CN108411270A - 一种立式硅片磁控溅射镀膜机 - Google Patents

一种立式硅片磁控溅射镀膜机 Download PDF

Info

Publication number
CN108411270A
CN108411270A CN201810448149.4A CN201810448149A CN108411270A CN 108411270 A CN108411270 A CN 108411270A CN 201810448149 A CN201810448149 A CN 201810448149A CN 108411270 A CN108411270 A CN 108411270A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
chamber
hanging plate
vacuum
distributive pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810448149.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108411270B (zh
Inventor
李纲
周通之
隆组义
罗立珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan Navigate Technology Co ltd
Hunan Zhongyuan Technology Co ltd
Original Assignee
Hunan Tianyi Navigation Technology Co Ltd
Hengyang Feiermu Vacuum Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunan Tianyi Navigation Technology Co Ltd, Hengyang Feiermu Vacuum Equipment Co Ltd filed Critical Hunan Tianyi Navigation Technology Co Ltd
Priority to CN201810448149.4A priority Critical patent/CN108411270B/zh
Publication of CN108411270A publication Critical patent/CN108411270A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108411270B publication Critical patent/CN108411270B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种立式硅片磁控溅射镀膜机，包括：真空室、设置在真空室内用于悬挂和移动硅片的传动装置，以及用于抽真空的真空抽气系统、用于供电和控制工作状态的电源控制系统；所述真空室包括互相密封连接的清洗室和溅射室，清洗室内设置有离子清洗电极，溅射室内设置有溅射靶；传动装置包括设置在真空室内的硅片挂板、挂板底座、轨道车，硅片挂板与挂板底座可拆卸连接，轨道车顶部开设有凹槽，挂板底座底部设置有凸出部，挂板底座通过凸出部和凹槽的配合与轨道车固定插接。采用本设计可以减少真空室体积、真空效果好，并且取放硅片方便，能够有效去除硅片表面残渣并加热，镀膜后的成片效果好。

Description

一种立式硅片磁控溅射镀膜机
技术领域
本发明涉及真空镀膜领域，特别是一种立式硅片磁控溅射镀膜机。
背景技术
立式硅片磁控溅射镀膜机用于在真空环境下利用磁控溅射靶给硅片上镀上一层或多层金属膜，悬挂硅片的硅片放置板利用传动装置在真空室内移动，常规的传动轨道顶部为平面，将硅片放置板直接放置在轨道上移动，为了保持平衡轨道和硅片放置板都必须设计得较宽，导致真空室的宽度也必须设计得较宽，这样真空室的容积增大，真空效果不好，影响镀膜效果；还存在的一个问题是放硅片和取硅片需要将整个硅片放置板从真空室取出，硅片放置板尺寸较大时很不方便。
此外硅片上一般附着有气体残渣或其他污渍，镀膜时如果不将污渍清除会导致镀膜不均匀，最后镀膜得到的成片质量不佳，可以采用离子清洗电极将气体电离对硅片表面进行清洗，然而传统设计的离子清洗电极散热效果不佳，设备故障率高。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种真空效果好、镀膜效果好，成片质量佳的立式硅片磁控溅射镀膜机。
本发明采用的技术方案是：
一种立式硅片磁控溅射镀膜机，包括：真空室、设置在真空室内用于悬挂和移动硅片的传动装置，以及与真空室相连的真空抽气系统和用于供电和控制的电源控制系统；
所述真空室包括互相密封连接的的清洗室和溅射室，所述清洗室内设置有离子清洗电极，所述溅射室内设置有溅射靶；
所述传动装置包括设置在真空室内的硅片挂板、挂板底座、轨道车，所述硅片挂板与挂板底座可拆卸连接，所述轨道车顶部开设有凹槽，所述挂板底座底部设置有凸出部，挂板底座通过凸出部和凹槽的配合与轨道车固定插接。
进一步的，所述离子清洗电极包括电极接头、水冷电极、进水接头、出水接头和分水管，所述电极接头与水冷电极相连；
所述分水管包括贯穿水冷电极和电极接头的第一内分水管、第二内分水管，以及位于水冷电极顶部两侧的外分水管网，所述进水接头通过第一内分水管与外分水管网相连，所述出水接头通过第二内分水管与外分水管网相连；
所述电极接头外覆盖有绝缘套，所述绝缘套外覆盖有外屏蔽罩，所述外屏蔽罩与清洗室内的支架底部相连，所述水冷电极与清洗室内的支架之间设置有密封绝缘套。
进一步的，所述水冷电极的顶端设置有内盒体和外盒体，所述外盒体的底边与清洗室内的支架相接，所述内盒体和外盒体之间设置有绝缘隔离片；
所述进水接头插入电极接头并与第一内分水管的进水口相连，所述出水接头插入电极接头并与第二内分水管出水口相连，所述第一内分水管出水口与外分水管网的进水口相连，所述第二内分水管的进水口与外分水管网的出水口相连；所述外分水管网通过若干设置在内盒体上的支撑台固定。
进一步的，所述挂板底座和轨道车的接触面之间设置有绝缘层，所述轨道车侧边设置有从动轮，所述真空室外壁与从动轮对应处设置有驱动轮，所述驱动轮与从动轮通过转动轴相连，以用于驱动轨道车运动。
进一步的，所述凹槽包括设置在轨道车顶部中间位置的第一凹槽和设置在轨道车顶部两侧的若干第二凹槽，所述凸出部包括设置在挂板底座底部与第一凹槽对应的第一凸出部、与若干第二凹槽对应的若干第二凸出部，所述第一凸出部与第一凹槽配合插接，所述若干第二凸出部与若干第二凹槽配合插接。
进一步的，所述溅射室包括依次排列的铬溅射室、金溅射室和铝溅射室，所述铬溅射室与清洗室相连。
进一步的，所述铬溅射室内设置有平面铬靶，所述金溅射室设置有一平面金靶，所述铝溅射室设置有圆柱铝靶。
进一步的，所述清洗室、铬溅射室、金溅射室、铝溅射室内部上方皆设置有两个防倾轮，所述硅片挂板的顶部位于两个防倾轮之间，以用于防止硅片挂板倾斜。
进一步的，所述真空抽气系统包括若干旋涡泵、分子泵、真孔锁和阀门，所述旋涡泵和分子泵通过阀门分别与清洗室、溅射室相连以用于抽取真空，所述真空锁设置在清洗室的两端。
其中，所述电源控制系统包括PLC控制柜和电源柜，所述电源柜用于供电，所述PLC控制柜用于控制离子清洗电极、真空抽气系统、溅射靶、传动装置的工作状态。
本发明的有益效果：
本发明将传统的整块硅片放置板分成硅片挂板和挂板底座，挂板底座通过凸出部与设置有凹槽的轨道车相连，采用这种结构的连接方式可以大大缩小硅片挂板、挂板底座和轨道小车的宽度并且不影响移动的平衡性，进而整个真空室的容积可以大大减少，真空效果好，提高了镀膜质量；此外将硅片挂板和挂板底座设计成可拆卸方式，放硅片和取硅片时只需将挂板底座上悬挂有硅片的硅片挂板取下再装上即可，更加方便，此外在溅射室之前设置有清洗室，在真空环境下通过离子清洗电极将气体电离清洗硅片表面的残渣，离子清洗电极上设置有分水管用于散热，故障率低。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的说明；
图1为本发明立式硅片磁控溅射镀膜机的侧视图；
图2为本发明立式硅片磁控溅射镀膜机的斜视图；
图3为本发明真空室的俯视图；
图4为本发明离子清洗电极的示意图；
图5为本发明传动装置的侧面剖视图；
图6为图5中传动装置标识部分的放大示意图。
具体实施方式
如图1-图6所示为本发明的一种立式硅片磁控溅射镀膜机，包括：真空室、设置在真空室内用于悬挂和移动硅片的传动装置1，以及真空抽气系统和电源控制系统；
如图5-图6所示，传动装置1包括设置在真空室内的硅片挂板13、挂板底座14、轨道车15，硅片挂板13与挂板底座14可拆卸连接；轨道车15顶部开设有凹槽，挂板底座14底部设置有凸出部，挂板底座14通过凸出部和凹槽的配合与轨道车15固定插接。
其中，凹槽包括设置在轨道车15顶部中间位置的第一凹槽151和设置在轨道车15顶部两侧的若干第二凹槽152，凸出部包括设置在挂板底座14底部与第一凹槽151对应的第一凸出部141、与若干第二凹槽152对应的若干第二凸出部142，第一凸出部141与第一凹槽151配合插接，若干第二凸出部142与若干第二凹槽152配合插接。
为了加强绝缘性，挂板底座14和轨道车15的接触面之间设置有绝缘层，优选的，绝缘层为聚四氟乙烯涂层，当然也可以采用其他绝缘材料，聚四氟乙烯涂层可以涂在挂板底座14或轨道车15任意一方的接触面上，也可以两面均涂有聚四氟乙烯。为了进一步加强绝缘性，若干第二凹槽152内皆设置有胶圈。
其中，轨道车15侧边设置有从动轮161，真空室外壁与从动轮161对应处设置有驱动轮162，驱动轮162与从动轮161通过转动轴163相连，以用于驱动轨道车15运动，本发明对于驱动轮162的驱动方式不做限定，驱动轮162可以直接与电机转动轴相连，也可以通过链条带动其转动，本实施例中是采用链条的方式带动其转动。
为了进一步加强硅片挂板13移动过程中的稳定性，在真空室内部上方设置有两个防倾轮17，硅片挂板13的顶部夹在两个防倾轮17之间，挂板底座14上设置有固定硅片挂板13的挡片19，挡片19设置在硅片挂板13与挂板底座14连接处的两端，挡片19通过螺栓调整和固定位置，避免硅片挂板13在移动过程中倾斜或位移造成镀膜效果不佳。在挂板底座14上还设置有位置传感器18，以用于向PLC控制柜传输位置信息。
本发明中的传动装置将传统的整块硅片放置板分成硅片挂板13和挂板底座14，挂板底座14通过凸出部与设置有凹槽的轨道车15相连，采用这种结构的连接方式可以大大缩小硅片挂板13、挂板底座14和轨道小车的宽度并且不影响移动的平衡性，进而整个真空室的容积可以大大减少，真空效果好，提高了镀膜质量；此外将硅片挂板13和挂板底座14设计成可拆卸方式，放硅片和取硅片时只需将挂板底座14上悬挂有硅片的硅片挂板13取下再装上即可，更加方便。
在挂板底座14和轨道车接触面设置有绝缘层聚四氟乙烯，通过第二凹槽152内的胶圈进一步加强了绝缘性，有效避免了镀膜时因为绝缘效果不佳产生的边缘效应，使镀膜效果更均匀，提高了成片质量。
如图1-图2所示，所述真空室包括互相密封连接的的清洗室2和溅射室3，还包括与溅射室相连的传输室4，清洗室2内设置有离子清洗电极，离子清洗电极内设置有用于散热的分水管，溅射室内设置有溅射靶。
其中，溅射室3包括依次排列的铬溅射室31、金溅射室32和铝溅射室33，铬溅射室31与清洗室2相连，铝溅射室33与传输室4相连，传输室4还与上下片台区6相连。铬溅射室31内设置有平面铬靶311，金溅射室32设置有一平面金靶321，铝溅射室33设置有圆柱铝靶331。
如图1、图3所示，真空抽气系统包括两台旋涡泵51、四台分子泵52、两套真孔锁53，旋涡泵51和分子泵52分别与清洗室2、溅射室3相连以用于抽取真空，两套真空锁53分别设置在清洗室2的两端。
其中，为了达到最佳真空效果，清洗室2配置一台旋涡泵和一台分子泵，溅射室3配置一台旋涡泵和三台分子泵。
如图4所示，离子清洗电极包括电极接头21、水冷电极22，电极接头21与水冷电极22相连；分水管包括进水接头231、出水接头232，以及贯穿水冷电极22和电极接头21的第一内分水管241、第二内分水管242，以及位于水冷电极22顶部两侧的外分水管网243，进水接头231通过第一内分水管241与外分水管网243相连，出水接头232通过第二内分水管242与外分水管网243相连；
其中，进水接头231插入水冷电极21底部并与电极接头21内的第一内分水管241的进水口相连，出水接头232从电极接头21侧面插入并与电极接头21内的第二内分水管242出水口相连，出水接头232和进水接头231的插入位置不属于本发明的保护范围，可以根据需要做对调或其他调整；第一内分水管241出水口与外分水管网243的进水口相连，第二内分水管242的进水口与外分水管网243的出水口相连；为了加强散热效果，外分水管网243的长度应大于电极内的第一内分水管241、第二内分水管242的长度，此外外分水管网243通过若干设置在内盒体261上的支撑台264固定，避免因为管道过长导致变形影响接口处的密封性。
为了实现绝缘密封的效果，电极接头21外覆盖有绝缘套251，绝缘套251外覆盖有外屏蔽罩252，外屏蔽罩252通过固定装置与清洗室的支架27底部相连，水冷电极22与清洗室的支架27之间设置有密封绝缘套253。水冷电极22的顶端设置有内盒体261和外盒体262，外盒体262的底边与清洗室的支架27相接，内盒体261和外盒体262之间设置有绝缘隔离片263。外屏蔽罩252通过互相配合的压法兰281和螺钉固定在清洗室的支架27上。
其中，为了进一步加强绝缘性和密封性，绝缘套51和密封绝缘套253之间设置有绝缘环254，绝缘环254内壁与水冷电极22相接，绝缘环254外壁与外屏蔽罩252相接。密封绝缘套53的侧边与清洗室的支架27侧边相接。电极接头21与水冷电极22的接触面之间、水冷电极22与密封绝缘套253的接触面之间、密封绝缘套253与清洗室的支架27的接触面之间皆设置有O型密封圈282。
其中，还包括射频电源，电极接头21远离水冷电极22的一端通过螺钉与接线片283固定，接线片283延伸出外屏蔽罩252外并与射频电源电性连接。
电源控制系统包括PLC控制柜61和电源柜62，电源柜62用于供电，PLC控制柜61用于控制离子清洗电极、真空抽气系统、溅射靶、传动装置的工作状态，射频电源与PLC控制柜61相连，以用于控制射频电源的工作状态，实现射频电源的恒流、恒压、恒功率。
采用本设计的离子清洗电极，在水冷电极22和电极接头21内设置有第一内分水管241和第二内分水管242，在水冷电极22外设置有裸露的外分水管网243，冷却水从进水接头231流入第一内分水管241将水冷电极22/电极接头21的热量带走，然后流入外分水管网243将热量散发到清洗室内，提高清洗室内的温度，一方面利用环境温度的升高，另一方面利用离子撞击的动能给硅片加热，提高清洗效率，同时冷却水通过裸露的外分水管网243散热后温度降低，重新流入第二内分水管242将水冷电极22/电极接头21的热量带走并从出水接头232流出，利用等量的冷却水进行了双重散热，散热效果好。
本设计不仅提高了清洗室的温度，将给硅片加热和清洗合二为一，清洗效果好，同时利用冷却水进行了双重散热，对比单根冷却水管的设计不浪费水资源的同时散热效果更好。
此外通过设置在电极接头21外的绝缘套251，绝缘套251外的外屏蔽罩252，以及水冷电极22与立式硅片磁控溅射镀膜机内的支架27之间的密封绝缘套253的组合，绝缘效果好，密封性佳，进一步提高了清洗效果。
本发明的工作过程为：
用户在非真空的上下片台区6将硅片悬挂在硅片挂板13上，然后将硅片挂板13插入挂板底座14的凹槽内固定，硅片挂板13与刮板底座随轨道车15首先进入清洗室2，在清洗室2被离子清洗电极电离的粒子清洗掉硅片表面的残渣同时进行加热，随后依次进入铬溅射室31、金溅射室32、铝溅射室33进行镀膜，随后进入传输室4进行冷却后，传送装置1逆向运行，依次经过铝溅射室33、金溅射室32、铬溅射室31和清洗室2，最后离开真空室回到上下片台区6，工作人员取下镀膜后的硅片，重复以上步骤。
以上仅为本发明的优先实施方式，本发明并不限定于上述实施方式，只要以基本相同手段实现本发明目的的技术方案都属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于，包括：真空室、设置在真空室内用于悬挂和移动硅片的传动装置(1)，以及与真空室相连的真空抽气系统和用于供电和控制的电源控制系统；
所述真空室包括互相密封连接的的清洗室(2)和溅射室(3)，所述清洗室(2)内设置有离子清洗电极，所述离子清洗电极内设置有用于散热的分水管，所述溅射室(3)内设置有溅射靶；
所述传动装置(1)包括设置在真空室内的硅片挂板(13)、挂板底座(14)、轨道车(15)，所述硅片挂板(13)与挂板底座(14)可拆卸连接；所述轨道车(15)顶部开设有凹槽，所述挂板底座(14)底部设置有凸出部，挂板底座(14)通过凸出部和凹槽的配合与轨道车(15)固定插接。
2.根据权利要求1所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述离子清洗电极包括电极接头(21)、水冷电极(22)，所述电极接头(21)与水冷电极(22)相连；
所述分水管包括进水接头(231)、出水接头(232)，以及贯穿水冷电极(22)和电极接头(21)的第一内分水管(241)、第二内分水管(242)，以及位于水冷电极(22)顶部两侧的外分水管网(243)，所述进水接头(231)通过第一内分水管(241)与外分水管网(243)相连，所述出水接头(232)通过第二内分水管(242)与外分水管网(243)相连；
所述电极接头(21)外覆盖有绝缘套(251)，所述绝缘套(251)外覆盖有外屏蔽罩(252)，所述外屏蔽罩(252)与清洗室内的支架(27)底部相连，所述水冷电极(22)与清洗室内的支架(27)之间设置有密封绝缘套(253)。
3.根据权利要求2所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述水冷电极(22)的顶端设置有内盒体(261)和外盒体(262)，所述外盒体(262)的底边与清洗室内的支架(27)相接，所述内盒体(261)和外盒体(262)之间设置有绝缘隔离片(263)。
所述进水接头(231)插入电极接头(21)并与第一内分水管(241)的进水口相连，所述出水接头(232)插入电极接头(21)并与第二内分水管(242)出水口相连，所述第一内分水管(241)出水口与外分水管网(243)的进水口相连，所述第二内分水管(242)的进水口与外分水管网(243)的出水口相连；所述外分水管网(243)通过若干设置在内盒体(261)上的支撑台(264)固定。
4.根据权利要求1所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述挂板底座(14)和轨道车(15)的接触面之间设置有绝缘层，所述轨道车(15)侧边设置有从动轮(161)，所述真空室外壁与从动轮(161)对应处设置有驱动轮(162)，所述驱动轮(162)与从动轮(161)通过转动轴(163)相连，以用于驱动轨道车(15)运动。
5.根据权利要求1所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述凹槽包括设置在轨道车(15)顶部中间位置的第一凹槽(151)和设置在轨道车(15)顶部两侧的若干第二凹槽(152)，所述凸出部包括设置在挂板底座(14)底部与第一凹槽(151)对应的第一凸出部(141)、与若干第二凹槽(152)对应的若干第二凸出部(142)，所述第一凸出部(141)与第一凹槽(151)配合插接，所述若干第二凸出部(142)与若干第二凹槽(152)配合插接。
6.根据权利要求1所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述溅射室(3)包括依次排列的铬溅射室(31)、金溅射室(32)和铝溅射室(33)，所述铬溅射室(31)与清洗室(2)相连。
7.根据权利要求6所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述铬溅射室(31)内设置有平面铬靶(311)，所述金溅射室(32)设置有一平面金靶(321)，所述铝溅射室(33)设置有圆柱铝靶(331)。
8.根据权利要求6所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述清洗室(2)、铬溅射室(31)、金溅射室(32)、铝溅射室(33)内部上方皆设置有两个防倾轮(17)，所述硅片挂板(13)的顶部位于两个防倾轮(17)之间，以用于防止硅片挂板(13)倾斜。
9.根据权利要求1所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述真空抽气系统包括若干旋涡泵(51)、分子泵(52)、真孔锁(53)，所述旋涡泵(51)和分子泵(52)分别与清洗室(2)、溅射室(3)相连以用于抽取真空，所述真空锁(53)设置在清洗室的两端。
10.根据权利要求1所述的立式硅片磁控溅射镀膜机，其特征在于：所述电源控制系统包括PLC控制柜(61)和电源柜(62)，所述电源柜(62)用于供电，所述PLC控制柜(61)用于控制离子清洗电极、真空抽气系统、溅射靶、传动装置(1)的工作状态。
CN201810448149.4A 2018-05-11 2018-05-11 一种立式硅片磁控溅射镀膜机 Active CN108411270B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810448149.4A CN108411270B (zh) 2018-05-11 2018-05-11 一种立式硅片磁控溅射镀膜机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810448149.4A CN108411270B (zh) 2018-05-11 2018-05-11 一种立式硅片磁控溅射镀膜机

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108411270A true CN108411270A (zh) 2018-08-17
CN108411270B CN108411270B (zh) 2023-03-07

Family

ID=63138882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810448149.4A Active CN108411270B (zh) 2018-05-11 2018-05-11 一种立式硅片磁控溅射镀膜机

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108411270B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110116927A (zh) * 2019-06-11 2019-08-13 张家港市和瑞创先智能光学有限公司 一种基于磁铁的镀膜稳定输送机构
CN110183113A (zh) * 2019-05-22 2019-08-30 湖南天羿领航科技有限公司 防眩光玻璃的制备方法
CN110228950A (zh) * 2019-05-22 2019-09-13 湖南天羿领航科技有限公司 一种防眩光玻璃的制备方法
CN110699657A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 湖南华庆科技有限公司 一种立式磁控溅射彩膜生产线装置
CN110777345A (zh) * 2019-11-28 2020-02-11 湖南华庆科技有限公司 一种磁控光学镀膜设备
CN115466929A (zh) * 2022-09-19 2022-12-13 中核四0四有限公司 一种放射性金属靶材及其制备方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0384684A2 (en) * 1989-02-22 1990-08-29 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Charged particle beam generating apparatus
JP2005256153A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空成膜装置
US20110020097A1 (en) * 2008-03-27 2011-01-27 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Method and device for fixing and transporting impact sensitive sheets in sputter feed systems
CN102181839A (zh) * 2011-06-03 2011-09-14 浙江大学 同端进出式连续溅射镀膜设备
CN102230164A (zh) * 2011-07-12 2011-11-02 湖南菲尔姆光能有限公司 积木式结构的金属条带连续卷绕真空镀膜设备
CN102534539A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 双片或双面镀膜系统
CN202881369U (zh) * 2012-10-24 2013-04-17 爱发科东方真空(成都)有限公司 等离子清洗电极
US8470141B1 (en) * 2005-04-29 2013-06-25 Angstrom Sciences, Inc. High power cathode
CN105256284A (zh) * 2015-11-17 2016-01-20 肇庆市科润真空设备有限公司 环保铝镜真空镀膜设备
KR101638344B1 (ko) * 2015-12-04 2016-07-11 주식회사 유아이디 스퍼터링용 원판패널 고정 장치 및 방법
CN106935459A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 核工业西南物理研究院 一种长脉冲高功率离子源电极栅冷却水路及真空密封结构
CN207176071U (zh) * 2017-09-06 2018-04-03 上海福宜真空设备有限公司 一种多功能用途的水冷电极
CN208791741U (zh) * 2018-05-11 2019-04-26 湖南菲尔姆真空设备有限公司 一种立式硅片磁控溅射镀膜机

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0384684A2 (en) * 1989-02-22 1990-08-29 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Charged particle beam generating apparatus
JP2005256153A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空成膜装置
US8470141B1 (en) * 2005-04-29 2013-06-25 Angstrom Sciences, Inc. High power cathode
US20110020097A1 (en) * 2008-03-27 2011-01-27 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Method and device for fixing and transporting impact sensitive sheets in sputter feed systems
CN102181839A (zh) * 2011-06-03 2011-09-14 浙江大学 同端进出式连续溅射镀膜设备
CN102230164A (zh) * 2011-07-12 2011-11-02 湖南菲尔姆光能有限公司 积木式结构的金属条带连续卷绕真空镀膜设备
CN102534539A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 双片或双面镀膜系统
CN202881369U (zh) * 2012-10-24 2013-04-17 爱发科东方真空(成都)有限公司 等离子清洗电极
CN105256284A (zh) * 2015-11-17 2016-01-20 肇庆市科润真空设备有限公司 环保铝镜真空镀膜设备
KR101638344B1 (ko) * 2015-12-04 2016-07-11 주식회사 유아이디 스퍼터링용 원판패널 고정 장치 및 방법
CN106935459A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 核工业西南物理研究院 一种长脉冲高功率离子源电极栅冷却水路及真空密封结构
CN207176071U (zh) * 2017-09-06 2018-04-03 上海福宜真空设备有限公司 一种多功能用途的水冷电极
CN208791741U (zh) * 2018-05-11 2019-04-26 湖南菲尔姆真空设备有限公司 一种立式硅片磁控溅射镀膜机

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨乃恒等: "多室镀膜机的结构特点与工业应用", 《真空》 *
杨雪来: "ITO玻璃镀膜生产线电气自动控制系统", 《科技与创新》 *
王殿儒等: "一种水冷空腔电弧阴极", 《电子与信息学报》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110183113A (zh) * 2019-05-22 2019-08-30 湖南天羿领航科技有限公司 防眩光玻璃的制备方法
CN110228950A (zh) * 2019-05-22 2019-09-13 湖南天羿领航科技有限公司 一种防眩光玻璃的制备方法
CN110228950B (zh) * 2019-05-22 2021-12-03 湖南天羿领航科技有限公司 一种防眩光玻璃的制备方法
CN110183113B (zh) * 2019-05-22 2022-03-22 湖南天羿领航科技有限公司 防眩光玻璃的制备方法
CN110116927A (zh) * 2019-06-11 2019-08-13 张家港市和瑞创先智能光学有限公司 一种基于磁铁的镀膜稳定输送机构
CN110699657A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 湖南华庆科技有限公司 一种立式磁控溅射彩膜生产线装置
CN110777345A (zh) * 2019-11-28 2020-02-11 湖南华庆科技有限公司 一种磁控光学镀膜设备
CN115466929A (zh) * 2022-09-19 2022-12-13 中核四0四有限公司 一种放射性金属靶材及其制备方法
CN115466929B (zh) * 2022-09-19 2024-03-01 中核四0四有限公司 一种放射性金属靶材及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108411270B (zh) 2023-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108411270A (zh) 一种立式硅片磁控溅射镀膜机
CN208791741U (zh) 一种立式硅片磁控溅射镀膜机
CN107411671A (zh) 一种抽拉式碗篮洗碗机
CN211695684U (zh) 一种可自旋转分散的连续加料双锥真空干燥机
CN205590785U (zh) 一种用于钢材表面镀膜的钛金炉
CN207479097U (zh) 具有真空干燥装置的换向片清洗机
CN208791742U (zh) 一种应用于立式硅片磁控溅射镀膜机的离子清洗电极
CN108034980A (zh) 铝型材表面镀膜装置、用该装置对铝型材表面镀膜的方法
CN105018884B (zh) 一种小型真空蒸镀仪
CN215251122U (zh) 一种采用电磁加热的物理气相沉积设备
CN211311657U (zh) 一种用于金属表面处理的镀锌滚筒
CN115505920A (zh) 一种带有高温浸泡预脱脂结构的氧化镁涂层冷涂装置
CN210683923U (zh) 一种光学真空镀膜用冷却装置
CN211177688U (zh) 一种可调真空干燥箱
CN210711721U (zh) 一种通过翻转式靶门隔离靶体的镀膜机
CN211323830U (zh) 一种备餐间的保洁柜
CN108411269A (zh) 一种应用于立式硅片磁控溅射镀膜机的离子清洗电极
CN209128531U (zh) 一种真空镀膜机
CN219793101U (zh) 一种物理气相沉积设备
CN212876505U (zh) 一种新型平板式液晶显示颗粒炉智能控制板
CN217582412U (zh) 四路输出低温捕集泵
CN210497077U (zh) 一种定向导电导热缓冲单面胶涂附装置
CN211170862U (zh) 一种氧化钛靶材脱氧装置
CN114293153B (zh) 多弧离子镀膜设备
CN213125329U (zh) 一种电力输送降温装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220919

Address after: 3 / F, building A2, mangrove innovation and Development Zone, Hengshan Science City, Cailun Avenue, Yueping Town, Yanfeng District, Hengyang City, Hunan Province, 421000

Applicant after: Hunan Zhongyuan Technology Co.,Ltd.

Applicant after: HUNAN NAVIGATE TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: No. 098, Jinzhou North Road, Jinzhou New District, Ningxiang County, Changsha City, Hunan Province, 410600

Applicant before: HUNAN FILM VACUUM EQUIPMENT CO.,LTD.

Applicant before: HUNAN NAVIGATE TECHNOLOGY CO.,LTD.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant