CN108538317A - 盘状磁记录介质以及磁盘装置 - Google Patents

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CN108538317A CN201810047577.6A CN201810047577A CN108538317A CN 108538317 A CN108538317 A CN 108538317A CN 201810047577 A CN201810047577 A CN 201810047577A CN 108538317 A CN108538317 A CN 108538317A
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Abstract

本发明的实施方式涉及改善盘状的磁记录介质的外周区域的线记录密度的盘状磁记录介质以及磁盘装置。实施方式的盘状磁记录介质包括：盘状基板；设置于盘状基板上的第一软磁性层；设置于第一软磁性层上的非磁性分隔层；设置于非磁性分隔层上、经由非磁性分隔层而与第一软磁性层反铁磁性交换耦合的第二软磁性层；以及设置于第二软磁性层上的磁记录层，交换耦合磁场Hbias的大小从盘状磁记录介质的内周区域到外周区域变小。

Description

盘状磁记录介质以及磁盘装置
本申请享受以日本专利申请2017－40688号(申请日：2017年3月3日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括在先申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及盘状磁记录介质以及磁盘装置。
背景技术
磁记录再现装置，除了容量之外，面向企业还要求数据存取(access，访问)性能较高的水平。特别对于顺序存取性能，要求提高线记录密度(BPI)。
在使用以往的磁记录介质的磁记录再现装置中，具有在周速较高的外周区域产生高传送时的写入能力的下降、抑制了BPI的改善这样的问题。
对于该问题，也提出下述的方法：通过使向记录头施加的记录电流增加而使从记录头产生的磁通量增加，弥补外周区域的写入能力的下降。
然而，记录电流的增加会导致包围磁头的磁屏蔽件的磁饱和。例如，具有下述的问题：在圆周方向上因写入屏蔽件的磁饱和使得磁场倾斜度下降、S/N比劣化；在半径方向上因侧屏蔽件的磁饱和，引起相邻磁道或者遍及很宽范围的磁道的已记录信息的劣化以及擦除。
发明内容
本发明的实施方式改善盘状的磁记录介质的外周区域的线记录密度。
根据实施方式，可提供一种盘状磁记录介质，包括：
盘状基板；
第一软磁性层，其设置于所述盘状基板上；
非磁性分隔层，其设置于所述第一软磁性层上；
第二软磁性层，其设置于所述非磁性分隔层上，经由所述非磁性分隔层而与所述第一软磁性层反铁磁性交换耦合；以及
磁记录层，其设置于所述第二软磁性层上，
所述盘状磁记录介质的特征在于：
交换耦合磁场即Hbias的大小从所述盘状磁记录介质的内周区域到外周区域变小。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的磁记录介质的构成的一例的剖视图。
图2是表示实施方式所涉及的磁记录介质的构成的其他的一例的剖视图。
图3是表示在实施方式中使用的非磁性分隔层的厚度与Hbias的关系的曲线图。
图4是表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
图5是表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
图6是表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
图7是表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
图8是表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
图9是表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
图10是表示能够适用实施方式所涉及的磁记录介质的磁记录再现装置的一例的概略图。
图11是表示内周区域的Hbias与外周区域Hbias的最大值的关系的曲线图。
具体实施方式
实施方式所涉及的磁记录介质具有盘形状，包括盘状基板、多层软磁性层以及磁记录层。
在实施方式中使用的多层软磁性层包括：第一软磁性层、非磁性分隔层、和经由非磁性分隔层而与第一软磁性层反铁磁性交换耦合(AFC)了的第二软磁性层。
实施方式所涉及的磁记录介质能够根据交换耦合磁场的大小以及非磁性分隔件的厚度分为以下的3个。
在第1实施方式所涉及的磁记录介质中，交换耦合磁场的大小Hbias从盘状磁记录介质的内周区域到外周区域变小。
在第2实施方式所涉及的磁记录介质中，非磁性分隔层的厚度x从内周区域到外周区域变薄。
在第3实施方式所涉及的磁记录介质中，非磁性分隔层的厚度x从内周区域到外周区域变厚。
另外，在第2实施方式以及第3实施方式中，限定于具有交换耦合磁场Hbias的值相对于非磁性分隔层的厚度x而周期性变化这一特性，进而，在将交换耦合磁场Hbias变为最大值(第1峰值)时的非磁性分隔层的厚度设为a、将变为接在第1峰值之后的极大值(第2峰值)时的非磁性分隔层的厚度设为c、将变为第1峰值与第2峰值间的极小值时的非磁性分隔层的厚度设为b时，非磁性分隔层的厚度x在第2实施方式中满足通过0＜x≤a表示的关系，在第3实施方式中满足通过a≤x＜b表示的关系。
在这里，交换耦合磁场Hbias表示第一软磁性层以及第二软磁性层间的反铁磁性耦合的程度。
能够在基板上按顺序形成第一软磁性层、非磁性分隔层、第二软磁性层后使用振动试样型磁力计(VSM)例如东英工业(株)社生产而测定交换耦合磁场Hbias。
另外，所谓内周区域，在将例如具有开口的盘状的磁记录介质分割为包括开口端的区域、包括外边缘部的区域和其中间的区域的情况下，指的是包括开口端的区域。另外，外周区域指的是包括外边缘部的区域。
另外，能够将第1实施方式与第2实施方式、或者将第1实施方式与第3实施方式组合。
在第1实施方式中，能够将交换耦合磁场的大小从内周区域到外周区域逐级减小。
在第2以及第3实施方式中，非磁性分隔层能够从内周到外周逐级减薄或者逐级加厚。
根据实施方式，通过从磁记录介质的内周区域到外周区域减小Hbias、或者在Hbias能够变小的范围内的厚度内从内周到外周减薄或者加厚非磁性分隔层，能够既维持或改善容量又抑制高传送时的写入能力的下降而进行盘状的磁记录介质的外周区域的线记录密度的改善。
以下，参照附图对实施方式进行说明。
图1示出表示实施方式所涉及的磁记录介质的构成的一例的剖视图。
如图所示，该磁记录介质10具有：基板1；软磁性底层(SUL)5，其包括按顺序形成于基板1之上的第一软磁性层2、非磁性分隔层3、以及经由非磁性分隔层3而反铁磁性耦合(AFC)的第二软磁性层4；和设置于软磁性底层(SUL)5上的磁记录层6。
作为基板，能够使用玻璃基板、Al系合金基板、陶瓷基板、碳基板、具有氧化表面的单晶硅基板等。
作为第一软磁性层，能够使用含有Co和选自Zr、Hf、Nb、Ta、Ti以及Y中至少1种的Co合金，例如CoZr、CoZrNb以及CoZrTa系合金等。
作为非磁性分隔层，能够使用Ru、Ru合金、Pd、Cu、以及Pt等。
第二软磁性层可使用含有Co和选自Zr、Hf、Nb、Ta、Ti以及Y中至少1种的Co合金，例如CoZr、CoZrNb以及CoZrTa系合金等。另外，第一软磁性层的组成可以与第二软磁性层相同，也可以不同。
作为磁记录层，可使用以选自Fe或Co的任意一种和Pt为主成分的材料。
包括具有颗粒结构的构成，该颗粒结构是使例如CoCrPt、FePt、CoPt、CoCrTa、SmCo、TbFeCo与氧化物SiO2、TiO2等在磁性粒之间偏析的结构。
图2示出表示实施方式所涉及的磁记录介质的构成的其他的一例的剖视图。
如图所示，该磁记录介质20除了下述构成以外，具有与图1同样的构成：在软磁性底层5与磁记录层7之间还设置中间层6，在磁记录层7上按顺序还设置保护层8以及润滑层9。
作为中间层，能够使用Ru合金、Ni合金、Pt合金、Pd合金、Ta合金、Cr合金、Si合金、以及Cu合金等。
保护膜能够使用包含C的膜。
润滑剂能够使用全氟聚醚、氟化醇以及氟化羧酸。
实施方式所涉及的磁记录介质能够通过以下的处理制作。
首先，将基板收纳于DC磁控溅射装置的成膜腔内，将成膜腔内排气。
接下来，向成膜腔内导入惰性气体例如Ar气，在Al系合金基板上，顺序形成第一软磁性层、非磁性分隔层、第二软磁性层、中间层以及记录层。
然后，通过CVD法，形成DLC保护层，通过浸渍法涂敷润滑剂。
对用于从盘状的磁记录介质的内周区域到外周区域减小Hbias的处理的一例进行说明。
图3示出表示在实施方式中使用的非磁性分隔层的厚度与Hbias的关系的曲线图。
Hbias的大小如曲线303所示，与非磁性分隔层的厚度相关，在预定的厚度达到峰值。
在将变为Hbias的最大值(第一峰值)时的非磁性分隔层的厚度设为a、将变为第二峰值时的非磁性分隔层的厚度设为c、将变为第一峰值与第二峰值之间的极小值时的非磁性分隔层的厚度设为b时，能够通过从磁记录介质的盘内周区域到外周区域一边满足a≤x＜b一边加厚非磁性分隔层的厚度x来从盘内周区域到外周区域减小Hbias。
或者，在将变为Hbias的最大值时的非磁性分隔层的厚度设为a时，能够通过从磁记录介质的盘内周区域到外周区域一边满足0＜x≤a一边减薄非磁性分隔层的厚度x来从盘内周区域到外周区域减小Hbias。
使用图4、图5以及图6，对在第2实施方式所涉及的磁记录介质中从内周区域到外周区域减薄非磁性分隔层的进行成膜的情况下的膜厚的控制方法进行说明。
图4、图5以及图6分别示出表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
如图4所示，在成膜装置内，将3.5英寸的盘基板29和具有比盘基板29的外径小的外径的溅射靶30相对配置。通过在该状态下进行成膜，能够以从内周区域到外周区域变薄的方式成膜非磁性分隔层。为了满足0＜x≤a，能够通过例如将溅射速率设定为0.5nm/秒、将溅射时间设为2秒进行成膜而调整。
如图5所示，在成膜装置内，将3.5英寸的盘基板31和具有比盘基板31的外径大的外径的溅射靶32相对配置，在盘基板31与靶32之间，插入由例如非磁性金属形成的在中心开了孔的圆盘33。圆盘33的内径优选为例如42.5mm～77.5mm，比盘基板31的外径小。通过在该状态下进行成膜，能够以从内周区域到外周区域变薄的方式成膜非磁性分隔层。为了满足0＜x≤a，能够通过例如将溅射速率设定为0.5nm/秒、将溅射时间设为2秒进行成膜而调整。
如图6所示，在成膜装置内，将3.5英寸的盘基板34和具有比盘基板34的外径大的外径的溅射靶35相对配置，在盘基板34与靶35之间插入由非磁性金属形成的网格状的圆盘36。网格状的圆盘36的外径比盘基板34的外径大。网格的间隔在盘的内周区域变窄，在盘的外周区域变宽。通过在该状态下进行成膜，能够以从内周区域到外周区域变薄的方式成膜非磁性分隔层。为了满足0＜x≤a，能够通过例如将溅射速率设定为0.5nm/秒、将溅射时间设为2秒进行成膜而调整。
另外，在以图5的配置进行成膜时，能够通过例如在多个腔中将33的内径按每个腔减小而以从内周区域到外周区域逐级变薄的方式成膜非磁性分隔层。
在以图5的配置进行成膜时，能够通过例如在多个腔中将33的内径按每个腔减小而从内周区域到外周区域逐级减小交换耦合磁场的大小。
使用图7、图8以及图9，对在第3实施方式所涉及的磁记录介质中从内周区域到外周区域加厚非磁性分隔层的进行成膜的情况下的膜厚的控制方法进行说明。
图7、图8以及图9分别示出表示用于控制膜厚的成膜装置的构成的一例的概略图。
如图7所示，在成膜装置中，与盘基板21相对地配置在中心具有开口的圆盘状的溅射靶22b和设置于开口部分的氧化物层22a。溅射靶22b具有比盘基板21的外径大的外径。圆板状的氧化物层22a由例如TiO2、SiO2、Al2O3、MgO等氧化物构成，在圆板状的氧化物层22a的周围配置有由非磁性分隔层的材料构成的22b。圆板状的氧化物层22a的外径优选具有比盘基板21的外径小的例如42.5mm～77.5mm的外径。通过在该状态下进行成膜，能够以从内周区域到外周区域变厚的方式成膜非磁性分隔层。为了满足a≤x＜b，能够通过例如将溅射速率设定为0.5nm/秒、将溅射时间设为3秒进行成膜而调整。
如图8所示，在成膜装置，将3.5英寸盘基板23和具有比盘基板23的外径大的外径的溅射靶24相对配置，在盘基板23与溅射靶24之间插入由非磁性金属形成的圆盘25。圆盘25优选具有比盘23的外径小的例如42.5mm～77.5mm的外径。能够以从内周区域到外周区域变厚的方式成膜非磁性分隔层。为了满足a≤x＜b，能够通过例如将溅射速率设定为0.5nm/秒、将溅射时间设为3秒进行成膜而调整。
如图9所示，将盘基板26与溅射靶27相对配置，在盘基板26与溅射靶27之间插入由非磁性金属形成的网格状的圆盘28。网格状的圆盘28的外径比盘基板26的外径大，网格的间隔在盘的内周区域变宽，在盘的外周区域变窄。能够以从内周区域到外周区域变厚的方式成膜非磁性分隔层。为了满足a≤x＜b，能够通过例如将溅射速率设定为0.5nm/秒、将溅射时间设为3秒进行成膜而调整。
另外，在以图8的配置进行成膜时，能够通过例如在多个腔中将25的外径按每个腔增大而以从内周区域到外周区域逐级变厚的方式成膜非磁性分隔层。
在以图8的配置进行成膜时，能够通过例如在多个腔中将25的外径按每个腔增大而从内周区域到外周区域逐级减小交换耦合磁场的大小。
图10示出表示能够适用实施方式所涉及的磁记录介质的磁记录再现装置的一例的概略图。
如图所示，磁记录再现装置130具有：上表面开口的矩形箱状的框体131、和通过多个螺纹件而螺纹紧固于框体131的将框体的上端开口封闭的未图示的顶盖。
在框体131内，收纳有：实施方式所涉及的磁记录介质132；支撑该磁记录介质132以及使其旋转的作为驱动手段的主轴马达133；对磁记录介质132进行磁信号的记录以及再现的磁头134；具有将磁头134搭载于前端的悬架且将磁头134支撑得相对于磁记录介质132移动自如的头致动器135；将头致动器135支撑得旋转自如的旋转轴136；经由旋转轴136将头致动器135旋转、定位的音圈马达137；以及头放大电路基板138等。
以下，表示实施例，更具体地说明实施方式。
实施例
实施例1
实施方式所涉及的磁记录介质能够通过以下的处理制作。
首先，将3.5英寸大小的Al系合金基板收纳于DC磁控溅射装置的成膜腔内，将成膜腔内排气。
接下来，向成膜腔内导入惰性气体例如Ar气，在Al系合金基板上，顺序形成由CoFeTaZr形成的第一软磁性层、由Ru形成的非磁性分隔层、CoFeTaZr第二软磁性层、由Ru形成的中间层以及由CoCrPt－SiO2形成的磁记录层。
然后，通过CVD法，形成DLC保护层，通过浸渍法涂敷润滑剂，得到3.5英寸的垂直磁记录介质。
所得到的垂直磁记录介质具有与图2同样的构成，由包括下述构件的层叠层而构成，上述构件是：盘基板1；软磁性底层(SUL)5，其由设置于盘基板1之上的由CoFeTaZr形成的第一软磁性层2、由Ru形成的非磁性分隔层3、经由非磁性分隔层3而反铁磁性耦合(AFC)的由CoFeTaZr形成的第二软磁性层4构成；以及，进一步按顺序设置于SUL5上的由Ru形成的中间层6、由CoCrPt－SiO2形成的磁记录层7、保护层8以及未图示的润滑层，表示第二软磁性层4与第一软磁性层2的AFC的程度的交换耦合磁场(Hbias)的大小从磁记录介质的盘内周区域到外周区域变小。
另外，实施例1中的非磁性分隔件的成膜如图7所示，在成膜装置，与盘基板21相对地配置中心具有开口的圆盘状的溅射靶22b和设置于开口部分的氧化物层22a而进行。溅射靶22b具有比盘基板21的外径大的例如120mm～285mm的外径。圆板状的氧化物层22a由例如TiO2、SiO2、Al2O3、MgO等氧化物构成，在圆板状的氧化物层22a的周围配置有由非磁性分隔层的材料构成的22b。圆板状的氧化物层22a具有比盘基板21的外径小的例如42.5mm～77.5mm的外径。
外周区域的非磁性分隔层的厚度为1.5nm，交换耦合磁场(Hbias)为50Oe，内周区域的非磁性分隔层的厚度为1.0nm，Hbias为135Oe。
这样，在实施例1所涉及的垂直磁记录介质中，非磁性分隔层的厚度从盘内周区域到外周区域变厚，交换耦合磁场(Hbias)的大小从磁记录介质的盘内周区域到外周区域变小。
在图7中除了22a的材料为与22b相同材料且将非磁性分隔层的溅射时间从3s变更为2s以外、与实施例1同样，而得到比较例1所涉及的磁记录介质。所得到的磁记录介质的Hbias在外周区域、内周区域都为135Oe。
在图7中除了22a的材料为与22b相同材料以外、与实施例1同样，而得到比较例2所涉及的磁记录介质。所得到的磁记录介质的Hbias在外周区域、内周区域都为50Oe。
将实施例1、比较例1以及比较例2的磁记录介质搭载于磁记录再现装置，分别对覆写(overwrite)特性(OW1、OW2)、线记录密度(BPI)、磁道记录密度(TPI)、通过BPI与TPI的积表示的面记录密度(ADC)进行评价。
另外，作为评价条件，通过关于3.5英寸的磁记录介质的外周区域在半径位置44mm、关于内周区域在半径位置19mm进行评价。
OW1以比作为基底而记录了的单一频率模式高的频率进行覆写，观察覆写前后的基底的信号输出的比率。OW1越大表示越高的频率下的写入能力越良好。
另一方面，OW2以比作为基底而记录了的单一频率模式低的频率进行覆写，观察覆写前后的基底的信号输出的比率。OW2越大表示越低的频率下的写入能力越良好。
将所得到的测定结果表示于下述表1。
表1
在外周区域，相对于比较例1，实施例1、比较例2的OW1、2都可见改善，BPI改善+4.5％。另一方面，通过OW的改善，向磁道宽度方向的写入模糊变大，所以可见TPI恶化－2.8％。但是相对于比较例1，实施例1、比较例2的BPI的改善量较大，所以ADC可见1.6％的改善。
在内周区域，相对于比较例1，实施例1的Hbias相同，所以具有同等的实力。比较例2相对于比较例1，OW1、2都可见改善，但与外周区域相比，内周区域的周速较低，所以OW1的改善度较小，BPI的改善量也比外周小，停留在+1.8％。另一方面，低频的写入能力的OW2对向磁道宽度方向的写入模糊的影响较大，TPI恶化－3.6％。比较例2的ADC恶化－1.8％。
相对于比较例1，实施例1显现出：在外周·内周区域的合计时，ADC改善为+1.6％，并且改善外周区域的BPI。
相对于比较例1，比较例2的外周区域的BPI改善，但在外周·内周区域的合计时，ADC恶化为－0.2％。
从以上的结果可知：能够通过相对于内周区域使外周区域的Hbias下降而维持或者改善容量，并且改善BPI。
接下来，通过将非磁性分隔层的溅射时间变为2秒～3.2秒，测定将内周区域的Hbias变到135Oe～30Oe的情况下的外周区域的BPI。对能够改善外周区域的BPI且在外周·内周区域的合计时ADC不恶化的外周区域的Hbias的上限值条件进行研究。
图11示出表示内周区域的Hbias与满足ADC不恶化的条件的外周区域Hbias的最大值的关系的曲线图。
横轴标绘内周区域的Hbias(ID＿Hbias)，纵轴标绘在外周·内周区域的合计时满足ADC不恶化的条件的外周区域的Hbias(OD＿Hbias)的上限值，得到曲线101。
如曲线101所示，相对于ID＿Hbias满足条件的OD＿Hbias的上限值大致线性变化，所以能够在满足通过下述式(1)表示的关系的范围内设定相对于ID＿Hbias的OD＿Hbias的上限值。
OD＿Hbias＜1.16×ID＿Hbias－22.8…(1)
其中，式中，ID＿Hbias≥30。
实施例2
将3.5英寸的Al系合金基板收纳于DC磁控溅射装置的成膜腔内，将成膜腔内排气。
接下来，向成膜腔内导入惰性气体例如Ar气，在Al系合金基板上，具有由第一软磁性层、非磁性分隔层、第二软磁性层而构成的软磁性底层(SUL)，所述第一软磁性层由CoFeTaZr构成，所述第二软磁性层由CoFeTaZr构成，进而在SUL上顺序形成中间层以及由CoCrPt－SiO2构成的磁记录层。
然后，通过CVD法，形成DLC保护层，通过浸渍法涂敷润滑剂，得到磁记录介质。
所得到的垂直磁记录介质具有与图2同样的构成，由包括下述构件的层叠层而构成，上述构件是：Al系合金基板1；软磁性底层(SUL)5，其由在Al系合金基板1之上顺序设置的由CoFeTaZr形成的第一软磁性层2、由Ru形成的非磁性分隔层3、以及经由非磁性分隔层3而反铁磁性耦合(AFC)的由CoFeTaZr形成的第二软磁性层4构成；以及，进一步在SUL上的由Ru形成的中间层6、由CoCrPt－SiO2形成的磁记录层7、保护层8和未图示的润滑层，表示第二软磁性层4与第一软磁性层2的AFC的程度的交换耦合磁场(Hbias)的大小从磁记录介质的盘内周区域到外周区域变小。
另外，实施例2中的非磁性分隔件的成膜如图4所示，在成膜装置，将3.5英寸的盘基板29和具有比盘基板29的外径稍小的例如42.5mm～77.5mm的外径的溅射靶30相对配置而进行。
外周区域的非磁性分隔层的厚度为0.5nm，交换耦合磁场(Hbias)为50Oe，内周区域的非磁性分隔层的厚度为1.0nm，Hbias为135Oe。比较例1的磁记录介质的Hbias在外周区域、内周区域都为135Oe。比较例2的磁记录介质的Hbias在外周区域、内周区域都为50Oe。
将实施例1、比较例1、比较例2的磁记录介质搭载于磁记录再现装置，分别对覆写特性(OW1、OW2)、线记录密度(BPI)、磁道记录密度(TPI)、通过BPI与TPI的积表示的ADC进行评价。另外作为评价条件，关于外周区域在半径位置44mm、关于内周区域在半径位置19mm进行评价。
在下述表2中示出测定结果。
表2
在外周区域，相对于比较例1，实施例1、比较例2的OW1、OW2都可见改善，BPI改善+4.5％。另一方面，因OW的改善，向磁道宽度方向的写入模糊变大，所以可见TPI恶化－2.8％。但是相对于比较例1，实施例1、比较例2的BPI的改善量较大，所以ADC可见1.6％的改善。
在内周区域，相对于比较例1，实施例1的Hbias相同，所以为同等的实力。比较例2相对于比较例1，OW1、2都可见改善，但与外周区域相比，内周区域的周速较低，所以OW1的改善度较小，BPI的改善量也比外周小，停留在+1.8％。另一方面，低频的写入能力的OW2对向磁道宽度方向的写入模糊的影响较大，TPI恶化－3.6％。比较例2的ADC恶化－1.8％。
相对于比较例1，实施例1显现出：在外周·内周区域的合计时，ADC改善为+1.6％，并且改善外周区域的BPI。相对于比较例1，比较例2的外周区域的BPI改善，但在外周·内周区域的合计时，ADC恶化为－0.2％。
从以上的结果可知：能够通过相对于内周区域使外周区域的Hbias下降而维持或者改善容量，并且改善BPI。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不用于限定发明的范围。这些新的实施方式能以其他各种方式实施，在不脱离发明宗旨的范围内能进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包括于发明范围和/或宗旨中，且包括于技术方案所述的发明及与其均等的范围中。

Claims (9)

1.一种盘状磁记录介质，
包括：
盘状基板；
第一软磁性层，其设置于所述盘状基板上；
非磁性分隔层，其设置于所述第一软磁性层上；
第二软磁性层，其设置于所述非磁性分隔层上，经由所述非磁性分隔层而与所述第一软磁性层反铁磁性交换耦合；以及
磁记录层，其设置于所述第二软磁性层上，
所述盘状磁记录介质的特征在于：
交换耦合磁场即Hbias的大小从所述盘状磁记录介质的内周区域到外周区域变小。
2.根据权利要求1所述的盘状磁记录介质，其特征在于：
所述交换耦合磁场即Hbias的大小从所述内周区域到所述外周区域逐级变小。
3.根据权利要求1所述的盘状磁记录介质，其特征在于：
所述外周区域的交换耦合磁场即OD＿Hbias与所述内周区域的交换耦合磁场即ID＿Hbias满足通过下述式(1)表示的关系，
OD＿Hbias＜1.16×ID＿Hbias－22.8…(1)
式中，ID＿Hbias≥30。
4.根据权利要求1所述的盘状磁记录介质，其特征在于：
相对于所述非磁性分隔层的厚度的、所述交换耦合磁场即Hbias的值周期性变化，在将所述交换耦合磁场即Hbias变为作为最大值的第1峰值时的非磁性分隔层的厚度设为a时，非磁性分隔层的厚度即x从所述内周区域到所述外周区域变薄，且满足通过0＜x≤a表示的关系。
5.根据权利要求4所述的盘状磁记录介质，其特征在于：
所述非磁性分隔层的厚度即x从所述内周区域到所述外周区域逐级变薄。
6.根据权利要求1所述的盘状磁记录介质，其特征在于：
相对于所述非磁性分隔层的厚度的、所述交换耦合磁场即Hbias的值，周期性变化，在将所述交换耦合磁场即Hbias变为作为最大值的第1峰值时的非磁性分隔层的厚度设为a、将变为作为接在所述第1峰值之后的极大值的第2峰值时的非磁性分隔层的厚度设为c、将变为所述第1峰值与所述第2峰值之间的极小值时的非磁性分隔层的厚度设为b时，所述非磁性分隔层的厚度即x从所述盘状磁记录介质的内周区域到外周区域变厚，且满足通过a≤x＜b表示的关系。
7.一种盘状磁记录介质，
包括：
盘状基板；
第一软磁性层，其设置于所述盘状基板上；
非磁性分隔层，其设置于所述第一软磁性层上；
第二软磁性层，其设置于所述非磁性分隔层上，经由所述非磁性分隔层而与所述第一软磁性层反铁磁性交换耦合；以及
磁记录层，其设置于所述第二软磁性层上，
所述盘状磁记录介质的特征在于：
相对于所述非磁性分隔层的厚度的、所述交换耦合磁场即Hbias的值，周期性变化，
在将相对于所述非磁性分隔层的厚度而言、交换耦合磁场即Hbias变为作为最大值的第1峰值时的非磁性分隔层的厚度设为a、变为作为接在所述第1峰值之后的极大值的第2峰值时的非磁性分隔层的厚度设为c、变为所述第1峰值与所述第2峰值之间的极小值时的非磁性分隔层的厚度设为b时，所述非磁性分隔层的厚度即x从所述盘状磁记录介质的内周区域到外周区域变厚，且满足通过a≤x＜b表示的关系。
8.根据权利要求6或7所述的盘状磁记录介质，其特征在于：
所述非磁性分隔层的厚度即x从所述内周区域到所述外周区域逐级变厚。
9.一种磁盘装置，其特征在于：
包括：
权利要求1至8中的任意一项所述的盘状磁记录介质；
使所述记录介质旋转的驱动部；以及
具有对所述记录介质进行信息处理的记录头的磁头。
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