CN107180645A - 磁记录装置以及高频辅助记录方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够进行稳定的高频辅助记录的磁记录装置以及高频辅助记录方法。本实施方式所涉及的磁记录装置包括：磁记录介质；具有记录磁极、配置于记录磁极的附近的旋转扭矩振荡器以及对记录磁极励磁的线圈的头；向线圈供给与记录数据相应的记录电流的记录电流供给部；向旋转扭矩振荡器通电驱动电流的驱动电流供给部；检测记录数据的模式的模式检测部；和在由模式检测部检测到的记录数据的模式与预定的模式一致的情况下使向旋转扭矩振荡器供给的驱动电流变动的电流控制部。

Description

磁记录装置以及高频辅助记录方法
相关申请
本申请享受以日本专利申请2016－47111号(申请日：2016年3月10日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包含在先申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁记录装置以及高频辅助记录方法。
背景技术
近年来，在以硬盘驱动器为代表的磁记录装置的领域，作为能够实现更高记录密度与高记录容量的记录方式的一种，研究高频辅助记录方式。
高频辅助记录方式是如下的技术：使用具有通过被施加记录电流而被励磁而产生记录磁场的记录磁极(主磁极)和高频振荡器的磁头，向磁记录介质例如磁盘的预定的微细部位施加比记录信号频率充分高的频率的高频磁场，由此使记录信号频率区域的该部位的顽磁力从原来的顽磁力下降到一半以下的顽磁力。作为高频振荡器，具有例如旋转扭矩振荡器(spin torque oscillator:STO)。
高频辅助记录方式的磁记录装置在记录磁极的附近具备：具有通过通电而振荡的振荡层的旋转扭矩振荡器。该方式的磁记录装置，将从通过向旋转扭矩振荡器通电而振荡的振荡层产生的高频磁场向磁盘的预定的微细部位施加，使该微细部位的顽磁力下降。该方式的磁记录装置，在使该预定的微细部位的顽磁力下降了的定时，从记录磁极向同一部位施加记录磁场，向具有比通常的磁盘密度高的记录势能的高磁各向异性能的磁盘记录数据。
在该方式的磁头的旋转扭矩振荡器中，振荡层被配置于记录磁极的附近。从记录磁极产生的泄漏记录磁场也被施加于振荡层，所以与记录磁场的变化相应，向旋转扭矩振荡器施加的间隙磁场变化。即，旋转扭矩振荡器的振荡频率会变化。结果，磁记录装置难以提供稳定的高频辅助记录。
发明内容
本发明的实施方式提供能够进行稳定的高频辅助记录的磁记录装置以及高频辅助记录方法。
本实施方式所涉及的磁记录装置包括：磁记录介质；具有记录磁极、接近所述记录磁极而配置的旋转扭矩振荡器以及对所述记录磁极励磁的线圈的头；向所述线圈供给与记录数据相应的记录电流的记录电流供给部；向所述旋转扭矩振荡器通电驱动电流的驱动电流供给部；检测所述记录数据的模式的模式检测部；和在通过所述模式检测部检测到的所述记录数据的模式与预定的模式一致的情况下使向所述旋转扭矩振荡器供给的驱动电流变动的电流控制部。
附图说明
图1是第1实施方式所涉及的磁记录装置的框图。
图2是表示第1实施方式所涉及的磁记录装置的要部的图。
图3是第1实施方式所涉及的写入头的一部分的放大图。
图4是第1实施方式所涉及的STO电流驱动系统的框图。
图5是表示记录信号的数据模式、与记录信号的变化同步的理想的记录电流与STO驱动电流的关系的一例的图。
图6是第1实施方式所涉及的高频辅助记录方法的流程图。
图7是表示变形例1所涉及的磁记录装置的要部的图。
图8是第2实施方式所涉及的STO电流驱动系统的框图。
图9是表示第2实施方式所涉及的参照表的一例的图。
图10是表示记录信号的数据模式、与记录信号的变化同步的理想的记录电流与STO驱动电流的关系的一例的图。
图11是表示记录电流与旋转扭矩振荡器的振荡频率的关系的一例的图。
图12是表示STO驱动电流与STO的振荡频率的关系的一例的图。
图13是表示变形例2所涉及的参照表的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施的方式进行说明。
(第1实施方式)
图1是第1实施方式所涉及的磁记录装置1的框图，图2是表示本实施方式所涉及的磁记录装置1的要部的图。
磁记录装置1包括：包括1芯片的集成电路的系统控制器2、易失性存储器40、非易失性存储器50、缓冲存储器(缓冲器)60、驱动器IC80、后述的头盘组件(head-diskassembly：HDA)和头放大器集成电路(以下称为头放大器IC)90。另外，磁记录装置1能够与主机系统(主机)100连接。
系统控制器(控制器)2使用例如多个元件集成于单一芯片的被称为System-on-a-Chip(SoC)的大规模集成电路(LSI)实现。系统控制器2包含硬盘控制器(HDC)10、微处理器(MPU)20和R/W信道30。
HDC10被连接于主机100与R/W信道30，控制主机100与R/W信道30之间的数据传送。HDC10包括与主机100连接的主机I/F电路。另外，HDC10也被连接于易失性存储器40、非易失性存储器50以及缓冲存储器60。
MPU20为控制磁记录装置1的各部的主控制器。MPU20被连接于后述的驱动器IC80，经由驱动器IC80控制VCM74，执行进行头75的定位的伺服控制。另外，MPU20控制数据的写入工作，并且执行选择从主机100传送的写入数据的保存目的地的控制。
R/W信道30被连接于HDC10、MPU20以及后述的头放大器IC90，执行读取数据以及记录数据的信号处理。R/W信道30如图2所示，包括记录信号电路310。记录信号电路310被连接于后述的记录电流控制电路910与STO电流驱动系统920，向它们发送对记录数据进行了调制所得的记录信号Ws。另外，R/W信道30具有测定读取数据的信号品质的电路(未图示)或功能。
易失性存储器40为电力供给被切断时所保存的数据丢失的半导体存储器。易失性存储器40储存磁记录装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器40为例如SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)。
非易失性存储器50为电力供给被切断时也保持保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器50为例如闪存ROM(Flash Read Only Memory:FROM)。
缓冲存储器60是暂时地保持在后述的盘70与主机100之间发送接收的数据等的半导体存储器。另外，缓冲存储器60也可以与易失性存储器40配置为一体。缓冲存储器60为例如DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory)以及MRAM(Magnetoresistive RandomAccess Memory)等。
HDA具有磁盘(以下称为盘)70、主轴马达(SPM)72、搭载头75的臂73和音圈马达(VCM)74。盘70由主轴马达72旋转。臂73以及VCM74构成致动器。致动器通过VCM74的驱动，将搭载于臂73的头75移动控制到盘70上的预定的位置。盘70以及头75也可以设有2个以上的数目。
盘70在数据区域分配有用户能够利用的记录区域70a和写入系统管理所需要的信息的系统区域70b。另外，盘70是按顺序层叠非磁性体的基板701、作为基底层的软磁性层702、记录层703和保护层704而构成。即，在基板701的表面上，层叠有软磁性层702，在软磁性层702的表面上层叠有记录层703，在记录层703的表面上层叠有保护层704。记录层703通过从构成后述的头75的写入头75W的记录磁极施加的记录磁场被控制垂直方向的磁化，由此保持数据。在图2中，箭头RD表示盘70的旋转方向。
头75将滑块作为主体，包括安装于该滑块的读取头75R以及写入头75W。头75通过例如氧化铝与碳化钛的烧结体(AlTic)形成滑块的主体部分。在图2，在头75的滑块，示出与盘70的表面对向的盘对向面DF和流出端(尾随)侧的尾随端TE。
读取头75R包括磁性膜(磁阻效应元件)751，读取盘70的记录层703的磁化的方向即磁记录数据。磁性膜751为了再现分辨能力的提高被夹设于2个磁屏蔽层752a、752b之间。磁性膜751以及2个磁屏蔽层752a、752b的下端分别在头75的滑块的盘对向面DF露出。例如，磁性膜751为GMR元件或TMR元件等。
写入头75W包括构成记录磁极的主磁极753、尾随屏蔽件754、记录线圈755、绝缘体756和高频振荡器例如旋转扭矩振荡器(spin torque oscillator:STO)757。在头75的滑块，写入头75W相对于读取头75R被设置于尾随端TE侧。
图3是本实施方式所涉及的写入头75W的一部分的放大图。
主磁极753在写入头75W的构成部分中被设置于读取头75R侧。主磁极753相对于盘对向面DF大致垂直地延长，向盘对向面DF侧的前端部753a缩小为前端变细而形成。该主磁极753的前端部753a在盘对向面DF露出。主磁极753由相对于盘70的表面产生垂直方向的记录磁场的高饱和磁化材料构成。主磁极753通过由后述的记录线圈755励磁而产生记录磁场，通过向盘70的记录层703施加该记录磁场，在记录层703记录数据。
尾随屏蔽件754在写入头75W的构成部分相对于主磁极753被设置于尾随端TE侧。尾随屏蔽件754在写入头75W的构成部分，在从盘对向面DF离开的位置经由绝缘体756连接于主磁极753，从该连接位置向盘对向面DF侧的前端部754a大致垂直地延长而形成。尾随屏蔽件754的前端部754a在主磁极753的前端部753a侧弯曲为L状，在其与主磁极753的前端部753a之间空出间隙(写入间隙)WG而设置。尾随屏蔽件754的前端部754a在盘对向面DF露出。尾随屏蔽件754是为了经由主磁极753的正下的软磁性层702高效地将磁路闭合而设置。
记录线圈755被设置为：卷绕到包含主磁极753与尾随屏蔽件754的磁回路(磁芯)的周围。记录线圈755通过被通电记录电流Iw而对主磁极753励磁。
旋转扭矩振荡器(STO)757被设置于写入间隙WG内。旋转扭矩振荡器757的下端面在头75的滑块的盘对向面DF露出。
旋转扭矩振荡器757具有：将包括非磁性导电层的基底层757a、旋转注入层757b、中间层757c、振荡层757d与包括非磁性导电层的间隙层757e从主磁极753的前端部753a侧向尾随屏蔽件754的前端部754a侧按顺序层叠的构造。基底层757a形成为与主磁极753的前端部753a相接。间隙层757e形成为与尾随屏蔽件754的前端部754a的主磁极753侧的端面相接。
旋转注入层757b通过例如顽磁力较高且旋转极化率较高的Co/Ni人造晶格形成。另外，旋转注入层757b也可以由具有比在数据的记录时在写入间隙WG内产生的间隙磁场小的顽磁力的材料形成。中间层757c由例如旋转扩散长度较长的Cu等形成，振荡层757d由例如软磁性且饱和磁通密度较大的FeCoNi等形成。另外，设为从主磁极753的前端部753a侧按顺序层叠基底层757a、旋转注入层757b、中间层757c、振荡层757d以及间隙层757e的构成，但并不限定于此，也可以设为从主磁极753的前端部753a侧按顺序层叠基底层757a、振荡层757d、中间层757c、旋转注入层757b以及间隙层757e的构成。
旋转扭矩振荡器757通过通电驱动电流Isto，通过在写入间隙WG内产生的间隙磁场，振荡层757d的磁化均匀地旋转，向盘70产生频率比记录信号Ws的频率充分高的高频磁场(微波)。旋转扭矩振荡器757通过向盘70的记录层703施加高频磁场，降低记录层703的顽磁力。
驱动器IC80根据系统控制器2(详细地为MPU20)的控制，控制SPM72以及VCM74的驱动。
头放大器IC90具有读取放大器以及写入驱动器。读取放大器对由读取头75R读出的读入信号进行放大，向读取/写入(R/W)信道30传送。写入驱动器向写入头75W传送与从R/W信道30发送的记录数据相应的写入电流。
头放大器IC90包括记录电流控制电路910与STO电流驱动系统920。另外，头放大器IC90包括图示省略的向读取头75R通电的电压或电流的控制电路。
记录电流控制电路910通过导线等连接于记录信号电路310与记录线圈755。记录电流控制电路910向记录线圈755施加与从记录信号电路310接收的记录信号Ws的变化同步的记录电流Iw。由此，主磁极753通过通电记录电流Iw的记录线圈755励磁，产生与记录信号Ws同步的记录磁场。
图4是本实施方式所涉及的STO电流驱动系统920的框图。
STO电流驱动系统920包含STO驱动电流控制电路930以及模式检测器(模式检测部)940。
STO驱动电流控制电路930包括定电流产生器(驱动电流供给部)931与脉冲电流产生器(电流控制部)932。
定电流产生器931通过导线等连接于记录信号电路310与头15的滑块。通过与头15的滑块连接，定电流产生器931经由主磁极753与尾随屏蔽件754连接于旋转扭矩振荡器(STO)757。定电流产生器931与从记录信号电路310接收的记录信号Ws的数据模式相应，产生STO驱动电流Isto例如一定的直流电流，向旋转扭矩振荡器757通电。以下，也有将“记录信号Ws的数据模式”简称为“记录信号Ws”的情况。另外，所谓“模式”这一用语有时也以包含数据的排列、数据的频率和/或数据的传送速度等的意义使用。
定电流产生器931也可以为：与记录信号Ws相应而使电流以向旋转扭矩振荡器757和记录线圈755流动的方式分流的构成。在该情况下，记录电流控制电路910变得不需要，但头75与定电流产生器931的连接端子增大。
脉冲电流产生器932在接收到预定的信号时，产生使STO驱动电流Isto变动的电流例如脉冲电流。脉冲电流产生器932在定电流产生器931的输出侧的导线等上连接有电流的输出侧的导线等。
模式检测器940通过导线等连接于记录信号电路310与脉冲电流产生器932。模式检测器940从记录信号电路310接收记录信号Ws，检测接收到的记录信号Ws的数据模式。模式检测器940对从记录信号电路310接收到的记录信号Ws的数据模式(以下，称为检测模式)与预先设定的数据模式(以下，称为设定模式)进行比较。模式检测器940在检测模式与设定模式一致的情况下，向脉冲电流产生器932发送预定的信号。
在记录电流Iw的频率不快的情况下，如果增大STO驱动电流Isto，则旋转扭矩振荡器(STO)变为比所希望的频率高的频率，具有不能执行稳定的辅助记录的可能性。因此，例如，设定模式也可以设定为记录电流Iw的频率变快的数据模式。或者，模式检测器940也可以构成为：仅在检测模式的频率较快的情况下与设定模式比较。
图5是表示记录信号Ws的数据模式、与记录信号Ws的变化同步的理想的记录电流Iw和STO驱动电流Isto的关系的一例的图。在图5中，横轴表示时间。
在图5中，(A)记录信号Ws表示从记录信号电路310发送的记录信号Ws的数据模式，(B)记录电流Iw表示与记录信号Ws的变化同步而向记录线圈755通电的理想的记录电流Iw，(C)STO驱动电流Isto表示在检测模式与设定模式一致的情况下变动的STO驱动电流Isto。在图5中，在记录线圈755中流动的理想的记录电流Iw通过矩形波表示，但实际的记录电流Iw在极性反转的上升或下降的部分平缓地变化。因此，在记录电流的频率较快的情况下，在达到所希望的电流值前，记录电流Iw会极性反转。因此，间隙磁场的强度也变为比所希望的值低的值，旋转扭矩振荡器(STO)757的振荡频率也降低。
在图5中，模式检测器940在从自记录信号电路310接收到的记录信号Ws检测到2个连续的“1”的数据模式的情况下，记录电流控制电路910与第2个“1”的记录信号Ws的变化即实际的记录电流Iw的极性反转同步，发送使STO驱动电流Isto变动例如上升的预定的信号。脉冲电流产生器932在从模式检测器940接收了预定的信号时，与记录信号Ws同步产生脉冲电流。此时，通过从脉冲电流产生器932输出的脉冲电流，从定电流产生器931输出的STO驱动电流Isto与记录信号Ws同步上升。因此，旋转扭矩振荡器(STO)757在向记录线圈755通电的记录电流Iw的极性反转的上升的定时，能够产生与上升了的STO驱动电流Isto相应的高频磁场。结果，旋转扭矩振荡器(STO)通过STO驱动电流Isto与记录电流Iw同步变动，能够产生一直稳定的高频磁场。即，磁记录装置1能够实现稳定的高频辅助记录方式。
图6是本实施方式所涉及的高频辅助记录方法的流程图。
模式检测器940从记录信号电路310接收对记录数据进行了调制所得到的记录信号Ws(B601)，对接收到的记录信号Ws的数据模式与预先设定的数据模式进行比较(B602)。
模式检测器940判定接收到的记录信号Ws的数据模式与预先设定的数据模式是否一致(B603)。在判定为接收到的记录信号Ws的数据模式(检测模式)与预先设定的数据模式(设定模式)一致的情况下(B603的是)，根据从模式检测器940接收的信号，脉冲电流产生器932与记录信号Ws相应，通过脉冲电流使从定电流产生器931输出的STO驱动电流Isto变动(B604)。
在判定为接收到的记录信号Ws的数据模式与预先设定的数据模式不一致的情况下(B603的否)，模式检测器940判定是否从记录信号电路310接收了记录信号Ws(B605)。
在从记录信号电路310接收了记录信号Ws的情况下(B605的是)，模式检测器940向B601的处理行进。在没有从记录信号电路310接收记录信号Ws的情况下(B605的否)，模式检测器940将处理结束。
根据本实施方式，磁记录装置1在通过模式检测器940检测到与预先设定的数据模式一致的数据模式的情况下，使STO驱动电流Isto变动。磁记录装置1，通过记录电流控制电路910与记录信号Ws同步地在记录电流Iw上升或下降时使STO驱动电流Isto变动，能够使得旋转扭矩振荡器757的振荡频率稳定化。结果，磁记录装置1能够稳定地执行高频辅助记录。
另外，在本实施方式中，模式检测器940包括于头放大器IC90中，但也可以如图7所示包括于R/W信道30中。另外，模式检测器940也可以独立设置于R/W信道30与头放大器IC90之间。
进而，STO电流驱动系统920的控制等也可以构成为：通过MPU20在固件上执行。
接下来对其他的实施方式所涉及的磁记录装置以及辅助记录方法进行说明。在其他的实施方式中，对于与前述的实施方式相同的部分赋予相同的参照符号而将其详细的说明省略。
(第2实施方式)
第2实施方式的磁记录装置1在具备包含多个设定模式的参照表的方面不同。
图8是本实施方式所涉及的STO电流驱动系统920的框图。
模式检测器940被连接于记录信号电路310、脉冲电流产生器932以及储存参照表TB的存储器例如易失性存储器40或非易失性存储器50等。另外，模式检测器940也可以经由R/W信道30连接于易失性存储器40以及非易失性存储器50。
模式检测器940当在记录信号Ws的数据模式中检测到预定的数据时，对预先设定于参照表TB的多个设定模式与检测模式进行比较。模式检测器940在多个设定模式中的任意一个的设定模式与检测模式一致的情况下，为了与记录信号Ws的数据模式的预定的数据同步使STO驱动电流变动例如上升，向脉冲电流产生器932发送预定的信号。
图9是表示本实施方式所涉及的参照表的一例的图。在图9所示的参照表TB中，行方向表示数据的比特(bit)，列方向表示设定模式的数。在图9所示的参照表TB中，设定有4比特的多个数据模式。在图9中，模式1为(0、0、0、1)，模式2为(0、0、1、1)，模式3为(0、1、0、1)，模式4为(1、0、0、1)，模式5为(0、1、1、1)，模式6为(1、1、0、1)，模式7为(1、0、1、1)，模式8为(1、1、1、1)。
模式检测器940当在从记录信号电路310接收到的记录信号Ws的数据模式中检测到“1”的情况下，对储存于参照表TB的多个设定模式和检测模式进行比较，检测模式包含：在记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”前检测到的3比特的数据与该当前检测到的“1”的1比特的数据。
模式检测器940在与设定于参照表TB的多个设定模式中的任意一个的设定模式一致的情况下，向脉冲电流产生器932发送预定的信号。例如，模式检测器940在检测模式与参照表TB中的模式2、模式7以及模式8的任意1个一致的情况下，以与记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”同步使STO驱动电流变动的方式，向脉冲电流产生器932发送预定的信号。脉冲电流产生器932根据来自模式检测器940的预定的信号，与记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”同步，使STO驱动电流Isto变动。即，脉冲电流产生器932与记录记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”的记录电流Iw的极性反转同步，使STO驱动电流Isto变动。
图10是表示记录信号Ws的数据模式、与记录信号Ws的变化同步的记录电流Iw和与记录电流Iw的变化同步的STO驱动电流Isto的关系的一例的图。在图10中，对于与图5同等的部分，将详细的说明省略。
在图10中，脉冲电流产生器932根据来自模式检测器940的预定的信号，与记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”(图10的(A)记录信号Ws的第4比特的数据)同步，使STO驱动电流Isto变动。即，脉冲电流产生器932根据来自模式检测器940的预定的信号，与记录记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”的记录电流Iw(图10的(B)记录电流)的下降同步，使STO驱动电流Isto变动。
图11是表示记录电流Iw与旋转扭矩振荡器(STO)757的振荡频率的关系的一例的图。在图11中，纵轴表示旋转扭矩振荡器(STO)757，横轴表示记录电流Iw。在图11中，数据的记录时的记录电流Iw的设定值设为40mA。
对从定电流产生器931输出的STO驱动电流Isto不与记录信号Ws相应地变动的情况进行说明。
记录电流Iw的频率较快，所以在记录电流Iw达到设定值40mA前例如在30mA时极性反转的情况下，磁极的磁化响应滞后，所以定电流产生器931通电与30mA相当的电流值的STO驱动电流Isto。此时，在旋转扭矩振荡器(STO)757，产生与记录电流Iw的电流值30mA相当的间隙磁场。在该情况下，旋转扭矩振荡器(STO)757的振荡频率相比较于与记录电流Iw的电流值40mA相当的间隙磁场的情况，下降4GHz左右。结果，磁记录装置1得不到充分的辅助效果，在数据的写入中会变为错误。
图12是表示STO驱动电流Isto与STO的振荡频率的关系的一例的图。
如本实施方式所示，对从定电流产生器931输出的STO驱动电流Isto与记录信号Ws相应而变动的情况进行说明。
定电流产生器931与记录信号Ws相应，将STO驱动电流Isto例如STO驱动电流Isto的电流值2.75mA向旋转扭矩振荡器757通电。
模式检测器940当在变化较快的记录信号Ws的数据模式检测到预定的数据的情况下，对从记录信号Ws的数据模式检测到的检测模式与预先设定于参照表TB的多个设定模式进行比较。模式检测器940在多个设定模式中的任意一个的设定模式与检测模式一致的情况下，与记录信号Ws的数据模式的预定的数据同步，向脉冲电流产生器932发送预定的信号。脉冲电流产生器932根据从模式检测器940接收到的预定的信号，同步于与记录信号Ws的数据模式中的预定的数据相对应的记录电流Iw，使从定电流产生器931输出的STO驱动电流Isto上升。例如如图12所示，STO驱动电流Isto从电流值2.75mA上升到4mA，旋转扭矩振荡器(STO)757的振荡频率从15GHz附近到19.5GHz附近为止上升4GHz左右。因此，通过与记录信号Ws相应使STO驱动电流Isto变动，能够抑制图11所示那样的旋转扭矩振荡器(STO)757的振荡频率的下降。结果，磁记录装置1通过充分的辅助效果，能够进行数据的写入。
根据本实施方式，磁记录装置1能够在由模式检测器940检测到与预先设定的多个数据模式中的任意一个的数据模式一致的数据模式的情况下，使STO驱动电流Isto变动。结果，与第1实施方式相比较，磁记录装置1能够详细地设定用于使STO驱动电流Isto变动的记录信号Ws的数据模式。
另外，设定于本实施方式所示的参照表TB的设定模式为一例，因数据的传送速度、记录电流Iw的值、记录电流Iw的超调(overshoot)和/或记录电流Iw的相位等条件而变化。另外，如图9所示，设定模式也可以不是4比特的数据模式，例如也可以是2比特或3比特的数据模式。
图13是表示变形例2所涉及的参照表TB的一例的图。在图13所示的表TB中，省略与图9同等的部分有关的详细的说明。在图13所示的参照表TB中，设定有3比特的多个数据模式。在图13中，模式1为(0、0、1)，模式2为(0、1、1)，模式3为(1、0、1)，模式4为(1、1、1)。
例如，模式检测器940当在从记录信号电路310接收的记录信号Ws的数据模式中检测到“1”的情况下，对储存于参照表TB的多个设定模式和检测模式进行比较，该检测模式包括：记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”前检测到的2比特的数据和该当前检测到的“1”的1比特的数据。
例如，模式检测器940在检测模式与参照表TB内的设定模式2以及设定模式4的任意1个一致的情况下，以与记录信号Ws的数据模式中的当前检测到的“1”同步使STO驱动电流变动的方式，向脉冲电流产生器932发送预定的信号。
进而，设定模式也可以是4比特以上的比特数的数据模式。另外，也可以根据实际的盘70的半径位置，使得用于使STO驱动电流变动的条件不同。例如，磁记录装置1也可以按在盘70的圆周方向上以预定的间隔划分的每个区分别具备参照表TB。
对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例而提出的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种方式实施，在不脱离发明的宗旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或要旨，并且包含于技术方案所记载的发明及其均等的范围。

Claims (6)

1.一种磁记录装置，其中，
具备：
磁记录介质；
头，其具有：记录磁极、接近所述记录磁极而配置的旋转扭矩振荡器以及对所述记录磁极励磁的线圈；
记录电流供给部，其向所述线圈供给与记录数据相应的记录电流；
驱动电流供给部，其向所述旋转扭矩振荡器通驱动电流；
模式检测部，其检测所述记录数据的模式；和
电流控制部，其在通过所述模式检测部检测到的所述记录数据的模式与预定的模式一致的情况下，使向所述旋转扭矩振荡器供给的驱动电流变动。
2.如权利要求1所述的磁记录装置，其中：
所述电流控制部，在通过所述模式检测部检测到的所述记录数据的模式与预先设定的多个模式中的任意一个预定的模式一致的情况下，使所述驱动电流变动。
3.如权利要求1或权利要求2所述的磁记录装置，其中：
所述电流控制部，向与所述记录电流的极性反转同步的所述驱动电流施加脉冲电流。
4.如权利要求1所述的磁记录装置，其中：
所述电流控制部，在通过所述模式检测部在所述记录数据的模式中检测到1比特的第1数据时，获取在所述第1数据之前通过所述模式检测部检测到的预定的比特数的第2数据，在所述第1数据和所述第2数据以由所述模式检测部检测到的顺序所构成的所述记录数据的模式与所述预定的模式一致的情况下，使所述驱动电流变动。
5.如权利要求1所述的磁记录装置，其中：
所述电流控制部在由所述模式检测部检测到的所述记录数据的模式为由连续的1构成的2比特的数据的情况下，使所述驱动电流变动。
6.一种高频辅助记录方法，是用于磁记录装置的高频辅助记录方法，该磁记录装置具备：磁记录介质；具有记录磁极、接近所述记录磁极而配置的旋转扭矩振荡器以及对所述记录磁极励磁的线圈的头；向所述线圈供给与记录数据相应的记录电流的记录电流供给部；向所述旋转扭矩振荡器通驱动电流的驱动电流供给部；和检测所述记录数据的模式的模式检测部，
所述高频辅助记录方法中，
在由所述模式检测部检测到的所述记录数据的模式与预定的模式一致的情况下，使向所述旋转扭矩振荡器供给的驱动电流变动。
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