CN110867522A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 295
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 region Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFASQLIGRADPEE-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ni].[La] Chemical compound [AlH3].[Ni].[La] SFASQLIGRADPEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底,包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域;发光元件,设置在显示区域中;封装层,密封发光元件;以及坝状件,设置在非显示区域中。坝状件包括第一层和位于第一层上的第二层,第一层包括:第一部分,具有第一高度;以及第二部分,具有小于第一高度的第二高度,并且第二层覆盖第一部分的侧表面。
Description
本申请要求于2018年8月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0100270号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置,具体地,涉及一种有机发光装置。
背景技术
通过在基底上形成发光元件和用于驱动发光元件的电路元件来制造有机发光装置。玻璃用作显示装置的基底。然而,玻璃基底重且易碎。此外,玻璃基底是刚性的,因此难以使显示装置的形状变形。
近来,已经在开发使用轻质、抗冲击性强且易于变形的柔性基底的显示装置。为了防止外部湿气或氧渗透到显示装置中,正在开发用于在发光元件上直接形成封装层而不是用封装基底密封发光元件的技术。为了防止诸如单体的材料在形成封装层时溢出到显示装置的外部,显示装置可以包括坝状件。当坝状件的粘性弱时,坝状件会剥离,在这种情况下,坝状件会不起作用,或者坝状件会破裂而污染显示装置的其它部分。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景的理解,因此它可能包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例提供了一种用于防止坝状件剥离的显示装置,坝状件阻止封装层的形成材料溢出。
示例性实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域;发光元件设置在显示区域中;封装层,密封发光元件;以及坝状件,设置在非显示区域中。
坝状件包括第一层和位于第一层上的第二层,第一层包括:第一部分,具有第一高度;以及第二部分,具有比第一高度小的第二高度,第二层覆盖
第一部分的侧表面。
显示装置还可以包括设置在基底与坝状件之间的无机绝缘层。第一层可以与无机绝缘层接触,第二层可以与无机绝缘层不接触。
第二部分可以位于第一部分的外侧。
第二部分可以设置在第一部分的各侧上。
第一层和第二层可以分别包括有机材料。
显示装置还可以包括:第一有机绝缘层,设置在基底与发光元件之间;以及第二有机绝缘层,设置在第一有机绝缘层与封装层之间。第一层可以与第一有机绝缘层形成为具有相同的材料的同一层,第二层可以与第二有机绝缘层形成为具有相同的材料的同一层。
显示装置还可以包括设置在第一层与第二层之间的导电层。
显示装置还可以包括在非显示区域中设置在无机绝缘层上的电压传输线,其中,导电层可以连接到电压传输线。
导电层可以处于电浮置状态。
发光元件可以包括第一电极、位于第一电极上的发射层和位于发射层上的第二电极。导电层可以与第一电极形成为具有相同的材料的同一层。
显示装置还可以包括设置在坝状件与显示区域之间的附加坝状件。附加坝状件可以是与导电层接触的部分。
附加坝状件可以由与第二层的材料相同的材料形成,或者由与第二层的材料不同的材料形成。
封装层可以包括第一无机层、第二无机层和位于第一无机层与第二无机层之间的有机层。坝状件可以围绕显示区域,第一无机层和第二无机层可以在坝状件上彼此接触。
另一实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:发光元件,设置在显示区域中;封装层,密封发光元件;连接构件,设置在位于显示区域周围的非显示区域中;以及坝状件,设置在非显示区域中,并包括第一层和位于第一层上的第二层。连接构件设置在第一层与第二层之间,并且覆盖第一层的内表面、上表面和外表面,第二层覆盖第一层的内表面、上表面和外表面。
第二层可以覆盖连接构件的端部部分。
连接构件可以相对于坝状件的各侧突出。
显示装置还可以包括设置在基底与坝状件之间的无机绝缘层。第一层可以与无机绝缘层接触,第二层可以与无机绝缘层不接触。
连接构件可以具有设置在第一层与第二层之间且非连续形成的部分。
显示装置还可以包括设置在非显示区域中并传输共电压的电压传输线。连接构件可以连接到电压传输线。
显示装置还可以包括:第一有机绝缘层,设置在基底与发光元件之间;以及第二有机绝缘层,设置在第一有机绝缘层与封装层之间。第一层与第一有机绝缘层可以由相同的材料形成在同一平面上。第二层与第二有机绝缘层可以由相同的材料形成在同一平面上。
根据示例性实施例,能够防止为了防止封装层的形成材料溢出而设置的坝状件剥离。此外,可以提供在整个说明书中可识别的效果。
附图说明
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
图2、图3、图4和图5示出了根据示例性实施例的关于图1的线A-A'的剖视图。
图6、图7和图8示出了根据示例性实施例的关于图1的线B-B'的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明构思,附图中示出了发明构思的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的,在都不脱离本发明构思的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在整个说明书中,同样的附图标记指示同样的元件。在附图中,为了清楚地说明各个层和区域的布置和相对位置,可以放大或缩小它们的厚度或尺寸。
将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底等的元件被称为“在”另一元件“上”时,它可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反地,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
除非明确地描述为相反,否则词语“包括”及其变型将被理解为意指包含所陈述的元件但不排除任何其它元件。
短语“在平面上”意味着从顶部观看物体部分,短语“在剖面上”意味着从侧面观看物体部分被竖直切割的剖面。
在附图中,用于表示方向的术语x表示第一方向,术语y表示垂直于第一方向的第二方向,术语z表示垂直于第一方向和第二方向的第三方向。
现在,将参照附图来描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
参照图1,显示装置包括显示面板10、附着到显示面板10的柔性印刷电路膜20和包括集成电路芯片30的驱动器。
显示面板10包括显示区域DA和非显示区域NA,显示区域DA与用于显示图像的屏幕对应,非显示区域NA被设置为围绕显示区域DA,并且用于产生和/或传输施加到显示区域DA的各种信号的电路和/或信号线设置在非显示区域NA中。在图1中,用交替的长短虚线表示的四边形的内侧和外侧分别对应于显示区域DA和非显示区域NA。
像素PX在显示面板10的显示区域DA中示例性地设置为矩阵。诸如扫描线(也称为栅极线)、发射控制线、数据线或驱动电压线的信号线(未示出)设置在显示区域DA中。每个像素PX连接到扫描线、发射控制线、数据线和驱动电压线,因此它可以从信号线接收扫描信号(也称为栅极信号)、发射控制信号、数据信号和驱动电压。
显示区域DA可以包括用于感测用户的接触触摸或非接触触摸的触摸传感器层。示出了具有倒圆角的四边形形状的显示区域DA,但是除了四边形之外,显示区域DA还可以具有诸如多边形、圆形或椭圆形的各种形状。
具有用于从显示面板10的外部接收信号的垫的垫(pad,也可以称为“焊盘”)部PP设置在显示面板10的非显示区域NA中。垫部PP可以沿显示面板10的边缘在第一方向x上延伸。柔性印刷电路膜20结合到垫部PP,柔性印刷电路膜20的垫可以电连接到垫部PP的垫。
用于产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动器设置在显示面板10的非显示区域NA中。驱动器可以包括用于将数据信号施加到数据线的数据驱动器、用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器、用于将发射控制信号施加到发射控制线的发射驱动器以及用于控制数据驱动器、扫描驱动器和发射驱动器的信号控制器。扫描驱动器和发射驱动器可以集成在显示面板10上,并且它们可以设置在显示区域DA的各侧或一侧上。数据驱动器和信号控制器可以设置为集成电路芯片(即,驱动IC芯片)30,集成电路芯片30可以安装在显示面板10的非显示区域NA中。集成电路芯片30可以安装在可以连接到显示面板10的柔性印刷电路膜20上,并且可以电连接到显示面板10。
显示面板10包括用于覆盖显示区域DA的封装层EN。封装层EN密封显示区域DA以防止湿气或氧渗透到显示面板10中。封装层EN的边缘可以设置在显示面板10的边缘与显示区域DA之间。围绕显示区域DA的坝构件DM设置在非显示区域NA中。坝构件DM防止封装层EN的形成材料(具体地,有机材料)溢出到显示面板10的外部。坝构件DM可以包括至少一个坝状件。
显示面板10包括弯曲区域BR。弯曲区域BR可以在显示区域DA与垫部PP之间设置在非显示区域NA中。弯曲区域BR可以设置为沿第一方向x横穿显示面板10。显示面板10可以相对于在弯曲区域BR中的平行于第一方向x的弯曲轴以预定的曲率半径弯曲。当显示面板10是顶发射型时,设置在弯曲区域BR的外部的垫部PP和柔性印刷电路膜20可以弯曲,使得它们可以被设置到显示面板10的后侧。在应用显示装置的电子装置中,显示面板10可以像所描述的那样弯曲。弯曲区域BR可以相对于一个弯曲轴弯曲,或者弯曲区域BR可以相对于多个弯曲轴弯曲。弯曲区域BR在附图中被示出为设置在非显示区域NA中,但是弯曲区域BR可以设置在显示区域DA和非显示区域NA中,或者设置在显示区域DA中。
图2、图3、图4和图5示出了根据示例性实施例的关于图1的线A-A'的剖视图。
将参照图2详细描述显示面板10的剖面结构,并且将通过聚焦于与图2的示例性实施例的不同之处来描述图3、图4和图5的示例性实施例。
参照图2,示出了在显示面板10的左边缘周围的剖面。显示面板10的右边缘部分可以具有与左边缘部分基本对称的剖面结构。
显示面板10包括基底110以及形成在基底110上的多个层、布线和元件。多个像素设置在显示面板10的显示区域DA中,并且为了避免附图的复杂性,将简要地示出一个像素。此外,每个像素包括晶体管、电容器和发光元件,现在将集中于一个晶体管TR和与晶体管TR连接的一个发光元件LD来描述显示面板10的堆叠结构。
基底110可以是柔性基底。基底110可以由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚合物制成。
用于防止外部湿气渗透的阻挡层115设置在基底110上。阻挡层115可以包括诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料。
缓冲层120设置在阻挡层115上。缓冲层120可以阻挡可能从基底110渗透到半导体层154的杂质,并且可以减小在形成半导体层154的工艺中施加到基底110的应力。缓冲层120可以包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料。
晶体管TR的半导体层154设置在缓冲层120上。半导体层154包括:沟道区,与栅电极124叠置;以及源区和漏区,设置在沟道区的两侧上并掺杂有杂质。半导体层154可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料的第一绝缘层140设置在半导体层154上。第一绝缘层140可以被称为栅极绝缘层。
包括扫描线和晶体管TR的栅电极124的栅极导体设置在第一绝缘层140上。栅极导体可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)的金属或者它们的金属合金。
第二绝缘层160设置在第一绝缘层140和栅极导体上。第二绝缘层160可以包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料。第二绝缘层160可以被称为层间绝缘层。
包括数据线、驱动电压线、电压传输线177以及晶体管TR的源电极173和漏电极175的数据导体设置在第二绝缘层160上。源电极173和漏电极175可以通过形成在第二绝缘层160和第一绝缘层140中的接触孔而分别连接到半导体层154的源区和漏区。电压传输线177可以传输共电压(ELVSS)。数据导体可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)和钽(Ta)的金属或者它们的金属合金。数据导体可以是诸如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钛/铜/钛(Ti/Cu/Ti)或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的多层。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层154一起形成晶体管TR。关于示出的晶体管TR,栅电极124设置在半导体层154上方,晶体管TR的构造不限于此,而是可以以各种方式修改。
第三绝缘层180设置在第二绝缘层160和数据导体上。第三绝缘层180可以包括有机绝缘材料,例如,它可以包括聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物或硅氧烷类聚合物。
发光元件LD的第一电极E1设置在第三绝缘层180上。第一电极E1可以通过形成在第三绝缘层180中的接触孔连接到漏电极175。连接到电压传输线177的连接构件195设置在第三绝缘层180上。为了使连接构件195和电压传输线177连接,去除了第三绝缘层180的与电压传输线177叠置的部分。作为导电层的连接构件195可以与第一电极E1在同一工艺中由相同的材料形成。在示例性实施例中,作为导电层的连接构件195可以与第一电极E1形成为具有相同的材料的同一层。第一电极E1和连接构件195可以包括诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、铝钕(AlNd)或铝镍镧(AlNiLa)的金属或者它们的金属合金。第一电极E1和连接构件195可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。第一电极E1和连接构件195可以由诸如ITO/银(Ag)/ITO或ITO/铝(Al)的多层形成。
包括与第一电极E1叠置的开口的第四绝缘层360设置在第三绝缘层180上。第四绝缘层360的开口可以限定每个像素区域,可以被称为像素限定层。第四绝缘层360可以包括有机绝缘材料。
发射层EL设置在第一电极E1上,第二电极E2设置在发射层EL上。第二电极E2连接到连接构件195。连接构件195连接到电压传输线177,所以第二电极E2通过连接构件195电连接到电压传输线177,并且可以接收共电压(ELVSS)。第二电极E2可以通过形成具有低逸出功的金属(诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)或银(Ag))的薄膜而允许具有透光性。第二电极E2可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成。每个像素的第一电极E1、发射层EL和第二电极E2构成诸如有机发光二极管的发光元件LD。
封装层EN设置在第二电极E2上。封装层EN可以密封发光元件LD以防止外部湿气或氧渗透。封装层EN通过堆叠至少一个无机层和至少一个有机层来形成。在示出的示例性实施例中,封装层EN是包括第一无机层391、第二无机层393和设置在第一无机层391与第二无机层393之间的有机层392的薄膜封装层。第一无机层391和覆盖有机层392的侧表面的第二无机层393形成为比有机层392宽,第一无机层391可以在封装层EN的边缘部分中与第二无机层393接触。有机层392可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂。
可以在封装层EN上设置用于减少外部光的反射的偏振层(未示出),可以在封装层EN与偏振层之间设置包括用于感测触摸的触摸电极的触摸传感器层(未示出)。
坝构件DM在非显示区域NA中设置在第二绝缘层160上。坝构件DM可以防止诸如单体的有机材料在形成封装层EN的有机层392时溢出,因此,封装层EN的有机层392的边缘总体上可以设置在坝构件DM的内侧,即,在坝构件DM与显示区域DA之间。形成封装层EN的第一无机层391和第二无机层393可以形成为在第一坝状件D1和第二坝状件D2上方延伸。在这种情况下,可以增大第一无机层391和第二无机层393的接触面积,以增大第一无机层391与第二无机层393之间的粘合性。
坝构件DM可以包括第一坝状件D1和第二坝状件D2。第一坝状件D1可以设置为比第二坝状件D2更靠近显示区域DA。第二坝状件D2可以形成为比第一坝状件D1高。第一坝状件D1可以形成为至少一层。第一坝状件D1可以与第四绝缘层360在同一工艺中由相同的材料形成。第一坝状件D1的下表面可以与连接构件195接触,或者可以与第二绝缘层160接触。第二坝状件D2可以包括多个层。第二坝状件D2可以包括第一层L1和设置在第一层L1上的第二层L2。连接构件195可以设置在第一层L1与第二层L2之间。第一层L1可以与第三绝缘层180在同一工艺中由相同的材料形成。在示例性实施例中,第一层L1与第三绝缘层180可以由相同的材料形成在同一平面上。第一层L1的下表面可以与第二绝缘层160接触。第二层L2可以与第四绝缘层360在同一工艺中由相同的材料形成。在示例性实施例中,第二层L2与第四绝缘层360可以由相同的材料形成在同一平面上。因此,第一坝状件D1、第二坝状件D2的第二层L2和第四绝缘层360可以通过形成有机绝缘材料并对其进行图案化而一起形成。在这种情况下,当第二层L2包括与第二绝缘层160接触的部分时,第二层L2的相应部分可能剥离。产生这种剥离是因为作为无机层的第二绝缘层160是亲水性的而作为有机层的第二层L2是疏水性的,并且第二层L2和第二绝缘层160的界面粘性相应地弱。以另一种方式,第一坝状件D1可以由与第二坝状件D2的第二层L2不同的材料形成,或者它可以在另一种工艺中形成。
为了去除第二层L2与第二绝缘层160接触的部分或使第二层L2与第二绝缘层160接触的部分最小化,第一层L1包括像台阶一样具有不同高度的两个部分P1和P2。也就是说,第一层L1具有包括相对高的第一部分P1和相对低的第二部分P2的两个部分。第二部分P2可以设置在第一部分P1的外侧,也就是说,第二部分P2可以设置为远离显示区域DA。当以这种方式形成第一层L1时,第二层L2的在第二部分P2不存在时会与第二绝缘层160接触的部分可以设置在第一层L1的第二部分P2上以防止第二层L2与第二绝缘层160接触。第二层L2可以覆盖第一部分P1的侧表面和上表面,并且它可以覆盖第二部分P2的上表面的至少一部分。如所描述的,当形成第二坝状件D2时,作为有机层的第二层L2设置在作为有机层的第一层L1上,从而通过增大第二层L2与下层(第一层L1)的粘合性来防止第二层L2剥离。
具有不同高度的第一部分P1和第二部分P2可以通过使用半色调掩模来形成。当执行用于形成第二层L2的光刻工艺时,能够在软烘(soft bake)期间在有机层(第一层L1与第二层L2)之间建立额外的桥接件,因此可以进一步增大第二层L2的粘合性。
用于保护显示面板10的钝化膜50设置在显示面板10下方。钝化膜50可以通过粘合剂附着到显示面板10的后侧。钝化膜50可以由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚乙烯硫醚的塑料制成。
参照图3,在第二坝状件D2中位于第一层L1与第二层L2之间的连接构件195覆盖第一层L1的内表面(面对显示区域DA的侧表面)、上表面和外表面(与面对显示区域DA的侧背对的侧表面),并延伸以完全通过第一层L1。设置在第一层L1和连接构件195上的第二坝状件D2的第二层L2覆盖第一层L1的内表面、上表面和外表面。第二层L2覆盖连接构件195的端部部分,第二层L2的下表面包括与作为无机层的第二绝缘层160接触的部分,而第二层L2的下表面主要与连接构件195接触。诸如ITO或金属的导电层与有机层具有优异的界面粘性,因此作为有机层的第二层L2不会从作为导电层的连接构件195剥离。如所描述的,当形成第二坝状件D2和连接构件195时,可以使第二层L2的下表面与作为无机层的第二绝缘层160接触的部分最小化,从而防止第二层L2剥离。
参照图4,设置在第一层L1与第二层L2之间的连接构件195延伸以通过第二坝状件D2。也就是说,连接构件195相对于第二层L2的各侧突出。在这种情况下,第二层L2的下表面与第二绝缘层160不接触,而是与连接构件195接触,从而防止第二层L2剥离。
参照图5,与图3的示例性实施例相比,在第一层L1与第二层L2之间的连接构件195非连续形成。也就是说,连接构件195在第一层L1与第二层L2之间断开。然而,由于连接构件195设置在第二绝缘层160与第二层L2的下表面之间,所以可以通过使第二层L2的下表面与作为无机层的第二绝缘层160接触的部分最小化来防止第二层L2剥离。
图6、图7和图8示出根据示例性实施例的关于图1的线B-B'的剖视图。
上述图2至图5示出了关于显示面板10的左边缘的剖视图,图6至图8示出了关于设置有显示面板10的垫部PP的边缘的剖视图。现在将参照图6来描述与图2的示例性实施例的不同之处。
参照图6,坝构件DM围绕显示区域DA,所以第一坝状件D1和第二坝状件D2设置在设置有显示面板10的垫部PP的下边缘周围。图2中示出的电压传输线177可以不设置在显示面板10的下边缘周围,因此,可以不设置用于使电压传输线177和第二电极E2电连接的连接构件195。第一坝状件D1的下表面可以与第二绝缘层160接触,第二坝状件D2的第一层L1的下表面可以与第二绝缘层160接触。为了防止第二坝状件D2的第二层L2与第二绝缘层160接触,第一层L1包括彼此具有不同高度的第一部分P1和第二部分P2。相对低的第二部分P2在相对高的第一部分P1的各侧上突出。第二层L2覆盖第一部分P1的侧表面和上表面,并覆盖第二部分P2的上表面的至少一部分。如所描述的,可以在形成第二坝状件D2时通过增大第二层L2的粘合性来防止第二层L2剥离。可以通过使用半色调掩模来形成具有不同高度的第一部分P1和第二部分P2。
关于弯曲区域BR,用于使设置在各侧上的第一布线127和第二布线129电连接的连接布线179设置在弯曲区域BR中。因此,由集成电路芯片30输出的信号(例如,数据信号、控制信号和电压信号)和输入到垫部PP的垫的信号(例如,驱动电压(ELVDD)和共电压(ELVSS))可以通过第二布线129、连接布线179和第一布线127传输到显示区域DA和驱动器。连接布线179在弯曲区域BR弯曲时弯曲,所以它可以由柔性的并具有优异的杨氏模量的金属形成。连接布线179可以与源电极173和漏电极175在同一工艺中由相同的材料形成。当连接布线179的柔性增大时,连接布线179的应变的应力减小,因此可以降低连接布线179劣化(例如,产生裂缝)或断开的风险。
在弯曲区域BR中,第一保护层165设置在基底110与连接布线179之间。第一保护层165可以包括有机绝缘材料,诸如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物或硅氧烷类聚合物。第二保护层185和第三保护层365设置在连接布线179上。第二保护层185可以与第三绝缘层180在同一工艺中由相同的材料形成。第三保护层365可以与第四绝缘层360在同一工艺中由相同的材料形成。用于减小拉应力并保护连接布线179的弯曲保护层400设置在第三保护层365上。弯曲保护层400可以称为应力中和层。弯曲保护层400可以包括诸如丙烯酸树脂的有机绝缘材料。
可以从弯曲区域BR去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和作为包括无机绝缘材料的无机绝缘层的阻挡层115。这是因为无机封装层在弯曲时可能会容易破裂,并且布线会因破裂而损坏。
钝化膜50设置为覆盖显示面板10的后侧,但不设置在弯曲区域BR中,从而减小弯曲区域BR的弯曲应力。可以通过在显示面板10的整个后侧上附着钝化膜并去除设置在弯曲区域BR中的钝化膜部分来形成钝化膜50。
关于第二坝状件D2的结构,参照图7和图8示出的示例性实施例与参照图6示出的示例性实施例不同。参照图7,导电层199在第二坝状件D2中设置在第一层L1与第二层L2之间。导电层199覆盖第一层L1的内表面(朝向显示区域DA设置的侧表面)、上表面和外表面(与朝向显示区域DA设置的侧背对的侧表面),并且导电层199延伸到第一层L1的各个侧。设置在第一层L1上的第二坝状件D2的第二层L2和导电层199覆盖第一层L1的内表面、上表面和外表面。第二层L2覆盖导电层199的端部部分,第二层L2的下侧与导电层199接触。参照图8,在第二坝状件D2中设置在第一层L1与第二层L2之间的导电层199延伸以通过第二坝状件D2。也就是说,导电层199相对于第二层L2的各侧突出。当如上所述地形成第二坝状件D2和导电层199时,可以使第二层L2的下侧与作为无机层的第二绝缘层160不接触或者可以使第二层L2的下侧与作为无机层的第二绝缘层160接触的部分最小化,从而防止第二层L2剥离。
导电层199用于改善第二层L2的粘合性,并且导电层199处于电浮置状态。导电层199可以与发光元件LD的第一电极E1在同一工艺中由相同的材料形成。
虽然已经结合当前被认为是实际的示例性实施例的内容描述了该发明构思,但将理解的是,发明构思不限于公开的实施例,而是相反地,意在涵盖包括在所附权利要求的精神的范围内的各种修改和等同布置。
Claims (10)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域;
发光元件,设置在所述显示区域中;
封装层,密封所述发光元件;以及
坝状件,设置在所述非显示区域中,
其中,所述坝状件包括第一层和位于所述第一层上的第二层,
所述第一层包括:第一部分,具有第一高度;以及第二部分,具有小于所述第一高度的第二高度,并且
所述第二层覆盖所述第一部分的侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
无机绝缘层,设置在所述基底与所述坝状件之间,
其中,所述第一层与所述无机绝缘层接触,并且所述第二层与所述无机绝缘层不接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
导电层,设置在所述第一层与所述第二层之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
电压传输线,在所述非显示区域中设置在所述无机绝缘层上,
其中,所述导电层连接到所述电压传输线。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述导电层处于电浮置状态。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述发光元件包括第一电极、位于所述第一电极上的发射层和位于所述发射层上的第二电极,并且
所述导电层与所述第一电极形成为具有相同的材料的同一层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二部分位于所述第一部分的外侧。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二部分设置在所述第一部分的各侧上。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一层和所述第二层包括有机材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一有机绝缘层,设置在所述基底与所述发光元件之间;以及
第二有机绝缘层,设置在所述第一有机绝缘层与所述封装层之间,
其中,所述第一层与所述第一有机绝缘层由相同的材料形成在同一平面上,并且所述第二层与所述第二有机绝缘层由相同的材料形成在同一平面上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0100270 | 2018-08-27 | ||
KR1020180100270A KR102625708B1 (ko) | 2018-08-27 | 2018-08-27 | 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110867522A true CN110867522A (zh) | 2020-03-06 |
CN110867522B CN110867522B (zh) | 2024-06-11 |
Family
ID=69587155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910794471.7A Active CN110867522B (zh) | 2018-08-27 | 2019-08-27 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10916728B2 (zh) |
KR (1) | KR102625708B1 (zh) |
CN (1) | CN110867522B (zh) |
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KR20210102562A (ko) | 2020-02-11 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |