CN108538316A - 磁盘设备和写入处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种磁盘设备和写入处理方法。根据一个实施例，一种磁盘设备包括：磁盘；磁头，其被配置为将数据写入所述磁盘；以及集成电路，其被配置为获取指示写入数据的第一频率的第一模式的检测信号、基于所述检测信号改变与所述第一模式对应的写入电流的第二模式的第一电流、从所述写入数据检测大于所述第一频率的第二频率的第三模式、改变与所述第三模式对应的所述写入电流的第四模式的第二电流、以及将具有改变后的第一电流和改变后的第二电流的所述写入电流输出到所述磁头。

Description

磁盘设备和写入处理方法
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2017年3月1日提交的第2017-038346号日本专利申请的优先权，此专利申请的全部内容在此引入作为参考。
技术领域
在此描述的实施例一般地涉及磁盘设备和写入处理方法。
背景技术
磁盘设备包括读/写通道、磁头放大器IC等。近年来，磁盘设备具有以下功能：改变与写入数据的数据模式对应的写入电流的数据模式的电流值。该功能例如被称为数据相关写入(DDW)、或者模式相关写入(PDW)等。磁盘设备将来自读/写通道的控制信号输入到磁头放大器IC，以便改变写入电流的数据模式的电流值，并且基于该控制信号，改变磁头放大器IC中的数据模式的电流值，以便将具有改变后的电流值的写入电流输入到磁头。磁盘设备分别改变高频写入电流的数据模式的电流值和低频写入电流的数据模式的电流值，以便将合适的写入电流输出到磁头。在这种情况下，磁盘设备需要将来自读/写通道的控制信号输入到磁头放大器IC，该控制信号用于改变高频数据模式的电流值和低频数据模式的电流值。因为磁盘设备识别读/写通道中的高频数据模式或低频数据模式，所以需要端子、线路等以便在读/写通道与磁头放大器IC之间发送/接收控制信号。
发明内容
总体上，根据一个实施例，一种磁盘设备包括：磁盘；磁头，其被配置为将数据写入所述磁盘；以及集成电路，其被配置为获取指示写入数据的第一频率的第一模式的检测信号、基于所述检测信号改变与所述第一模式对应的写入电流的第二模式的第一电流、从所述写入数据检测大于所述第一频率的第二频率的第三模式、改变与所述第三模式对应的所述写入电流的第四模式的第二电流、以及将具有改变后的第一电流和改变后的第二电流的所述写入电流输出到所述磁头。
根据本发明，能够实现具有改进的数据写入可靠性的磁盘设备。
附图说明
图1是示出第一实施例的磁盘设备的结构的框图；
图2是写入系统的R/W通道的结构的一个示例的示意图；
图3是第一实施例的磁头放大器IC的电路的一个示例的示意图；
图4示出处理第一实施例的写入电流的高频模式的一个示例；
图5是示出低频确定信号与低频模式处理之间的关系的一个示例的表；
图6示出基于图5的表的写入电流的低频模式处理的一个示例；
图7是示出低频确定信号与低频模式处理之间的关系的一个示例的表；
图8示出基于图7的表的写入电流的低频模式处理的一个示例；
图9是示出第一实施例的磁头放大器IC的处理方法的流程图；
图10是示出第一实施例的磁头放大器IC的电路的一个示例的示意图；
图11是示出低频确定信号与低频模式处理之间的关系的一个示例的表；
图12示出基于图11的表的写入电流的低频模式处理的一个示例；
图13是第二实施例的磁头放大器IC的电路的一个示例的示意图；
图14示出第二实施例中的写入电流的高频模式处理的一个示例。
具体实施方式
以下，将参考附图解释实施例。注意，附图仅示出示例并且不限制本发明的范围。
(第一实施例)
图1是示出第一实施例的磁盘设备1的结构的框图。本实施例的磁盘设备1例如是硬盘驱动器(HDD)。磁盘设备1具有以下功能：在某个时间将写入电流(电流值)改变为与正常写入操作中的写入电流不同。该功能例如被称为数据相关写入(DDW)、或者模式相关写入(PDW)等。在以下描述中，为了更简单的解释，该功能将被称为PDW。
磁盘设备1包括磁头磁盘组合件(HDA)、驱动器IC 20、磁头放大器集成电路(磁头放大器IC或前置放大器)60、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90、以及作为单芯片集成电路的系统控制器130，将在下面描述它们。此外，磁盘设备1连接到主机系统(主机)100。
HDA包括磁盘(盘)10、主轴电动机(SPM)12、包括磁头15的臂13、以及音圈电动机(VCM)14。磁盘10由主轴电动机12旋转。臂13和VCM 14形成致动器。通过驱动VCM 14，致动器将安装在臂13上的磁头15的移动控制到磁盘10上的目标位置。磁盘10和磁盘15的数量可以是两个或更多。
磁盘10包括存储区域，该存储区域被分配成由用户使用的记录区域10a和其中写入系统管理所必需的数据的系统区域10b。
磁头15包括作为其主体的滑动块、以及安装在滑动块上的写入磁头15W和读取磁头15R。写入磁头15W在磁盘10上写入数据。读取磁头15R读取记录在磁盘10上的数据磁道中的数据。
驱动器IC 20基于系统控制器130(具体地说，将在后面描述的MPU30)的控制，控制SPM 12和VCM 14的驱动。
易失性存储器70是半导体存储器，当电源关闭时丢失存储在其中的数据。易失性存储器70例如存储在磁设备1的每个部分中处理所必需的数据。易失性存储器70例如是动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)。
缓冲存储器80是半导体存储器，其暂时存储在磁盘设备1与主机100之间发送/接收的数据。注意，缓冲存储器80可以与易失性存储器70形成整体。缓冲存储器80例如是DRAM、静态随机存取存储器(SRAM)、SDRAM、铁电随机存取存储器(FeRAM)、或者磁阻随机存取存储器(MRAM)。
非易失性存储器90是半导体存储器，其即使当电源关闭时也保持存储在其中的数据。非易失性存储器90例如是NOR型或NAND型的闪存只读存储器(FROM)。
系统控制器(控制器)130例如使用大规模集成电路(LSI)实现，在大规模集成电路中，多个元件被集成在单个芯片上，这被称为片上系统(SoC)。系统控制器130包括微处理器(MPU)30、硬盘控制器(HDC)40、以及读/写(R/W)通道50。MPU 30、HDC 40、以及R/W通道50均包括电阻器(未示出)。
MPU 30是控制磁盘设备1的每个部分的主控制器。MPU 30通过驱动器IC 20控制VCM 14，并且执行伺服控制以便定位磁头15。此外，MPU30控制对磁盘10的数据写入操作，并且选择从主机100发送的写入数据的存储位置。MPU 30基于固件执行处理。
HDC 40响应于来自MPU 30的指令，控制主机100与R/W通道50之间的数据传输。
R/W通道50执行读取数据和写入数据的信号处理。R/W通道50包括用于测量读取数据的信号质量的电路或功能。
在写入处理中，磁头放大器IC(前置放大器)60将与写入数据对应的写入电流从R/W通道50输出到写入磁头15W。此外，在读取处理中，磁头放大器IC 60放大来自读取磁头15R的读取信号，并且将放大后的读取信号输出到读/写(R/W)通道50。磁头放大器IC 60包括未示出的电阻器、以及用于接入来自外部的电阻器的电阻器接口(未示出)。
在以下描述中，用于将磁头15、磁头放大器IC 60、以及控制器130中的数据从主机100写入磁盘10的系统可以被称为写入系统。
图2是示出写入系统的R/W通道50的结构的一个示例的示意图。
作为写入系统，R/W通道50包括写入数据控制器501、缓冲器511、521和531、以及相位调整器513。写入数据控制器501、缓冲器511、521和531、以及相位调整器513例如由电路形成并且由MPU 30或HDC 40控制。注意，在系统控制器130中，写入数据控制器501、缓冲器511、521和531、以及相位调整器513可以被包括在HDC 40或R/W通道50中。
R/W通道50通过写入数据接口(I/F)(第一电路)1401和读取数据I/F(第二电路)1402连接到磁头放大器IC 60。在写入处理中，R/W通道50通过读取数据I/F 1402将与写入处理相关的信号发送到磁头放大器IC60。注意，这些接口可以均包括定制信号线或者可以与另一个接口共享信号线。
写入数据控制器501电连接到缓冲器511和相位调整器513。写入数据控制器501对来自主机100的写入数据执行写入补偿(记录补偿)处理，并且将处理后的写入数据输出到缓冲器511。写入补偿(记录补偿)是以下过程：预先将写入数据的数据模式的极化反转(信号上升或信号下降)的时间偏移非线性过渡移位(NLTS)的时间。
此外，写入数据控制器501生成模式相关写入(PDW)控制信号(其用于指示改变与写入数据的数据模式对应的写入电流的数据模式的电流值的相位(时间))，并且将所生成的PDW控制信号输出到相位调整器513。例如，写入数据控制器501生成PDW控制信号(以下，低频确定信号或检测信号)，该信号指示用于改变与写入数据的低频数据模式(以下，低频模式(第一模式))对应的写入电流的低频模式(第二模式)的电流值(第一电流)的时间。例如，低频模式是数据位间隔大于1T的数据模式。
缓冲器511通过写入数据I/F 1401，将从写入数据控制器501输入的写入数据输出到磁头放大器IC 60。
相位调整器513调整由写入数据控制器501输入的PDW控制信号的时间，以便与通过缓冲器511输出到磁头放大器IC 60的写入数据相同步。相位调整器513将具有调整后的时间的PDW控制信号输出到缓冲器521。
例如，当从MPU 30接收写入模式控制信号时，缓冲器521通过读取数据I/F 1402，将从相位调整器513输入的PDW控制信号(例如，低频确定信号)输出到磁头放大器IC 60。
作为写入系统，磁头放大器IC 60包括缓冲器611、631和641以及写入电流生成器620，它们例如由电路形成并且由MPU 30或HDC 40控制。
缓冲器611电连接到写入电流生成器620。缓冲器611将通过写入数据I/F 1401从R/W通道50的缓冲器511输入的写入数据输出到写入电流生成器620。
缓冲器631电连接到写入电流生成器620。例如，当从MPU 30接收写入模式信号时，缓冲器631将通过读取数据I/F 1402从R/W通道50的缓冲器521输入的写入数据输出到写入电流生成器620。
例如，当从MPU 30接收读取模式信号时，缓冲器641通过读取数据I/F 1402，将从磁头15输入的读取数据输出到R/W通道50。
写入电流生成器620包括相位检测器621、重定时移位电阻器622、写入电流控制器623、以及缓冲器624。注意，写入电流生成器620可以包括缓冲器611、631和641。
相位检测器621例如连接到缓冲器611、缓冲器631、重定时移位电阻器622、以及写入电流控制器623。相位检测器621检测输入信号的数据模式的时间，并且基于检测的结果将控制信号输出到重定时移位电阻器622和写入电流控制器623。例如，相位检测器621检测从缓冲器611输入的写入数据的数据模式的时间、以及从缓冲器631输入的低频确定信号的数据模式的时间。
重定时移位电阻器622例如连接到缓冲器611、缓冲器624、以及写入电流控制器623。重定时移位电阻器622对从缓冲器611输入的写入数据的数据模式执行重定时，并且将重定时后的数据模式输出到缓冲器624和写入电流控制器623。
写入电流控制器623例如电连接到缓冲器611、相位检测器621、重定时移位电阻器622、以及缓冲器624。写入电流控制器623生成PDW控制信号(以下，高频确定信号)，该信号指示用于改变与写入数据的高频数据模式(以下，高频模式(第三模式))对应的写入电流的高频模式(第四模式)的电流值(第二电流)的时间。例如，高频模式是数据位间隔为1T或更小的数据模式。即，高频模式的频率大于低频模式的频率。例如，写入电流控制器623将从缓冲器611输入的写入数据的数据模式与从重定时移位电阻器622输入的写入数据的数据模式相比较，并且基于该比较的结果生成高频确定信号。
写入电流控制器623基于从缓冲器631输入的低频确定信号，生成低频控制信号(其控制写入电流的低频模式的电流值的强度)，并且将该低频控制信号输出到缓冲器624。写入电流控制器623基于所生成的高频确定信号，生成高频控制信号(其控制写入电流的高频模式的电流值的强度)，并且将该高频控制信号输出到缓冲器624。当在生成高频确定信号期间输入低频控制信号时，写入电流控制器623在低频控制信号之前生成高频确定信号。
缓冲器624基于从写入电流控制器623输入的高频控制信号和低频控制信号，提供电流以便与从重定时移位电阻器622输入的写入数据叠加，并且将写入数据输出到磁头放大器IC 60的外部，例如磁头15。
图3示意性地示出第一实施例的磁头放大器IC 60的电路的一个示例。在图3中，为了更简单的解释，仅部分地示出图2的结构。此外，在图3的示例中，磁头放大器IC 60以差分法发送信号。注意，磁头放大器IC 60可以通过除差分法之外的方法发送信号。
在图3中，磁头放大器IC 60包括发送差分信号的一对端子T1和T2、发送差分信号的一对端子T3和T4、以及写入电流生成器620。
端子T1和T2电连接到R/W通道50和写入电流生成器620。从单个信号分支的两个信号分别被输入到端子T1和T2。例如，反相信号被输入到端子T1和T2。例如，从外部(例如，R/W通道50)输入的分离写入数据X1和Y1分别被输入到端子T1和T2。
端子T3和T4电连接到R/W通道50、写入电流生成器620、以及读取磁头15R。例如，在写入处理中，从外部(例如，R/W通道50)输入的两个PDW控制信号(即，低频确定信号X2和Y2)分别被输入到端子T3和T4。此外，例如，在读取处理中，来自外部(例如，读取磁头15R)并且分成两部分的读取数据被分别输入到端子T3和T4。
写入电流生成器620包括高频信号电路710、低频信号电路720、以及写入驱动器730。
高频信号电路710将通过端子T1和T2输入的写入数据的数据模式与被延迟某一时段(例如，被延迟要检测的高频模式的间隔(以下，确定时间))的数据模式的写入数据相比较，并且检测写入数据的高频模式。在以下描述中，被延迟某一时段的写入数据将被称为延迟数据。高频信号电路710从检测的结果生成高频确定信号。高频信号电路710基于高频确定信号生成高频控制信号(该信号将写入电流的高频模式的电流值控制到某一强度)，并且将高频控制信号输出到写入驱动器730。
高频信号电路710例如包括缓冲器711、延迟电路713、“与”电路715、以及缓冲器717。高频信号电路710是一个示例，并且可以具有不同的电路结构。
缓冲器711电连接到延迟电路713和“与”电路715。缓冲器711将通过端子T1和T2输入并且通过差分法发送的两个写入数据作为一个写入数据来输出到延迟电路713和“与”电路715。
延迟电路713电连接到“与”电路715。延迟电路713将延迟数据(其是从缓冲器711输入并且被延迟确定时间的写入数据的数据模式)输出到“与”电路715。延迟电路713从电阻器(其未示出)获取设置的确定时间。确定时间例如是1T。注意，能够任意设置确定时间。
“与”电路715电连接到缓冲器717。“与”电路715将从缓冲器711输入的写入数据的数据模式与延迟数据的数据模式相比较，检测写入数据的高频模式，并且将从检测的结果生成的高频确定信号输出到缓冲器717。
缓冲器717例如电连接到写入驱动器730。缓冲器717基于从“与”电路715输入的高频确定信号生成高频控制信号，并且将所生成的高频控制信号输出到写入驱动器730。在缓冲器717中，输入控制信号SG10，控制信号SG10指示写入电流的高频模式的电流值的强度。注意，缓冲器717可以从磁头放大器IC 60中的电阻(其未示出)或者从MPU 30获取控制信号SG10。
低频信号电路720基于通过端子T3和T4输入的低频确定信号生成低频控制信号，并且将所生成的低频控制信号输出到写入驱动器730。
低频信号电路720例如包括组合电路721、缓冲器723、以及缓冲器725。低频信号电路720是一个示例，并且可以具有不同的电路结构。
组合电路721电连接到缓冲器723和725。组合电路721基于通过端子T3和T4输入的低频确定信号X2和Y2，将低频确定信号输出到缓冲器723和725中的至少一者。
缓冲器723例如电连接到写入驱动器730。缓冲器723基于从组合电路721输入的低频确定信号生成低频控制信号(以下，第一低频控制信号)，并且将所生成的信号输出到写入驱动器730。在缓冲器723中输入控制信号SG21，控制信号SG21指示写入电流的低频模式的电流值的强度。注意，缓冲器723可以从磁头放大器IC 60中的电阻(其未示出)或者从MPU30获取控制信号SG21。
缓冲器725例如电连接到写入驱动器730。缓冲器725基于从组合电路721输入的低频确定信号，生成与第一低频控制信号不同的低频控制信号(以下，第二低频控制信号)，并且将所生成的信号输出到写入驱动器730。在缓冲器725中输入控制信号SG22，控制信号SG22指示写入电流的低频模式的电流值的强度。注意，缓冲器725可以从磁头放大器IC 60中的电阻(其未示出)或者从MPU 30获取控制信号SG22。此外，由第二低频控制信号指示的低频模式的电流值的强度可以等于由第一低频控制信号指示的低频模式的电流值的强度。
写入驱动器730电连接到写入磁头15W。写入驱动器730基于通过端子T1和T2输入的写入数据、从高频信号电路710输入的高频控制信号、以及从低频信号电路720输入的低频控制信号来生成写入电流，并且将所生成的写入电流输出到写入磁头15W。例如，写入驱动器730生成写入电流的数据模式，该数据模式与通过端子T1和T2输入的写入数据的数据模式相对应。写入驱动器730基于从高频信号电路710输入的高频控制信号，改变与写入数据的高频模式(第三模式)对应的写入电流的高频模式(第四模式)的电流值的强度。写入驱动器730基于从低频信号电路720输入的第一低频信号和第二低频信号，改变与写入数据的低频模式(第一模式)对应的写入电流的低频模式(第二模式)的强度。写入驱动器730将具有改变后的高频信号和改变后的低频信号的写入电流输出到写入磁头15W。注意，当在高频信号电路710中生成高频确定信号期间输入低频控制信号时，写入驱动器730在生成高频确定信号之前执行高频信号电路710的处理。此外，写入驱动器730可以对写入数据的高频模式和写入数据的低频模式中的每一者进行计数，并且选择与要改变的写入数据的高频模式对应的写入电流的高频模式和与要改变的写入数据的低频模式对应的写入电流的低频模式中的每一者。
图4示出处理第一实施例的写入电流的高频模式的一个示例。在以下描述中，高电平电压或电流为低(以下，L)，并且低电平电压或电流为高(以下，H)。即，在电压或电流方面，H大于L。
图4(a)示出在磁头放大器IC 60中输入的写入数据的数据模式的一个示例，图4(b)示出在磁头放大器IC 60中延迟的延迟数据的数据模式的一个示例，并且图4(c)示出基于高频控制信号改变的写入电流的数据模式的一个示例。在图4(a)至4(c)中，写入数据和写入电流的高频模式具有1T的数据位间隔。在图4(a)和4(b)的写入数据和延迟数据中，电压H41具有比电压L41高的电压电平。此外，在图4(c)的写入电流中，电流H42大于电流L42。在图4(c)的写入电流中，电流H43大于电流H42，并且电流L43小于电流L42。
磁头放大器IC 60生成图4(b)的延迟数据的数据模式，该数据模式是从R/W通道50输入并且被延迟确定时间(例如，被延迟1T)的图4(a)的写入数据的数据模式。在数据模式上升和下降时的一个时间处，磁头放大器IC 60将图4(a)的写入数据的数据模式与图4(b)的延迟数据的数据模式相比较。当根据该比较的结果，图4(a)的写入数据的数据模式和图4(b)的延迟数据的数据模式具有相反极性时，磁头放大器IC 60确定模式是写入数据的高频模式，即1T数据模式。在数据模式上升或下降时的一个时间处，磁头放大器IC 60提供过冲(过冲(overshoot)电流)或下冲(下冲(undershoot)电流)，以便与对应于图4(b)的延迟数据的高频模式的写入电流的高频模式的电流值叠加。在以下描述中，提供过冲(过冲电流)或下冲(下冲电流)以便与数据模式的电流值叠加可以被称为增强数据模式。磁头放大器IC60将图4(c)的增强后的数据模式的写入电流输出到写入磁头15W。注意，磁头放大器IC 60可以从电阻(其未示出)获取与由R/W通道50检测到的写入数据的高频模式相关的数据。此外，磁头放大器IC 60可以对写入数据的高频模式进行计数，并且增强与选定写入数据的高频模式对应的写入电流的高频模式。
在所示示例中，在延迟数据的数据模式上升时的时间T41、T43、T45和T48以及在延迟数据的数据模式下降时的时间T42、T45和T49，磁头放大器IC 60将写入数据的数据模式的极性与延迟数据的数据模式的极性相比较。
因为在时间T41，写入数据的数据模式上升并且延迟数据的数据模式下降，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P41是写入数据的高频模式。在与延迟数据的数据模式P41对应的写入电流的数据模式P401上升(过冲)时的时间T41，磁头放大器IC 60提供增强电流以便与写入电流的数据模式P401的电流值叠加。
因为在时间T42，写入数据的数据模式上升并且延迟数据的数据模式下降，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P42是写入数据的高频模式。在与延迟数据的数据模式P42对应的写入电流的数据模式P402下降(下冲)时的时间T42，磁头放大器IC 60提供增强电流以便与写入电流的数据模式P402的电流值叠加。
因为在时间T43，写入数据的数据模式上升并且延迟数据的数据模式上升，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P43不是写入数据的高频模式。磁头放大器IC 60生成与延迟数据的数据模式P43对应的写入电流的数据模式P403。
因为在时间T45，写入数据的数据模式下降并且延迟数据的数据模式下降，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P44不是写入数据的高频模式。磁头放大器IC 60生成与延迟数据的数据模式P44对应的写入电流的数据模式P404。
因为在时间T48，写入数据的数据模式上升并且延迟数据的数据模式上升，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P45是写入数据的高频模式。在与延迟数据的数据模式P45对应的数据模式P405上升(过冲)时的时间T48，磁头放大器IC 60提供增强电流以便与写入电流的数据模式P405的电流值叠加。
将参考图5、6、7和8解释本实施例的写入电流的低频模式的处理的一些示例。
图5是示出低频确定信号X2和Y2与低频模式处理之间的关系的一个示例的表。
磁头放大器IC 60例如基于从R/W通道50输入的低频确定信号X2和Y2，控制写入电流的低频模式，如表TB51中所示。在所示图中，如果低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是L，则磁头放大器IC 60不改变写入电流的通常设置的低频模式。如果低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是H，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst2来增强写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2是H并且低频确定信号Y2是L，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst1来增强写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是H，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst1和Bst2来增强写入电流的低频模式。注意，磁头放大器IC60可以将表TB51中所示的设置保持在未示出的电阻中。如果输入低频确定信号X2和Y2，则磁头放大器IC 60可以参考表TB51来控制写入电流的低频模式。
图6示出基于图5的表的写入电流的低频模式处理的一个示例。注意，在图6中示出图4的写入数据、延迟数据、以及写入电流的高频模式；但是，其详细描述将被省略。
图6(a)示出在磁头放大器IC 60中输入的写入数据的数据模式的一个示例，图6(b)示出从R/W通道50输入到磁头放大器IC 60的低频确定信号X2的数据模式的一个示例，图6(c)示出从R/W通道50输入到磁头放大器IC 60的低频确定信号Y2的数据模式的一个示例，图6(d)示出在磁头放大器IC 60中被延迟的延迟数据的数据模式的一个示例，并且图6(e)示出基于低频控制信号改变的写入电流的数据模式的一个示例。在图6(e)的写入电流中，电流H61大于电流H42并且小于电流H43。此外，在图6(e)中，电流L61小于电流L42，并且电流L62小于电流L61。电流L63小于电流L62并且大于电流L43。
磁头放大器IC 60通过使从R/W通道50输入的图6(a)的写入数据的数据模式延迟确定时间(例如，延迟1T)，生成如图6(d)中所示的延迟数据的数据模式。当延迟数据的低频模式上升或下降时，磁头放大器IC 60检查从R/W通道50输入的图6(b)的低频确定信号X2的数据模式和图6(c)的低频确定信号Y2的数据模式。当写入数据的低频模式上升或下降时，磁头放大器IC 60增强与图6(d)的延迟数据的数据模式对应的写入电流的数据模式，如图5的表TB51中所示。磁头放大器IC 60将具有写入电流的增强后的高频模式和低频模式的图6(e)的写入电流输出到写入磁头15W。注意，磁头放大器IC 60可以从电阻(其未示出)获取与在R/W通道50中检测到的写入数据的低频模式相关的数据。此外，磁头放大器IC 60可以对写入数据的低频模式进行计数，并且增强与写入数据的选定低频模式对应的写入电流的低频模式。
在所示示例中，在延迟数据的数据模式P43上升时的时间T43，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是L，所以磁头放大器IC 60输出与延迟数据的数据模式P43对应的写入电流的数据模式P403的普通强度的电流值，如图5的表TB51中所示。
在延迟数据的数据模式P44上升时的时间T45，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是L，所以在与延迟数据的数据模式P44对应的写入电流的数据模式P404下降(过冲)时的时间T45，磁头放大器IC 60提供延迟数据的增强电流Bst2以便与写入电流的数据模式P404的电流值L42叠加，如图5的表TB51中所示。
在延迟数据的数据模式P46下降时的时间T49，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是H，所以在与延迟数据的数据模式P46对应的写入电流的数据模式P406下降(过冲)时的时间T49，磁头放大器IC 60提供增强电流Bst1以便与写入电流的数据模式P406的电流值L42叠加，如图5的表TB51中所示。
在延迟数据的数据模式P47上升时的时间T412，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是H，所以在与延迟数据的数据模式P47对应的写入电流的数据模式P407上升时的时间T412，磁头放大器IC 60提供延迟数据的增强电流Bst1+Bst2以便与写入电流的数据模式P407的电流值H42叠加，如图5的表TB51中所示。
图7是示出低频确定信号X2和Y2与低频模式处理之间的关系的一个示例的表。
磁头放大器IC 60例如基于从R/W通道50输入的低频确定信号X2和Y2，控制写入电流的低频模式，如表TB52中所示。在所示图中，如果低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是L，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst3增强写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是H，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst4增强写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2是H并且低频确定信号Y2是L，则磁头放大器IC 60增大写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是H，则磁头放大器IC 60增大写入电流的低频模式的电流值，并且使用增强电流Bst4增强低频模式。注意，磁头放大器IC 60可以将表TB52中所示的设置保持在未示出的电阻中。如果输入低频确定信号X2和Y2，则磁头放大器IC 60可以参考表TB52来控制写入电流的低频模式。
图8示出基于图7的表的写入电流的低频模式处理的一个示例。注意，在图8中示出图4的写入数据、延迟数据、以及写入电流的高频模式；但是，其详细描述将被省略。
图8(a)示出在磁头放大器IC 60中输入的写入数据的数据模式的一个示例，图8(b)示出从R/W通道50输入到磁头放大器IC 60的低频确定信号X2的数据模式的一个示例，图8(c)示出从R/W通道50输入到磁头放大器IC 60的低频确定信号Y2的数据模式的一个示例，图8(d)示出在磁头放大器IC 60中被延迟的延迟数据的数据模式的一个示例，并且图8(e)示出基于低频控制信号改变的写入电流的数据模式的一个示例。在图8(e)的写入电流中，电流H81大于电流H42，并且电流H82大于电流H81。电流H83大于电流H82并且小于电流H43。此外，在图8(e)中，电流L81小于电流L42，并且电流L82小于电流L81。电流L83小于电流L82并且大于电流L43。
磁头放大器IC 60通过使从R/W通道50输入的图8(a)的写入数据的数据模式延迟确定时间(例如，延迟1T)，生成如图8(d)中所示的延迟数据的数据模式。在延迟数据的低频模式上升或下降时的一个时间处，磁头放大器IC 60检查从R/W通道50输入的图8(b)的低频确定信号X2的数据模式和图8(c)的低频确定信号Y2的数据模式。在写入数据的低频模式上升或下降时的一个时间处，磁头放大器IC 60改变与图8(d)的延迟数据的数据模式对应的写入电流的数据模式的电流值，如图7的表TB52中所示。磁头放大器IC 60将具有写入电流的高频模式和低频模式中的每一者的改变后的电流值的图8(e)的写入电流输出到写入磁头15W。注意，磁头放大器IC 60可以从电阻(其未示出)获取与在R/W通道50中检测到的写入数据的低频模式相关的数据。此外，磁头放大器IC 60可以对写入数据的低频模式进行计数，并且改变与写入数据的选定低频模式对应的写入电流的低频模式的电流值。
在所示示例中，在延迟数据的数据模式P43上升时的时间T43，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是L，所以在与延迟数据的数据模式P43对应的写入电流的数据模式P403上升(过冲)时的时间T43，磁头放大器IC 60提供增强电流Bst3以便与写入电流的数据模式P403的电流值H42叠加，如图7的表TB52中所示。
在延迟数据的数据模式P44上升时的时间T45，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是L，所以磁头放大器IC 60增大与延迟数据的数据模式P44对应的写入电流的数据模式P404，如图7的表TB52中所示。
在延迟数据的数据模式P46上升时的时间T49，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是H，所以在与延迟数据的数据模式P46对应的写入电流的数据模式P406上升(下冲)时的时间T49，磁头放大器IC 60提供增强电流Bst4以便与写入电流的数据模式P406的电流值L42叠加，如图7的表TB52中所示。
在延迟数据的数据模式P47上升时的时间T412，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是H，所以在与延迟数据的数据模式P47对应的写入电流的数据模式P407上升时的时间T412，磁头放大器IC 60增大写入电流的数据模式P407的电流值并且提供增强电流Bst4，如图7的表TB52中所示。
注意，图5至8中所示的写入电流的低频模式处理是一个示例，并且磁头放大器IC60可以基于确定信号X2和Y2，对写入电流的低频模式执行不同的处理。
图9是示出第一实施例的磁头放大器IC 60的处理方法的流程图。
磁头放大器IC 60通过写入数据I/F 1401，从外部(例如，R/W通道50)接收写入数据(B901)，检测写入数据的高频模式(B902)，并且改变与写入数据的高频模式对应的写入电流的高频模式的电流值(B903)。
放大器IC 60通过读取数据I/F 1402，从外部(例如，R/W通道50)接收低频确定信号(B904)，并且基于该低频确定信号，改变与写入数据的低频模式对应的写入电流的低频模式的电流值(B905)。
磁头放大器IC 60将具有改变后的电流值的高频模式和改变后的电流值的低频模式的写入电流输出到外部(例如，磁头15)(B906)。
在本实施例中，磁盘设备1包括R/W通道50和磁头放大器IC 60。磁盘设备1通过写入数据I/F 1401，将写入数据从R/W通道50输出到磁头放大器IC 60。磁盘设备1检测磁头放大器IC 60中的写入数据的高频模式，并且改变与写入数据的高频模式对应的写入电流的高频模式的电流值。此外，在写入处理期间，磁盘设备1检测R/W通道50中的写入数据的低频模式，并且通过写入数据I/F 1402，将低频模式检测结果作为低频确定信号从R/W通道50输出到磁头放大器IC 60。磁盘设备1基于该低频确定信号，改变与磁头放大器IC 60中的写入数据的低频模式对应的写入电流的低频模式的电流值。因此，磁盘设备1能够改变写入电流的高频模式和低频模式中的每一者的电流值而无需额外端子和线路。因此，能够实现具有改进的数据写入可靠性的磁盘设备。
现在将解释一个变型和另一个实施例的磁盘设备。在该变型和另一个实施例的描述中，相同元件由相同参考标号表示，并且其详细描述将被省略。
(变型1)
变型1的磁盘设备1包括其结构与第一实施例不同的低频信号电路720。
图10是示出变型1的磁头放大器IC 60的电路的一个示例的示意图。在变型1中，低频信号电路720例如包括组合电路721。组合电路721电连接到写入驱动器730。组合电路721基于通过端子T3和T4输入的低频确定信号X2和Y2生成低频确定信号，并且将所生成的低频确定信号输出到写入驱动器730。
图11是示出低频确定信号X2和Y2与低频模式处理之间的关系的一个示例的表。
磁头放大器IC 60例如基于从R/W通道50输入的低频确定信号X2和Y2，控制写入电流的低频模式，如表TB53中所示。在所示图中，如果低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是L，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst5增强写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是H，则磁头放大器IC 60使用增强电流Bst6增强写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2是H并且低频确定信号Y2是L，则磁头放大器IC 60抑制写入电流的低频模式。如果低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是H，则磁头放大器IC 60抑制写入电流的低频模式的电流值，并且使用增强电流Bst6增强低频模式。
图12示出基于图11的表的写入电流的低频模式处理的一个示例。注意，在图12中示出图4的写入数据、延迟数据、以及写入电流的高频模式；但是，其详细描述将被省略。
图12(a)示出在磁头放大器IC 60中输入的写入数据的数据模式的一个示例，图12(b)示出从R/W通道50输入到磁头放大器IC 60的低频确定信号X2的数据模式的一个示例，图12(c)示出从R/W通道50输入到磁头放大器IC 60的低频确定信号Y2的数据模式的一个示例，图12(d)示出在磁头放大器IC 60中被延迟的延迟数据的数据模式的一个示例，并且图12(e)示出基于低频控制信号改变的写入电流的数据模式的一个示例。在图12(e)的写入电流中，电流H121大于电流L121并且小于电流H42。在图12(e)中，电流L121大于电流H42。在图12(e)中，电流L122小于电流L42并且大于电流L82。
磁头放大器IC 60通过使从R/W通道50输入的图12(a)的写入数据的数据模式延迟确定时间(例如，延迟1T)，生成如图12(d)中所示的延迟数据的数据模式。在延迟数据的低频模式上升和下降时的一个时间处，磁头放大器IC 60检查从R/W通道50输入的图12(b)的低频确定信号X2的数据模式和图12(c)的低频确定信号Y2的数据模式。在写入数据的低频模式上升或下降时的一个时间处，磁头放大器IC 60改变与图12(d)的延迟数据的数据模式对应的写入电流的数据模式的电流值，如图11的表TB53中所示。磁头放大器IC 60将具有写入电流的高频模式和低频模式中的每一者的改变后的电流值的图12(e)的写入电流输出到写入磁头15W。
在所示示例中，在延迟数据的数据模式P43上升时的时间T43，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是L，所以在与延迟数据的数据模式P43对应的写入电流的数据模式P403上升(过冲)时的时间T43，磁头放大器IC 60提供增强电流Bst3以便与写入电流的数据模式P403的电流值H42叠加，如图11的表TB53中所示。
在延迟数据的数据模式P44上升时的时间T45，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是L，所以磁头放大器IC 60抑制与延迟数据的数据模式P44对应的写入电流的数据模式P404，如图11的表TB53中所示。
在延迟数据的数据模式P46下降时的时间T49，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是L并且低频确定信号Y2的数据模式是H，所以在与延迟数据的数据模式P46对应的写入电流的数据模式P406下降(下冲)时的时间T49，磁头放大器IC 60提供增强电流Bst6以便与写入电流的数据模式P406的电流值L42叠加，如图11的表TB53中所示。
在延迟数据的数据模式P47上升时的时间T412，磁头放大器IC 60检查低频确定信号X2和Y2的数据模式。因为低频确定信号X2的数据模式是H并且低频确定信号Y2的数据模式是H，所以在与延迟数据的数据模式P47对应的写入电流的数据模式P407上升时的时间T412，磁头放大器IC 60抑制写入电流的数据模式P407的电流值并且提供增强电流Bst6，如图11的表中所示。
在变型1中，磁盘设备1能够抑制写入电流的低频模式的电流值。因此，磁盘设备1能够改变写入电流的高频模式和低频模式中的每一者的电流值而无需额外端子和线路。因此，能够实现具有改进的数据写入可靠性的磁盘设备。
(第二实施例)
第二实施例的磁盘设备1包括高频电路信号710，其结构与上述实施例的磁盘设备1的高频信号电路不同。
图13是示出第二实施例的磁头放大器IC 60的电路的一个示例的示意图。
在第二实施例中，高频信号电路710例如包括缓冲器711、上升计时器712、下降计时器714、“与”电路716和718、以及缓冲器717。
缓冲器711电连接到“与”电路716和“与”电路718。缓冲器711将通过端子T1和T2以差分法发送的两个写入数据作为单个写入数据来输出到“与”电路716和718。
上升计时器712电连接到“与”电路716。上升计时器712将测量信号(以下，第一测量信号(第一信号))输出到“与”电路716，该测量信号当数据模式上升时开启，并且当数据模式下降时关断。例如，当数据模式上升时，上升计时器712开始第一测量信号的电压电平的变化。例如，上升计时器712按时间顺序将第一测量信号的电压电平从L改变为H，并且在某一时段(例如，1T)之后将电压电平设置为恒定。当数据模式下降时，上升计时器712结束电压电平的变化。例如，上升计时器712将电压电平设置为L。
“与”电路716电连接到缓冲器717。“与”电路716将从缓冲器711输入的写入数据的数据模式与从上升计时器712输入的第一测量信号的数据模式相比较，从该比较的结果检测写入数据的高频模式，并且将从该结果生成的高频确定信号(以下，第一高频确定信号)输出到缓冲器717。
下降计时器714电连接到“与”电路718。下降计时器714将测量信号(以下，第二测量信号)输出到“与”电路718，该测量信号当信号上升时开启，并且当信号下降时关断。例如，当数据模式下降时，下降计时器714开始第二测量信号的电压电平的变化。例如，下降计时器714按时间顺序将第二测量信号的电压电平从L改变为H，并且在某一时段(例如，1T)之后将电压电平设置为恒定。当数据模式上升时，下降计时器714结束电压电平的变化。例如，下降计时器714将电压电平设置为L。
“与”电路718电连接到缓冲器717。“与”电路718将从缓冲器711输入的写入数据的数据模式与从下降计时器714输入的第二测量信号的数据模式相比较，从该比较的结果检测写入数据的高频模式，并且将从该结果生成的高频确定信号(以下，第二高频确定信号)输出到缓冲器717。
缓冲器717例如电连接到写入驱动器730。缓冲器717基于从“与”电路716和718输入的第一高频确定信号和第二高频确定信号生成高频控制信号，并且将所生成的高频控制信号输出到写入驱动器730。在缓冲器717中输入控制信号SG10。
图14示出第二实施例的写入电流的高频模式处理的一个示例。图14(a)示出在磁头放大器IC 60中输入的写入数据的数据模式的一个示例，图14(b)示出上升计时器的第一测量信号的数据模式的一个示例，图14(c)示出下降计时器的第二测量信号的数据模式的一个示例，并且图14(d)示出基于高频控制信号改变的写入电流的数据模式的一个示例。在图14(a)至14(c)中，写入数据和写入电流的高频模式具有1T的数据位间隔。此外，在图14(b)和14(c)中，当数据位间隔超过1T时，上升计时器和下降计时器将电压电平设置为恒定。
磁头放大器IC 60将图14(a)的写入数据的数据模式与图14(b)的上升计时器的第一测量信号的数据模式相比较。如果该比较的结果没有表明上升计时器的第一测量信号的数据模式的电压电平是恒定的，则磁头放大器IC 60确定它是写入数据的高频模式，即1T数据模式。同样，磁头放大器IC 60将图14(a)的写入数据的数据模式与图14(c)的下降计时器的第二测量信号的数据模式相比较。如果该比较的结果没有表明下降计时器的第二测量信号的数据模式的电压电平是恒定的，则磁头放大器IC 60确定它是写入数据的高频模式。当数据模式上升或下降时，磁头放大器IC 60增强与被延迟某一时段(例如，1T)的延迟数据的高频模式对应的写入电流的高频模式。磁头放大器IC 60将具有图14(d)的增强后的数据模式的写入电流输出到写入磁头15W。
在所示示例中，因为上升计时器的第一测量信号的数据模式P141的电压电平相对于在时间T40上升的写入数据的数据模式P41不是恒定的，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P41是写入数据的高频模式。在与写入电流的数据模式P41对应的写入电流的数据模式P401上升(过冲)时的时间T41，磁头放大器IC 60向写入电流的数据模式P401的电流值提供增强电流。
因为下降计时器的第二测量信号的数据模式P144的电压电平相对于在时间T41下降的写入数据的数据模式P42不是恒定的，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P42是写入数据的高频模式。在与写入电流的数据模式P41对应的写入电流的数据模式P402下降(下冲)时的时间T41，磁头放大器IC 60向写入电流的数据模式P402的电流值提供增强电流。
因为上升计时器的第一测量信号的数据模式P142的电压电平相对于在时间T42上升的写入数据的数据模式P43是恒定的，所以磁头放大器IC60确定数据模式P43不是写入数据的高频模式。磁头放大器IC 60输出与写入数据的数据模式P43对应的写入电流的数据模式P403。
因为下降计时器的第二测量信号的数据模式P145的电压电平相对于在时间T44下降的写入数据的数据模式P44是恒定的，所以磁头放大器IC60确定数据模式P44不是写入数据的高频模式。磁头放大器IC 60输出与写入数据的数据模式P44对应的写入电流的数据模式P404。
因为上升计时器的第一测量信号的数据模式P143的电压电平相对于在时间T47上升的写入数据的数据模式P45不是恒定的，所以磁头放大器IC 60确定数据模式P45是写入数据的高频模式。在与写入电流的数据模式P45对应的写入电流的数据模式P405上升(过冲)时的时间T48，磁头放大器IC 60向写入电流的数据模式P405的电流值提供增强电流。
在第二实施例中，磁盘设备1在磁头放大器IC 60中包括上升计时器712和下降计时器714。磁盘设备1在磁头放大器IC 60中，将分别从上升计时器712和下降计时器714输出的第一测量信号与第二测量信号相比较，并且从该比较的结果检测高频模式。因此，磁盘设备1能够改变写入电流的高频模式和低频模式中的每一者的电流值而无需额外端子和线路。因此，能够实现具有改进的数据写入可靠性的磁盘设备。
注意，磁盘设备1可以被构造为包括具有上升计时器和下降计时器的计时器713，而不是图3的延迟电路713。
尽管描述了某些实施例，但这些实施例仅通过示例的方式提供，并且它们并非旨在限制本发明的范围。实际上，可以以各种其它形式体现在此描述的新颖实施例；此外，可以对在此描述的实施例的形式进行各种省略、替换和更改而不偏离本发明的精神。所附权利要求及其等效物旨在覆盖落入本发明的精神和范围内的这些形式和修改。

Claims (20)

1.一种磁盘设备，包括：
磁盘；
磁头，其被配置为将数据写入所述磁盘；以及
集成电路，其被配置为获取指示写入数据的第一频率的第一模式的检测信号、基于所述检测信号改变与所述第一模式对应的写入电流的第二模式的第一电流、从所述写入数据检测大于所述第一频率的第二频率的第三模式、改变与所述第三模式对应的所述写入电流的第四模式的第二电流、以及将具有改变后的第一电流和改变后的第二电流的所述写入电流输出到所述磁头。
2.根据权利要求1所述的磁盘设备，进一步包括：
第一电路，其被配置为将所述写入数据发送到所述集成电路；以及
第二电路，其被配置为当从所述磁盘读取数据时，将读取数据发送到所述集成电路的外部，以及当将数据写入所述磁盘时，将所述检测信号发送到所述集成电路。
3.根据权利要求1所述的磁盘设备，其中所述集成电路将写入数据的数据模式与延迟数据的数据模式相比较，并且从所述比较的结果检测所述第三模式，所述延迟数据是被延迟所述第三模式的间隔的写入数据。
4.根据权利要求1所述的磁盘设备，其中所述集成电路基于第一信号检测所述第三模式，当写入数据的数据模式上升时，所述第一信号上升，并且当写入数据的数据模式下降时，所述第一信号下降。
5.根据权利要求1所述的磁盘设备，其中所述集成电路基于第二信号检测所述第三模式，当写入数据的数据模式下降时，所述第二信号下降，并且当写入数据的数据模式上升时，所述第二信号上升。
6.根据权利要求1所述的磁盘设备，其中当所述第四模式上升或下降时，所述集成电路提供第三电流以便与所述第二电流叠加。
7.根据权利要求6所述的磁盘设备，其中当所述第二模式上升或下降时，所述集成电路基于所述检测信号提供第四电流以便与所述第一电流叠加。
8.根据权利要求6所述的磁盘设备，其中所述集成电路基于所述检测信号增大所述第一电流。
9.根据权利要求7所述的磁盘设备，其中所述集成电路基于所述检测信号抑制所述第一电流。
10.根据权利要求1所述的磁盘设备，其中所述集成电路将写入数据的所述数据模式与测量信号相比较，并且从所述比较的结果检测所述第三模式，所述测量信号具有电压电平，当写入数据的所述数据模式上升或下降时，所述电压电平开始从L上升到H，并且在第一时间之后，所述电压电平变得恒定。
11.根据权利要求1所述的磁盘设备，其中所述第三模式的数据位间隔是1T。
12.一种磁盘设备，包括：
磁盘；
磁头，其被配置为将数据写入所述磁盘；
控制器，其被配置为从写入数据检测第一频率的第一模式，并且生成指示所检测的第一模式的检测信号；以及
集成电路，其被配置为从所述控制器获取所述检测信号、基于所述检测信号改变与所述第一模式对应的写入电流的第二模式的第一电流、从所述写入数据检测大于所述第一频率的第二频率的第三模式、改变与所述第三模式对应的所述写入电流的第四模式的第二电流、以及将具有改变后的第一电流和改变后的第二电流的所述写入电流输出到所述磁头。
13.根据权利要求12所述的磁盘设备，进一步包括：
第一电路，其被配置为将所述写入数据从所述控制器发送到所述集成电路；以及
第二电路，其被配置为当从所述磁盘读取数据时，将读取数据从所述集成电路发送到所述控制器，并且当将数据写入所述磁盘时，将所述检测信号从所述控制器发送到所述集成电路。
14.一种应用于磁盘设备的写入处理方法，所述磁盘设备包括磁盘和被配置为将数据写入所述磁盘的磁头，所述方法包括：
获取指示写入数据的第一频率的第一模式的检测信号；
基于所述检测信号改变与所述第一模式对应的写入电流的第二模式的第一电流；
从所述写入数据检测大于所述第一频率的第二频率的第三模式，并且改变与所述第三模式对应的所述写入电流的第四模式的第二电流；以及
将具有改变后的第一电流和改变后的第二电流的所述写入电流输出到所述磁头。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
将写入数据的数据模式与延迟数据的数据模式相比较，所述延迟数据是被延迟所述第三模式的间隔的写入数据；以及
从所述比较的结果检测所述第三模式。
16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
基于第一信号检测所述第三模式，当写入数据的所述数据模式上升时，所述第一信号上升，并且当写入数据的所述数据模式下降时，所述第一信号下降。
17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
基于第二信号检测所述第三模式，当写入数据的所述数据模式下降时，所述第二信号下降，并且当写入数据的所述数据模式上升时，所述第二信号上升。
18.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
当所述第四模式上升或下降时，提供第三电流以便与所述第二电流叠加。
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
当所述第二模式上升或下降时，基于所述检测信号提供第四电流以便与所述第一电流叠加。
20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
基于所述检测信号增大所述第一电流。
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