CN108428638B - 发光二极管的检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管的检测方法,其包括将多个发光二极管粘着于具有黏性的光离型层。接着,输入电能至这些发光二极管,以使多个正常发光二极管个别发出光线,其能弱化光离型层粘着于各个正常发光二极管的粘性。在输入电能至这些发光二极管之后,移除光离型层与附着于光离型层的发光二极管,以保留未附着于光离型层的这些正常发光二极管。

Description

发光二极管的检测方法
技术领域
本发明涉及一种光源的检测方法,且特别是涉及一种发光二极管的检测方法。
背景技术
目前的固态发光技术(Solid-State Lighting,SSL)已发展出一种小尺寸的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,μLED),其宽度与长度可控制在10微米(μm)以下。这种微型发光二极管具有相当小的尺寸,因而不仅可以应用于照明技术,而且也适合用来制作显示面板的像素(pixel)。
一般而言,显示面板所具有的像素的数量通常会远超过万颗,甚至达百万颗以上,因此采用微型发光二极管的显示面板也需要装设上万颗微型发光二极管。目前微型发光二极管的外延(epitaxy)及转移(transfering)两者制作工艺可以有很好的良率(yield)。然而,碍于显示面板所需要的微型发光二极管的数量太多,纵使外延与转移两者制作工艺能达到至少90%的良率,显示面板仍具有相当多的缺陷微型发光二极管需要修补。
举例来说,有的全高清(Full High Definition,FHD)显示面板会装设约622万颗微型发光二极管。假设外延制作工艺的良率可达99%,而转移制作工艺的良率可达99.9%,则高清显示面板会有约68420颗的缺陷微型发光二极管需要修补。倘若修补一颗微型发光二极管需要1秒的时间,则修补68420颗微型发光二极管至少需要花费18小时。由此可知,采用微型发光二极管的显示面板需要花费相当多的时间来修补众多的缺陷微型发光二极管,从而导致产能(production capacity)不易进一步地提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管的检测方法,其可以帮助减少需要修补的发光二极管数量。
为达上述目的,本发明至少一实施例所提供的发光二极管的检测方法包括将多个发光二极管粘着于光离型层(light release layer),其中光离型层具有粘性(stickiness)。接着,输入电能至这些发光二极管,以使这些发光二极管中的多个正常发光二极管个别发出光线,其中光线弱化光离型层粘着于各个正常发光二极管的粘性。在输入电能至这些发光二极管之后,移除光离型层与附着于(attached)光离型层的这些发光二极管,以保留未附着于光离型层的这些正常发光二极管。
在本发明至少一实施例中,上述检测方法还包括将这些发光二极管配置于一电测基板上,其中这些发光二极管位于电测基板与光离型层之间,并且电连接电测基板。接着,提供电能于电测基板,以输入电能至这些发光二极管。
在本发明至少一实施例中,上述检测方法还包括在移除光离型层与附着于光离型层的这些发光二极管之后,将一光固化层(light curing layer)配置于这些正常发光二极管上,其中这些正常发光二极管位于电测基板与光固化层之间。接着,提供电能于电测基板,以输入电能至这些正常发光二极管,其中这些正常发光二极管中的至少一不合格发光二极管(unqualified LED)发出一固化光线(curing light ray)而局部固化光固化层,以使不合格发光二极管附着于光固化层。在输入电能至这些正常发光二极管之后,移除光固化层与附着于光固化层的不合格发光二极管,以保留未附着于光固化层的多个合格发光二极管。
在本发明至少一实施例中,上述正常发光二极管的光线的波长大于不合格发光二极管的固化光线的波长。
本发明至少一实施例所提供的发光二极管的检测方法包括将多个发光二极管配置于电测基板上,其中这些发光二极管电连接电测基板。接着,将光固化层配置于这些发光二极管上,其中这些发光二极管位于电测基板与光固化层之间。之后,提供电能于电测基板,以输入电能至这些发光二极管,以使这些发光二极管中的至少一不合格发光二极管发出一固化光线而局部固化光固化层,让不合格发光二极管附着于光固化层。在输入电能至这些发光二极管之后,移除光固化层与附着于光固化层的不合格发光二极管,以保留未附着于光固化层的多个剩余发光二极管。
在本发明至少一实施例中,上述检测方法还包括在移除光固化层与附着于光固化层的这些不合格发光二极管之后,将具有粘性的光离型层粘着于这些剩余发光二极管,其中这些剩余发光二极管位于电测基板与光离型层之间。接着,提供电能于电测基板,以输入电能至这些剩余发光二极管,以使这些剩余发光二极管中的多个合格发光二极管(qualified LED)个别发出一光线,其中光线弱化光离型层粘着于各个合格发光二极管的粘性。在输入电能至这些剩余发光二极管之后,移除光离型层与附着于光离型层的这些剩余发光二极管,以保留未附着于光离型层的这些合格发光二极管。
本发明至少一实施例所提供的发光二极管的检测方法包括将多个发光二极管夹置(sandwiched)于可固化层(curable layer)以及可离型层(releasable layer)之间,其中这些发光二极管电连接可固化层与可离型层,而可离型层粘着于这些发光二极管。接着,输入电能至这些发光二极管,以使这些发光二极管中的多个合格发光二极管发光,其中这些合格发光二极管不附着于可固化层与可离型层。在输入电能至这些发光二极管之后,将可固化层与可离型层分开,并保留未附着于可固化层与可离型层的这些合格发光二极管。
在本发明至少一实施例中,上述可固化层与可离型层都含有多个导电粒子(conductive particle)。
在本发明至少一实施例中,上述可固化层为一热固化层,而可离型层为热离型层(thermal release layer)。当输入电能至这些发光二极管时,至少一短路发光二极管局部固化可固化层而附着于可固化层,或者,至少一断路发光二极管附着于可离型层。
在本发明至少一实施例中,上述可离型层为光离型层。当输入电能至这些发光二极管时,至少一故障发光二极管附着于可离型层。
在本发明至少一实施例中,上述可固化层为光固化层,而可离型层为光离型层。当输入电能至这些发光二极管时,这些发光二极管的至少一第一发光二极管附着于可离型层,或者,这些发光二极管的至少一第二发光二极管局部固化可固化层而附着于可固化层,其中第一发光二极管的波长大于合格发光二极管的波长,而第二发光二极管的波长小于合格发光二极管的波长。
在本发明至少一实施例中,上述检测方法还包括提供导电基板,其中可固化层形成于导电基板上,而可固化层具有多个凹槽。接着,将这些发光二极管配置于可固化层上,其中这些发光二极管为发光二极管封装体(LED package)。之后,振动这些发光二极管与导电基板,以使这些发光二极管分别配置于这些凹槽内。
基于上述,利用以上可离型层与上述可固化层来检测多个发光二极管,有助于筛选出合格发光二极管,并淘汰不合格发光二极管。如此,可以防止故障或不合适的不合格发光二极管进入转移制作工艺,从而减少需要修补的发光二极管数量,进而提升导致产能。
为让本发明的特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图,作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1C是本发明一实施例的发光二极管的检测方法的示意图;
图2A至图2C是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图;
图3A至图3D是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图;
图4A至图4F是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图;
图5A至图5D是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图。
符号说明
12a、12b、32a、32b、42a:电极
111、113:承载板
112、212:可离型层
112p、114p:导电粒子
114、214、314:可固化层
120、121、122、223、320、321、322、420、421、422、423:发光二极管
221:第一发光二极管
222:第二发光二极管
314r:凹槽
413:电测基板
413e:走线
C10、C21、C22:曲线
L10、L21、L22:光线
R10:合格波长范围
具体实施方式
图1A至图1C是本发明一实施例的发光二极管的检测方法的示意图,其中图1A至图1C都为剖面示意图。请参阅图1A,在利用外延形成多个发光二极管120、121与122后,将这些发光二极管120、121与122配置于可离型层112上,其中发光二极管120为合格的正常发光二极管,而发光二极管121与122为不合格的故障发光二极管。例如,发光二极管121为断路发光二极管,而发光二极管122为短路发光二极管。
发光二极管120、121与122可都为未封装的管芯(unpackaged die),所以发光二极管120、121与122可不具备反射杯(reflective cup)、二次光学元件(secondary opticalcomponment)与密封材料(encapsulating material)。发光二极管120、121与122可为垂直式发光二极管(vertical LED),因此发光二极管120、121与122各自具有一对电极12a与12b。在同一发光二极管120、121或122中,电极12a与12b分别位于发光二极管120、121或122的相对两侧。此外,发光二极管120、121与122可为宽度与长度都小于或等于10微米的微型发光二极管。或者,发光二极管120、121与122也可为宽度与长度都大于10微米的发光二极管。
可离型层112可形成在承载板111上,并且可以是胶带(tape),所以可离型层112可利用贴合(sticking)而形成在承载板111上。或者,可离型层112可经由涂附(apply)而形成,例如刷涂(brushing)或喷涂(spraying)。由于可离型层112具有黏性,因此可将这些发光二极管120、121与122粘着于可离型层112,以使发光二极管120、121与122被固定于可离型层112。
请参阅图1A与图1B,接着,将这些发光二极管120、121与122夹置于可固化层114以及可离型层112之间。例如,将载有发光二极管120、121与122以及可离型层112的承载板111放置于载有可固化层114的承载板113上,其中可离型层112与可固化层114两者的形成方法可以相同。可固化层114与可离型层112都为导体。例如,可离型层112与可固化层114可分别含有多个导电粒子112p与114p,而这些导电粒子112p与114p例如是金属粒子。
请参阅图1B,当发光二极管120、121与122的电极12a与12b分别接触于可离型层112与可固化层114时,发光二极管120、121与122可利用这些导电粒子112p与114p来电连接可固化层114与可离型层112。另外,可固化层114与可离型层112也可以是一种各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film,ACF),所以也可以利用压迫可离型层112与可固化层114的方式来使发光二极管120、121与122电连接可固化层114与可离型层112。在这些发光二极管120、121与122电连接可固化层114与可离型层112之后,输入电能至这些发光二极管120、121与122,以对发光二极管120、121与122进行筛选。
请参阅图1B与图1C,当输入电能至这些发光二极管120、121与122时,这些合格的正常发光二极管120会发光,但故障的断路发光二极管121与短路发光二极管122不会发光。此时,故障的断路发光二极管121会附着于可离型层112,故障的短路发光二极管122会附着于可固化层114,但这些合格发光二极管120却不附着于任何可固化层114与可离型层112。在输入电能至发光二极管120、121与122之后,将可固化层114与可离型层112分开,并保留这些未附着于可固化层114与可离型层112的合格发光二极管120,以筛选出这些合格发光二极管120。
可固化层114为热固化层。当输入电能至发光二极管120与122时,这些发出光线L10的合格发光二极管120以及不发光的短路发光二极管122都会发热。不过,短路发光二极管122会产生比合格发光二极管120较多的热能,以至于发光二极管122的温度会高过于发光二极管120的温度,因此短路发光二极管122会产生大量的热能来加热其底下所接触的部分可固化层114。
由于可固化层114为热固化层,所以产生大量热能的短路发光二极管122因具有较高的温度而能够局部固化可固化层114,进而附着于可固化层114。虽然合格发光二极管120也会产生热能,但合格发光二极管120的热能不及于短路发光二极管122的热能,而且也不足以固化可固化层114,因此合格发光二极管120不会固化可固化层114,也不会附着在可固化层114上。
可离型层112为热离型层,其所具有的黏性会受热影响而弱化,甚至消失。当输入电能至这些发光二极管120、121与122时,合格发光二极管120与短路发光二极管122会发热而加热可离型层112,但断路发光二极管121不发热。因此,合格发光二极管120与短路发光二极管122会弱化或消除其所接触的可离型层112的粘性,以至于这些合格发光二极管120与短路发光二极管122不会附着于可离型层112。反之,断路发光二极管121不会改变其所接触的可离型层112的黏性,所以断路发光二极管121仍附着于可离型层112。
由此可知,利用可固化层114与可离型层112来检测发光二极管120、121与122,可使短路发光二极管122附着于可固化层114,断路发光二极管121附着于可离型层112,以筛选出这些未附着于可固化层114与可离型层112的合格发光二极管120。如此,可淘汰故障的发光二极管121与122,以防止故障的发光二极管121与122进入后续转移制作工艺,进而有助于减少需要修补的发光二极管数量。
图2A至图2C是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图,其中图2A至图2C所示的检测方法与前述实施例所揭露的检测方法相似,而且两者也是采用可固化层与可离型层来检测发光二极管,其中待检测的发光二极管可以是未封装的管芯、垂直式发光二极管或微型发光二极管,如同前述实施例所述。以下主要说明图2A至图2C所示的实施例与前述实施例之间的差异。至于两者相同的技术特征,原则上不再重复叙述。
请参阅图2A,在本实施例的发光二极管的检测方法中,会将这些发光二极管120与223、第一发光二极管221以及第二发光二极管222夹置于可离型层212与可固化层214之间。可固化层214可形成于承载板113上,而可离型层212可形成于承载板111上,并且具有粘性,所以这些发光二极管120与223、第一发光二极管221以及第二发光二极管222可粘着于可离型层212。
可离型层212与可固化层214都为导体,其中可离型层212与可固化层214都含有导电粒子(图未标示),其相同于前述实施例中的导电粒子112p与114p。所以,发光二极管120与223、第一发光二极管221以及第二发光二极管222也可利用导电粒子来电连接可固化层214与可离型层212。此外,可固化层214与可离型层212也可以是各向异性导电膜。
不过,有别于可离型层112与可固化层114,图2A中的可离型层212为光离型层,而可固化层214为光固化层,其中可离型层112可以是光减粘胶带(light release tape),而可固化层214可以是光固化胶。因此,本实施例是采用光来使可离型层212达到离型效果(release effect)以及让可固化层214固化。在这些发光二极管120与223、第一发光二极管221以及第二发光二极管222夹置于可离型层212与可固化层214之间之后,输入电能至发光二极管120与223、第一发光二极管221及第二发光二极管222,以进行筛选。
当输入电能至发光二极管120与223、第一发光二极管221及第二发光二极管222时,故障发光二极管223(例如断路或短路发光二极管)不会发光,但发光二极管120、第一发光二极管221与第二发光二极管222会分别对可离型层212与可固化层214发出光线L10、L21与L22,所以发光二极管120、第一发光二极管221与第二发光二极管222都为能发光的正常发光二极管。不过,在本实施例中,虽然第一发光二极管221与第二发光二极管222因为能发光而为正常发光二极管,但光线L21与L22两者的波长在此是不符合显示面板的规格,即光线L21与L22会造成显示面板的画面品质降低。因此,第一发光二极管221与第二发光二极管222是正常但不合格的发光二极管。
可离型层212为光离型层,而可离型层212的黏性会因为特定光线(例如光线L10)的照射而弱化。当可离型层212没有被特定光线照射时,可离型层212的粘性不会改变,所以接触于故障发光二极管223的部分可离型层212的粘性不会改变。也就是说,可离型层212仍可以粘着于故障发光二极管223,以使故障发光二极管223仍附着于可离型层212。
当合格发光二极管120与第二发光二极管222分别对可离型层212与可固化层214发出光线L10与L22时,光线L10与光线L22都能弱化可离型层212粘着于发光二极管120与第二发光二极管222的黏性,以使合格发光二极管120与第二发光二极管222所接触的部分可离型层212达到离型效果。不过,光线L21不能弱化可离型层212的黏性,所以不合格的第一发光二极管221仍附着于可离型层212。此外,光线L22为固化光线,并能固化可固化层214,所以不合格的第二发光二极管222会局部固化可固化层214而附着于可固化层214。
请参阅图2A与图2B,而图2B是图2A中光线L10、L21与L22的波长与强度的关系示意图,其中图2B所示的曲线C10、C21与C22分别是光线L10、L21与L22的光谱(spectrum)。从图2B可以得知,第一发光二极管221的波长(曲线C21)大于合格发光二极管120的波长(曲线C10),而第二发光二极管222的波长(曲线C22)小于合格发光二极管120的波长(曲线C10)。因此,在光线L10、L21与L22中,光线L22的波长最短,频率最高。光线L21的波长最长,频率最低。光线L10的波长与频率则在光线L21与L22之间。
根据普朗克-爱因斯坦关系式(Planck–Einstein relation),光线的波长越短,光线的光子能量越强。反之,光线的波长越长,光线的光子能量越弱。因此,波长最短的光线L22具有最强的光子能量,而波长最长的光线L21具有最弱的光子能量。如此,光子能量最强的光线L22能固化可固化层214。然而,光线L10与L21却因为不具有足够强的光子能量而无法固化可固化层214,所以合格发光二极管120与第一发光二极管221不会附着于可固化层214。
另一方面,光线L10与L22具有足够的光子能量来使可离型层212达到离型效果,但是光线L21的光子能量太弱,所以光线L21无法使可离型层212达到离型效果,以至于可离型层212仍粘着及附着于第一发光二极管221。此外,处于合格波长范围R10的光线,例如光线L10,因为具有适当的光子能量而能使可离型层212达到离型效果,但不会固化可固化层214。如此,合格发光二极管120不会附着于可固化层214与可离型层212。
请参阅图2C,在输入电能至这些发光二极管120与223、第一发光二极管221与第二发光二极管222之后,将可固化层214与可离型层212分开。由于第二发光二极管222附着于可固化层214,而故障发光二极管223与第一发光二极管221附着于可离型层212,因此可移除可固化层214与可离型层212来保留这些合格发光二极管120,并且淘汰故障发光二极管223以及波长不合适的不合格第一发光二极管221与第二发光二极管222。
由此可知,利用可离型层212与可固化层214来检测多个发光二极管,不仅可淘汰故障发光二极管223而有助于减少需修补的发光二极管数量,而且还能从中筛选出波长合适的合格发光二极管(即发光二极管120),以帮助显示面板能选用色彩较不失真的发光二极管,从而促进提升显示面板的画面品质。
图3A至图3D是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图,其中图3A至图3D所示的检测方法与前述实施例所揭露的检测方法相似,而且两者也是采用可固化层314与可离型层112来检测发光二极管,其中可固化层314与114两者组成材料可以相同。也就是说,可固化层314可为具导电性的热固化层。不过,不同于前述可固化层114与214,图3A至图3D中的可固化层314具有用来配置多个发光二极管320、321与322的多个凹槽314r,其中这些凹槽314r可利用模具(mold)来形成。
请参阅图3A与图3B,首先,提供承载板113以及形成于其上的可固化层314。接着,将这些发光二极管320、321与322配置于可固化层314上。在本实施例中,发光二极管320、321与322可以是垂直式发光二极管,而且可以是发光二极管封装体。也就是说,发光二极管320、321与322可以包括反射杯、二次光学元件、密封材料或是这些元件的任意组合。不过,在其他实施例中,这些发光二极管320、321与322也可以是未封装的管芯。所以,发光二极管320、321与322并没有限制一定是发光二极管封装体。
发光二极管320、321与322各自具有一对电极32a与32b。在同一发光二极管320、321或322中,电极32a与32b分别位于发光二极管320、321与322的相对两侧,其中下方的电极32b具有凸出结构,而电极32b的形状可以是角锥形或柱形。这些电极32b能与这些凹槽314r一对一地配合(fitting),以使这些电极32b能分别装入于这些凹槽314r内,从而让这些发光二极管320、321与322可以分别配置于这些凹槽314r内。因此,这些凹槽314r的形状也可以是角锥形孔或柱形孔,以对应形状为角锥形或柱形的电极32b。此外,可以振动这些发光二极管320、321与322以及可固化层314来移动发光二极管320、321与322,让这些发光二极管320、321与322可以移动至这些凹槽314r内。
请参阅图3C与图3D,在这些发光二极管320、321与322分别配置于这些凹槽314r内之后,将载有可离型层112的承载板111放置于这些发光二极管320、321与322上,其中可离型层112接触并粘着这些发光二极管320、321与322上,以使这些发光二极管320、321与322夹置于可固化层314以及可离型层112之间。如此,这些发光二极管320、321与322得以电连接可固化层314与可离型层112。之后,经由可离型层112与可固化层314输入电能至这些发光二极管320、321与322,以对发光二极管320、321与322进行筛选。
发光二极管320为正常的合格发光二极管,而发光二极管321与322为故障的不合格发光二极管,其中发光二极管321为断路发光二极管,而发光二极管322为短路发光二极管。与图1A至图1C实施例所示的检测原理相同,当输入电能至发光二极管320、321与322时,短路发光二极管322会局部固化可固化层314而附着于可固化层314,而断路发光二极管321则附着于可离型层112,但合格发光二极管320不会附着于可固化层314与可离型层112。如此,当分开可固化层314与可离型层112分开时,可保留合格发光二极管320,并淘汰故障的发光二极管321与322,进而帮助减少需修补的发光二极管数量。
值得一提的是,以上图3A至图3D的实施例是采用热来使可离型层112达到离型效果以及让可固化层314固化。不过,在图3A至图3D中,可离型层112可以替换成图2A的可离型层212,而可固化层314的组成材料可相同于图2A的可固化层214,即可固化层314实质上可以是具有多个凹槽的可固化层214,以使图3A至图3D所示的实施例也可采用光离型层(可离型层212)与光固化层(可固化层214)来检测发光二极管320、321与322,如同图2A至图2C所揭露的检测方法。如此,不仅可以淘汰故障发光二极管321与322,而且还能从中筛选出波长合适的合格发光二极管320,以帮助提升显示面板的画面品质。
图4A至图4F是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图,其中图4A至图4F所示的检测方法与前述实施例所揭露的检测方法相似,而且也是采用可离型层212(光离型层)与可固化层214(光固化层)来检测多个发光二极管。不过,本实施例的检测方法与前述实施例之间仍存有差异,其主要在于:本实施例是采用电测基板413,并且不同时使用可固化层214与可离型层212来进行检测,而非如同前述实施例,将多个发光二极管夹置在可固化层214与可离型层212之间,以同时使用可固化层214与可离型层212来进行检测。
请参阅图4A,在进行本实施例的检测方法中,首先,提供电测基板413,其实质上可以一块电路板(wirring board)。电测基板413可具有多条走线(trace)413e,并能经由这些走线413e来传输电能至多个发光二极管420、421、422与423。各条走线413e的形状可以是直线形,且这些走线413e可以彼此并列。
请参阅图4A与图4B,接着,将这些发光二极管420、421、422与423粘着于可离型层212。然后,将载有发光二极管420、421、422、423以及可离型层212的承载板111放置于电测基板413上,并让这些发光二极管420、421、422与423配置于电测基板413上。
不同于前述实施例,发光二极管420、421、422与423都为水平式发光二极管(horizontal LED),因此各个发光二极管420、421、422或423具有一对位于同一侧的电极42a,例如图4A所示的这些电极42a都位于发光二极管420、421、422以及423底部。在发光二极管420、421、422与423配置于电测基板413上之后,这些发光二极管420、421、422与423会位于电测基板413与可离型层212之间,而发光二极管420、421、422与423的电极42a会接触这些走线413e,以使发光二极管420、421、422与423电连接电测基板413。
请参阅图4B,之后,提供电能于电测基板413,以输入电能至这些发光二极管420、421、422与423,让当中的正常发光二极管420、421与422个别发出光线L10、L21及L22,其中光线L10具有符合显示面板规格的波长,但光线L21及L22的波长却不符合显示面板的规格。也就是说,虽然发光二极管420、421与422都为能发光的正常发光二极管,但只有发光二极管420为合格发光二极管,发光二极管421与422为不合格发光二极管。发光二极管423为故障发光二极管,例如断路或短路发光二极管,所以发光二极管423不会发光。
如同前述图2A至图2C实施例所述,光线L10与光线L22能弱化可离型层212的黏性,但是光线L21却不能弱化可离型层212的黏性,因此发光二极管420与422不会附着于可离型层212,而不合格的正常发光二极管421与故障发光二极管423却会附着于可离型层212。请参阅图4C,在输入电能至这些发光二极管420、421、422与423之后,移除可离型层212与附着于可离型层212的这些发光二极管421与423,并保留未附着于可离型层212的这些发光二极管420与422。
请参阅图4D与图4E,之后,将载有可固化层214的承载板113放置于剩下的这些发光二极管420与422上,其中发光二极管420与422都位于电测基板413与可固化层214之间。请参阅图4E,接着,再次提供电能于电测基板413,以输入电能至这些发光二极管420与422,其中不合格发光二极管422发出光线L22而局部固化可固化层214,以使不合格发光二极管422附着于可固化层214。
请参阅图4F,之后,移除可固化层214与附着于可固化层214的不合格发光二极管422,以保留未附着于可固化层214的这些合格发光二极管420。由此可知,跟前述实施例一样,图4A至图4F实施例所揭露的检测方法也能淘汰故障发光二极管423,而且还能从正常发光二极管420、421与422中筛选出波长合适的合格发光二极管420,有助于提升显示面板的画面品质。
图5A至图5D是本发明另一实施例的发光二极管的检测方法的示意图,其中本实施例的检测方法与图4A至图4F实施例的检测方法相似,而且两者功效相同。本实施例的检测方法与图4A至图4F实施例的检测方法两者之间的主要差异在于:使用可离型层212与可固化层214的顺序。在图4A至图4F实施例中,是先使用可离型层212,后使用可固化层214来进行检测,但在本实施例中,却是先使用可固化层214,后使用可离型层212来进行检测。
请参阅图5A与图5B,首先,将多个发光二极管420、421、422与423配置于电测基板413上,以及将可固化层214配置于这些发光二极管420、421、422与423上,其中这些发光二极管420、421、422与423电连接电测基板413,并且位于电测基板413与可固化层214之间,而可固化层214可形成于承载板113上。接着,提供电能于电测基板413,以输入电能至这些发光二极管420、421、422与423,以使这些正常发光二极管420、421与422分别发出光线L10、L21与L22。
发光二极管423为故障发光二极管,所以即使通电,也无法发光。当输入电能至这些发光二极管420、421与422时,不合格发光二极管422所发出的光线L22能局部固化可固化层214,以至于不合格发光二极管422会附着于可固化层214。之后,移除可固化层214与附着于可固化层214的不合格发光二极管422,以保留未附着于可固化层214的这些剩余发光二极管420、421与423。
请参阅图5C与图5D,在移除可固化层214与附着于可固化层214的这些不合格发光二极管422之后,将具有黏性的可离型层212粘着于这些剩余发光二极管420、421与423,其中剩余的发光二极管420、421与423会位于电测基板413与可离型层212之间。接着,提供电能于电测基板413,以输入电能至这些剩余发光二极管420、421与423,让其中的这些合格发光二极管420个别发出光线L10。光线L10能弱化可离型层212粘着于各个合格发光二极管420的黏性,所以这些合格发光二极管420不会附着于可离型层212上。
相反地,发光二极管421所发出的光线L21不能弱化可离型层212的粘性,所以不合格发光二极管421与故障发光二极管423仍附着于可离型层212。之后,移除可离型层212与附着于可离型层212的这些剩余发光二极管421与423,以保留未附着于可离型层212的这些合格发光二极管420,从而筛选出这些正常的合格发光二极管420。
值得一提的是,以上图4A至图4F以及图5A至图5D所揭露的检测方法是用来检测水平式发光二极管,但在其他实施例中,图4A至图4F以及图5A至图5D所揭露的检测方法也能用来检测垂直式发光二极管,例如发光二极管120、320或420,其中电测基板413也可替换成一块导电板,例如金属板或石墨板,以检测垂直式发光二极管的电测基板413,而且电测基板413也可以具有多个凹槽来供发光二极管320、321与322配置。由此可知,图4A至图4F以及图5A至图5D所揭露的检测方法并不限定只能用于检测水平式发光二极管。
综上所述,在转移制作工艺以前,利用上述可离型层与上述可固化层来检测多个发光二极管,可以筛选出合格发光二极管,并能淘汰不合格发光二极管,例如是故障发光二极管或是波长不符合显示面板规格的发光二极。如此,本发明至少一实施例的检测方法可以防止故障或不合适的不合格发光二极管进入转移制作工艺,以减少需要修补的发光二极管数量,缩短显示面板的修补时间,进而提升导致产能。
另外,必须说明的是,在以上实施例所对应的附图中,附图所示的各种发光二极管(例如图4A中的发光二极管420、421、422与423)的数量仅供举例说明,目的是使本发明所属技术领域中具有通常知识者利于理解个中技术特征,而不是要限制本发明的检测方法。
虽然结合以上实施例公开了本发明,然而其并非用以限定本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (12)

1.一种发光二极管的检测方法,其特征在于,包括:
将多个发光二极管粘着于一光离型层,其中该光离型层具有黏性;
输入一电能至该些发光二极管,以使该些发光二极管中的多个正常发光二极管分别发出一光线,其中该光线弱化该光离型层粘着于各该正常发光二极管的黏性;以及
在输入该电能至该些发光二极管之后,移除该光离型层与附着于该光离型层的该些发光二极管,以保留未附着于该光离型层的该些正常发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管的检测方法,还包括:
将该些发光二极管配置于一电测基板上,其中该些发光二极管位于该电测基板与该光离型层之间,并且电连接该电测基板;以及
提供该电能于该电测基板,以输入该电能至该些发光二极管。
3.如权利要求2所述的发光二极管的检测方法,还包括:
在移除该光离型层与附着于该光离型层的该些发光二极管之后,将一光固化层配置于该些正常发光二极管上,其中该些正常发光二极管位于该电测基板与该光固化层之间;
提供该电能于该电测基板,以输入该电能至该些正常发光二极管,其中该些正常发光二极管中的至少一不合格发光二极管发出一固化光线而局部固化该光固化层,以使该不合格发光二极管附着于该光固化层;
在输入该电能至该些正常发光二极管之后,移除该光固化层与附着于该光固化层的该不合格发光二极管,以保留未附着于该光固化层的多个合格发光二极管。
4.如权利要求3所述的发光二极管的检测方法,其中该合格发光二极管的该光线的波长大于该不合格发光二极管的该固化光线的波长。
5.一种发光二极管的检测方法,其特征在于,包括:
将多个发光二极管配置于一电测基板上,其中该些发光二极管电连接该电测基板;
将一光固化层配置于该些发光二极管上,其中该些发光二极管位于该电测基板与该光固化层之间;
提供一电能于该电测基板,以输入该电能至该些发光二极管,以使该些发光二极管中的至少一不合格发光二极管发出一固化光线而局部固化该光固化层,让该不合格发光二极管附着于该光固化层;以及
在输入该电能至该些发光二极管之后,移除该光固化层与附着于该光固化层的该不合格发光二极管,以保留未附着于该光固化层的多个剩余发光二极管。
6.如权利要求5所述的发光二极管的检测方法,还包括:
在移除该光固化层与附着于该光固化层的该些不合格发光二极管之后,将一具有黏性的光离型层粘着于该些剩余发光二极管,其中该些剩余发光二极管位于该电测基板与该光离型层之间;
提供该电能于该电测基板,以输入该电能至该些剩余发光二极管,以使该些剩余发光二极管中的多个合格发光二极管分别发出一光线,其中该光线弱化该光离型层粘着于各该合格发光二极管的黏性;以及
在输入该电能至该些剩余发光二极管之后,移除该光离型层与附着于该光离型层的该些剩余发光二极管,以保留未附着于该光离型层的该些合格发光二极管。
7.一种发光二极管的检测方法,其特征在于,包括:
将多个发光二极管夹置于一可固化层以及一可离型层之间,其中该些发光二极管电连接该可固化层与该可离型层,而该可离型层粘着于该些发光二极管;
输入一电能至该些发光二极管,以使该些发光二极管中的多个合格发光二极管发光,其中该些合格发光二极管不附着于该可固化层与该可离型层;以及
在输入该电能至该些发光二极管之后,将该可固化层与该可离型层分开,并保留未附着于该可固化层与该可离型层的该些合格发光二极管。
8.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可固化层与该可离型层都含有多个导电粒子。
9.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可固化层为一热固化层,而该可离型层为一热离型层;当输入该电能至该些发光二极管时,至少一短路发光二极管局部固化该可固化层而附着于该可固化层,或者,至少一断路发光二极管附着于该可离型层。
10.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可离型层为一光离型层;当输入该电能至该些发光二极管时,至少一故障发光二极管附着于该可离型层。
11.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可固化层为一光固化层,而该可离型层为一光离型层;当输入该电能至该些发光二极管时,该些发光二极管的至少一第一发光二极管附着于该可离型层,或者,该些发光二极管的至少一第二发光二极管局部固化该可固化层而附着于该可固化层,其中该第一发光二极管的波长大于该合格发光二极管的波长,而该第二发光二极管的波长小于该合格发光二极管的波长。
12.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可固化层具有多个凹槽,而该检测方法包括:
将该些发光二极管配置于该可固化层上,其中该些发光二极管为发光二极管封装体;以及
振动该些发光二极管与该可固化层,以使该些发光二极管分别配置于该些凹槽内。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101953645B1 (ko) * 2018-12-19 2019-03-04 (주)에스티아이 Led 기판 리페어 장비 및 방법
TWI682187B (zh) * 2019-02-22 2020-01-11 鼎信傳能股份有限公司 可檢測發光元件之載具裝置
CN110335845B (zh) * 2019-06-24 2021-10-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种MicroLED芯片的转移方法
TWI689959B (zh) 2019-09-26 2020-04-01 群光電能科技股份有限公司 鍵盤背光模組及其製造方法
CN112649711B (zh) * 2019-10-12 2022-04-15 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的检测装置及方法
CN110707015B (zh) * 2019-10-21 2022-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种检测基板及其制作方法、检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003162231A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Sony Corp 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
CN101794848A (zh) * 2009-01-29 2010-08-04 索尼公司 转移装置的方法和制造显示设备的方法
CN105518877A (zh) * 2015-08-18 2016-04-20 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备
CN107039298A (zh) * 2016-11-04 2017-08-11 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107321639A (zh) * 2017-05-27 2017-11-07 华灿光电(浙江)有限公司 一种发光二极管芯片的筛选方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0316106D0 (en) * 2003-07-09 2003-08-13 Cambridge Display Tech Ltd Test structures and methods
US7399117B2 (en) * 2005-12-09 2008-07-15 Con-Trol-Cure, Inc. Thin film calorimeter
TW201715244A (zh) * 2015-10-16 2017-05-01 普羅科技有限公司 Led元件檢查裝置及led元件檢查方法
CN105702814B (zh) * 2016-03-25 2019-01-18 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种光电参数测试不合格的白光led芯片重加工的方法
CN206876516U (zh) * 2017-03-29 2018-01-12 广东省标准化研究院 一种紫外led光固化技术的测试设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003162231A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Sony Corp 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
CN101794848A (zh) * 2009-01-29 2010-08-04 索尼公司 转移装置的方法和制造显示设备的方法
CN105518877A (zh) * 2015-08-18 2016-04-20 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备
CN107039298A (zh) * 2016-11-04 2017-08-11 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107321639A (zh) * 2017-05-27 2017-11-07 华灿光电(浙江)有限公司 一种发光二极管芯片的筛选方法

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