CN108475734A - 有机电子传输材料以及使用了该有机电子传输材料的有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

一种有机电子传输材料，其特征在于，包含下述式(1)所示的氧化膦衍生物。R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以具有一个或多个氧化膦基团的原子团，R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。

Description

有机电子传输材料以及使用了该有机电子传输材料的有机电 致发光元件
技术领域
本发明涉及一种分解稳定性提高了的有机电子传输材料以及使用了该有机电子传输材料的有机电致发光元件。
背景技术
在阳极与阴极之间设有发光性有机化合物层(有机电致发光层)的有机电致发光(EL)元件(以下，称为“有机EL元件”。)与无机EL元件相比具有能在直流低电压下驱动、且亮度以及发光效率高的优点，作为下一代显示装置而备受关注。直到最近全彩色显示面板在市场上出售，才面向显示面的大型化、耐久性的提高等积极地进行研究开发。
有机EL元件是通过所注入的电子与空穴(hole)的复合对有机化合物进行电激发而使其发光的电发光元件。对于有机EL元件的研究，自从示出了有机层叠薄膜元件以高亮度进行发光的柯达公司的Tang等的报告(参照非专利文献1)以来，被众多的企业以及研究机构进行了研究。柯达公司的有机EL元件的代表性构成是在作为透明阳极的ITO(氧化铟锡)玻璃基板上依次层叠作为空穴传输材料的二胺化合物、作为发光材料的三(8-羟基喹啉)铝(III)、作为阴极的Mg：Al而成的构成，在10V左右的驱动电压下观测到约1000cd/cm2的绿色发光。当前进行研究以及实用化的层叠型有机EL元件基本上沿袭该柯达公司的构成。
有机EL元件根据其构成材料而大致分为高分子系有机EL元件和低分子系有机EL元件，前者通过湿式法进行制造，后者通过蒸镀法等干式法或湿式法进行制造。高分子系有机EL元件难以取得用于制作元件的导电性高分子材料的空穴传输特性与电子传输特性的平衡，因此，近年来，将电子传输、空穴传输以及发光的功能分离开的层叠型低分子系有机EL元件正在成为主流。
对于利用喷墨法等印刷技术进行制造的湿式法，由于能一次涂布大面积，因此，即使是大屏幕的元件也能容易地制作，生产率高，被期待作为变成干式法的下一代有机EL元件的制造法。基于湿式法的层叠型低分子系有机EL元件的制造法大致分为两类，一类为，在制膜出下层之后，通过热、光进行交联、聚合而不溶化，制膜出上层的方法；另一类为，在下层和上层使用溶解性显著不同的材料的方法。对于前者的方法，材料的选择范围宽，但另一方面，在交联或聚合之后，难以去除反应引发剂、未反应物，而耐久性存在问题。对于后者的方法，虽然材料的选择困难，但与使其不溶化的方法相比不伴有化学反应，因此，能构建高纯度且耐久性高的元件。若考虑这样的化学反应的风险，则可以认为：就基于湿式的层叠的方式而言，虽然材料的选择困难，但利用了溶解性的不同的层叠是适合的。但是，作为使利用了溶解性的不同的层叠变难的主要原因之一，可列举出导电性高分子、可旋涂的有机半导体的大部分仅溶于甲苯、氯仿、四氢呋喃等溶剂能力较高的溶剂。多数情况下，层叠型有机EL元件通过在由ITO等透明的金属氧化物形成的阳极上依次层叠由P型有机半导体形成的空穴传输层、发光层、由N型有机半导体形成的电子传输层而制造。在该情况下，当通过P型有机半导体高分子制膜出空穴传输层之后，使用同样的溶剂旋涂N型有机半导体高分子时，基底的空穴传输层受到浸蚀，因此，存在无法形成具有平坦且缺陷少的PN界面的层叠结构的问题。特别是在使用喷墨法的情况下，溶剂通过自然干燥被去除，因此，空穴传输层、发光层的浸蚀变强烈，获得实用上没有问题的器件特性恐怕会显著变难。
为了解决湿式法有机EL的制造时的上述这样的问题，本发明人等基于通过使具有优异的电子传输特性以及电子注入特性的氧化膦衍生物与电负性低(1.6以下)的金属配位，电子传输特性以及电子注入特性进一步提高，并且耐久性大幅提高的见解，开发出一种包含醇可溶性的氧化膦衍生物和电负性为1.6以下的金属的电子传输材料(参照专利文献1)。通过使用该材料，能在基于湿式法的电子传输层的制膜中使用醇，能构建电子传输层而不会损害由发光性高分子形成的发光层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-278376号公报
非专利文献
非专利文献1：C.W.Tang,S.A.Van Slyke著、“Organic electroluminescentdiodes”、Applied Physics Letters(美国)、美国物理学会(The American Institute ofPhysics)、1987年9月21日、第51卷、第12号，p.913-915
发明内容
发明所要解决的问题
然而，在将不进行金属掺杂的氧化膦衍生物作为电子传输材料或发光层的主体材料(host material)用于有机EL元件时，寿命非常短，这就成为难以将氧化膦衍生物应用于发光层的一个主要原因。Lin等基于使用了密度泛函方法的第一原理计算结果，报告了接受电子的注入后的阴离子状态下的C-P键的化学不稳定性是用于电子传输材料或发光层的主体材料的氧化膦衍生物的不稳定性的主要原因(Na Lin,Juan Qiao,Lian Duan,HaifangLi,Liduo Wang,and Yong Qiu,J.Phys.Chem.C,2012,116(36),pp 19451-19457)。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种通过提高阴离子状态下的C-P键的化学稳定性，而使稳定性及耐久性优异的新型的有机电子传输材料以及使用了该有机电子传输材料的有机电致发光元件。
用于解决问题的方案
本发明人等鉴于上述问题，针对阴离子状态下的氧化膦衍生物的C-P键的化学稳定性，进行了基于Lin等的密度泛函方法的第一原理计算，结果发现具有环状结构的二芳基氧化膦结构在提高阴离子状态下的C-P键的化学稳定性方面是优选的，从而完成了本发明。
即，根据所述目的的本发明的第一方面是通过提供一种有机电子传输材料来解决上述问题的发明，所述有机电子传输材料的特征在于，包含下述式(1)所示的化合物。
[化1]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化2]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化3]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
本发明的第二方面是通过提供一种有机电致发光元件来解决上述问题的发明，所述有机电致发光元件的特征在于，具备：一对电极，由阳极以及阴极构成；以及发光层，以能从电极直接或经由其他薄膜层注入空穴以及电子的方式形成于所述一对电极之间，通过从所述电极注入的空穴与电子的复合而被电激发进行发光，所述有机电致发光元件包含下述式(1)所示的氧化膦衍生物，并具有配置为与所述发光层的阴极侧相接的电子传输层。
[化4]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化5]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化6]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
本发明的第三方面是通过提供一种有机电致发光元件来解决上述问题的发明，所述有机电致发光元件的特征在于，具有：一对电极，由阳极以及阴极构成；化合物，以能从电极直接或经由其他薄膜层注入空穴以及电子的方式形成于所述一对电极之间，通过从所述电极注入的空穴与电子的复合而被电激发进行发光；以及发光层，包含下述式(1)所示的氧化膦衍生物。
[化7]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化8]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化9]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
发明效果
根据本发明，提供一种由于阴离子状态下的C-P键的化学稳定性高，而稳定性及耐久性优异的新型的有机电子传输材料以及使用了该有机电子传输材料的有机电致发光元件。
附图说明
图1是本发明的第二实施方式的有机EL元件的剖面图。
具体实施方式
接着，参照附图对将本发明具体化的实施方式进行说明，用于本发明的理解。
[第一实施方式]
本发明的第一实施方式的有机电子传输材料(以下，有时简称为“有机电子传输材料”。)是具有下述式(1)所示的结构的氧化膦衍生物。
[化10]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化11]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化12]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
作为有机电子传输材料的具体例，可列举出下式所示的化合物。
[化13]
有机电子传输材料可以使用任意的公知方法进行合成，作为其具体例，例如可列举出下述的方案1以及2所示的方法。
方案1
[化14]
方案1可以应用公知的二芳基氧化膦化合物与芳基卤化物的偶联反应。式(1)所示的化合物(在上式中，示出了R2～R9全部为氢原子的情况。)可以通过使上述的通式(9)所示的化合物与上述的通式(10)所示的化合物在溶剂(solvent)中、缩合催化剂(catalyst)和/或碱(base)的存在下进行缩合(脱卤化氢反应)而获得。
在上式中，示出了化合物(10)每一分子具有一个离去基团Y的情况，但每一分子也可以具有多个离去基团Y。作为这里可以使用的离去基团Y的具体例，可列举出：氯原子、溴原子、碘原子、三氟甲磺酰基(三氟甲烷磺酰氧基)(triflyl group(trifluoromethanesulfoxyl group))、甲苯磺酰基(甲苯磺酰氧基)(tosyl group(toluenesulfoxyl group))等。
作为上述的溶剂，可列举出：碳原子数1～8的醇、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氢呋喃(THF)、二氧六环、吡啶、苯、甲苯、二甲苯等，其中，在产率方面，优选DMSO。
作为上述的缩合催化剂，例如可列举出：乙酸钯[Pd(OAc)2]、乙酸镍[Ni(OAc)2]、以及Pd(OAc)2-1，3-双(二苯基膦基)丙烷[dppp]、Pd(OAc)2-1，2-双(二苯基膦基)乙烷[dppe]、Pd(OAc)2-1，4-双(二苯基膦基)丁烷[dppb]、Ni(OAc)2-dppe、Ni(OAc)2-dppp之类的铂族元素与双膦基烷烃(bis phosphino alkane)的络合物。其中，从产率的方面考虑，优选Pd(OAc)2、Pd(OAc)2-dppp以及Pd(OAc)2-dppb。
除此之外，还可以使用一般用于交叉偶联的四(三苯基膦)钯(0)、[1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁]钯(II)等。
催化剂的使用量相对于1摩尔的化合物(4)为0.005～0.1摩尔左右。
上述的碱具有捕获通过缩合生成的卤化氢的功能。作为这样的碱，可列举出：三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺等三烷基胺或N-乙基二异丙基胺[DIEA]之类的脂肪族叔胺或吡啶、N，N’-二甲基氨基吡啶[DMAP]之类的芳香族叔胺，其中，在沸点方面，优选DIEA以及DMAP。碱的使用量为足以捕获所生成的卤化氢的理论量的量，即相对于1摩尔的化合物(4)为1.0～2摩尔左右。
反应温度可以在80℃至180℃下进行。从产率的观点考虑，优选100℃至160℃。
方案2
[化15]
方案2使用众所周知的铃木偶联。铃木偶联的条件可以使用一般所使用的催化剂、碱、溶剂。它们的详情写在“Organic Syntheses via Boranes Vol.2”(Akira Suzuki等著)等文献中，所以在此进行省略。此外，除了铃木偶联以外，作为代替也可以使用根岸偶联、熊田偶联等交叉偶联反应。但是，从产率、操作的简易度考虑而优选铃木偶联。
[第二实施方式：有机电致发光元件]
作为本发明的第二实施方式的有机电致发光元件的一个例子的有机EL元件1具有以夹在形成于透明基板2上的阳极3与阴极7之间的方式层叠的多个有机化合物层(在本实施方式的有机EL元件1中，从阳极3侧依次为空穴传输层4、发光层5以及电子传输层6)，其整体由密封构件8密封。
需要说明的是，以下的说明中使用的“在(电极或有机化合物层)X上设有(电极或有机化合物层)Y”这一表达是指，“在X的阴极7侧的表面上，以表面相接的方式形成有Y”，“在(电极或有机化合物层)X上形成(电极或有机化合物层)Y”这一表达是指，“在X的阴极7侧的表面上，以表面相接的方式形成Y”。
首先，对构成有机EL元件1的透明基板2、阳极3以及阴极7进行说明。
[透明基板2]
透明基板2为有机EL元件1的支承体。本实施方式的有机EL元件1是将光从透明基板2侧引出的构成(底部发射型)，因此，透明基板2以及阳极3分别由实质上透明(无色透明、着色透明或半透明)的材料构成。作为透明基板2的构成材料，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚芳酯之类的树脂材料；石英玻璃、苏打玻璃之类的玻璃材料等，可以组合其中的一种或两种以上使用。
透明基板2的平均厚度并未特别限定，优选为0.1～30mm左右，更优选为0.1～10mm左右。需要说明的是，在有机EL元件1是将光从透明基板2的相反侧引出的构成(顶部发射型)的情况下，有时使用不透明基板来代替透明基板2。作为不透明基板的例子，可列举出：由氧化铝等陶瓷材料构成的基板、在不锈钢等金属基板的表面形成有氧化膜(绝缘膜)的基板、由树脂材料构成的基板等。
[阳极3]
阳极3是向后述的空穴传输层4注入空穴的电极。作为该阳极3的构成材料，优选使用功函数大、导电性优异的材料。作为阳极3的构成材料，例如可列举出：ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锆)、In3O3、SnO2、含Sb的SnO2、含Al的ZnO等氧化物；Au、Pt、Ag、Cu或含它们的合金等，可以组合其中的一种或两种以上使用。阳极3的平均厚度并未特别限定，优选为10～200nm左右，更优选为50～150nm左右。
[阴极7]
另一方面，阴极7是向后述的电子传输层6注入电子的电极，设置于电子传输层6的与发光层5相反的一侧。作为该阴极7的构成材料，优选使用功函数小的材料。作为阴极7的构成材料，例如可列举出：Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或含它们的合金等，可以组合其中的一种或任意两种以上(例如，多层的层叠体等)使用。
特别是，在使用合金作为阴极7的构成材料的情况下，优选使用含Ag、Al、Cu等稳定的金属元素的合金，具体而言，优选使用MgAg、AlLi、CuLi等合金。通过使用这种合金作为阴极7的构成材料，能谋求阴极7的电子注入效率以及稳定性的提高。阴极7的平均厚度并未特别限定，优选为50～10000nm左右，更优选为80～500nm左右。
在顶部发射型的情况下，将功函数小的材料、或含它们的合金设为5～20nm左右，使其具有透过性而进一步在其上表面以100～500nm左右的厚度形成ITO等透过性高的导电材料。
需要说明的是，由于本实施方式的有机EL元件1为底部发射型，因此，阴极7的透光性并不特别要求。
接着，对构成有机EL元件1的有机化合物层(从阳极3侧依次为空穴传输层4、发光层5、电子传输层6)进行说明。
在阳极3上设有空穴传输层4。该空穴传输层4具有将从阳极3注入的空穴传输至发光层5的功能。
[空穴传输层4]
作为空穴传输层4的构成材料的具体例，可列举出：酞菁、铜酞菁(CuPc)、铁酞菁之类的金属或无金属的酞菁系化合物；聚苯胺等聚芳基胺、芳香族胺衍生物、芴-芳基胺共聚物、芴-联噻吩共聚物、聚(N-乙烯基咔唑)、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己基噻吩、聚(对亚苯基亚乙烯基)、聚亚乙基亚乙烯基、芘甲醛树脂、乙基咔唑甲醛树脂或其衍生物等。可以混合或者层叠组合其中的一种或两种以上使用。
作为芳香族胺衍生物的具体例，可列举出下述的化合物。
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
此外，上述的化合物也可以作为与其他化合物的混合物使用。作为一个例子，可列举出聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩/苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等作为含有聚噻吩的混合物。
空穴传输层4的平均厚度并未特别限定，优选为10～150nm左右，更优选为50～100nm左右。
[发光层5]
在空穴传输层4上、即空穴传输层4的阴极7侧的表面上，设有发光层5。在该发光层5，从后述的电子传输层6供给电子，此外，从所述空穴传输层4注入空穴。然后，在发光层5内，空穴与电子进行复合，通过在该复合时释放出的能量而生成激子(exciton)，在激子恢复至基态时释放出(发出)能量(荧光、磷光)。
作为发光层5的构成材料中、承担发光功能的发光物质(客体材料)的具体例，可列举出：1，3，5-三[(3-苯基-6-三氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(TPQ1)、1，3，5-三[{3-(4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-基]苯(TPQ2)之类的苯系化合物、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、面式(fac)-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)之类的低分子系的材料、或噁二唑系高分子、三唑系高分子、咔唑系高分子、聚芴系高分子、聚对亚苯基亚乙烯基系高分子之类的高分子系的材料，可以组合它们的一种或两种以上使用。
此外，发光层5包含本发明的第一实施方式的有机电子传输材料作为承担电子或空穴的电荷传输的材料(主体材料)。客体材料均匀地分布于主体材料中。客体材料的浓度一般为主体材料的0.1～1重量％左右。
除了上述的主体材料以及客体材料以外，发光层5可以进一步包含电子传输辅助材料以及空穴传输辅助材料。
作为可以添加于发光层5的电子传输辅助材料以及空穴传输辅助材料的具体例，可列举出用作空穴传输层4以及后述的电子传输层6的构成材料的任意的材料以及它们的任意两种以上的组合。或者，也可以将本发明的第一实施方式的电子传输材料单独或与上述的其他化合物任意地组合用作电子传输层6的构成材料。
发光层5的平均厚度并未特别限定，但优选为10～150nm左右，更优选为50～100nm左右。
[电子传输层6]
在发光层5上设有电子传输层6。该电子传输层6具有将从阴极7注入的电子传输至发光层5的功能。
作为电子传输层6的构成材料的一个例子，可列举出：三唑衍生物、噁唑衍生物、多环系化合物、浴铜灵等杂多环系化合物、噁二唑衍生物、芴酮衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、碳二亚胺衍生物、亚芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘四羧酸或苝四羧酸等芳香环四羧酸的酸酐、酞菁衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或金属酞菁、以苯并噁唑或苯并噻唑为配体的金属络合物等各种金属络合物、有机硅烷衍生物、铱络合物、日本特开2010-278376号公报记载的醇可溶性氧化膦衍生物等氧化膦衍生物、这些化合物的任意两种以上的组合。
电子传输层6的平均厚度并未特别限定，但优选为1～100nm左右，更优选为10～50nm左右。
密封构件8以覆盖有机EL元件1(阳极3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6以及阴极7)的方式设置，具有气密性密封它们、阻隔氧和水分的功能。通过设置密封构件8，可获得提高有机EL元件1的可靠性、防止变质以及劣化(耐久性提高)等效果。
作为密封构件8的构成材料，例如可列举出：Al、Au、Cr、Nb、Ta、Ti或含它们的合金、氧化硅、各种树脂材料等。需要说明的是，在使用具有导电性的材料作为密封构件8的构成材料的情况下，为了防止短路，优选根据需要在密封构件8与有机EL元件1之间设置绝缘膜。此外，密封构件8以平板状与透明基板2对置，也可以用例如热固性树脂等密封材料将它们之间密封。
有机EL元件1例如可以按以下方式进行制造。
首先，准备透明基板2，在该透明基板2上形成阳极3。
阳极3例如可以使用等离子体CVD、热CVD、激光CVD之类的化学气相沉积法(CVD)、真空蒸镀、溅射、离子镀等干式电镀法、电解电镀、浸镀、无电解电镀等湿式电镀法、热喷涂法(Thermal spraying method)、溶胶-凝胶法、MOD法、金属箔的接合等形成。
接着，在阳极3上形成空穴传输层4。
空穴传输层4可以使用真空蒸镀法或涂布法进行成膜。若为涂布法，例如，可以通过将溶解于溶剂或分散于分散介质中的空穴传输材料供给至阳极3上，然后进行干燥(去溶剂或去分散介质)而形成。作为空穴传输层形成用材料的供给方法，例如可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等各种涂布法。通过使用这样的涂布法，能较容易地形成空穴传输层4。
用于溶解或分散的溶剂或分散介质可以根据所使用的空穴传输材料的溶解性、成本、获取容易性、干燥的容易度以及安全性等来适当选择。作为溶剂或分散介质的具体例，可列举出：硝酸、硫酸、氨、过氧化氢、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸亚乙酯等无机溶剂；甲基乙基酮(MEK)、丙酮、二乙基酮、甲基异丁基酮(MIBK)、甲基异丙基酮(MIPK)、环己酮等酮系溶剂；甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二乙二醇(DEG)、甘油等醇系溶剂；二乙基醚、二异丙基醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)、1，4-二氧六环、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、苯甲醚、二乙二醇二甲基醚(二甘醇二甲醚)、二乙二醇乙基醚(卡必醇)等醚系溶剂；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂等溶纤剂系溶剂；己烷、戊烷、庚烷、环己烷等脂肪族烃系溶剂；甲苯、二甲苯、苯等芳香族烃系溶剂；吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族杂环化合物系溶剂；N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶剂；氯苯、二氯甲烷、氯仿、1，2-二氯乙烷等卤素化合物系溶剂；乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶剂；二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等硫化合物系溶剂；乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶剂；甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸等有机酸系溶剂之类的各种有机溶剂；或者包含它们的混合溶剂等。
需要说明的是，干燥例如可以通过在大气压或减压气氛中的放置、加热处理、惰性气体的吹送等来进行。
此外，可以在本工序之前，对阳极3的上表面实施氧等离子体处理。由此，能够进行对阳极3的上表面赋予亲液性、对附着于阳极3的上表面的有机物进行去除(清洗)、对阳极3的上表面附近的功函数进行调整等。
在此，作为氧等离子体处理的条件，例如优选设为：等离子体功率：100～800W左右、氧气流量：50～100mL/min左右、被处理构件(阳极3)的输送速度：0.5～10mm/sec左右、透明基板2的温度：70～90℃左右。
接着，在空穴传输层4上(阳极3的一方的表面侧)形成发光层5。
发光层5可以使用真空蒸镀法或涂布法进行成膜。若为涂布法，例如，可以通过将溶解于溶剂或分散于分散介质中的主体材料以及客体材料供给至空穴传输层4上，然后进行干燥(去溶剂或去分散介质)而形成。对于所使用的溶剂或分散介质，理想的是选择使用不会使空穴传输层4溶解、浸蚀或溶胀的物质。
溶解于溶剂或分散于分散介质中的主体材料以及客体材料的供给方法以及干燥方法与在所述空穴传输层4的形成中说明的相同。
接着，在发光层5上(阳极3的一方的表面侧)形成电子传输层6。
电子传输层6可以与空穴传输层4以及发光层5同样地使用真空蒸镀法或涂布法进行成膜。若为涂布法，可以通过将溶解于溶剂或分散于分散介质中的电子传输材料供给至发光层5上，然后进行干燥而得到电子传输层6。对于所使用的溶剂或分散介质，理想的是选择使用不会使发光层5溶解、浸蚀或溶胀的物质。溶解于溶剂或分散于分散介质中的电子传输材料的供给方法以及干燥方法与在所述空穴传输层4以及发光层5的形成中说明的相同，因此省略详细说明。
接着，在电子传输层6上(与发光层5相反的一侧)形成阴极7。阴极7例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、金属箔的接合、金属微粒油墨的涂布以及烘烤等来形成。
最后，以覆盖所得到的有机EL元件1的方式来罩上密封构件8，并与透明基板2接合。经过以上这样的工序，可得到有机EL元件1。
这样的有机EL元件1例如可以用作光源等。此外，可以通过将多个有机EL元件1配置为矩阵状，来构成显示器装置。需要说明的是，作为显示器装置的驱动方式，并未特别限定，可以为有源矩阵方式、无源矩阵方式中的任一种。
作为供给至有机EL元件1的电能源，主要为直流电流，但也可以使用脉冲电流、交流电流。电流值以及电压值并未特别限制，但若考虑元件的功耗、寿命，则应以尽可能低的能量得到最大的亮度。
构成显示器装置的“矩阵”是指，用于显示的像素(pixel)配置为格子状，通过像素的集合来显示文字、图像。像素的形状、尺寸根据用途来确定。例如对于个人计算机、监视器、电视的图像以及文字显示，通常使用边长为300μm以下的四边形的像素，在显示面板之类的大型显示器的情况下，会使用边长为mm级的像素。在单色显示的情况下，排列相同颜色的像素即可，但在彩色显示的情况下，排列红、绿、蓝的像素来显示。在该情况下，典型地存在三角型(delta type)和长条型(stripe type)。然后，作为该矩阵的驱动方法，可以为无源矩阵方式以及有源矩阵方式中的任一种。前者具有结构简单这一优点，在考虑了工作特性的情况下，后者的有源矩阵有时更优异，因此，这也需要根据用途来分开使用。
有机EL元件1可以为分段型的显示装置。“分段型”是指，以显示预先确定的信息的方式来形成规定形状的图案，使所确定的区域发光。例如可列举出：数字时钟、温度计的时刻或温度显示、音频设备或电磁炉等的工作状态显示、汽车的面板显示等。矩阵显示和分段显示可以共存于相同面板之中。
有机EL元件1可以是为了提高不自发光的显示装置的可视性，而用于液晶显示装置、时钟、音频设备、汽车面板、显示板、标志等的背光源。特别是作为液晶显示装置、尤其薄型化成为课题的个人计算机用途的背光源，与由荧光灯、导光板构成的以往的背光源相比，能薄型化、轻量化。
这样的有机EL元件1例如可以用作光源等。此外，可以通过将多个有机EL元件1配置为矩阵状，来构成显示器装置。
需要说明的是，作为显示器装置的驱动方式，并未特别限定，可以为有源矩阵方式、无源矩阵方式中的任一种。
在有机EL元件1中，可以在阴极7与电子传输层6之间，设置未图示的电子注入层。电子注入层用于提高从阴极7向电子传输层6注入电子的效率、即降低驱动电压。电子注入层优选使用选自由碱金属硫属化物、碱土类金属硫属化物、碱金属的卤化物、碱土类金属的卤化物、碱金属的碳酸盐、碱土类金属的碳酸盐、碱金属的碳酸氢盐、碱土类金属以及碳酸氢盐构成的组中的至少一种金属化合物。若电子注入层由这些碱金属硫属化物等构成，则能进一步提高电子注入性，在该方面优选。具体而言，作为优选的碱金属硫属化物，例如可列举出：氧化锂(Li2O)、氧化钾(K2O)、硫化钠(Na2S)、硒化钠(Na2Se)以及氧化钠(Na2O)。作为优选的碱土类金属硫属化物，例如可列举出：氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锶(SrO)、氧化铍(BeO)、硫化钡(BaS)以及硒化钙(CaSe)。此外，作为优选的碱金属的卤化物，例如可列举出：氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氯化锂(LiCl)、氯化钾(KCl)以及氯化钠(NaCl)等。此外，作为优选的碱土类金属的卤化物，例如可列举出：氟化钙(CaF2)、氟化钡(BaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化镁(MgF2)以及氟化铍(BeF2)等氟化物、或氟化物以外的卤化物。
除了上述无机化合物以外，还可以使用包含碱金属以及碱土类金属的有机金属络合物。作为优选的有机金属络合物的具体例，可列举出乙酰丙酮、二苯甲酰甲烷、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮等β-二酮类、8-羟基喹啉、2-吡啶甲酸等含杂环的配体与碱金属以及碱土类金属的络合物等。
此外，可以在发光层5与电子传输层6之间，设置未图示的空穴阻挡层。通过设置空穴阻挡层，能抑制空穴向电子传输层6流入，能提高发光效率，并且还能延长有机EL元件1的寿命。在此，空穴阻挡层可以使用上述的电子传输材料来设置，优选设为通过共蒸镀(co-evaporation)等将两种以上的电子传输材料混合层叠而成的混合层。优选使空穴阻挡层所含有的电子传输材料的电离电位比发光层5的电离电位大。
此外，可以在空穴传输层4与阳极3之间，设置未图示的空穴注入层。作为空穴注入层的构成材料，可以使用从上述的空穴传输层4的构成材料的具体例中适当选择的任意的构成材料，但优选以比空穴传输层4的构成材料低的电场强度向发光层5传输空穴的材料。
实施例
接着，对为了确认本发明的作用效果而实施的实施例进行说明。
实施例1：基于使用了密度泛函方法的第一原理计算，评价阴离子状态下的氧化膦衍生物的稳定性
计算程序使用GAMESS，在工作站上，根据下述的条件进行了结构的最优化以及生成热的计算。
中性分子、阳离子、阴离子片段：RHF(限制闭壳法)/6-31G(d)/B3LYP
阳离子、阴离子分子、中性片段：UHF(非限制开壳法)/6-31G(d)/B3LYP
基于母离子的构象对以上的片段分子进行单点计算。
根据它们的生成热，计算了下式(1)所示的解离反应的键解离能(BDE：BondDissociation Energy)。
M→F1+F2·····(1)
此时的键解离能通过下述的式(2)求得。
BDE＝HM－(HF1+HF2)····(2)
BDE：键解离能
HM：母体分子的生成热
HF1、HF2：各片段分子的生成热
在模型化合物系统中，确认能再现Lin等的计算结果，对下述的化合物进行了键解离能的计算。将结果示于表1。可知：阴离子的BDE通过交联而提高12～15kcal/mol。
[化21]
[表1]
表1.将DPPO交联而成的分子的P-C键的BDE
实施例2：电子传输材料的基本骨架的合成
2，6-(对溴苯基)-4-联苯基吡啶的合成
[化22]
将4-苯基苯甲醛4.61g(25.3mmol)、4’-溴苯乙酮10.1g(50.6mmol)、乙酸铵25.1g(325mmol)加入至乙酸63.4mL中，并使其回流9小时。反应结束后，冷却至室温，滤取所析出的晶体，用乙醇进行了清洗。晶体通过二氯甲烷/IPA进行重结晶，得到了标题化合物4.42g(32％)。
APCI TOF MS m/z＝538,540,542
2，6-双(3-溴苯基)-4-联苯基吡啶的合成
[化23]
将4-苯基苯甲醛4.62g(25.3mmol)、3’-溴苯乙酮10.1g(50.6mmol)、乙酸铵25.1g(325mmol)加入至乙酸63.4mL中，并回流9小时。反应结束后，冷却至室温，滤取所析出的晶体，用乙醇对沉淀进行了清洗。晶体通过二氯甲烷/IPA进行重结晶，得到了标题化合物3.85g(28％)。
APCI TOF MS m/z＝538,540,542
2，4-双(4-溴苯基)-6-苯基-1，3，5-三嗪的合成
[化24]
将苯甲酰氯3.51g(25mmol)、4-溴苯腈9.10g(50mmol)溶解至氯苯37.5mL中，冷却至0℃。向该溶液中滴加氯化锑(V)7.48g(25mmol)，在室温下搅拌20分钟，在100℃下搅拌2小时。反应结束后，冷却至－20℃，一边剧烈搅拌，一边加入25％氨水20mL，进行了骤冷(quench)。在室温下加入氯苯25mL，通过共沸去除水。将残渣加热至130℃并趁热过滤。将滤纸上的残留物加入至氯仿25mL中，进行加热并再次趁热过滤。向所得到的滤液加入甲醇50mL，滤取所产生的沉淀，得到了标题化合物7.00g(60％)。
APCI TOF MS m/z＝465,467,469
2，6-(4-碘苯基)-4-联苯基吡啶的合成
[化25]
将4-苯基苯甲醛2.31g(13mmol)、4’-碘苯乙酮6.22g(25mmol)、乙酸铵12.6g(163mmol)加入至乙酸32mL中，并回流9小时。反应结束后，冷却至室温，滤取所析出的晶体。将晶体进一步用乙醇进行了清洗。将所得到的晶体通过二氯甲烷/IPA进行重结晶，得到了标题化合物0.75g(9％)。
APCI TOF MS m/z＝634
2，6-(3-碘苯基)-4-联苯基吡啶的合成
[化26]
将4-苯基苯甲醛1.15g(6.3mmol)、3’-碘苯乙酮3.11g(13mmol)、乙酸铵6.30g(82mmol)加入至乙酸16mL中，并回流9小时。反应结束后，冷却至室温，滤取所析出的晶体。将晶体进一步用乙醇进行了清洗。将所得到的晶体通过二氯甲烷/IPA进行重结晶，得到了标题化合物0.46g(12％)。
APCI TOF MS m/z＝634
2，6-(3-碘苯基)-4-苯基吡啶的合成
[化27]
将苯甲醛669mg(6.3mmol)、3’-碘苯乙酮3.11g(12.6mmol)、乙酸铵6.30g(81.7mmol)加入至乙酸15.9mL中，并回流9小时。冷却至室温，滤取所析出的晶体，将晶体进一步用乙醇进行了清洗。将所得到的晶体通过二氯甲烷/IPA进行重结晶，得到了标题化合物750mg(21％)。
APCI TOF MS m/z＝558,559
1，3-二溴-5-(咔唑-9-基)-苯的合成
[化28]
使55％氢化钠500mg(11.5mmol)悬浮于DMF 20ml，加入咔唑1.67g(10mmol)，将该悬浮液加热至80℃而使其溶解。接着，滴加1，3-二溴-5-氟苯2.54g(10mmol)，在100℃下进行了16小时加热搅拌。将反应混合物冷却至室温，用冰水进行了骤冷。用二氯甲烷萃取该水溶液，将所得到的有机层用硫酸镁进行干燥，并在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，通过庚烷进行重结晶，得到了标题化合物1.63g(41％)。
APCI TOF MS m/z＝402
1，3-二碘-5-(咔唑-9-基)-苯的合成
[化29]
将1，3-二溴-5-(咔唑-9-基)-苯360mg(0.9mmol)、碘化铜(I)2.57g(13.5mmol)、碘化钾5.57g(33.6mmol)加入至DMF 10.6mL中，在140℃下进行了22小时加热搅拌。反应结束后，通过硅藻土过滤去除不溶物。将滤液注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将所得到的有机层通过硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的晶体通过二氯甲烷/甲醇进行重结晶，得到了标题化合物380mg(85％)。
APCI TOF MS m/z＝496
1，3-二溴-5-((3，6-二叔丁基)咔唑-9-基)-苯的合成
[化30]
将55％氢化钠400mg(9.2mmol)悬浮于DMF 16mL，加入3，6-二叔丁基咔唑2.24g(8.0mmol)。将该悬浮液加热至80℃而使其溶解。接着，加入1，3-二溴-5-氟苯2.03g(8.0mmol)，在100℃下搅拌了16小时。反应结束后，注入水，用二氯甲烷进行了萃取。将所得到的有机层用硫酸镁进行干燥，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，将所得到的固体通过2-丙醇进行重结晶，得到了标题化合物2.25g(55％)。
APCI TOF MS m/z＝514
1，3-二碘-5-(3，6-二叔丁基咔唑-9-基)-苯的合成
[化31]
将1，3-二溴-5-((3，6-二叔丁基)咔唑-9-基)-苯770mg(1.5mmol)、碘化铜(I)4.29g(22.5mmol)、碘化钾9.29g(56mmol)加入至DMF 17.6mL中，在140℃下搅拌了22小时。反应结束后，通过硅藻土过滤去除不溶物。将滤液注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将所得到的有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的晶体通过二氯甲烷/甲醇进行重结晶，得到了标题化合物800mg(87％)。
APCI TOF MS m/z＝608
3，6-二叔丁基-9-(3，5-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)苯基)咔唑的合成
[化32]
将1，3-二溴-5-((3，6-二叔丁基)咔唑-9-基)-苯230mg(0.45mmol)、双(频哪醇合)二硼46mg(1.8mmol)、乙酸钾880mg(9.0mmol)加入至二氧六环5.4mL中，在60℃下进行了15分钟加热搅拌。接着，加入PdCl2(dppf)-CH2Cl220mg(0.03mmol)，在80℃下搅拌16小时。反应结束后，注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，得到了标题化合物210mg(78％)。
APCI TOF MS m/z＝455
5-溴间苯二甲酸的合成
[化33]
将间苯二甲酸9.97g(60mmol)加入至浓硫酸27mL中，加热至60℃。接着，每20分钟分3次添加NBS 12.8g(72mmol)，在室温下搅拌一夜。反应结束后，注入至冰水中，滤取所产生的沉淀。将沉淀进一步用水、己烷进行清洗，并进行了干燥。将所得到的固体通过乙酸乙酯进行重结晶，得到了标题化合物12.6g(86％)。
1H NMR(DMSO)δ8.44(s,1H),δ8.26(s,2H)
5-溴-1，3-苯二羧基酰胺的合成
[化34]
将5-溴间苯二甲酸610mg(2.49mmol)、DMF 0.05mL加入至甲苯2.0mL中。向该溶液中经10分钟滴加亚硫酰氯0.45mL(6.22mmol)，滴加结束后，回流3.5小时。反应结束后，冷却至0℃，滴加25％氨水溶液5mL，在0℃下搅拌10分钟，在室温下搅拌1小时。滤取所产生的沉淀，并将沉淀进一步用水进行了清洗。将所得到的固体通过乙酸进行重结晶，得到了标题化合物376mg(62％)。
APCI-TOF-MS(m/z)＝242,244
5-溴苯-1，3-二腈的合成
[化35]
将2M草酰氯-二氯甲烷溶液43.9mL(87.8mmol)加入至DMF 150mL中，冷却至0℃。滴加5-溴-1，3-苯二羧基酰胺7.55g(31mmol)-DMF溶液150mL，在0℃下搅拌6小时。反应结束后，用乙酸乙酯进行稀释，并用饱和碳酸氢钠水溶液进行了清洗。将有机层用硫酸镁进行干燥，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过乙醇进行重结晶，得到了标题化合物4.12g(64％)。
APCI-TOF-MS(m/z)＝206,208
1H NMR(DMSO-d6)δ8.04(s,2H),δ7.91(s,1H)
2，8-二甲基吩恶膦(dimethylphenoxaphosphine)-10-氧化物(DMPOPO)的合成
[化36]
将氯化铝(III)5.07g(38mmol)一点一点地加入至二对甲苯基醚5.95g(30mmol)、三氯化磷16.5g(120mmol)中，回流8小时。反应结束后，冷却至室温，将反应混合物在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣用甲苯进行稀释，缓慢地滴加至冰冷的稀盐酸中，在室温下搅拌了1小时。将水层去除，将有机层用碳酸氢钠水进行了中和。硅藻土过滤后，将所得到的滤液注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，将所得到的晶体用环己烷进行重结晶，得到了标题化合物4.63g(63％)。
APCI TOF MS m/z＝245[M+1]
1H NMR(CDCl3)δ2.42(s,6H)7.06-7.89(m,6H),8.56(d,1H,1JHP＝518Hz)
吩恶膦(phenoxaphosphine)-10-氧化物(POPO)的合成
[化37]
将氯化铝(III)2.39g(17.9mmol)一点一点地加入至二苯基醚2.35g(13.8mmol)、三氯化磷11.4g(83.0mmol)中，回流8小时。反应结束后，冷却至室温，将反应混合物在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣用甲苯进行稀释，缓慢地滴加至冰冷的稀盐酸中，在室温下搅拌了1小时。将水层去除，将有机层用碳酸氢钠水进行了中和。硅藻土过滤后，将所得到的滤液注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，将所得到的晶体用环己烷进行重结晶，得到了标题化合物0.30g(10％)。
APCI TOF MS m/z＝217
2.8-二氟吩恶膦(difluorophenoxaphosphine)-10-氧化物(DFPOPO)的合成
[化38]
将氯化镓(III)13.9g(79mmol)一点一点地加入至双(4-氟苯基)醚12.5g(61mmol)、三氯化磷33.4g(240mmol)中，回流8小时。反应结束后，冷却至室温，将反应混合物在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣用甲苯进行稀释，缓慢地滴加至冰冷的稀盐酸中，在室温下搅拌了1小时。将水层去除，将有机层用碳酸氢钠水进行了中和。硅藻土过滤后，将所得到的滤液注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，将所得到的晶体用环己烷进行重结晶，得到了标题化合物13.1g(86％)。
APCI TOF MS m/z＝253
1H NMR(CDCl3)δ6.91-7.84(m,6H,ArH),8.61(d,1H,J＝528Hz)
1-溴-4-(2，8-二氟吩恶膦酰基(difluorophenoxaphosphinoyl))苯的合成
[化39]
将1-溴-4-碘苯3.39g(12mmol)、2，8-二氟吩恶氧化膦(difluorophenoxaphosphineoxide)1.51g(6mmol)、乙酸钯70mg(0.3mmol)、dppp 0.25g(0.6mmol)、DIEA 1.55g(12mmol)加入至DMSO 48mL中，在80℃下搅拌4小时。反应结束后，注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体通过二氯甲烷/环己烷进行重结晶，得到了标题化合物1.22g(50％)。
APCI TOF MS m/z＝408
双(2-溴苯基)硫醚的合成
[化40]
将邻溴苯硫酚5.67g(30mmol)、1-溴-2-碘苯8.49g(30mmol)、氢氧化钾3.37g(60mmol)、Cu2O 0.22g(1.5mmol)、水5.5mL加入至DMSO 21.8mL中，在80℃下搅拌18小时。将混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，得到了标题化合物8.85g(86％)。
APCI TOF MS m/z＝341,343,345
吩噻膦(phenothiaphosphine)-10-氧化物(PTPO)的合成
[化41]
将双(2-溴苯基)硫醚2.00g(5.80mmol)溶解至THF 17.4mL中，冷却至－80℃。滴加1.6M n-BuLi-己烷溶液8mL(12.8mmol)，在－80℃下搅拌1.5小时后，滴加二氯(二甲基氨基)膦1.06g(6.10mmol)-THF 5mL溶液。在－80℃下搅拌2小时后，缓慢地升温至室温，加入浓盐酸3.0mL，在室温下搅拌1小时。将反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，得到了标题化合物0.65g(48％)。
APCI TOF MS m/z＝233
1H NMR(CDCl3)δ5.09(s,1H),7.17-8.24(m,8H)
(2-甲酯基苯基)二苯基氧化膦(TPPO-2-CO2Me)的合成
[化42]
将2-碘苯甲酸甲酯36.7g(140mmol)、DPPO 28.3g(140mmol)、乙酸钯943mg(4.2mmol)、dppp 3.46g(8.4mmol)、DIEA 43.9mL加入至DMSO 280mL中，在100℃下搅拌26小时。将所得到的反应混合物注入至饱和氯化氨水溶液中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层再次用饱和氯化铵水溶液进行清洗，用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过甲苯进行重结晶，得到了标题化合物12.3g(26％)。
APCI TOF MS m/z＝337
1H NMR(CDCl3)δ3.49(s,3H),7.33-8.06(m,14H)
二苯基(2-(2-羟基丙烷-2-基)苯基)氧化膦(TPPO-2-CMe2OH)的合成
[化43]
在Ar气氛下，一边用机械搅拌器进行搅拌，一边向Mg 19.5g(804mmol)中经30分钟滴加碘甲烷137g(965mmol)-二乙基醚溶液400mL。滴加结束后，在室温下搅拌30分钟。接着，用冰浴进行冷却，加入TPPO-2-CO2Me 90.0g(268mmol)，在0℃下搅拌30分钟，在室温下搅拌90分钟。反应结束后，缓慢地加入1N盐酸100mL并进行了骤冷。将所得到的溶液用二氯甲烷进行了萃取，将有机层进一步用1N盐酸、水、饱和NaHCO3水溶液进行清洗，用硫酸镁进行了干燥。在减压下进行了浓缩后，将所得到的残渣通过甲苯/庚烷进行重结晶，得到了标题化合物57.2g(63％)。
MS m/z＝337,319
10，10-二甲基-5-苯基磷杂蒽(phenylacridophosphine)-5-氧化物(Ph-DMAPO)的合成
[化44]
使TPPO-2-CMe2OH 63.7g(189mmol)分散至多聚磷酸80mL中，在160℃下搅拌4小时。反应结束后，加入水50mL对反应混合物进行稀释，注入至冰冷的水中，进行了骤冷。用二氯甲烷进行了萃取。将水层用乙酸乙酯进行了萃取，与有机层合并。将有机层用水进行清洗，用硫酸镁进行干燥，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化后，用乙酸乙酯进行重结晶，得到了标题化合物28.9g(48％)。
APCI TOF MS m/z＝319
1H NMR(CDCl3)δ1.79(s,3H),1.90(s,3H),7.27-7.84(m,13H)
10，10-二甲基磷杂蒽(dimethylacridophosphine)-5-氧化物(H-DMAPO)的合成
[化45]
将Ph-DMAPO 28.7g(90mmol)溶解至THF 180mL中，加入Li 1.52g(219mmol)，回流18小时。反应结束后，小心地注入水，加入饱和氯化铵水溶液。用二氯甲烷进行了萃取，用硫酸镁对有机层进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化，得到了包含目标物的混合物10.5g。将所得到的混合物通过环己烷/二氧六环进行重结晶，得到了标题化合物8.31g(38％)。
APCI TOF MS m/z＝243
1H NMR(CDCl3)δ1.86(s,6H),7.41-8.40(m,8H),11.02(s,1H)
实施例3：三芳基氧化膦类的合成
2，6-双(4-(2，8-二甲基吩恶膦酰基(dimethylphenoxaphosphinoyl))苯基)-4-(4-苯基苯基)吡啶((DMPOPO-p-Ph)2BP-Py)(I)的合成
[化46]
将2，6-(4-溴苯基)-4-联苯基吡啶1.24g(2.3mmol)、DMPOPO 1.69g(6.9mmol)、乙酸钯51.6mg(0.23mmol)、dppp 142mg(0.345mmol)、DIEA7.65mL加入至DMSO 15.3mL中，在100℃下搅拌26小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将所得到的有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物300mg(15％)。
APCI TOF MS m/z＝867,868
1H NMR(CDCl3)δ2.31(s,12H),7.10-8.25(m,31H)
2，6-双(3-(2，8-二甲基吩恶膦酰基)苯基)-4-(4-苯基苯基)吡啶(DMPOPO-m-Ph)2BP-Py(II)的合成
[化47]
将2，6-(3-溴苯基)-4-联苯基吡啶1.24g(2.30mmol)、DMPOPO 1.69g(6.90mmol)、乙酸钯51.6mg(0.230mmol)、dppp 142mg(0.345mmol)、DIEA7.65mL加入至DMSO 15.3mL中，在100℃下搅拌26小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物200mg(10％)。
APCI TOF MS m/z＝867,868
1H NMR(CDCl3)δ2.31(s,12H),7.20-8.76(m,31H)
2，4-双(4-(2，8-二甲基吩恶膦酰基)苯基)-5-苯基-1，3，5-三嗪((DMPOPO-p-Ph)2Ph-TAZ)(III)的合成
[化48]
将2，4-双(4-溴苯基)-6-苯基-1，3，5-三嗪1.07g(2.3mmol)、DMPOPO1.69g(6.9mmol)、乙酸钯52mg(0.23mmol)、dppp 142mg(0.345mmol)、DIEA7.35mL加入至DMSO15.3mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物800mg(44％)。
APCI TOF MS m/z＝794
1H NMR(CDCl3)δ2.32(s,12H),7.12-8.01(m,19H),8.66-8.85(m,6H)
2，4，6-三(4-(2，8-二甲基吩恶膦酰基)苯基)三嗪((DMPOPO-p-Ph)3-TAZ)(IV)的合成
[化49]
将2，4，6-三(4-溴苯基)-1，3，5-三嗪835mg(1.53mmol)、2，8-二甲基吩恶氧化膦(dimethylphenoxaphosphineoxide)1.69g(6.90mmol)、乙酸钯52mg(0.230mmol)、dppp142mg(0.345mmol)、DIEA7.35mL加入至DMSO 15.3mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物650mg(41％)。
APCI TOF MS m/z＝1036
1H NMR(CDCl3)δ2.31(s,18H),7.12-8.00(m,24H),8.63-8.81(d,6H)
2，2’，7，7’-四(2，8-二甲基吩恶膦酰基)-9，9-螺二芴(4DMPO-SPF)(V)的合成
[化50]
将2，2’，7，7’-四溴-9，9’-螺二芴683mg(1.08mmol)、DMPOPO 2.20g(9.00mmol)、乙酸钯48mg(0.216mmol)、DIEA18mL加入至DMSO 36mL中，在100℃下搅拌60小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物280mg(20％)。
APCI TOF MS m/z＝1285
2，7-双(2，8-二甲基吩恶膦酰基)-9，9-二甲基芴((BDMPOPO)2DMFlu)(VI)的合成
[化51]
将2，7-二碘-9，9-二甲基芴446mg(1.0mmol)、DMPOPO 586mg(2.4mmol)、乙酸钯23mg(0.10mmol)、dppp 62mg(0.15mmol)、DIEA3.3mL加入至DMSO6.7mL中，在100℃下搅拌48小时，将所得到反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物350mg(52％)。
APCI TOF MS m/z＝678
2，7-双(吩恶膦酰基(phenoxaphosphinoyl))-9，9-二甲基芴((DPOPO)2DMFlu)(VII)的合成
[化52]
将2，7-二碘-9，9-二甲基芴180mg(0.40mmol)、POPO 210mg(0.97mmol)、乙酸钯9.1mg(0.040mmol)、DIEA1.3mL加入至DMSO 2.7mL中，在100℃下搅拌60小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物120mg(30％)。
APCI TOF MS m/z＝622
2，6-双(4-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯基)-4-(4-苯基苯基)吡啶((DFPOPO-p-Ph)2BP-Py)(VIII)的合成
[化53]
将2，6-(4-碘苯基)-4-联苯基吡啶230mg(0.362mmol)、DFPOPO 274mg(1.1mmol)、乙酸钯8.13mg(0.036mmol)、dppp 22.4mg(0.054mmol)、DIEA1.2mL加入至DMSO 2.3mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的晶体用2-丙醇进行重结晶，得到了标题化合物102mg(32％)。
APCI TOF MS m/z＝884
2，6-双(3-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯基)-4-(4-苯基苯基)吡啶((DFPOPO-m-Ph)2BP-Py)(IX)的合成
[化54]
将2，6-(3-碘苯基)-4-联苯基吡啶950g(1.5mmol)、DFPOPO 1.14g(4.5mmol)、乙酸钯34.7mg(0.15mmol)、dppp 92.8mg(0.23mmol)、DIEA 4.8mL加入至DMSO 9.6mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用IPA进行重结晶，得到了标题化合物410mg(31％)。
APCI TOF MS m/z＝883,884
2，6-双(3-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯基)-4-苯基吡啶((DFPOPO-m-Ph)2Ph-Py)(X)的合成
[化55]
将2，6-(3-碘苯基)-4-苯基吡啶369mg(0.66mmol)、DFPOPO 0.502g(2.0mmol)、乙酸钯14.8mg(0.066mmol)、dppp 40.5mg(0.098mmol)、DIEA2.1mL加入至DMSO 4.2mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物255mg(48％)。
APCI TOF MS m/z＝807
2，4-双(4-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯基)-4-苯基吡啶((DFPOPO-p-Ph)2Ph-TAZ)(XI)的合成
[化56]
将2，4-双(4-溴苯基)-6-苯基-1，3，5-三嗪989mg(2.12mmol)、2，8-二氟-吩恶氧化膦(phenoxaphosphineoxide)1.60g(6.35mmol)、乙酸钯48mg(0.212mmol)、dppp 131mg(0.317mmol)、DIEA 7.3mL加入至DMSO 14.1mL中，在100℃下搅拌60小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物104mg(12％)。
APCI TOF MS m/z＝808
1H NMR(CDCl3)δ7.20-7.99,8.64-8.88(m,25H,ArH)
2，7-双(2.8-二氟吩恶膦酰基)-9，9-二甲基芴((DFPOPO)2DMFlu)(XII)的合成
[化57]
将2，8-二氟吩恶膦-10-氧化物920mg(3.65mmol)、2，7-二溴-9，9-二甲基芴430mg(1.22mmol)、乙酸钯27mg(0.122mmol)、dppp 76mg(0.183mmol)、DIEA 11.5mL加入至DMSO23.9mL中，在100℃下搅拌60小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物170mg(20％)。
APCI TOF MS m/z＝694
1H NMR(CDCl3)δ1.53(s,6H,CH3),7.37-8.10(m,18H,ArH)
3，5-双(4-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯基)苯(3，5-(DFPOPO-p-Ph)2BP)(XIII)的合成
[化58]
将1，3，5-三(4-碘苯基)苯410mg(0.600mmol)、DFPOPO 908mg(3.60mmol)、乙酸钯74.2mg(0.180mmol)、dppp 20.2mg(0.090mmol)、DIEA 1.0mL加入至DMSO 3.0mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物155mg(32％)。
2，2’-双(2，8-二氟吩恶膦酰基)-9，9-螺二芴(2，2'-(DFPOPO)2SPF)(XIV)的合成
[化59]
将2，2’-二碘-9，9'-螺二芴568mg(1.00mmol)、DFPOPO 1.01g(4.00mmol)、乙酸钯22.5mg(0.100mmol)、dppp 82.5mg(0.200mmol)、DIEA 2.0mL加入至DMSO 4.0mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣溶解至二氯甲烷5.0mL中，滴加30％双氧水110mg(1.00mmol)，在室温下搅拌一夜。反应结束后，注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用饱和亚硫酸氢钠水溶液进行清洗，用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物302mg(37％)。
APCI TOF MS m/z＝884
1，3-双(2，8-二氟吩恶膦酰基)-5-(咔唑-9-基)苯(XV)的合成
[化60]
将1，3-二碘-5-(咔唑-9-基)-苯[5]550mg(1.1mmol)、2，8-二氟吩恶氧化膦1.11g(4.4mmol)、乙酸钯25mg(0.11mmol)、dppp 90mg(0.22mmol)、DIEA 280mg(2.2mmol)加入至DMSO 4.4mL中，在100℃下加热1小时。反应结束后，注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将所得到的有机层用硫酸镁进行干燥，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行纯化，将所得到的固体通过二氯甲烷/甲醇进行重结晶，得到了标题化合物300mg(37％)。
APCI TOF MS m/z＝743
1，3-双(2，8-二氟吩恶膦酰基)-5-((3，6-二叔丁基)咔唑-9-基)苯(XVI)的合成
[化61]
将1，3-二碘-5-(3，6-二叔丁基咔唑-9-基)-苯300mg(0.5mmol)、2，8-二氟吩恶氧化膦450mg(1.8mmol)、乙酸钯10mg(0.05mmol)、dppp 40mg(0.1mmol)、DIEA 130mg(1mmol)加入至DMSO 2mL中，在100℃下搅拌1小时。反应结束后，注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行纯化，将所得到的固体通过二氯甲烷/甲醇进行重结晶。将所得到的晶体进一步通过升华纯化进行纯化，得到了标题化合物250mg(57％)。
APCI TOF MS m/z＝845
5-(3，6-二叔丁基咔唑-9-基)-3，5-双(4-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯基)苯(XVII)的合成
[化62]
将1-溴-4-(2，8-二氟吩恶膦酰基)苯400mg(0.99mmol)、3，6-二叔丁基-9-(3，5-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)苯基)咔唑200mg(0.33mmol)、四(三苯基膦)钯(0)20mg(0.01mmol)、2M碳酸钾水溶液0.83mL、乙醇0.74mL加入至甲苯1.1mL中，在80℃下搅拌3小时。反应结束后，注入至水中，用甲苯进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体通过二氯甲烷/甲醇进行重结晶，得到了标题化合物230mg(69％)。
APCI TOF MS m/z＝1007
2，7-双(吩噻膦酰基(phenothiaphosphinoyl))-9，9-二甲基芴(DPTPO-DMFlu)(XVIII)的合成
[化63]
将2，7-二碘-9，9-二甲基芴363mg(0.814mmol)、PTPO 460mg(1.98mmol)、乙酸钯18mg(0.081mmol)、dppp 50mg(0.122mmol)、DIEA 2.6mL加入至DMSO5.4mL中，在100℃下搅拌48小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体通过环己烷/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物107mg(20％)。
APCI TOF MS m/z＝654
2，2’，7，7’-四(吩噻膦酰基)-9，9-螺二芴((PTPO)4SPF)(XIX)的合成
[化64]
将2，2’，7，7’-四溴-9，9’-螺二芴210mg(0.340mmol)、PTPO 0.650g(2.80mmol)、乙酸钯29.6mg(0.132mmol)、dppp 81.7mg(0.198mmol)、DIEA2.2mL加入至DMSO 11.3mL中，在100℃下搅拌60小时。将所得到的反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物249mg(59％)。
APCI TOF MS m/z＝1237
2，7-双(5，5-二氧代吩噻膦酰基(dioxophenothiaphosphinoyl))-9，9-二甲基芴(BPTPTO-DMFlu)(XX)的合成
[化65]
将BPTPT-DMFlu 100mg(0.153mmol)溶解至氯仿2.4mL中，冷却至0℃。接着，加入mCPBA 137mg(0.612mmol)，在室温下搅拌6小时。将反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用饱和亚硫酸氢钠水溶液进行清洗，用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物100mg(91％)。
APCI TOF MS m/z＝718,719
1H NMR(CDCl3)δ1.35(s,6H),7.37-8.64(m,22H)
2，7-双(5-氧代吩噻膦酰基(oxophenothiaphosphinoyl))-9，9-二甲基芴(BPTPDO-DMFlu)(XXI)的合成
[化66]
将BPTPT-DMFlu 400mg(0.61mmol)溶解至氯仿9.6mL中，冷却至0℃。接着，加入mCPBA 274mg(1.22mmol)，在室温下搅拌3小时。将反应混合物注入至水中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用饱和亚硫酸氢钠水溶液进行清洗，用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行了纯化。将所得到的固体通过甲醇/甲苯进行重结晶，得到了标题化合物66mg(16％)。
APCI TOF MS m/z＝686,687
2，4-双(4-(9，9-二甲基磷杂蒽酰基(dimethylacridophosphinoyl))苯基)-4-苯基-1，3，5-三嗪((DMAPO-p-Ph)2Ph-TAZ)(XXII)的合成
[化67]
将10，10-二甲基磷杂蒽-5-氧化物472mg(1.95mmol)、四溴螺二芴304mg(0.65mmol)、乙酸钯29mg(0.13mmol)、dppp 107mg(0.26mmL)、二异丙基乙基胺0.9mL加入至DMSO 2.6mL中，在100℃下搅拌20小时。反应结束后，注入至饱和氯化铵水溶液中，用二氯甲烷进行了萃取。将有机层用硫酸镁进行干燥后，在减压下进行了浓缩。将所得到的残渣通过柱色谱法进行纯化，得到了白色固体200mg。将所得到的白色固体用甲苯进行重结晶，得到了标题化合物153mg(30％)。
APCI TOF MS m/z＝790
实施例3：层叠型有机EL元件(有机电致发光元件)的制作以及评价
1.层叠型有机EL元件(有机电致发光元件)的制作
在150nm的ITO玻璃(□50mm Geomatec制)上制作了0.023cm2的层叠型有机EL元件(红色磷光元件或者绿色荧光元件)。基板用碱洗涤剂(关东化学制)、超纯水、丙酮(和光纯药制)进行超声波清洗(各5分钟)，用2-丙醇(和光纯药制)进行煮沸清洗(5分钟)，接着进行了UV/O3清洗(15分钟)。
(1)红色磷光元件
空穴注入层的有机膜利用旋涂法在作为阳极的ITO玻璃上进行了成膜，空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层的有机膜利用真空蒸镀法在作为阳极的ITO玻璃上进行了成膜。各层的材料、成膜条件如下所述。实施掺杂的发光层的主体材料与客体材料之比通过利用石英振子膜厚计进行监视并调整蒸镀速度来进行了调整。
·空穴注入层：PEDOT-PSS(AI4083(Heraeus制))(40nm)
旋涂2700rpm×45sec(大气气氛)
烘烤200℃60min(大气气氛)
·空穴传输层：α-NPD(N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺：参照下式)(40nm)
蒸镀速度室压＜1×10-4Pa
·发光层(30nm)
主体材料：实施例2中合成的有机电子传输材料
发光材料(客体材料)：Ir(piq)3(参照下式)、6重量％
蒸镀速度室压＜1×10-4Pa
·空穴阻挡层：BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基菲咯啉：参照下式)(10nm)
蒸镀速度室压＜1×10-4Pa
·电子传输层：Alq3(三(8-羟基喹啉)铝：参照下式)(30nm)
蒸镀速度室压＜1×10-4Pa
(2)绿色荧光元件
空穴传输层、发光层、电子传输层的有机膜利用真空蒸镀法在作为阳极的ITO玻璃上进行了成膜。各层的材料、成膜条件如下所述。实施掺杂的电子传输层的主体材料与客体材料之比通过利用石英振子膜厚计进行监视并调整蒸镀速度来进行了调整。
·空穴传输层：α-NPD(40nm)
蒸镀速度室压＜1×10-4Pa
·发光层：Alq3(20nm)
蒸镀速度室压＜1×10-4Pa
·电子传输层：实施例2中合成的有机电子传输材料(30nm)
[化68]
[化69]
[化70]
[化71]
[化72]
[化73]
阴极(LiF/Al)的蒸镀使用了室压＜1×10-4Pa的高真空蒸镀装置。对于蒸镀速度，针对LiF设为针对Al设为所有的元件在N2气氛下进行了密封。阴极的成膜完成后，将元件立即移动至氮气置换后的手套箱(vac制、水分浓度1ppm以下、氧浓度1ppm以下)内，用粘贴有干燥片剂(DYNIC制)的玻璃盖(CLIMBING制)对元件进行了密封。
2.层叠型有机EL元件的寿命的测定
将层叠型有机EL元件设置于25℃恒定的恒温槽内，使用寿命评价测定装置(九州计测器制)测定了伴随恒定电流连续驱动的亮度、电压的变化。
3.结果
将上述测定结果在表2以及表3中示出。表2表示红色磷光元件的有机电子传输材料(I)～(XXIII)的评价结果。表3表示绿色荧光元件的有机电子传输材料(I)～(XXIII)的评价结果。此外，将DPPO2DMFlu用作有机电子传输材料的比较例的结果也一并示出。根据下述的表可知，有机电子传输材料(I)～(XXIII)具有高寿命、耐久性优异。
[表2]
[表3]
需要说明的是，本发明能实施各种实施方式以及变形，而不会脱离本发明的广义的精神和范围。此外，上述的实施方式用于说明本发明，而并不对本发明的范围进行限定。就是说，本发明的范围由权利要求书的范围进行表示，而不是实施方式。而且，在权利要求书的范围内及与其同等的发明的意义的范围内实施的各种变形视为在本发明的范围内。
本申请基于2015年12月28日所申请的日本专利申请2015-257138号。将日本专利申请2015-257138号的整个说明书、权利要求书、附图作为参照而引入本说明书中。
附图标记说明：
1 有机EL元件
2 透明基板
3 阳极
4 空穴传输层
5 发光层
6 电子传输层
7 阴极
8 密封构件

Claims (3)

1.一种有机电子传输材料，其特征在于，包含下述式(1)所示的化合物，
[化1]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，
R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化2]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化3]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
2.一种有机电致发光元件，其特征在于，具备：一对电极，由阳极以及阴极构成；以及发光层，以能从电极直接或经由其他薄膜层注入空穴以及电子的方式形成于所述一对电极之间，通过从所述电极注入的空穴与电子的复合而被电激发进行发光，所述有机电致发光元件包含下述式(1)所示的氧化膦衍生物，并具有配置为与所述发光层的阴极侧相接的电子传输层，
[化4]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，
R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化5]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化6]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
3.一种有机电致发光元件，其特征在于，具有：一对电极，由阳极以及阴极构成；化合物，以能从电极直接或经由其他薄膜层注入空穴以及电子的方式形成于所述一对电极之间，通过从所述电极注入的空穴与电子的复合而被电激发进行发光；以及发光层，包含下述式(1)所示的氧化膦衍生物，
[化7]
在式(1)中，
R1表示具有一个或多个芳基以及一个或多个杂芳基的一方或者双方，并且可以在任意的一个或多个碳原子上具有下述式(2)所示的氧化膦基团的原子团，
R2～R9分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
[化8]
在式(2)中，
R11～R18分别独立地表示选自由氢原子、卤素原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(1)以及(2)中，
X为下述式(3)～(8)中的任一个所示的原子或原子团，
[化9]
在式(3)中，
R21、R22分别独立地表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团，
在式(4)中，
R31表示选自由氢原子、碳原子数为1以上且12以下的直链或支链烷基、直链或支链氟烷基、芳基、取代芳基、杂芳基以及取代杂芳基构成的组中的原子或原子团。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110205117A (zh) * 2019-06-11 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 苯基磷氧热活化延迟荧光材料及其合成方法、电致发光器件

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6808319B2 (ja) 2015-12-28 2021-01-06 大電株式会社 有機電子輸送材料及びこれを用いた有機電界発光素子
EP3643755B1 (en) 2017-06-20 2022-07-13 FUJIFILM Corporation Photocurable ink composition and image forming method
CN108276447B (zh) * 2017-11-01 2020-03-31 黑龙江大学 一种热激发延迟荧光客体材料及其制备和应用
KR20190141053A (ko) * 2018-06-12 2019-12-23 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2022034916A1 (ja) * 2020-08-12 2022-02-17 学校法人関西学院 多環芳香族化合物

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008545630A (ja) * 2005-05-20 2008-12-18 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子素子のための化合物
CN103183710A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 昆山维信诺显示技术有限公司 一种膦氧基氢蒽二-三芳胺类化合物及其应用
CN103880885A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 陶氏环球技术有限责任公司 吩氧杂膦化合物

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238138A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Oji Paper Co Ltd 感熱記録体
JP5674182B2 (ja) 2009-06-01 2015-02-25 大電株式会社 有機電子輸送材料、有機電子材料形成用組成物及び有機電界発光素子
EP2742054B1 (de) * 2011-08-10 2016-10-12 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
JP6530318B2 (ja) * 2013-11-28 2019-06-12 株式会社Ｋｙｕｌｕｘ 発光材料、有機発光素子および化合物
CN107109213B (zh) * 2014-12-30 2020-05-22 陶氏环球技术有限责任公司 作为用于电致发光装置的发光元件的芴衍生物
JP6808319B2 (ja) 2015-12-28 2021-01-06 大電株式会社 有機電子輸送材料及びこれを用いた有機電界発光素子
CN109336834A (zh) * 2018-11-03 2019-02-15 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳胺衍生物及其有机电致发光器件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008545630A (ja) * 2005-05-20 2008-12-18 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子素子のための化合物
CN103183710A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 昆山维信诺显示技术有限公司 一种膦氧基氢蒽二-三芳胺类化合物及其应用
CN103880885A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 陶氏环球技术有限责任公司 吩氧杂膦化合物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110205117A (zh) * 2019-06-11 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 苯基磷氧热活化延迟荧光材料及其合成方法、电致发光器件

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