CN108400009A - 一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 - Google Patents
一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108400009A CN108400009A CN201810173215.1A CN201810173215A CN108400009A CN 108400009 A CN108400009 A CN 108400009A CN 201810173215 A CN201810173215 A CN 201810173215A CN 108400009 A CN108400009 A CN 108400009A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nanomagnets
- manganese bismuth
- alloy
- coercive force
- realsnzn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- KYAZRUPZRJALEP-UHFFFAOYSA-N bismuth manganese Chemical compound [Mn].[Bi] KYAZRUPZRJALEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000713 high-energy ball milling Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 24
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 10
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Nd] Chemical compound [B].[Fe].[Nd] QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/047—Alloys characterised by their composition
- H01F1/053—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals
- H01F1/055—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5
- H01F1/0555—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 pressed, sintered or bonded together
- H01F1/0556—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 pressed, sintered or bonded together pressed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
- H01F41/0266—Moulding; Pressing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
- H01F41/0293—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets diffusion of rare earth elements, e.g. Tb, Dy or Ho, into permanent magnets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，包括：按照MnBi合金成分配料，获得合金铸锭并快淬成薄带；将MnBi快淬薄带进行真空热处理，获得纳米晶合金薄带；按照低熔点稀土四元ReAlSnZn合金成分配料，保温熔炼获得母合金铸锭并快淬成薄带；将MnBi和ReAlSnZn快淬薄带按一定比例混合，并通过高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末；利用热压法制得块状锰铋纳米磁体。本发明通过添加低熔点ReAlSnZn合金并辅助高能球磨和热压技术，使ReAlSnZn纳米晶合金在锰铋磁体热压过程中会熔化为液态，加速了低熔点合金中的稀土元素在晶界的扩散，改善块状锰铋磁体扩散后的均匀性和致密性，得到高矫顽力的块状锰铋纳米晶磁体。同时，本发明工艺简单，制备周期短，成本低，可应用于大规模批量生产。
Description
技术领域
本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法。
背景技术
近年来，随着世界稀土资源的日益减少、价格快速增长，及时开发一类新型高磁性无稀土永磁体，是磁性产品发展的要求，更是我国稀土产业可持续发展的重大课题。MnBi永磁体具有价格低廉、不易腐蚀、力学性能好等优点，特别是它在一定温度范围内矫顽力呈正的温度系数，可以弥补NdFeB永磁体的不足之处。但是，由于MnBi低温相是由包晶反应形成，极难制备单相合金，从而导致其磁性能偏低，极大地限制该类材料的应用。因此，如何获得高性能纯单相锰铋合金，同时提升锰铋合金的矫顽力，成为锰铋永磁材料拓宽应用范围的关键问题。
晶界扩散技术作为一种提高烧结钕铁硼和钐钴磁体矫顽力的一种新型工艺，主要通过稀土金属或者化合物的粉末作为扩散源，在一定的温度下进行扩散热处理，通过优化晶界相和提高主相的各向异性场，实现钕铁硼和钐钴磁体矫顽力的提升。但是，晶界扩散技术，特殊是低熔点稀土作为扩散源的方法，在锰铋纳米磁体中还没用进行相关研究和报道。因此，本申请提出一种低熔点稀土四元纳米合金晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的新方法，通过保温熔炼和快淬技术制备低熔点稀土四元ReAlSnZn合金，并辅助高能球磨和热压技术，使低熔点稀土ReAlSnZn纳米晶合金在热压过程中会熔化为液态，改善块状磁体扩散后的均匀性和致密性，得到高矫顽力的块状锰铋纳米晶磁体。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明目的在于提供一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法。
本发明通过以下技术方案加以实现：
所述的一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于按下列步骤进行：
1）将纯度为99.99%以上的Mn、Bi合金，按照合金摩尔组成MnyBi100-y进行称重配料，其中y=46或52或58或64，将称得的目标成分原料进行真空熔炼，将合金反复熔炼3-5次获得成分均匀的母合金铸锭，然后在快淬炉中制成薄带；
2）将步骤1）制得的MnyBi100-y快淬薄带进行真空热处理，获得相应的纳米晶合金；
3）将低熔点稀土四元ReAlSnZn合金成分以原子百分含量称重配料，然后将已配好的原料密封于抽真空的石英管内，并置于550~650 ℃的电阻炉中进行1小时的保温熔炼，获得成分均匀的母合金锭子，然后在快淬炉中制成薄带；
4）将步骤2）制得的MnyBi100-y快淬薄带和步骤3）制得的ReAlSnZn快淬薄带按一定比例混合，经高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末；
5）利用热压法将步骤4）所制得的纳米复合粉末压制成块状锰铋纳米磁体。
进一步的，步骤（1）和（3）中所述的快淬炉腔体压力为0.06 MPa，喷射压力差为0.06~0.12 MPa，辊轮的线速度为10~50 m/s。
进一步的，步骤（2）中所述的真空热处理的具体工艺参数为：真空度优于4×10-4Pa，退火温度为250℃~400 ℃，退火时间为0.5~1小时。
进一步的，步骤（3）中所述的低熔点稀土四元ReAlSnZn合金成分的原子百分比为ReaAlbSn100-a-b-cZnc，Re为稀土元素Ce、La、Pr中的一种或几种；a、b、c满足一下关系：0.1≤a≤1，0.5≤b≤1.5，5≤c≤10。
进一步的，步骤（3）中所述的保温熔炼的具体工艺参数为：每隔5分钟摇晃石英管，以确保母合金成分均匀。
进一步的，步骤（4）中ReAlSnZn快淬薄带占总重量比例为1~15 wt.%。
进一步的，步骤（5）中所述的热压的具体工艺参数为：真空度优于4×10-4 Pa，温度为150~250 ℃，压力为40~120 MPa，保温时间为5~10分钟。
与现有的技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
（1）本发明通过保温熔炼制备低熔点稀土四元ReAlSnZn合金，并辅助高能球磨和热压技术，使ReAlSnZn纳米晶合金在锰铋磁体热压过程中会熔化为液态，加速了低熔点合金中的稀土元素在晶界的扩散，改善块状锰铋磁体扩散后晶界的均匀性，得到高矫顽力的块状锰铋纳米晶磁体；
（2）与传统直接制备块状锰铋纳米磁体，通过添加低熔点稀土四元ReAlSnZn纳米合金，使其在锰铋磁体热压过程中完全液化，有助于协调硬磁相之间的热变形，提升致密性，获得的块状锰铋纳米磁体具有更高的密度。
具体实施方式
下面结合具体实施方式及对比例对本发明作进一步阐述。
实施例1
1）将纯度为99.99%以上的Mn、Bi合金，按照合金摩尔组成Mn46Bi54进行称重配料，将称得的目标成分原料进行真空熔炼，将合金反复熔炼5次获得成分均匀的母合金铸锭，然后在快淬炉中制成薄带，快淬炉腔体压力为0.06 MPa，喷射压力差为0.06 MPa，辊轮的线速度为20 m/s；
2）将步骤1）制得的Mn46Bi54快淬薄带进行真空热处理，获得相应的纳米晶合金，热处理真空度为3.5×10-4 Pa，退火温度为250 ℃，退火时间为0.5小时；
3）将低熔点稀土四元Ce0.2Al1.2Sn90.6Zn8合金成分以原子百分含量称重配料，然后将已配好的原料密封于抽真空的石英管内，并置于630 ℃的电阻炉中进行1小时的保温熔炼，每隔5分钟摇晃石英管，获得成分均匀的母合金锭子，然后在快淬炉中制成薄带，快淬炉腔体压力为0.06 MPa，喷射压力差为0.06 MPa，辊轮的线速度为25 m/s；
4）将步骤2）制得的Mn46Bi54快淬薄带和步骤3）制得的Ce0.2Al1.2Sn90.6Zn8快淬薄带按质量比96:4混合，经高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末；
5）利用热压法将步骤4）所制得的纳米复合粉末压制成块状锰铋纳米磁体，热压真空度为3.5×10-4 Pa，温度为210 ℃，压力为80 MPa，保温时间为5分钟。
比较例1
制备步骤同实施例1，区别在于不添加低熔点稀土四元Ce0.2Al1.2Sn90.6Zn8合金，而是将Mn46Bi54快淬薄带经高能球磨后直接热压制成块状锰铋纳米磁体。
实施例2
1）将纯度为99.99%以上的Mn、Bi合金，按照合金摩尔组成Mn52B48进行称重配料，将称得的目标成分原料进行真空熔炼，将合金反复熔炼5次获得成分均匀的母合金铸锭，然后在快淬炉中制成薄带，快淬炉腔体压力为0.06 MPa，喷射压力差为0.08 MPa，辊轮的线速度为30m/s；
2）将步骤1）制得的Mn52B48快淬薄带进行真空热处理，获得相应的纳米晶合金，热处理真空度为3.5×10-4 Pa，退火温度为300 ℃，退火时间为1小时；
3）将低熔点稀土四元La0.4Al1.3Sn91.3Zn7合金成分以原子百分含量称重配料，然后将已配好的原料密封于抽真空的石英管内，并置于650 ℃的电阻炉中进行1小时的保温熔炼，每隔5分钟摇晃石英管，获得成分均匀的母合金锭子，然后在快淬炉中制成薄带，快淬炉腔体压力为0.08 MPa，喷射压力差为0.08 MPa，辊轮的线速度为35 m/s；
4）将步骤2）制得的Mn52B48快淬薄带和步骤3）制得的La0.4Al1.3Sn91.3Zn7快淬薄带按质量比92:8混合，经高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末；
5）利用热压法将步骤4）所制得的纳米复合粉末压制成块状锰铋纳米磁体，热压真空度为3.5×10-4 Pa，温度为220 ℃，压力为80 MPa，保温时间为5分钟。
比较例2
制备步骤同实施例2，区别在于不添加低熔点稀土四元La0.4Al1.3Sn91.3Zn7合金，而是将Mn52B48快淬薄带经高能球磨后直接热压制成块状锰铋纳米磁体。
实施例3
1）将纯度为99.99%以上的Mn、Bi合金，按照合金摩尔组成Mn64B36进行称重配料，将称得的目标成分原料进行真空熔炼，将合金反复熔炼5次获得成分均匀的母合金铸锭，然后在快淬炉中制成薄带，快淬炉腔体压力为0.1 MPa，喷射压力差为0.1 MPa，辊轮的线速度为40m/s；
2）将步骤1）制得的Mn64B36快淬薄带进行真空热处理，获得相应的纳米晶合金，热处理真空度为3.5×10-4 Pa，退火温度为350 ℃，退火时间为1小时；
3）将低熔点稀土四元Pr0.8Al1.5Sn87.7Zn10合金成分以原子百分含量称重配料，然后将已配好的原料密封于抽真空的石英管内，并置于650 ℃的电阻炉中进行1小时的保温熔炼，每隔5分钟摇晃石英管，获得成分均匀的母合金锭子，然后在快淬炉中制成薄带，快淬炉腔体压力为0.1 MPa，喷射压力差为0.1 MPa，辊轮的线速度为45 m/s；
4）将步骤2）制得的Mn64B36快淬薄带和步骤3）制得的Pr0.8Al1.5Sn87.7Zn10快淬薄带按质量比88:12混合，经高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末；
5）利用热压法将步骤4）所制得的纳米复合粉末压制成块状锰铋纳米磁体，热压真空度为3.5×10-4 Pa，温度为240 ℃，压力为80 MPa，保温时间为5分钟。
比较例3
制备步骤同实施例3，区别在于不添加低熔点稀土四元Pr0.8Al1.5Sn87.7Zn10合金，而是将Mn64B36快淬薄带经高能球磨后直接热压制成块状锰铋纳米磁体。
将上述实施例和比较例制备的样品，经磁性能和密度测试，对比结果如表1所示。
总结：本发明采用晶界扩散低熔点稀土四元ReAlSnZn合金制备了高矫顽力块状锰铋纳米磁体。相对于未添加低熔点稀土四元ReAlSnZn合金的锰铋磁体，添加低熔点稀土四元ReAlSnZn合金的块状锰铋纳米磁体，热压过程中低熔点ReAlSnZn纳米晶合金会熔化为液态，且加速了低熔点合金中的稀土元素在晶界的扩散，增强了MnBi硬磁相之间的交换耦合作用，提高了矫顽力；同时，在锰铋磁体热压过程中，低熔点合金的液化，有助于协调硬磁相之间的热变形，提升致密性，获得的块状锰铋纳米磁体具有更高的密度。
表1
Claims (7)
1.一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于包括如下步骤：
1）将纯度为99.99%以上的Mn、Bi合金，按照合金摩尔组成MnyBi100-y进行称重配料，其中y=46或52或58或64，将称得的目标成分原料进行真空熔炼，将合金反复熔炼3-5次获得成分均匀的母合金铸锭，然后在快淬炉中制成薄带；
2）将步骤1）制得的MnyBi100-y快淬薄带进行真空热处理，获得相应的纳米晶合金；
3）将低熔点稀土四元ReAlSnZn合金成分以原子百分含量称重配料，然后将已配好的原料密封于抽真空的石英管内，并置于550~650 ℃的电阻炉中进行1小时的保温熔炼，获得成分均匀的母合金锭子，然后在快淬炉中制成薄带；
4）将步骤2）制得的MnyBi100-y快淬薄带和步骤3）制得的ReAlSnZn快淬薄带按一定比例混合，经高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末；
5）利用热压法将步骤4）所制得的纳米复合粉末压制成块状锰铋纳米磁体。
2.根据权利要求1 所述的晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于：步骤（1）和（3）中所述的快淬炉腔体压力为0.06 MPa，喷射压力差为0.06~0.12 MPa，辊轮的线速度为10~50 m/s。
3.根据权利要求1 所述的晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于：步骤（2）中所述的真空热处理的具体工艺参数为：真空度优于4×10-4 Pa，退火温度为250℃~400 ℃，退火时间为0.5~1小时。
4.根据权利要求1 所述的晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于：步骤（3）中所述的低熔点稀土四元ReAlSnZn合金成分的原子百分比为ReaAlbSn100-a-b- cZnc，Re为稀土元素Ce、La、Pr中的一种或几种；a、b、c满足一下关系：0.1≤a≤1，0.5≤b≤1.5，5≤c≤10。
5.根据权利要求1 所述的晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于：步骤（3）中所述的保温熔炼的具体工艺参数为：每隔5分钟摇晃石英管，以确保母合金成分均匀。
6.根据权利要求1 所述的晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于：步骤（4）中ReAlSnZn快淬薄带占总重量比例为1~15 wt.%。
7.根据权利要求1 所述的晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法，其特征在于：步骤（5）中所述的热压的具体工艺参数为：真空度优于4×10-4 Pa，温度为150~250 ℃，压力为40~120 MPa，保温时间为5~10分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810173215.1A CN108400009B (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810173215.1A CN108400009B (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108400009A true CN108400009A (zh) | 2018-08-14 |
| CN108400009B CN108400009B (zh) | 2019-09-10 |
Family
ID=63091589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810173215.1A Active CN108400009B (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108400009B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111564305A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-08-21 | 泮敏翔 | 一种高性能复合磁体的制备方法 |
| CN112466652A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-09 | 泮敏翔 | 一种高矫顽力锰铋磁体的制备方法 |
| CN112466651A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-09 | 泮敏翔 | 一种无稀土高性能复合磁体的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05314553A (ja) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体及びその作製方法 |
| CN102610346A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-07-25 | 中国计量学院 | 一种新型无稀土纳米复合永磁材料及其制备方法 |
| CN105689726A (zh) * | 2016-01-21 | 2016-06-22 | 中国计量学院 | 一种掺稀土高矫顽力锰铋合金磁粉的制备方法 |
| CN107077934A (zh) * | 2015-04-29 | 2017-08-18 | Lg电子株式会社 | 具有提高的热稳定性的基于MnBi的烧结磁体及其制备方法 |
-
2018
- 2018-03-02 CN CN201810173215.1A patent/CN108400009B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05314553A (ja) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体及びその作製方法 |
| CN102610346A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-07-25 | 中国计量学院 | 一种新型无稀土纳米复合永磁材料及其制备方法 |
| CN107077934A (zh) * | 2015-04-29 | 2017-08-18 | Lg电子株式会社 | 具有提高的热稳定性的基于MnBi的烧结磁体及其制备方法 |
| CN105689726A (zh) * | 2016-01-21 | 2016-06-22 | 中国计量学院 | 一种掺稀土高矫顽力锰铋合金磁粉的制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111564305A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-08-21 | 泮敏翔 | 一种高性能复合磁体的制备方法 |
| CN111564305B (zh) * | 2020-06-11 | 2021-08-10 | 中国计量大学 | 一种高性能复合磁体的制备方法 |
| CN112466652A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-09 | 泮敏翔 | 一种高矫顽力锰铋磁体的制备方法 |
| CN112466651A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-09 | 泮敏翔 | 一种无稀土高性能复合磁体的制备方法 |
| CN112466652B (zh) * | 2020-12-10 | 2022-04-19 | 中国计量大学 | 一种高矫顽力锰铋磁体的制备方法 |
| CN112466651B (zh) * | 2020-12-10 | 2022-07-15 | 中国计量大学 | 一种无稀土高性能复合磁体的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108400009B (zh) | 2019-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102800454B (zh) | 低成本双主相Ce永磁合金及其制备方法 | |
| CN105741995B (zh) | 一种高性能烧结钕铁硼永磁体及其制备方法 | |
| CN101026034B (zh) | 一种耐腐蚀稀土永磁材料的制备方法 | |
| CN103506626B (zh) | 一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的制造方法 | |
| CN103545079A (zh) | 双主相含钇永磁磁体及其制备方法 | |
| CN104576028A (zh) | 富铈各向异性纳米晶稀土永磁体的制备方法 | |
| CN105655076A (zh) | 驱动电机用多主相高矫顽力钕铁硼永磁材料及其制备方法 | |
| CN103971875B (zh) | 一种镁铜晶界改性高磁性烧结钕铁硼磁体及其制备工艺 | |
| CN102592777A (zh) | 一种低成本烧结钕铁硼磁体及其制备方法 | |
| CN108400009B (zh) | 一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 | |
| CN106158203B (zh) | 一种高矫顽力高稳定性钕铁硼磁体的制备方法 | |
| CN109585113A (zh) | 一种烧结钕铁硼磁体的制备方法 | |
| CN106356175B (zh) | 一种双主相Nd2Fe14B-Ce2Fe14B复合永磁体及其制备方法 | |
| CN105118655A (zh) | 一种纳米锌粉晶界改性制备高矫顽力磁体的方法 | |
| CN111230127B (zh) | 一种复合磁性粉末的制备方法 | |
| CN103714939A (zh) | La-Fe基双硬磁主相磁体及其制备方法 | |
| JP2024524892A (ja) | 低コスト高保磁力を有するＬａＣｅリッチなネオジム鉄ボロン永久磁石及びその製造方法並びに応用 | |
| CN104599802A (zh) | 稀土永磁材料及其制备方法 | |
| CN105761925A (zh) | 一种钬铁镓共晶掺杂制备高性能钕铁硼磁体的方法 | |
| CN104821226A (zh) | 一种铈钛钴锆复合添加制备高方形度烧结钕铁硼永磁体的方法 | |
| CN108597707B (zh) | 一种含Ce烧结磁体及制备方法 | |
| CN108515177B (zh) | 一种具有多主相结构的纳米晶复合稀土永磁材料及其制备 | |
| CN106601460A (zh) | 铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体及其制备方法 | |
| CN108346499A (zh) | 一种有机轻稀土配合物改性制备高矫顽力锰铋磁粉的方法 | |
| CN113539600A (zh) | 一种高磁能积和高矫顽力的含Dy稀土永磁体及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20190819 Address after: 310018 School of Materials and Chemistry, China Metrology University, 258 Xiasha Xueyuan Street, Jianggan District, Hangzhou City, Zhejiang Province Applicant after: CHINA JILIANG UNIVERSITY Address before: Hangzhou City, Zhejiang Province, Jianggan District Xiasha 310018 source Street No. 258 Applicant before: Xu Jingcai |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |