CN108398821B - 柔性液晶显示面板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种柔性液晶显示面板的制作方法。本发明的柔性液晶显示面板的制作方法，在刚性衬底的一侧制作阵列排布的遮光图案，并且在刚性衬底远离遮光图案的一侧或遮光图案远离刚性衬底的一侧制作第二基板，将第二基板与第一基板对组，并在第一基板与第二基板之间设置包括液晶分子及可聚合单体的液晶层，得到液晶盒，之后从刚性衬底远离第二基板的一侧对液晶盒进行紫外光照射，在液晶层中对应遮光图案之间的间隔也即相邻子像素之间的区域形成有机物聚合挡墙，制程简单，有效地提高了有机聚合物挡墙的制作精度，并有利于降低产品成本。

Description

柔性液晶显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种柔性液晶显示面板的制作方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组，其中液晶面板由一彩色滤光片基板(Color Filter Substrate，CFSubstrate)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFTArray Substrate)以及夹于CF基板和TFT阵列基板之间的液晶层(Liquid Crystal Layer，LC)及密封胶框(Sealant)组成。CF基板和TFT阵列基板的相对内侧设有透明电极，液晶显示器通过电场对液晶分子的取向进行控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。
随着显示技术的发展，人们对消费性电子产品的要求已经不单单局限于功能性，同时也更转向于设计下、艺术性及具有良好的视觉体验性方面，如此前应运而生的柔性液晶显示器，不仅设计新颖，同时视觉体验效果更佳。柔性液晶显示面板是柔性液晶显示器的核心组成部分。
当前柔性液晶面板采用柔性材料作为CF基板及TFT阵列基板的衬底结构，以实现柔性显示。现有的柔性液晶显示面板中，会在CF基板与TFT阵列基板之间设置有机聚合物挡墙，以支撑液晶盒厚并在柔性液晶显示面板弯曲时稳固液晶状态。现有技术中，有机聚合物挡墙的制作方法为将混有可聚合单体的液晶层设置在CF基板与TFT阵列基板之间以形成液晶盒，在CF基板或TFT阵列基板远离液晶层的一侧设置精细掩膜板(Fine Mash)，该精细掩膜板具有开口，利用该精细掩膜板对液晶显示面板进行紫外光(UV)曝光，使液晶层中的可聚合单体发生反应，对应精细掩膜板的开口形成聚合物挡墙。精细掩膜板的价格昂贵，且会发生间隙衍射，曝光的精度控制难度较大，使制程复杂，产品成本大大提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性液晶显示面板的制作方法，能够提高有机聚合物挡墙的制作精度，降低制程的复杂程度，降低产品成本。
为实现上述目的，本发明提供一种柔性液晶显示面板的制作方法，包括：
提供第一基板、刚性衬底、设于刚性衬底一侧且阵列排布的多个遮光图案、设于遮光图案远离刚性衬底的一侧或设于刚性衬底远离遮光图案的一侧的第二基板；
将第二基板远离刚性衬底的一侧与第一基板对组，在第一基板与第二基板之间设置液晶层，得到液晶盒；所述液晶层包括液晶分子及掺杂在液晶分子中的可聚合单体；所述液晶盒具有多个阵列排布的像素区域，多个遮光图案分别遮挡多个像素区域；
从刚性衬底远离第二基板的一侧对液晶盒进行紫外光照射，在液晶层中对应遮光图案之间的间隔形成有机物聚合挡墙。
每一遮光图案的尺寸与其遮挡的像素区域的尺寸相同。
所述柔性液晶显示面板的制作方法还包括：将刚性衬底与遮光图案从第二基板上去除。
所述第一基板为TFT阵列基板，所述第二基板为CF基板。
所述TFT阵列基板包括第一柔性衬底、于第一柔性衬底一侧依次设置的TFT阵列层及色阻层、设于色阻层远离第一柔性衬底一侧的黑色矩阵与像素电极、设于黑色矩阵远离第一柔性衬底一侧的隔垫物；
所述CF基板包括第二柔性衬底、设于第二柔性衬底远离刚性基板一侧的公共电极。
所述CF基板设于遮光图案远离刚性衬底一侧；
所述CF基板与遮光图案之间设有平坦化层；
在刚性衬底一侧形成遮光图案及在遮光图案远离刚性衬底一侧形成CF基板的过程为：在刚性衬底的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案，在刚性衬底上形成覆盖多个遮光图案的平坦化层，在平坦化层远离遮光图案的一侧依次制作第二柔性衬底及公共电极层，得到CF基板。
所述CF基板设于刚性衬底远离遮光图案一侧；
在刚性衬底一侧形成遮光图案及在刚性衬底远离遮光图案一侧形成CF基板的过程为：
在刚性衬底的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案，在刚性衬底远离遮光图案的一侧依次制作第二柔性衬底及公共电极层，得到CF基板；或者，
在刚性衬底的一侧依次制作第二柔性衬底及公共电极层，得到CF基板，在刚性衬底远离CF基板的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案。
所述第一基板为CF基板，所述第二基板为TFT阵列基板；
所述CF基板包括第一柔性衬底及设于第一柔性衬底一侧的公共电极；
所述TFT阵列基板包括第二柔性衬底、于第二柔性衬底远离刚性基板一侧依次设置的TFT阵列层及色阻层、设于色阻层远离第二柔性衬底一侧的黑色矩阵与像素电极、设于黑色矩阵远离第二柔性衬底一侧的隔垫物；
将TFT阵列基板远离刚性衬底的一侧与CF基板对组时，所述CF基板设有公共电极的一侧与TFT阵列基板设有隔垫物的一侧相对。
所述TFT阵列基板设于遮光图案远离刚性衬底一侧；
所述TFT阵列基板与遮光图案之间设有平坦化层；
在刚性衬底一侧形成遮光图案及在遮光图案远离刚性衬底一侧形成TFT阵列基板的过程为：在刚性衬底的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案，在刚性衬底上形成覆盖多个遮光图案的平坦化层，在平坦化层远离遮光图案的一侧依次制作第二柔性衬底、TFT阵列层及色阻层，在色阻层远离第二柔性衬底一侧制作黑色矩阵与像素电极，在黑色矩阵远离第二柔性衬底一侧制作隔垫物。
所述TFT阵列基板设于刚性衬底远离遮光图案一侧；
在刚性衬底一侧形成遮光图案及在刚性衬底远离遮光图案一侧形成TFT阵列基板的过程为：
在刚性衬底的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案，在刚性衬底远离遮光图案的一侧依次制作第二柔性衬底、TFT阵列层及色阻层，在色阻层远离第二柔性衬底一侧制作黑色矩阵与像素电极，在黑色矩阵远离第二柔性衬底一侧制作隔垫物，得到TFT阵列基板；或者，
在刚性衬底的一侧依次制作第二柔性衬底、TFT阵列层及色阻层，在色阻层远离第二柔性衬底一侧制作黑色矩阵与像素电极，在黑色矩阵远离第二柔性衬底一侧制作隔垫物，得到TFT阵列基板，在刚性衬底远离TFT阵列基板的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案。
本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性液晶显示面板的制作方法，在刚性衬底的一侧制作阵列排布的遮光图案，并且在刚性衬底远离遮光图案的一侧或遮光图案远离刚性衬底的一侧制作第二基板，将第二基板与第一基板对组，并在第一基板与第二基板之间设置包括液晶分子及可聚合单体的液晶层，得到液晶盒，之后从刚性衬底远离第二基板的一侧对液晶盒进行紫外光照射，在液晶层中对应遮光图案之间的间隔也即相邻子像素之间的区域形成有机物聚合挡墙，制程简单，有效地提高了有机聚合物挡墙的制作精度，并有利于降低产品成本。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的流程图；
图2及图3为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤S1的示意图；
图4为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤S2的示意图；
图5为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤S3的示意图；
图6为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤S1的示意图；
图7为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤S2的示意图；
图8为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤S3的示意图；
图9及图10为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第三实施例的步骤S1的示意图；
图11为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第三实施例的步骤S2的示意图；
图12为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第三实施例的步骤S3的示意图；
图13为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第四实施例的步骤S1的示意图；
图14为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第四实施例的步骤S2的示意图；
图15为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第四实施例的步骤S3的示意图；
图16为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法中制作遮光图案的掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种柔性液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供第一基板、刚性衬底200、设于刚性衬底200一侧且阵列排布的多个遮光图案300、设于遮光图案300远离刚性衬底200的一侧或设于刚性衬底200远离遮光图案300的一侧的第二基板。
具体地，请参阅图2及图3，在本发明的第一实施例中，所述第一基板为TFT阵列基板100，所述第二基板为CF基板400。
具体地，请参阅图3，在本发明的第一实施例中，所述TFT阵列基板100为POA(间隔物设置在阵列基板)设计的TFT阵列基板，包括第一柔性衬底110、于第一柔性衬底110一侧依次设置的TFT阵列层120及色阻层130、设于色阻层130远离第一柔性衬底110一侧的黑色矩阵140与像素电极150、设于黑色矩阵140远离第一柔性衬底110一侧的隔垫物160。对应地，请参阅图2，在本发明的第一实施例中，所述CF基板400包括第二柔性衬底410及设于第二柔性衬底410远离刚性基板200一侧的公共电极层420。当然，所述TFT阵列基板100还可以采用COA(彩膜设置在阵列基板)设计的TFT阵列基板，仅需要对应将隔垫物设置在CF基板400一侧的公共电极420上即可，所述TFT阵列基板100也可采用现有技术中常见的不设置色阻层及隔垫物的TFT阵列基板，仅需要对应将色阻层设置在CF基板400的第二柔性衬底410与公共电极层420之间，隔垫物设置在CF基板400一侧的公共电极420上即可，这均不会影响本发明的实现。
具体地，本发明第一实施例中还在色阻层130上设置覆盖黑色矩阵140的钝化层170，像素电极150及隔垫物160均制作在该钝化层170上。
具体地，请参阅图2，在本发明的第一实施例中，所述CF基板400设于遮光图案300远离刚性衬底200一侧。具体地，所述CF基板400的第二柔性衬底410设于遮光图案300远离刚性衬底200一侧。
优选地，请参阅图2，所述CF基板400与遮光图案300之间设有平坦化层700。
具体地，本发明的第一实施例中，在刚性衬底200一侧形成遮光图案300及在遮光图案300远离刚性衬底200一侧形成CF基板400的过程为：在刚性衬底200的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案300，在刚性衬底200上形成覆盖多个遮光图案300的平坦化层700，在平坦化层700远离遮光图案300的一侧依次制作第二柔性衬底410及公共电极层420，得到CF基板400。
具体地，所述刚性衬底200的材料为透明材料，例如，所述刚性衬底200的材料可以为玻璃。
具体地，所述遮光图案300的材料可选择任意的遮光材料，例如可以选择现有技术中用于制作黑色矩阵的材料。
进一步地，请参阅图16，在本发明中，利用一掩膜板900对遮光材料层进行曝光显影制程，该掩膜板900包括阵列排布的多个第一区域910及设于第一区域910以外的第二区域920，当所述遮光材料层的材料选择正性光阻材料时，所述第一区域910为遮光区，所述第二区域920为透光区；当所述遮光材料层的材料选择负性光阻材料时，所述第一区域910为透光区，所述第二区域920为遮光区，从而利用该掩膜板900对遮光材料层进行曝光显影制程之后，即可制得阵列排布的多个遮光图案300。
步骤S2、将第二基板远离刚性衬底200的一侧与第一基板对组，在第一基板与第二基板之间设置液晶层500，得到液晶盒10；
所述液晶层500包括液晶分子510及掺杂在液晶分子510中的可聚合单体520；所述液晶盒10具有多个阵列排布的像素区域11，多个遮光图案300分别遮挡多个像素区域11。
优选地，可通过预先对遮光图案300及像素区域11的尺寸进行设计，使每一遮光图案300的尺寸与其遮挡的像素区域11的尺寸相同。
请参阅图4，在本发明的第一实施例中，所述步骤S2中，将CF基板400远离刚性衬底200的一侧也即其公共电极420所在的一侧与TFT阵列基板100对组时，所述TFT阵列基板100设有隔垫物160的一侧与CF基板400设有公共电极420的一侧相对。
步骤S3、从刚性衬底200远离第二基板的一侧对液晶盒10进行紫外光照射，使液晶层500中的可聚合单体520发生反应而在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600。
具体地，请参阅图5，在本发明的第一实施例中，所述步骤S3中，从刚性衬底200远离CF基板400的一侧对液晶盒10进行紫外光照射，使液晶层500中的可聚合单体520发生反应而在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600。
具体地，所述柔性液晶显示面板的制作方法还包括步骤S4、将刚性衬底200与遮光图案300从第二基板上去除。在本发明的第一实施例中，所述步骤S4中，将刚性衬底200与遮光图案300从CF基板400上去除。
需要说明的是，本发明的第一实施例中，在刚性衬底200的一侧制作遮光图案300并在遮光图案300远离刚性衬底200一侧制作CF基板400，该遮光图案300覆盖像素区域11，以用于在对液晶盒10进行紫外光照射以形成有机聚合物挡墙600时作为遮挡，从而能够在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600，利用该有机聚合物挡墙600支撑液晶盒厚并在柔性液晶显示面板弯曲时稳固液晶状态，相较于现有技术，本发明能够省去精细掩膜板的使用，降低了生产的成本，并且避免了使用精细掩膜板造成的间隙衍射，制程简单，制得的有机聚合物挡墙600的精度较高，有效地降低了产品的成本，与此同时，由于每一遮光图案300均覆盖一像素区域11，使在紫外曝光的阶段中不会有紫外光射入像素区域11，像素区域11内的液晶分子510不会发生错乱，保证了产品的品质，并且，该刚性基板200及遮光图案300在从CF基板400上去除后可重复使用，进一步降低产品的成本。
请参阅图1，并结合图3、图6、图7及图8，为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第二实施例，该第二实施例与上述第一实施例的区别在于，所述CF基板400设于刚性衬底200远离遮光图案300一侧。具体地，所述CF基板400的第二柔性衬底410设于刚性衬底200远离遮光图案300的一侧。
具体地，在本发明的第二实施例中，在刚性衬底200一侧形成遮光图案300及在刚性衬底200远离遮光图案300一侧形成CF基板400的过程可以为：在刚性衬底200的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案300，在刚性衬底200远离遮光图案300的一侧依次制作第二柔性衬底410及公共电极层420，得到CF基板400，也即先制作遮光图案300，后制作CF基板400。或者，在刚性衬底200一侧形成遮光图案300及在刚性衬底200远离遮光图案300一侧形成CF基板400的过程还可以为：在刚性衬底200的一侧依次制作第二柔性衬底410及公共电极层420，得到CF基板400，在刚性衬底200远离CF基板400的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案300，也即先制作CF基板400，后制作遮光图案300。
其余均与第一实施例相同，在此不赘述。
需要说明的是，本发明的第二实施例中，在刚性衬底200的一侧制作遮光图案300并在刚性衬底200远离遮光图案300的一侧制作CF基板400，该遮光图案300覆盖像素区域11，以用于在对液晶盒10进行紫外光照射以形成有机聚合物挡墙600时作为遮挡，从而能够在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600，利用该有机聚合物挡墙600支撑液晶盒厚并在柔性液晶显示面板弯曲时稳固液晶状态，相较于现有技术，本发明能够省去精细掩膜板的使用，降低了生产的成本，并且避免了使用精细掩膜板造成的间隙衍射，制程简单，制得的有机聚合物挡墙600的精度较高，有效地降低了产品的成本，与此同时，由于每一遮光图案300均覆盖一像素区域11，使在紫外曝光的阶段中不会有紫外光射入像素区域11，像素区域11内的液晶分子510不会发生错乱，保证了产品的品质，并且，该刚性基板200及遮光图案300在从CF基板400上去除后可重复使用，进一步降低产品的成本。
请参阅图1，并结合图9至图12，为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第三实施例，该第三实施例与上述第一实施例的区别在于，所述第一基板为CF基板100’，所述第二基板为TFT阵列基板400’。
具体地，请参阅图10，在本发明的第三实施例中，所述TFT阵列基板400’为POA设计的TFT阵列基板，包括第二柔性衬底410’、于第二柔性衬底410’远离刚性基板200一侧依次设置的TFT阵列层420’及色阻层430’、设于色阻层430’远离第二柔性衬底410’一侧的黑色矩阵440’与像素电极450’、设于黑色矩阵440’远离第二柔性衬底410’一侧的隔垫物460’。对应地，请参阅图9，所述CF基板100’包括第一柔性衬底110’及设于第一柔性衬底110’一侧的公共电极120’。当然，所述TFT阵列基板400’还可以采用COA(彩膜设置在阵列基板)设计的TFT阵列基板，仅需要对应将隔垫物设置在CF基板100’一侧的公共电极120’上即可，所述TFT阵列基板400’也可采用现有技术中常见的不设置色阻层及隔垫物的TFT阵列基板，仅需要对应将色阻层设置在CF基板100’的第一柔性衬底110’与公共电极层120’之间，隔垫物设置在CF基板100’一侧的公共电极120’上即可，这均不会影响本发明的实现。
具体地，本发明第三实施例中还在色阻层430’上设置覆盖黑色矩阵440’的钝化层470’，像素电极450’及隔垫物460’均制作在该钝化层470’上。
具体地，请参阅图10，在本发明的第三实施例中，所述TFT阵列基板400’设于遮光图案300远离刚性衬底200一侧。
优选地，请参阅图10，所述TFT阵列基板400’与遮光图案300之间设有平坦化层700。
具体地，本发明的第三实施例中，在刚性衬底200一侧形成遮光图案300及在遮光图案300远离刚性衬底200一侧形成TFT阵列基板400’的过程为：在刚性衬底200的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案300，在刚性衬底200上形成覆盖多个遮光图案300的平坦化层700，在平坦化层700远离遮光图案300的一侧依次制作第二柔性衬底410’、TFT阵列层420’及色阻层430’，在色阻层430’远离第二柔性衬底410’一侧制作黑色矩阵440’与像素电极450’，在黑色矩阵440’远离第二柔性衬底410’一侧制作隔垫物460’，得到TFT阵列基板400’。
由于本发明的第三实施例中所述第一基板为CF基板100’，所述第二基板为TFT阵列基板400’，对应地，所述步骤S2中，将TFT阵列基板400’远离刚性衬底200的一侧与CF基板100’对组得到液晶盒10。
具体地，在本发明的第三实施例中，所述步骤S2中，将TFT阵列基板400’远离刚性衬底200的一侧与CF基板100’对组时，所述CF基板100’设有公共电极120’的一侧与TFT阵列基板400’设有隔垫物460’的一侧相对。
由于本发明的第三实施例中所述第一基板为CF基板100’，所述第二基板为TFT阵列基板400’，对应地，所述步骤S3中，从刚性衬底200远离TFT阵列基板400’的一侧对液晶盒10进行紫外光照射，使液晶层500中的可聚合单体520发生反应而在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600。
由于本发明的第三实施例中所述第一基板为CF基板100’，所述第二基板为TFT阵列基板400’，对应地，所述步骤S4中，将刚性衬底200与遮光图案300从TFT阵列基板400’上去除。
需要说明的是，本发明的第三实施例中，在刚性衬底200的一侧制作遮光图案300并在遮光图案300远离刚性衬底200一侧制作TFT阵列基板400’，该遮光图案300覆盖像素区域11，以用于在对液晶盒10进行紫外光照射以形成有机聚合物挡墙600时作为遮挡，从而能够在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600，利用该有机聚合物挡墙600支撑液晶盒厚并在柔性液晶显示面板弯曲时稳固液晶状态，相较于现有技术，本发明能够省去精细掩膜板的使用，降低了生产的成本，并且避免了使用精细掩膜板造成的间隙衍射，制程简单，制得的有机聚合物挡墙600的精度较高，有效地降低了产品的成本，与此同时，由于每一遮光图案300均覆盖一像素区域11，使在紫外曝光的阶段中不会有紫外光射入像素区域11，像素区域11内的液晶分子510不会发生错乱，保证了产品的品质，并且，该刚性基板200及遮光图案300在从TFT阵列基板400’上去除后可重复使用，进一步降低产品的成本。
请参阅图1，并结合图9、图13、图14、图15，为本发明的柔性液晶显示面板的制作方法的第四实施例，该第四实施例与上述第三实施例的区别在于，所述TFT阵列基板400’设于刚性衬底200远离遮光图案300一侧。具体地，所述TFT阵列基板400’的第二柔性衬底410’设于刚性衬底200远离遮光图案300的一侧。
具体地，在本发明的第四实施例中，在刚性衬底200一侧形成遮光图案300及在刚性衬底200远离遮光图案300一侧形成TFT阵列基板400’的过程可以为：在刚性衬底200的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案300，在刚性衬底200远离遮光图案300的一侧依次制作第二柔性衬底410’、TFT阵列层420’及色阻层430’，在色阻层430’远离第二柔性衬底410’一侧制作黑色矩阵440’与像素电极450’，在黑色矩阵440’远离第二柔性衬底410’一侧制作隔垫物460’，得到TFT阵列基板400’，也即先制作遮光图案300，后制作TFT阵列基板400’。或者，在刚性衬底200一侧形成遮光图案300及在刚性衬底200远离遮光图案300一侧形成TFT阵列基板400’的过程还可以为：在刚性衬底200的一侧依次制作第二柔性衬底410’、TFT阵列层420’及色阻层430’，在色阻层430’远离第二柔性衬底410’一侧制作黑色矩阵440’与像素电极450’，在黑色矩阵440’远离第二柔性衬底410’一侧制作隔垫物460’，得到TFT阵列基板400’，在刚性衬底200远离TFT阵列基板400’的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案300，也即先制作TFT阵列基板400’，后制作遮光图案300。
其余均与第三实施例相同，在此不赘述。
需要说明的是，本发明的第四实施例中，在刚性衬底200的一侧制作遮光图案300并在刚性衬底200远离遮光图案300的一侧制作TFT阵列基板400’，该遮光图案300覆盖像素区域11，以用于在对液晶盒10进行紫外光照射以形成有机聚合物挡墙600时作为遮挡，从而能够在液晶层500中对应遮光图案300之间的间隔也即相邻的像素区域11的交界处形成有机物聚合挡墙600，利用该有机聚合物挡墙600支撑液晶盒厚并在柔性液晶显示面板弯曲时稳固液晶状态，相较于现有技术，本发明能够省去精细掩膜板的使用，降低了生产的成本，并且避免了使用精细掩膜板造成的间隙衍射，制程简单，制得的有机聚合物挡墙600的精度较高，有效地降低了产品的成本，与此同时，由于每一遮光图案300均覆盖一像素区域11，使在紫外曝光的阶段中不会有紫外光射入像素区域11，像素区域11内的液晶分子510不会发生错乱，保证了产品的品质，并且，该刚性基板200及遮光图案300在从TFT阵列基板400’上去除后可重复使用，进一步降低产品的成本。
综上所述，本发明的柔性液晶显示面板的制作方法，在刚性衬底的一侧制作阵列排布的遮光图案，并且在刚性衬底远离遮光图案的一侧或遮光图案远离刚性衬底的一侧制作第二基板，将第二基板与第一基板对组，并在第一基板与第二基板之间设置包括液晶分子及可聚合单体的液晶层，得到液晶盒，之后从刚性衬底远离第二基板的一侧对液晶盒进行紫外光照射，在液晶层中对应遮光图案之间的间隔也即相邻子像素之间的区域形成有机物聚合挡墙，制程简单，有效地提高了有机聚合物挡墙的制作精度，并有利于降低产品成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板、刚性衬底(200)、形成于刚性衬底(200)一侧且阵列排布的多个遮光图案(300)、设于遮光图案(300)远离刚性衬底(200)的一侧或设于刚性衬底(200)远离遮光图案(300)的一侧的第二基板；
将第二基板远离刚性衬底(200)的一侧与第一基板对组，在第一基板与第二基板之间设置液晶层(500)，得到液晶盒(10)；所述液晶层(500)包括液晶分子(510)及掺杂在液晶分子(510)中的可聚合单体(520)；所述液晶盒(10)具有多个阵列排布的像素区域(11)，多个遮光图案(300)分别遮挡多个像素区域(11)；
从刚性衬底(200)远离第二基板的一侧对液晶盒(10)进行紫外光照射，在液晶层(500)中对应遮光图案(300)之间的间隔形成有机物聚合挡墙(600)；
每一遮光图案(300)的尺寸与其遮挡的像素区域(11)的尺寸相同；
还包括：将刚性衬底(200)与遮光图案(300)从第二基板上去除以重复使用。
2.如权利要求1所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一基板为TFT阵列基板(100)，所述第二基板为CF基板(400)。
3.如权利要求2所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板(100)包括第一柔性衬底(110)、于第一柔性衬底(110)一侧依次设置的TFT阵列层(120)及色阻层(130)、设于色阻层(130)远离第一柔性衬底(110)一侧的黑色矩阵(140)与像素电极(150)、设于黑色矩阵(140)远离第一柔性衬底(110)一侧的隔垫物(160)；
所述CF基板(400)包括第二柔性衬底(410)、设于第二柔性衬底(410)远离刚性基板(200)一侧的公共电极(420)；
将CF基板(400)远离刚性衬底(200)的一侧与TFT阵列基板(100)对组时，所述TFT阵列基板(100)设有隔垫物(160)的一侧与CF基板(400)设有公共电极(420)的一侧相对。
4.如权利要求3所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述CF基板(400)设于遮光图案(300)远离刚性衬底(200)一侧；
所述CF基板(400)与遮光图案(300)之间设有平坦化层(700)；
在刚性衬底(200)一侧形成遮光图案(300)及在遮光图案(300)远离刚性衬底(200)一侧形成CF基板(400)的过程为：在刚性衬底(200)的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案(300)，在刚性衬底(200)上形成覆盖多个遮光图案(300)的平坦化层(700)，在平坦化层(700)远离遮光图案(300)的一侧依次制作第二柔性衬底(410)及公共电极层(420)，得到CF基板(400)。
5.如权利要求3所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述CF基板(400)设于刚性衬底(200)远离遮光图案(300)一侧；
在刚性衬底(200)一侧形成遮光图案(300)及在刚性衬底(200)远离遮光图案(300)一侧形成CF基板(400)的过程为：
在刚性衬底(200)的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案(300)，在刚性衬底(200)远离遮光图案(300)的一侧依次制作第二柔性衬底(410)及公共电极层(420)，得到CF基板(400)；或者，
在刚性衬底(200)的一侧依次制作第二柔性衬底(410)及公共电极层(420)，得到CF基板(400)，在刚性衬底(200)远离CF基板(400)的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案(300)。
6.如权利要求1所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一基板为CF基板(100’)，所述第二基板为TFT阵列基板(400’)；
所述CF基板(100’)包括第一柔性衬底(110’)及设于第一柔性衬底(110’)一侧的公共电极(120’)；
所述TFT阵列基板(400’)包括第二柔性衬底(410’)、于第二柔性衬底(410’)远离刚性基板(200)一侧依次设置的TFT阵列层(420’)及色阻层(430’)、设于色阻层(430’)远离第二柔性衬底(410’)一侧的黑色矩阵(440’)与像素电极(450’)、设于黑色矩阵(440’)远离第二柔性衬底(410’)一侧的隔垫物(460’)；
将TFT阵列基板(400’)远离刚性衬底(200)的一侧与CF基板(100’)对组时，所述CF基板(100’)设有公共电极(120’)的一侧与TFT阵列基板(400’)设有隔垫物(460’)的一侧相对。
7.如权利要求6所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，
所述TFT阵列基板(400’)设于遮光图案(300)远离刚性衬底(200)一侧；
所述TFT阵列基板(400’)与遮光图案(300)之间设有平坦化层(700)；
在刚性衬底(200)一侧形成遮光图案(300)及在遮光图案(300)远离刚性衬底(200)一侧形成TFT阵列基板(400’)的过程为：在刚性衬底(200)的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案(300)，在刚性衬底(200)上形成覆盖多个遮光图案(300)的平坦化层(700)，在平坦化层(700)远离遮光图案(300)的一侧依次制作第二柔性衬底(410’)、TFT阵列层(420’)及色阻层(430’)，在色阻层(430’)远离第二柔性衬底(410’)一侧制作黑色矩阵(440’)与像素电极(450’)，在黑色矩阵(440’)远离第二柔性衬底(410’)一侧制作隔垫物(460’)。
8.如权利要求6所述的柔性液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板(400’)设于刚性衬底(200)远离遮光图案(300)一侧；
在刚性衬底(200)一侧形成遮光图案(300)及在刚性衬底(200)远离遮光图案(300)一侧形成TFT阵列基板(400’)的过程为：
在刚性衬底(200)的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案(300)，在刚性衬底(200)远离遮光图案(300)的一侧依次制作第二柔性衬底(410’)、TFT阵列层(420’)及色阻层(430’)，在色阻层(430’)远离第二柔性衬底(410’)一侧制作黑色矩阵(440’)与像素电极(450’)，在黑色矩阵(440’)远离第二柔性衬底(410’)一侧制作隔垫物(460’)，得到TFT阵列基板(400’)；或者，
在刚性衬底(200)的一侧依次制作第二柔性衬底(410’)、TFT阵列层(420’)及色阻层(430’)，在色阻层(430’)远离第二柔性衬底(410’)一侧制作黑色矩阵(440’)与像素电极(450’)，在黑色矩阵(440’)远离第二柔性衬底(410’)一侧制作隔垫物(460’)，得到TFT阵列基板(400’)，在刚性衬底(200)远离TFT阵列基板(400’)的一侧形成遮光材料层，对遮光材料层进行曝光显影制程，得到阵列排布的多个遮光图案(300)。
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