第二包覆层的外部的第一外露部11B，并且第二导电引脚12具有一从电容器10延伸而出且被防潮阻气薄膜2与封装胶体3所包覆的第二内埋部12A以及一连接于第二内埋部12A且外露在第二包覆层的外部的第二外露部12B。
因此，本发明实施例所提供的电容器封装结构Z，其可通过“第一包覆层包覆整个电容器10、一部分的第一导电引脚11以及一部分的第二导电引脚12，并且第二包覆层包覆整个第一包覆层、一部分的第一导电引脚11以及一部分的第二导电引脚12”以及“第一包覆层与第二包覆层两者的其中之一为一种由封装材料所形成的封装胶体3，并且第一包覆层与第二包覆层两者的另外之一为一种由防潮阻气材料所形成的防潮阻气薄膜2”的技术特征，使得外界的水气(H2O)或氧气(O2)不易直接穿过防潮阻气薄膜2或者不易穿过防潮阻气薄膜2与第一导电引脚11(或第二导电引脚12)之间的连接面而接触到电容器10，借此以提升电容器封装结构Z整体的防潮性与阻气性，进而有效提升电容器封装结构Z的使用寿命。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (13)
1.一种电容器封装结构，其特征在于，所述电容器封装结构包括：
一电容单元，所述电容单元包括一电容器、一电性连接于所述电容器的第一导电引脚以及一电性连接于所述电容器的第二导电引脚；
一防潮阻气薄膜，所述防潮阻气薄膜包覆整个所述电容器；以及
一封装胶体，所述封装胶体包覆整个所述防潮阻气薄膜；
其中，所述第一导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第一内埋部以及一连接于所述第一内埋部且外露在所述封装胶体的外部的第一外露部，且所述第二导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第二内埋部以及一连接于所述第二内埋部且外露在所述封装胶体的外部的第二外露部。
2.根据权利要求1所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜为一种具有疏水链的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述电容器的外表面上。
3.根据权利要求1所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜为一种具有硅烷耦合剂的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述电容器的外表面上。
4.根据权利要求1所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基、酰氯基、硅醚官能基、硅烷醇基、氯硅烷基以及硫醇基所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基、苄基、C1-C3氟烷基、羧酸酯基以及环氧基所组成的群组。
5.根据权利要求1所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜为一种具有1-辛硫醇、苯甲酸、苯甲酰氯、5,5,5-三氟戊酸、十八烷基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷或者辛酰氯的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述电容器的外表面上。
6.根据权利要求1所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜具有一环绕地连接于所述第一导电引脚的所述第一内埋部的第一防潮阻气强化结构以及一环绕地连接于所述第二导电引脚的所述第二内埋部的第二防潮阻气强化结构，其中，所述防潮阻气薄膜具有一完全覆盖所述电容器的外表面的第三防潮阻气强化结构以及一被所述封装胶体所完全覆盖的第四防潮阻气强化结构。
7.一种电容器封装结构，其特征在于，所述电容器封装结构包括：
一电容单元，所述电容单元包括一电容器、一电性连接于所述电容器的第一导电引脚以及一电性连接于所述电容器的第二导电引脚；
一封装胶体，所述封装胶体包覆整个所述电容器；以及
一防潮阻气薄膜，所述防潮阻气薄膜包覆整个所述封装胶体；
其中，所述第一导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第一内埋部以及一连接于所述第一内埋部且外露在所述防潮阻气薄膜的外部的第一外露部，
且所述第二导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第二内埋部以及一连接于所述第二内埋部且外露在所述防潮阻气薄膜的外部的第二外露部。
8.根据权利要求7所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜为一种具有疏水链的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述封装胶体的外表面上。
9.根据权利要求7所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜为一种具有硅烷耦合剂的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述封装胶体的外表面上。
10.根据权利要求7所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基、酰氯基、硅醚官能基、硅烷醇基、氯硅烷基以及硫醇基所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基、苄基、C1-C3氟烷基、丙烯酸基以及环氧基所组成的群组。
11.根据权利要求7所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜为一种具有苯甲酰氯、5,5,5-三氟戊酸、十八烷基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷或者辛酰氯的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜是通过浸镀或是蒸镀的方式以形成在所述封装胶体的外表面上。
12.一种电容器封装结构，其特征在于，所述电容器封装结构包括：
一电容单元，所述电容单元包括一电容器、一电性连接于所述电容器的第一导电引脚以及一电性连接于所述电容器的第二导电引脚；
一第一包覆层，所述第一包覆层包覆整个所述电容器、一部分的所述第一导电引脚以及一部分的所述第二导电引脚；以及
一第二包覆层，所述第二包覆层包覆整个所述第一包覆层、一部分的所述第一导电引脚以及一部分的所述第二导电引脚；
其中，所述第一包覆层与所述第二包覆层两者的其中之一为一种由封装材料所形成的封装胶体，且所述第一包覆层与所述第二包覆层两者的另外之一为一种由防潮阻气材料所形成的防潮阻气薄膜；
其中，所述第一导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第一内埋部以及一连接于所述第一内埋部且外露在所述第二包覆层的外部的第一外露部，且所述第二导电引脚具有一从所述电容器延伸而出且被所述防潮阻气薄膜与所述封装胶体所包覆的第二内埋部以及一连接于所述第二内埋部且外露在所述第二包覆层的外部的第二外露部。
13.根据权利要求12所述的电容器封装结构，其特征在于，所述防潮阻气薄膜至少包含具有下列通式的化合物：R1-R2，其中，R1是选自于由羧基、酰氯基、硅醚官能基、硅烷醇基、氯硅烷基以及硫醇基所组成的群组，且R2是选自于由C3-C22烷基、苄基、C1-C3氟烷基、羧酸酯基以及环氧基所组成的群组。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111799093A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-20 | 万裕三信电子(东莞)有限公司 | 叠层固态铝电解电容器 |
| US20230215659A1 (en) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a winding capacitor package structure |
| US20230215661A1 (en) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a winding capacitor package structure |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454320U (zh) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | ||
| CN102225648A (zh) * | 2011-04-14 | 2011-10-26 | 江苏裕兴薄膜科技股份有限公司 | 一种高阻隔聚酯薄膜及其制备方法 |
| CN102527620A (zh) * | 2012-02-26 | 2012-07-04 | 南昌航空大学 | 钕铁硼磁体表面超疏水薄膜的制备方法 |
| CN104312363A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-01-28 | 烟台德邦科技有限公司 | 一种绝缘防潮层的制作方法 |
| CN104377038A (zh) * | 2013-08-15 | 2015-02-25 | Avx公司 | 抗潮湿固体电解电容器组件 |
| CN104517736A (zh) * | 2013-10-02 | 2015-04-15 | Avx公司 | 用于高温高湿度条件下的固体电解电容器 |
| CN105039953A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-11-11 | 陕西师范大学 | 蛋白质自组装构筑超疏水表面的方法 |
| CN105873459A (zh) * | 2014-10-20 | 2016-08-17 | 菲利普莫里斯生产公司 | 疏水性包装材料 |
| CN106067380A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-02 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 用于提升电气性能的固态电解电容器封装结构、及其电容单元与制作方法 |
-
2017
- 2017-03-01 CN CN201710118994.0A patent/CN108538572B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454320U (zh) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | ||
| CN102225648A (zh) * | 2011-04-14 | 2011-10-26 | 江苏裕兴薄膜科技股份有限公司 | 一种高阻隔聚酯薄膜及其制备方法 |
| CN102527620A (zh) * | 2012-02-26 | 2012-07-04 | 南昌航空大学 | 钕铁硼磁体表面超疏水薄膜的制备方法 |
| CN104377038A (zh) * | 2013-08-15 | 2015-02-25 | Avx公司 | 抗潮湿固体电解电容器组件 |
| CN104517736A (zh) * | 2013-10-02 | 2015-04-15 | Avx公司 | 用于高温高湿度条件下的固体电解电容器 |
| CN105873459A (zh) * | 2014-10-20 | 2016-08-17 | 菲利普莫里斯生产公司 | 疏水性包装材料 |
| CN104312363A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-01-28 | 烟台德邦科技有限公司 | 一种绝缘防潮层的制作方法 |
| CN105039953A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-11-11 | 陕西师范大学 | 蛋白质自组装构筑超疏水表面的方法 |
| CN106067380A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-02 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 用于提升电气性能的固态电解电容器封装结构、及其电容单元与制作方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230215659A1 (en) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a winding capacitor package structure |
| US20230215661A1 (en) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a winding capacitor package structure |
| CN111799093A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-20 | 万裕三信电子(东莞)有限公司 | 叠层固态铝电解电容器 |
| CN111799093B (zh) * | 2020-07-30 | 2022-04-12 | 万裕三信电子(东莞)有限公司 | 叠层固态铝电解电容器 |
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