CN108417597A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。根据示例性实施例，显示装置包括：基底，限定显示区域和设置在显示区域外部的非显示区域；层间绝缘膜，设置在基底上；钝化膜，设置在层间绝缘膜上；阳极，设置在钝化膜上；中间层，设置在阳极上；阴极，设置在中间层上；覆盖层，设置在阴极上；以及封装膜，设置在覆盖层上。
Description
本申请要求于2017年2月9日提交的第10-2017-0018293号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着多媒体娱乐的发展，显示装置的重要性日益增加。因此，正在使用诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各种类型的显示装置。
OLED包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极与电子注入电极之间并包括有机发光层的有机发光二极管。从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合以产生激子。OLED是当激子从激发态跃迁到基态时发光的自发光显示装置。
自发光的OLED不需要单独的光源。因此，OLED可以在低电压下被驱动并且可以被制得轻且薄。此外，OLED具有诸如宽视角、高对比度和快的响应速度的高质量特性。由于这些特性，作为下一代显示装置的OLED正引起关注。
然而，由于OLED被外部湿气或氧劣化，因此有机发光二极管应该被密封以保护有机发光二极管免受外部湿气或氧的影响。为了使OLED更薄和/或柔性，正在使用由多个无机膜或包括有机膜和无机膜的多个层组成的薄膜封装(TFE)。这里，随着无机膜的厚度增大，可以有效地防止湿气或氧从外部渗透。然而，无机膜的增大的厚度使无机膜的应力增加，从而导致无机膜的脱落。当发生无机膜的脱落时，外部湿气或氧会渗透有机发光二极管，从而减少OLED的寿命。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供一种稳定地保持封装膜与基底之间的粘合的显示装置。
示例性实施例还提供一种制造稳定地保持封装膜与基底之间的粘合的显示装置的方法。
另外的方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地，通过公开将是明显的，或者可以通过实践发明构思而获知。
根据示例性实施例，显示装置包括：基底，限定显示区域和设置在显示区域外部的非显示区域；层间绝缘膜，设置在基底上；钝化膜，设置在层间绝缘膜上；阳极，设置在钝化膜上；中间层，设置在阳极上；阴极，设置在中间层上；覆盖层，设置在阴极上；以及封装膜，设置在覆盖层上。
根据另一示例性实施例，制造显示装置的方法包括：准备具有层间绝缘膜、钝化膜和阳极并且其中限定有显示区域和非显示区域的基底；在阳极上形成中间层；在中间层上形成阴极；在阴极上形成覆盖层；以及在覆盖层上形成封装膜。
前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并且意图提供所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对发明构思的进一步理解，附图被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是根据示例性实施例的示意性布局图。
图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
图3是图2的部分“A”的局部放大图。
图4是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图5是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图6是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图7是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图8是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图9是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图10是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图11是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图12是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图13是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图14是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图15是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
图16是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
图17是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
图18是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，明显的是，可以不用这些具体细节或者用一个或更多个等同布置来实施各种示例性实施例。在其它情况下，以框图的形式示出公知的结构和装置以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。
在附图中，为了清晰和描述的目的，可夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
虽然在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述的目的，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，并由此来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，并非意图限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或它们的变型时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此，将预计由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括因例如制造导致的形状的偏差。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，并且将不以理想化或者过于形式化的含义来解释它们。
图1是根据实施例的示意性布局图。图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。图3是图2的部分“A”的局部放大图。
参照图1至图3，根据示例性实施例的显示装置包括：基底500，具有显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA；层间绝缘膜ILD，设置在基底500上；钝化膜600，设置在层间绝缘膜ILD上；阳极AN，设置在钝化膜600上；中间层EL，设置在阳极AN上；阴极CA，设置在中间层EL上；覆盖层CPL，设置在阴极CA上；以及封装膜300，设置在覆盖层CPL上。
基底500可以是绝缘基底，并且包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)和聚醚酰亚胺中的一种或更多种。然而，上面的材料仅是示例，基底500的材料不限于这些示例。在示例性实施例中，基底500可以包括诸如金属或玻璃的材料。在示例性实施例中，基底500可以是柔性基底。换句话说，基底500可以是可以弯曲、卷曲和折叠的柔性基底。
显示区域DA和非显示区域NDA可以限定在基底500中。显示区域DA可以是显示图像的区域，非显示区域NDA可以是布置有各种信号线或电源线使得显示区域DA可以显示图像的区域。
多个像素(未示出)可以限定在显示区域DA中，并且至少一个薄膜晶体管和一个有机发光二极管可以设置在一个像素中。稍后将更详细地描述薄膜晶体管和有机发光二极管。
多个焊盘P可以形成在非显示区域NDA的一侧上。在示例性实施例中，显示装置还可以包括电源(未示出)或信号发生器(未示出)，并且由电源或信号发生器提供的电信号可以经由焊盘P传输到显示区域DA。
缓冲层100可以设置在基底500上。在示例性实施例中，缓冲层100可以形成在基底500的整个表面上。换句话说，缓冲层100可以覆盖基底500的显示区域DA和非显示区域NDA两者。缓冲层100可以防止杂质通过基底500渗透，并且使基底500的上表面平坦化。
在示例性实施例中，缓冲层100可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛中的一种或更多种。
在示例性实施例中，缓冲层100可以包括聚酰亚胺、聚酯和亚克力中的一种或更多种。
在图3中，缓冲层100被示出为单层。然而，缓冲层100的结构不限于单层。在示例性实施例中，缓冲层100可以是多个功能膜的叠层。
半导体图案层700可以设置在缓冲层100上。在示例性实施例中，半导体图案层700可以包括诸如非晶硅或多晶硅的无机半导体。在实施例中，半导体图案层700可以包括有机半导体或氧化物半导体。
在示例性实施例中，半导体图案层700可以包括源区(未示出)和漏区(未示出)。稍后将描述的源电极SE可以电连接到半导体图案层700的源区，稍后将描述的漏电极DE可以电连接到半导体图案层700的漏区。
栅极绝缘膜GI可以设置在半导体图案层700上。栅极绝缘膜GI可以形成在基底500的整个表面上。换句话说，栅极绝缘膜GI可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA的上方。在示例性实施例中，栅极绝缘膜GI可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的任意一种或更多种。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘膜GI上。栅电极GE可以包括包含铝合金的铝(Al)基金属、包含银合金的银(Ag)基金属、包含铜合金的铜(Cu)基金属、包括钼合金的钼(Mo)基金属、铬(Cr)、钛(Ti)和钽(Ta)中的任意一种或更多种。
覆盖栅电极GE的层间绝缘膜ILD可以设置在栅电极GE上。层间绝缘膜ILD可以形成在基底500的整个表面上。即，层间绝缘膜ILD可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA的上方，并且与栅极绝缘膜GI叠置。
层间绝缘膜ILD可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或更多种。
在图3中，层间绝缘膜ILD被示出为单个膜。然而，层间绝缘膜ILD不必须是单个膜。即，在实施例中，层间绝缘膜ILD可以是两个或更多个功能层的叠层。
源电极SE和漏电极DE可以设置在层间绝缘膜ILD上。具体地，层间绝缘膜ILD可以暴露半导体图案层700的源区和漏区，并且源电极SE和漏电极DE可以通过暴露的源区和漏区接触半导体图案层700。因此，源电极SE和漏电极DE中的每个可以电连接到半导体图案层700。即，栅电极GE、半导体图案层700、源电极SE和漏电极DE可以形成薄膜晶体管。
薄膜晶体管可以是用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管。
在图3中，示出了栅电极GE设置在半导体图案层700上的顶栅型显示装置。然而，发明构思不限于顶栅型显示装置。在实施例中，显示装置可以采用栅电极GE设置在半导体图案层700下方的底栅型。
钝化膜600可以设置在源电极SE、漏电极DE和层间绝缘膜ILD上。钝化膜600可以部分地覆盖层间绝缘膜ILD。此外，钝化膜600可以部分地暴露漏电极DE。
阳极AN、中间层EL和阴极CA可以设置在钝化膜600上。即，阳极AN、中间层EL和阴极CA可以形成有机发光二极管。
阳极AN可以形成在钝化膜600上，并且可以接触由钝化膜600暴露的漏电极DE。即，阳极AN可以电连接到漏电极DE。
在示例性实施例中，阳极AN可以是反射电极，并包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的一种或更多种制成的一个或更多个反射膜以及形成在反射膜上的透明电极或半透明电极。
透明电极或半透明电极可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的任意一种或更多种。
由绝缘材料制成的像素限定层PDL可以设置在阳极AN上。像素限定层PDL可以暴露阳极AN的至少一部分。
中间层EL可以设置在由像素限定层PDL暴露的阳极AN上。中间层EL可以包括由低分子量或高分子有机材料制成的有机发光层。在示例性实施例中，中间层EL还可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一种或更多种。
阴极CA可以设置在阳极AN上。在示例性实施例中，阴极CA可以在基底500的整个表面上形成为全表面电极。即，阴极CA可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA上方，阳极AN可以仅设置在显示区域DA中。在示例性实施例中，阴极CA可以是透明电极或半透明电极。阴极CA可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中的任意一种或更多种。另外，阴极CA可以由具有低逸出功的金属薄膜制成。透明电极或半透明电极可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的任意一种或更多种。
在示例性实施例中，显示装置可以是从中间层EL产生的光朝向阴极CA发射的顶发射型显示装置。
在另一个示例性实施例中，显示装置可以是从中间层EL产生的光朝向阳极AN发射的底发射型显示装置。在这种情况下，阴极CA可以是反射电极，阳极AN可以是透明电极或半透明电极。
在又一示例性实施例中，显示装置可以是从中间层EL产生的光朝向阳极AN和阴极CA发射的双面发射型显示装置。
覆盖阴极CA的覆盖层CPL可以设置在阴极CA上。覆盖层CPL可以包括a-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3和CuPc中的一种或更多种。覆盖层CPL可以保护有机发光二极管并且有效地引导从中间层EL接收的光。
在示例性实施例中，覆盖层CPL可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA上方。覆盖层CPL的端部e2和阴极CA的端部e1可以设置在非显示区域NDA中。覆盖层CPL的端部e2可以比阴极CA的端部e1更相对内部地设置。
为了方便描述，将定义方向。当元件设置在内侧上时，这意味着元件相对靠近显示区域DA的中心设置。当元件设置在外侧上时，这意味着元件相对靠近基底500的最外端设置。因此，覆盖层CPL可以暴露阴极CA的包括端部e1的一部分。保护层BL也可以设置在覆盖层CPL上。
在示例性实施例中，保护层BL可以包括LiF、MgF2和CaF2中的任意一种或更多种。保护层BL可以在形成第一无机膜301的工艺中防止(例如，等离子体)渗透有机发光二极管并引起损坏。
在示例性实施例中，保护层BL的端部e3可以设置在非显示区域NDA中。此外，保护层BL可以完全覆盖中间层EL。
第一无机膜301可以设置在保护层BL上。第一无机膜301可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的任意一种或更多种。
在图3中，第一无机膜301被示出为单层。然而，第一无机膜301的结构不限于单层。在示例性实施例中，第一无机膜301可以是多个功能膜的叠层。在另一示例性实施例中，第一无机膜301可以是由氧化硅(SiOx)制成的膜和由氮化硅(SiNx)制成的膜的交替叠层。
第一无机膜301可以形成在基底500的整个表面上。换句话说，第一无机膜301可以形成在基底500的显示区域DA和非显示区域NDA上方。第一无机膜301可以具有的厚度，第一无机膜301的端部可以比阴极CA的端部e1更外部地设置，并且第一无机膜301的端部可以与基底500的端部对齐。
因此，第一无机膜301可以直接接触保护层BL、覆盖层CPL和阴极CA。具体地，第一无机膜301可以直接接触被覆盖层CPL暴露的阴极CA。
第一无机膜301可以直接接触层间绝缘膜ILD。在示例性实施例中，第一无机膜301与层间绝缘膜ILD接触的第一宽度W1可以为50μm至300μm。可以需要用于封装膜300与基底500之间的稳定粘合的至少最小的接触面积。当如在示例性实施例中，覆盖层CPL的端部e2比阴极CA的端部e1更内部地设置时，可以确保层间绝缘膜ILD与第一无机膜301之间的充分的接触面积，因此能够保持封装膜300与基底500之间的稳定的粘合。
第一有机膜303可以设置在第一无机膜301上。第一有机膜303可以形成在第一无机膜301上，并且可以具有的厚度，以使由像素限定层PDL形成的台阶部平坦化。
在示例性实施例中，第一有机膜303可以包括环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任意一种。第一有机膜303的宽度可以比第一无机膜301的宽度小。因此，设置在第一有机膜303上的第二无机膜302可以直接接触第一有机膜303和第一无机膜301。第二无机膜302可以设置在第一有机膜303上。第二无机膜302可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的任意一种或更多种。
在图3中，第二无机膜302被示出为单层。然而，第二无机膜302的结构不限于单层。在示例性实施例中，第二无机膜302可以是由氧化硅(SiOx)制成的膜和由氮化硅(SiNx)制成的膜的交替叠层。
在示例性实施例中，第二无机膜302可以形成在基底500的整个表面上，并且第二无机膜302的端部可以与基底500的端部对齐。
在图3中，第一无机膜301的端部和第二无机膜302的端部彼此对齐。然而，发明构思不限于这种情况。
在示例性实施例中，第二无机膜302的端部可以比第一无机膜301的端部更外部地设置。在这种情况下，第二无机膜302可以直接接触基底500上的层间绝缘膜ILD。
触摸层TL可以设置在封装膜300上。可以通过触摸层TL接收触摸输入，并且可以将输入触摸信号传输到非显示区域NDA和/或显示区域DA。
为此，触摸层TL可以包括多个功能膜和多个晶体管。将省略触摸层TL的结构的详细描述，以不使发明构思的范围模糊。
在示例性实施例中，触摸层TL可以形成在基底500的整个表面上。因此，触摸层TL可以完全覆盖第二无机膜302。
在下文中，将描述根据其它示例性实施例的显示装置。在下面的示例性实施例中，与上述元件相同的元件由同样的附图标记表示，因此将省略或简要地给出它们的描述。
图4是根据实施例的显示装置的剖视图。
参照图4，根据本实施例的显示装置与根据图3的示例性实施例的显示装置不同之处在于省略了保护层BL。
在实施例中，可以省略保护层BL。在这种情况下，与中间层EL叠置的覆盖层CPL可以直接接触第一无机膜301。
图5是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图5，根据本示例性实施例的显示装置与根据图3的示例性实施例的显示装置不同之处在于阴极CA的端部e1和覆盖层CPL的端部e2彼此对齐。
在本示例性实施例中，阴极CA的端部e1和覆盖层CPL的端部e2可以彼此对齐。即使在这种情况下，第一无机膜301也可以直接接触阴极CA和覆盖层CPL。具体地，即使当阴极CA的端部e1和覆盖层CPL的端部e2彼此对齐时，覆盖层CPL也不完全覆盖阴极CA。因此，阴极CA的端部e1可以直接接触第一无机膜301。
图6是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。参照图6，根据本示例性实施例的显示装置与根据图3的示例性实施例的显示装置不同之处在于覆盖层CPL的端部e2与保护层BL的端部e3对齐。
在本示例性实施例中，覆盖层CPL的端部e2可以与保护层BL的端部e3对齐。在这种情况下，覆盖层CPL的端部e2和保护层BL的端部e3可以布置在非显示区域NDA中，同时彼此对齐。此外，与图3的示例性实施例相比，覆盖层CPL可以暴露更多的阴极CA。因此，图6中的阴极CA与第一无机膜301直接接触的面积可以比图3中的面积大。
图7是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图7，根据本示例性实施例的显示装置与根据图3的示例性实施例的显示装置不同之处在于它还包括驱动电压线ELVSS和连接电极55。
在本示例性实施例中，驱动电压线ELVSS可以设置在基底500上。驱动电压线ELVSS可以电连接到阴极CA，并且可以向阴极CA提供驱动电压。连接电极55可以设置在驱动电压线ELVSS上。连接电极55可以由与显示区域DA中的阳极AN的材料相同的材料制成。换句话说，连接电极55可以在同一工艺中与阳极AN同时形成。然而，发明构思不限于这种情况，连接电极55可以独立于阳极AN形成。
阴极CA可以设置在连接电极55上。即，阴极CA可以直接接触连接电极55。因此，驱动电压线ELVSS和阴极CA可以彼此电连接。
在示例性实施例中，覆盖层CPL可以与驱动电压线ELVSS部分地叠置。即使在这种情况下，覆盖层CPL的端部e2也可以比阴极CA的端部e1更内部地设置。
图8是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。参照图8，根据本示例性实施例的显示装置与根据图7的示例性实施例的显示装置不同之处在于其还包括设置在非显示区域NDA中的第一坝DA1和第二坝DA2。
第一坝DA1和第二坝DA2可以彼此分开，并设置在非显示区域NDA中。
在示例性实施例中，第一坝DA1可以由与显示区域DA中的像素限定层PDL的材料相同的材料制成。即，第一坝DA1可以与像素限定层PDL设置在同一层上。在实施例中，第一坝DA1可以与像素限定层PDL在同一工艺中同时形成。然而，在实施例中，第一坝DA1也可以与像素限定层PDL单独地形成。
第一坝DA1可以与驱动电压线ELVSS和连接电极55至少部分地叠置，第二坝DA2可以设置在第一坝DA1的外部，第二坝DA2可以与驱动电压线ELVSS至少部分地叠置。
在示例性实施例中，第二坝DA2可以包括第一层21和第二层22。第一层21可以由与显示区域DA的钝化膜600的材料相同的材料制成，第二层22可以由与显示区域DA的像素限定层PDL的材料相同的材料制成。连接电极55的一部分可以设置在第一层21与第二层22之间。换句话说，第二层22的下表面可以直接接触第一层21和连接电极55。
在显示装置包括第一坝DA1和第二坝DA2的示例性实施例中，阴极CA和覆盖层CPL可以设置在第一坝DA1内部，阴极CA的端部e1可以接触第一坝DA1，覆盖层CPL的端部e2可以不接触第一坝DA1。因此，覆盖层CPL可以至少部分地暴露阴极CA。
第一无机膜301可以直接接触第一坝DA1和第二坝DA2。即，第一无机膜301可以超出第一坝DA1和第二坝DA2形成。因此，第一无机膜301的端部可以设置在第二坝DA2的外部。
第二无机膜302可以超出第一坝DA1和第二坝DA2形成。因此，第二无机膜302的端部也可以设置在第二坝DA2的外部。
在下文中，将描述根据示例性实施例的制造显示装置的方法。下面描述的一些元件可以与根据上述实施例的显示装置的元件相同，因此将省略元件的描述，以避免冗余。
图9是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图10是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图11是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图12是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图13是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图14是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
在图9至图14中，根据实施例的制造显示装置的方法包括：准备具有层间绝缘膜ILD、钝化膜600和阳极AN并且其中限定了显示区域DA和非显示区域NDA的基底500；在阳极AN上形成中间层EL；在中间层EL上形成阴极CA；在阴极CA上形成覆盖层CPL；以及在覆盖层CPL上形成封装膜300。
首先参照图9，可以准备具有层间绝缘膜ILD、钝化膜600和阳极AN并且其中限定了显示区域DA和非显示区域NDA的基底500。层间绝缘膜ILD、钝化膜600、阳极AN、显示区域DA、非显示区域NDA和基底500可以与上面在根据示例性实施例的显示装置中描述的层间绝缘膜ILD、钝化膜600、阳极AN、显示区域DA、非显示区域NDA和基底500基本相同，因此将省略这些元件的详细描述。
接下来，参照图10，可以在阳极AN上形成中间层EL。在示例性实施例中，可以通过化学气相沉积(CVD)形成中间层EL。
具体地，可以将用于向基底500提供源的源单元S放置成面对基底500。可以将掩模放置在源单元S与基底500之间。在实施例中，掩模可以是微缝掩模。换句话说，掩模可以包括阻挡从源单元S提供的材料的阻挡部分和开口部分。此外，开口部分可以包括多个图案。在本说明书中，掩模的端部是指开口部分的最外边界，并且相同的定义可以应用于下面描述的各种掩模。
再次参照图10，可以将中间层掩模M_EL放置在源单元S与基底500之间。
当在中间层掩模M_EL在适当的位置中的状态下，源单元S提供沉积材料时，可以在基底500上形成中间层EL。
可以将中间层掩模M_EL的端部m1放置在非显示区域NDA中。因此，尽管图10中未示出，但是可以将由与中间层EL的材料相同的材料制成的虚设有机层(未示出)放置在中间层掩模M_EL的端部m1与中间层EL的端部之间。
接下来，参照图11，可以在中间层EL上形成阴极CA。
在示例性实施例中，可以通过CVD形成阴极CA，并且可以将阴极掩模M_CA放置在源单元S与基底500之间。
当在阴极掩模M_CA位于适当的位置中的状态下，源单元S提供沉积材料时，可以在基底500上形成阴极CA。
可以将阴极掩模M_CA的端部m2放置在非显示区域NDA中。
在示例性实施例中，阴极CA的端部e1可以比阴极掩模M_CA的端部m2更外部地设置。这可以是因为由于阴极掩模M_CA和基底500彼此分开而引起的沉积材料侧向扩散。然而，阴极CA的端部e1也可以与阴极掩模M_CA的端部m2对齐。
现在参照图12，可以在阴极CA上形成覆盖层CPL。
在示例性实施例中，可以通过CVD形成覆盖层CPL，并且可以将覆盖层掩模M_CPL放置在源单元S和基底500之间。
当在覆盖层掩模M_CPL位于适当的位置中的状态下，源单元S提供沉积材料时，可以在基底500上形成覆盖层CPL。可以将覆盖层掩模M_CPL的端部m3放置在非显示区域NDA中。
在示例性实施例中，覆盖层CPL的端部e2可以比覆盖层掩模M_CPL的端部m3更外部地设置。这可以是由于如上所述的沉积工艺中的覆盖层掩模M_CPL与基底500之间的公差。然而，覆盖层CPL的端部e2也可以与覆盖层掩模M_CPL的端部m3对齐。
接下来，参照图13，根据示例性实施例的制造显示装置的方法还可以包括在覆盖层CPL上形成保护层BL。
在示例性实施例中，可以通过CVD形成保护层BL。
参照图13，可以将保护层掩模M_BL放置在基底500与源单元S之间。当在保护层掩模M_BL处于适当的位置中的状态下，源单元S提供沉积材料时，可以在基底500上形成保护层BL。可以将保护层掩模M_BL的端部m4放置在非显示区域NDA中。可以将保护层BL放置为完全覆盖中间层EL。保护层掩模M_BL的端部m4可以比保护层BL的端部e3更内部地放置。这可以是由于在沉积工艺中保护层掩模M_BL与基底500之间的公差。然而，保护层掩模M_BL的端部m4和保护层BL的端部e3也可以彼此对齐。
参照图14，可以在覆盖层CPL上形成封装膜300。
通常，在形成覆盖层CPL之后，执行用于部分去除覆盖层CPL的灰化工艺。然而，根据实施例的制造显示装置的方法可以不包括灰化工艺。即，由于可以通过覆盖层CPL部分地暴露阴极CA来确保足够的接触面积，所以可以省略灰化工艺。因此，可以防止会在灰化工艺中发生的诸如腐蚀的现象。
封装膜300可以包括第一无机膜301、第一有机膜303和第二无机膜302。第一无机膜301、第一有机膜303和第二无机膜302可以与上面在根据示例性实施例的显示装置中描述的第一无机膜301、第一有机膜303和第二无机膜302基本相同。
在示例性实施例中，可以通过CVD形成第一无机膜301和第二无机膜302。可以在基底500的整个表面上形成第一无机膜301。因此，第一无机膜301可以直接接触阴极CA、覆盖层CPL和层间绝缘膜ILD。由于封装膜300与上面在根据示例性实施例的显示装置中描述的封装膜300基本相同，因此将省略封装膜300的详细描述。
根据示例性实施例的制造显示装置的方法还可以包括在封装膜300上形成触摸层TL。触摸层TL可以与上面在根据图3的示例性实施例的显示装置中描述的触摸层TL基本相同。因此，将省略触摸层TL的详细描述。
图15是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
在图15中，示出了设置在基底500上的保护层掩模M_BL、覆盖层掩模M_CPL、阴极掩模M_CA和中间层掩模M_EL之间的相对关系。
在示例性实施例中，保护层掩模M_BL的端部m4和中间层掩模M_EL的端部m1可以彼此重合。在这种情况下，保护层BL可以完全覆盖中间层EL。覆盖层掩模M_CPL的端部m3和阴极掩模M_CA的端部m2可以比保护层掩模M_BL的端部m4更外部地设置。阴极掩模M_CA的端部m2可以比覆盖层掩模M_CPL的端部m3更外部地设置。因此，阴极CA的端部e1可以比覆盖层CPL的端部e2更外部地设置。换句话说，覆盖层CPL可以至少部分地暴露阴极CA。
当使用具有图15的关系的掩模时，可以实现根据图3的示例性实施例的显示装置。
图16是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
参照图16，在当前的示例性实施例中，阴极掩模M_CA的端部m2和覆盖层掩模M_CPL的端部m3可以彼此重合。在这种情况下，阴极CA的端部e1和覆盖层CPL的端部e2可以彼此对齐。即，当使用具有图16的关系的掩模时，可以实现根据图5的示例性实施例的显示装置。
图17是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
参照图17，根据当前实施例的制造显示装置的方法与根据图16的示例性实施例的方法不同之处在于，阴极掩模M_CA的端部m2和覆盖层掩模M_CPL的端部m3彼此重合，但是阴极掩模M_CA的厚度比覆盖层掩模M_CPL的厚度小。
在示例性实施例中，阴极掩模M_CA可以具有第一厚度t1，覆盖层掩模M_CPL可以具有第二厚度t2。第一厚度t1可以小于第二厚度t2。
当阴极掩模M_CA薄时，沉积材料可以更可能侧向扩散。因此，阴极CA的端部e1可以比覆盖层CPL的端部e2更外部地设置。换句话说，覆盖层CPL可以至少部分地暴露阴极CA。即，当使用具有图17的关系的掩模时，可以实现根据图3的示例性实施例的显示装置。
图18是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的概念图。
参照图18，根据当前实施例的制造显示装置的方法与根据图15的示例性实施例的方法不同之处在于，保护层掩模M_BL的端部m4、中间层掩模M_EL的端部m1和覆盖层掩模M_CPL的端部m3彼此重合。
当保护层掩模M_BL的端部m4与覆盖层掩模M_CPL的端部m3重合时，保护层BL的端部e3和覆盖层CPL的端部e2可以彼此对齐。即，当使用具有图18中的关系的掩模时，可以实现根据图6的示例性实施例的显示装置。
发明构思的实施例提供了至少一个以下优点，可以稳定地保持显示装置中的封装膜与基底之间的粘合。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是从该描述中，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是由给出的权利要求的更广泛的范围、各种明显的修改和等同布置限定。
Claims (14)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，限定显示区域和设置在所述显示区域外部的非显示区域；
层间绝缘膜，设置在所述基底上；
钝化膜，设置在所述层间绝缘膜上；
阳极，设置在所述钝化膜上；
中间层，设置在所述阳极上；
阴极，设置在所述中间层上；
覆盖层，设置在所述阴极上；以及
封装膜，设置在所述覆盖层上，
其中，所述封装膜在所述非显示区域中直接接触所述层间绝缘膜、所述阴极和所述覆盖层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阴极的端部比所述覆盖层的端部更外部地设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述覆盖层上并与所述中间层叠置的保护层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述覆盖层的端部与所述保护层的端部对齐。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装膜包括：
第一无机膜；
第一有机膜，设置在所述第一无机膜上；以及
第二无机膜，设置在所述第一有机膜上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一无机膜直接接触所述阴极、所述覆盖层和所述层间绝缘膜。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一无机膜和所述层间绝缘膜彼此接触的宽度在50μm至300μm的范围内。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二无机膜直接接触所述第一无机膜和所述层间绝缘膜。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述封装膜上的触摸层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述覆盖层的端部和所述阴极的端部彼此对齐。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述基底上的驱动电压线和连接电极。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述非显示区域中并彼此分开的第一坝和第二坝。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述阴极的端部位于所述第一坝的内部。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二坝包括第一层和设置在所述第一层上的第二层。
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