CN108475611A - 控制等离子体源的离子/中性物比的技术 - Google Patents

控制等离子体源的离子/中性物比的技术 Download PDF

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Abstract

本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。

Description

控制等离子体源的离子/中性物比的技术
技术领域
本发明的实施例涉及衬底沉积，且更具体地说，涉及用于控制离开等离子体源的离子/中性物比的技术。
背景技术
随着半导体装置缩减到较小尺寸，需要更准确地界定和控制用于图案化衬底的光刻胶(抗蚀剂)特征的尺寸和形状。保形的、均匀的介电薄膜在半导体制造中具有许多应用。在亚微米集成电路(integrated circuit，IC)的制造中，会沉积若干层介电薄膜。例如，四种此类层为浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)、金属前介电(pre-metaldielectric，PMD)、金属间介电(inter-metal dielectric，IMD)和层间介电(interlayerdielectric，ILD)。所有这四层均需要各种大小的二氧化硅薄膜填充特征，并且在整个晶片上具有均匀的薄膜厚度。
例如自对准掺杂等应用可以包含盖有硬掩模的IC沟槽的顶部部分，因此仅散热片的底部部分暴露于掺杂剂源。另一应用可以包含要求自下而上的薄膜沉积的间隙填充以获得没有空隙/缝隙的沟槽隔离。
化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)是一种用于沉积二氧化硅薄膜的方法。然而，随着设计规则继续缩小，特征的纵横比(深度对宽度)增大，而传统的CVD技术无法在这些高纵横比特征中再提供无空隙的间隙填充。CVD的替代方案是原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)。ALD方法包含反应气体的自限制吸收，并且可以在高纵横比特征内提供较薄的、保形的介电薄膜。基于ALD的介电沉积技术可以包含将含有前体的金属吸附到衬底表面上，接着在第二程序中引入氧化硅前驱气体。
然而，当前的薄膜沉积方法对发生沉积的地方缺少适当控制。对于例如低压CVD(low pressure CVD，LPCVD)和ALD等过程，薄膜沉积是保形的。LPCVD依赖于表面上的热反应，而ALD是通过顺序化学暴露的层过程。对于等离子体增强式化学气相沉积(plasmaenhanced chemical vapor deposition，PECVD)过程，所述沉积可能因离子诱发的沉积而形成“长条面包”形状。
在一些方法中，ALD依赖于前驱气体到衬底表面上的替代脉动以及随后所述前体的表面反应。由于在反应物过程期间所述表面暴露于由等离子体产生的活性物质，因此ALD也可以在等离子体环境中实现(plasma environment ALD，PEALD)。然而，典型ALD化学过程是自限制的而不具有面积选择性，面积选择性提供沉积的保形性能。
此外，等离子体的离子影响薄膜特性修改，但又对表面反应具有最小控制。例如，通过PECVD，薄膜形成主要是归因于表面上的自由基反应，其中控制反应位置以获得定向离子束沉积非常困难。在一些现有技术方法中，存在对于特定位置的较高沉积速率利用定向离子轰击的可能性。然而，由于由流量产生的小的离子/中性物比，冲击是最小的。
发明内容
鉴于前述，需要主动地控制离开等离子体源的中性物质(例如，中性原子和/或分子)的量，以便使从离子到沉积或其它类型的化学过程的冲击最大化的技术。具体来说，示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点(point ofuse，POU)气体输送到接近在沉积腔室内设置的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。因而，对于定向离子束沉积，接近衬底的较高压力有利地减少输送到衬底的中性物的总量，从而使离子注入的离子能量冲击最大化。
示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到接近在沉积腔室内设置的衬底的区域。所述方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时冲击衬底的反应离子的量。
用于增大反应离子与中性物质的比的示例性方法包含增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量，其中通过调节以下中的至少一个来增大压力：等离子体源腔室的第一入口的气体流速、沉积腔室的至少一个气体入口的气体流速，以及衬底与等离子体源腔室之间的距离。所述方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束。
用于增大反应离子与中性物质的比的另一示例性方法包含增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量，其中通过优化以下来增大压力：等离子体源腔室的第一入口的气体流速、沉积腔室的至少一个气体入口的气体流速、衬底与等离子体源腔室之间的距离、沉积腔室泵的泵速，以及等离子体源腔室泵的泵速。所述方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，其中在离子束被输送到衬底时，接近衬底的区域中的压力增加而增加了冲击衬底的反应离子与中性物质的比，并且其中离子束以相对于衬底的非垂直角度输送到衬底。
附图说明
图1为根据本发明的实施例的处理设备的截面视图；
图2为根据本发明的实施例的在图1的处理设备中的多个反应离子和中性物质的截面视图；
图3为根据本发明的实施例的用于在衬底的一组特征上形成薄膜层的方法的侧视截面视图；
图4为根据本发明的实施例的用于在衬底的一组特征上形成沟槽材料的方法的侧视截面视图；
图5为说明根据本发明的实施例的示例性方法的流程图。
附图未必按比例。附图仅为表示，并不希望描绘本发明的特定参数。附图意图描绘本发明的示例性实施例，且因此不应被视为在范围上受到限制。在附图中，相似标号表示相似元件。
此外，出于图示清楚的目的，可以省略或不按比例示出一些附图中的某些元件。出于图示清楚的目的，横截面图可以呈“图块”或“近视的”横截面图的形式，省略在“真实”截面视图中另外可见的某些背景线条。此外，为了清楚起见，可以在某些附图中省略一些附图标号。
具体实施方式
现将在下文中参考示出方法的实施例的附图更全面地描述根据本发明的方法。所述方法可以许多不同形式体现，且不应解释为受限于本文中所阐明的实施例。替代地，提供这些实施例是为了使得本发明透彻且完整，且将向所属领域的技术人员充分传达系统和方法的范围。
为方便和清楚起见，本文中将使用例如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“垂直”、“水平”、“横向”和“纵向”等术语来描述如各图中所呈现的这些组件及其组成部分相对于半导体制造装置的组件的几何形状和定向的相对位置和定向。所述术语将包含具体提到的词、其派生词和类似意思的词。
如本文中所使用，以单数形式叙述并且前面有词“一”的元件或操作应被理解为包含多个元件或操作，直到明确叙述此类排除。此外，对本发明的“一个实施例”的提及并不意图为限制性的。其它实施例也可以并入到所叙述的特征中。
如本文中所使用，术语“原子层沉积”或“ALD”可以指气相沉积工艺，由此在工艺腔室(即，沉积腔室)中进行沉积循环，优选地，多个连续的沉积循环。在循环期间，可以将前体用化学方法吸附到沉积表面(例如，衬底组合件表面或先前沉积的底层表面，例如来自先前ALD循环的材料)，从而形成不易与其它前体反应的单层或子单层(即，自限制反应)。随后，可以将反应物(例如，另一前体或反应气体)引入到工艺腔室以用于将用化学方法吸附的前体转化为沉积表面上的所需材料。通常，此反应物能够与已经用化学方法吸附的前体反应。另外，视需要还可以在循环期间利用吹扫过程以在用化学方法吸附的前体的转化之后从工艺腔室去除多余前体和/或从工艺腔室去除多余反应物和/或反应副产物。
与单程序CVD过程相比，更长持续时间的多循环ALD过程通过自限制层增长提供了对层厚度和组成物的改进控制，并且通过反应组分的间距将不利的气相反应减到最少。ALD的自限制性质提供了一种在多种多样的反应表面(包含具有不规则表面形态的表面)上沉积薄膜的方法，具有比使用CVD或使用例如蒸发或物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD，或溅镀)等其它“视线”沉积方法可获得的更好的覆盖性。如下文将进一步详细描述，使用定向离子束激活进一步促进ALD过程。
现在转向图1，图1示出了根据本发明的各种实施例的处理设备100的截面视图和用于增大被引导到衬底104以形成装置(例如，半导体装置)的离子束102中的反应离子与中性物质的比的方法。处理设备100可以是光束线离子注入机、等离子体掺杂工具(PLAD)、具有等离子体壳层调节器的等离子体工具，或能够产生并输送离子到衬底104的其它工具。本发明的实施例不限于此上下文。
如图1到2中所示，处理设备100包含具有第一气体入口107的等离子体源腔室106，以及耦合到等离子体源腔室106用于产生离子束102(例如，带状束)的沉积腔室108。沉积腔室108包含第二气体入口110和第三气体入口112，用于将第一使用点气体116和第二使用点气体118分别输送到邻近在沉积腔室108内设置的衬底104的区域130，如下文将更详细地描述。沉积腔室108进一步包含第四气体入口120，以及用于调节沉积腔室108内的气流和压力的沉积腔室泵122。如进一步示出的，处理设备100包含射频发生器124和脉冲直流电源126，用于产生从等离子体源腔室106提取离子束102所使用的提取电压。沉积腔室108还可包含电耦合到其上的偏压电源128。
在操作期间，处理设备100经配置以修改沉积腔室108内接近衬底104的区域130中的压力Psub，从而增加在离子束102被输送到衬底104时冲击衬底104的反应离子132的量和/或减少中性物质136(例如，中性原子/分子)的量。更确切地说，通过增大等离子体源腔室106与沉积腔室108之间的压力梯度，可以减少输送到衬底104的中性原子/分子136的总量，并使通过倾角离子束注入提供的离子能量冲击最大化。
在示例性实施例中，可以通过优化/调节处理设备100的以下参数中的至少一个来提供Psub与Psource之间的此增加的压力增量：第一气体入口107的气体流速、第二气体入口110的气体流速、第三气体入口112的气体流速、第四气体入口120的气体流速，和/或衬底104与等离子体源腔室106之间的距离z。在一个实施例中，可以使用一个或多个控制阀(未示出)来修改处理设备100的气体入口的各种气体流速。此外，可以减小衬底104与等离子体源腔室106之间的距离z以进一步增大Psub。
在各种其它实施例中，可以通过修改沉积腔室泵122和/或等离子体源腔室泵138的泵送速度(pumping speed)而相对于Psource增大Psub。例如，如果沉积腔室泵122的泵送速度降低，那么Psub将因沉积腔室108压力的整体增大而增大。另外，通过提高等离子体源腔室泵138的泵送速度，同时降低沉积腔室泵122的泵送速度，沉积腔室108中的压力将高于等离子体源腔室106。在一些实施例中，也可以通过使用节流阀(未示出)改变泵导来进行压力调节。
在一些实施例中，可以通过耦合到处理设备100或以其它方式与处理设备100通信的控制器140自动地或半自动地操作处理设备100的组件中的一个或多个。控制器140可以是或包含经编程以执行所需输入/输出功能的通用计算机或通用计算机网络。例如，在一个实施例中，控制器可以经编程以产生用于输送到衬底的离子束，将使用点气体连同离子束一起输送到衬底，并且修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力从而增加在使用点气体和离子束被输送到衬底时冲击衬底的反应离子的量。在一些实施例中，控制器140使用一个或多个传感器(未示出)进行操作，用于接收Psub与Psource之间的压力梯度的指示，并且修改上述参数中的一个或多个以增大Psub，上述参数例如气体入口1到4的气体流速、沉积腔室泵122和/或等离子体源腔室泵138的抽速，和/或衬底104与等离子体源腔室106的出口之间的距离z。
控制器140还可包含通信装置、数据存储装置和软件。用户界面系统可以包含例如触摸屏、键盘、用户指向装置、显示器、打印机等装置以允许用户经由控制器140输入命令和/或数据和/或监测等离子体掺杂设备。本发明的实施例不限于此上下文。
在示例性实施例中，处理设备100将例如氩气(Ar)或氦气(He)等惰性等离子体气体142经由第一气体入口107输送到等离子体源腔室106以用于在其中产生等离子体144。同时，第二气体入口110和第三气体入口112将第一使用点气体116和第二使用点气体118(例如SiH4和NH3)分别输送到邻近衬底104的区域130。在此实施例中，第一使用点气体116和第二使用点气体118绕过等离子体源腔室106并且直接注入到沉积腔室108中。如所配置，接近衬底104的Psub的增大使得暴露于衬底的中性原子/分子136减少，从而形成主要依靠与反应离子132携带的能量的气体反应引起的薄膜层150的增长。这有利于倾角离子注入，因为所述过程变为离子激活的沉积而不是不具有方向性的中性物主导的沉积。
在其它实施例中，可以调换气体的输送，意味着可以经由第二气体入口110和/或第三气体入口112输送惰性等离子体气体，并且可以经由第一气体入口107输送反应气体。在此情况下，通过接近衬底104的较高压力Psub，由中性表面反应导致的薄膜层150的增长将受到限制，薄膜层150的增长将主要依靠注入或沉积在衬底104上的反应离子132(例如，SiH３+、SiH+、NH2+等)。同样，这有利于倾角离子注入，因为所述过程变为离子激活的沉积而不是不具有方向性的中性物主导的沉积。
如图所示，在一个实施例中，连同离子束102一起将第一使用点气体116和第二使用点气体118输送到衬底104。在另一实施例中，可以分别地进行反应使用点气体116、118和离子束102的暴露。在任一实施方案中，将离子束102成角度地引导到衬底104以在其上形成薄膜层150，例如，如图3到4中所示。
在示例性实施例中，如图4中所示，将离子束102的离子注入到衬底104的一组特征154(例如，光阻图案特征、衬底散热片等)中的一个或多个的侧壁表面152以在其上形成薄膜层150。在示例性实施例中，与侧壁表面152非平行地而朝向衬底104成角度地引导离子束102，但是，在其它实施例中，可以基本上垂直于衬底104的表面156成角度地注入离子束102。如图所示，离子束102以相对于侧壁表面152成大约30°(或相对于侧壁表面152的平面法线成大约60°)的入射角注入离子，以防止有机和无机材料中的纳米尺度硬掩模的形成。在其它实施例中，注入角度可以改变正/负(+/-)15°。此外，在一些实施例中，离子束102的注入结合随后的等离子体蚀刻过程(未示出)用于改进线边缘粗糙度。
在示例性实施例中，薄膜层150是沉积于一组特征154上的有机或无机材料，其中沉积可以在沉积腔室108(图1)中进行，并且可以优化为主要在一组特征154的侧壁表面152和/或顶部上沉积。可以选择特定化学过程和方法参数，因此以以下任一者进行沉积：在等离子体内均匀地(例如，成角度地)以及在描绘离子束102的箭头的方向上。
在另一实施例中，参考图1和4，处理设备100可以用于沿着形成于装置168的衬底166中的沟槽164的侧壁表面162的仅一部分选择性地形成沟槽材料160的层(例如，SiN)。例如，沟槽164可以暴露于经由沉积腔室108的气体入口中的一个或多个输送到衬底166的前体。可以沿着沟槽164的侧壁表面162保形地设置前体。在一个实施例中，前体可以是用化学方法吸附到沟槽164的表面以形成末端SiBr3基团的反应前体(例如，SiBr4)。
前体可以是以蒸气形式引入到沉积腔室108中的前体应用，例如，通过经由常规蒸发过程(例如，直接蒸发、蒸馏)蒸发液体前驱溶液，或通过使惰性气体(例如，N2、He、Ar等)以泡沫方式流到前驱溶液中并将所述惰性气体加上前体的混合物作为前驱蒸气溶液提供到沉积腔室108而产生。通过惰性气体起泡还可以去除前驱溶液中存在的任何溶解氧。
随后可以例如通过使前体与覆盖组成物反应而沿着沟槽164的一组侧壁表面162形成覆盖层(capping layer)。覆盖组成物可以是引入到沉积腔室108的适用于将用化学方法吸附的前体转化为沉积表面上的所需材料的反应物反应气体，例如图1的使用点气体116、118。通常，反应物能够与已经用化学方法吸附的前体反应。在一个非限制性实施例中，覆盖组成物是乙二胺，并且NH基团与前体的溴起反应以放出HBr并形成Si-NHCH2CH2NH-Si键。因此，用覆盖层覆盖表面能防止进一步的热ALD增长。此外，覆盖层经配置以对热ALD和/或对低能量的基于自由基的ALD相对不具有反应性，并且对高能量的离子具有反应性以破碎覆盖组成物的覆盖分子。
如图4中进一步示出，执行离子注入170以形成沟槽材料160。离子注入170使离子以与沟槽164的底表面172非垂直且与侧壁表面162同样非平行的角度注入到装置168中。例如，可以将离子以相对于侧壁表面162的平面法线成60°的角度注入到侧壁表面162中。在其它实施例中，注入角度可以相对于侧壁表面162的平面法线改变正/负(+/-)15°。在一些实施例中，可以将离子以经选择防止离子注入沟槽164的底表面172和侧壁表面162的下部部分174的角度注入到沟槽164的侧壁表面162中。
在一个实施例中，离子注入170是经执行以通过破碎形成C-C键的反应位置而重新激活仅覆盖层的上部部分176的高度定向的AAr离子处理。因此，暴露于表面的SiBr4将与激活表面(顶部和底部)起反应以用Si-Br基团终止顶部和底部。这使得能够沿着覆盖层的激活部分将沟槽材料160的层形成至深度D，从而形成图4中示出的结构。
现参考图5，图5示出说明根据本发明的用于图案化半导体装置的示例性方法180的流程图。将结合图1到4中示出的表示描述方法180。
方法180可以包含提供包含耦合到沉积腔室的等离子体源腔室的处理设备，如方块182中所示。在一些实施例中，等离子体源腔室包含第一气体入口，并且沉积腔室包含第二气体入口和第三气体入口。在一些实施例中，第二气体入口和/或第三气体入口将使用点气体输送到接近在沉积腔室内设置的衬底的区域。
方法180可以进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，如方块184处所示。在一些实施例中，从等离子体源腔室内产生的等离子体提取离子束。
方法180可以进一步包含修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，如方块186处所示。在一些实施例中，通过增加在使用点气体和离子束被输送到衬底的情况下冲击衬底的反应离子的量来修改压力。在一些实施例中，增大沉积腔室与等离子体源腔室之间的压力梯度以增大压力。在一些实施例中，通过调节以下中的至少一个来增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力：第一入口的气体流速、第二入口的气体流速、第三气体入口的气体流速，以及衬底与等离子体源腔室之间的距离。在一些实施例中，通过减小衬底与等离子体源腔室之间的距离来增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力。在一些实施例中，通过调节沉积腔室泵的泵速和/或等离子体腔室泵的泵速来增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力。在一些实施例中，控制器可以独立地控制第一气体入口的气体流速、第二气体入口的气体流速、第三气体入口的气体流速、沉积腔室泵的泵速以及等离子体源腔室泵的泵速。
方法180可以进一步包含通过沉积腔室内接近衬底的区域中的压力增大而减少中性物质，如方块188处所示。在一些实施例中，通过压力增大而增大反应离子与中性物质的比。
方法180可以进一步包含将使用点气体连同离子束一起输送到衬底以形成薄膜层，如方块190处所示。在一些实施例中，将离子束输送到衬底包含执行倾角离子注入。在一些实施例中，以基本上与沟槽的侧壁非平行且与沟槽的底表面非平行的角度将离子注入到衬底中。
虽然上文将示意性方法180描述为一系列动作或事件，但是除非确切陈述，否则本发明不限于此类动作或事件的所示出的次序。根据本发明，除本文中所示出和/或描述的那些次序之外，一些动作可以不同的次序和/或与其它动作或事件同时地进行。另外，实施根据本发明的方法可能并非需要所有所示出的动作或事件。此外，可以结合在本文中示出且描述的结构的形成和/或处理以及结合并未示出的其它结构实施方法180。
鉴于前述内容，通过本文中揭示的实施例达成至少以下优势。本发明的第一优势是能够通过调整离子/中性物比提供对表面化学反应的主动控制，因此使得离子注入过程更具有“离子促进性”。本发明的第二优势包含能够通过改进的轮廓控制使薄膜选择性地增长从而用于定向沉积。
虽然已在本文中描述了本发明的某些实施例，但本发明不限于此，因为本发明在范围上与所属领域将允许的一样宽泛，且可同样地来理解说明书。因此，不应将以上描述解释为限制性。实际上，以上描述仅仅是作为具体实施例的例证。所属领域的技术人员将能设想在本文所附的权利要求书的范围和精神内的其它修改。

Claims (15)

1.一种方法，包括：
提供处理设备，所述处理设备包括：
包含第一气体入口的等离子体源腔室；以及
耦合到所述等离子体源腔室的沉积腔室，所述沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在所述沉积腔室内的衬底的区域；
产生用于输送到所述衬底的离子束；以及
修改所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的压力，从而增加在所述离子束被输送到所述衬底时存在的用于冲击所述衬底的反应离子的量。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：增大所述沉积腔室与所述等离子体源腔室之间的压力梯度。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过调节以下中的至少一个来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力：所述第一入口的气体流速、所述第二入口的气体流速、第三气体入口的气体流速，以及所述衬底与所述等离子体源腔室之间的距离。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：通过减小所述衬底与所述等离子体源腔室之间的所述距离来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：使用控制器独立地控制所述第一气体入口的所述气体流速、所述第二气体入口的所述气体流速以及所述第三气体入口的所述气体流速。
6.根据权利要求3所述的方法，还包括：经由所述第二气体入口和所述第三气体入口将反应气体输送到所述等离子体源腔室。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过调节沉积腔室泵的泵速和/或等离子体源腔室泵的泵速来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：经由所述第一气体入口将惰性气体引入到接近所述衬底的所述区域。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力来减少所述离子束的中性物质。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：增大所述反应离子的量与所述中性物质的比。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用所述离子束在所述衬底上形成薄膜层。
12.一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法，包括：
增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，以增大在离子束被输送到所述衬底时存在的用于冲击所述衬底的反应离子的量，其中调节以下中的至少一个来增大所述压力：沉积腔室泵的泵速、等离子体源腔室泵的泵速，以及所述衬底与等离子体源腔室之间的距离；以及
产生用于输送到所述衬底的离子束。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：通过增大所述沉积腔室与所述等离子体源腔室之间的压力梯度来减少在所述离子束被输送到所述衬底时存在的中性物质的量。
14.根据权利要求12所述的方法，还包括：通过减小所述衬底与所述等离子体源腔室之间的所述距离来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。
15.根据权利要求12所述的方法，还包括：通过调节所述等离子体源腔室的第一气体入口的气体流速或所述沉积腔室的至少一个气体入口的气体流速来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。
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