CN108375871B - 一种掩膜板、制作方法及对准的方法 - Google Patents
一种掩膜板、制作方法及对准的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108375871B CN108375871B CN201810119093.8A CN201810119093A CN108375871B CN 108375871 B CN108375871 B CN 108375871B CN 201810119093 A CN201810119093 A CN 201810119093A CN 108375871 B CN108375871 B CN 108375871B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alignment mark
- mark line
- pattern
- deep groove
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000005429 filling process Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 chrome nitride Chemical class 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种掩膜板、制作方法及对准的方法,所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。采用本发明的掩膜板形成的对准标记线可完全填满,实现设置有背面金属栅格图案的掩膜板与深沟槽对准,可节省BSGND工艺,节省成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种掩膜板、制作方法及对准的方法。
背景技术
深沟槽隔离(Deep trench isolation,DTI)技术在当前的高性能图像处理器已占据主要的地位,而深DTI代表着更优异的性能。背面金属栅格(Backside metal grid,BMG)与深DTI搭配会得到更好的光学性能。
通常为了背面金属栅格与深沟槽进行对准,实现更好的光学性能,需要在硅基底设置对准标记线,也就是说,利用掩膜板对硅基底进行光刻,在硅基底上形成对准标记线和深沟槽,所使用的掩膜板上事先设置好对准标记线图案和深沟槽的图案,其中,通常对准标记线图案的宽度为1.6um,如图1所示,在对对准标记线和深沟槽进行刻蚀后,需要进行填充,通常采用的是利用填充深沟槽的工艺来对标记线和深沟槽进行填充,但是,在对对准标记线进行填充的过程中,由于受工艺本身或工艺需要花费的时间的影响,无法对对准标记线进行完全填充,会产生剥落或破裂的影响;
基于上述存在的问题,对上述工艺进行改进,将掩膜板上的对准标记线图案去掉,仅仅有深沟槽的图案,在硅基底上进行显影和刻蚀,形成深沟槽,接着需要新增加一道工艺BSGND,如图2所示,为了使背面金属栅格和深沟槽进行对准,具体工艺为在硅基底上铺设一层铝,再一次使用掩膜板在铝上形成标记线,以实现背面金属栅格和深沟槽进行对准,解决了现有技术中对准标记线无法填满的缺陷,但是,在此过程需要新增加一道工艺,增加一次掩膜板,产生了较高的成本。
因此,如何提出一种方法,在BMG与深沟槽对准进行曝光的过程中不仅能够将对准标记线填满,同时节省一道工艺,以能够节省成本,成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩膜板、制作方法及对准的方法,在利用设置有背面金属栅格图案的掩膜板与深沟槽进行对准的工序中,所使用的掩膜板形成的对准标记线能够完全填满,并且相对比现有技术节省一道工序BSGND,节省成本。
针对现有技术中的缺陷,本发明提供以下技术方案:
本发明实施例提供一种掩膜板,包括:所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。
进一步地,所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
进一步地,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。
可选地,所述深沟槽填充工艺包括原子层沉积填充工艺。
本发明还提供一种掩膜板制作方法,包括:在掩膜板上形成对准标记线图案和深沟槽图案;其中,所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。
进一步地,所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
进一步地,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。
可选地,所述深沟槽填充工艺包括原子层沉积填充工艺。
本发明还提供了利用上述掩膜板进行设置有背面金属栅格的掩膜板与深沟槽对准的方法,包括:
在基底表面铺设光阻剂,按照所述掩膜板上设置的对准标记线图案和深沟槽图案进行曝光后在所述基底表面形成所述对准标记线图案和所述深沟槽图案;
进行刻蚀工艺后在所述基底上形成深沟槽以及对准标记线;
根据所述对准标记线,实现有背面金属栅格图案的掩膜板与所述基底上的深沟槽的对准工艺。
进一步地,所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
进一步地,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。
本发明实施例提供的掩膜板、制作方法及对准的方法,通过掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,利用所述对准标记线图案在硅基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充,利用本发明提供的掩膜板、制作方法及对准的方法,可节省一道工艺,节省成本,而且可以实现金属栅格与深沟槽的对准。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中掩膜板上的对准标记图案的示意图;
图2为现有技术中背面金属栅格工艺完成后与深沟槽的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的掩膜板上的对准标记图案的示意图;
图4为本发明实施例提供的设置有背面金属栅格的掩膜板与深沟槽对准方法的流程示意图;
图5为本发明实施例提供的实现背面金属栅格与深沟槽对准的结构示意图;
附图标记说明:
1—深沟槽;2—基底;3—BSGND;
4—现有技术中的掩膜板上的对准标记线的图案;
5—本发明的掩膜板上对准标记线的图案;
6—背面金属栅格BMG;7—新设计的对准标记线。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明一实施例提供了一种掩膜板,通过对掩膜板上的对准标记线图案进行改进,使得在基底上形成的对准标记线能够采用深沟槽填充的工艺完全填满,且在实现设置有背面金属栅格的掩膜板与深沟槽进行对准时,节省现有技术中的一道工艺BSGND,从而节省了成本。
本发明提供的掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。
在操作过程中,在基底上敷设有光刻胶,在将设置有对准标记线图案和深沟槽图案的掩膜板放置于敷设有光刻胶的基底上,通过对掩膜板上的图案进行显影,将掩膜板上的图案显影到基底上,进而对基底上形成的图案进行刻蚀,根据深沟槽图案在基底上形成深沟槽,根据对准标记线图案在基底上形成对准标记线,在后续工艺中,在对深沟槽填充的同时,采用深沟槽填充工艺也将对准标记线完全填充。根据形成的对准标记线,将深沟槽与设置有背面金属栅格图案的掩膜板进行对准曝光。
本发明提供一种优选的实施方式,由于现有技术中掩膜板上的对准标记线的宽度为1.6um,但是在后续的填充工艺中存在无法完全填充,容易剥落等缺陷,而本发明实施例提供的对准标记线图案形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充,不会产生破裂等缺陷。
具体地,图3为本发明实施例提供的掩膜板上的对准标记线图案的示意图,如图3所示,其中,图3中只示出了对准标记线图案,并没有示出深沟槽图案。其中,对准标记线图案和深沟槽图案的位置可根据实际的需要进行设置,掩膜板上的对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,如图3中阴影面积的图案,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
本发明提供又一种优选的实施方式,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。
对准标记线图案的宽度若太窄,对于深沟槽与设置有背面金属栅格图案的掩膜板对准的参考意义不大。
在对基底上形成的对准标记线进行填充的时候,优选地,采用原子层沉积填充工艺的深沟槽填充工艺,在对深沟槽填充的同时,也将对准标记线一并填充,并且可以完全填充。
优选地,本发明实施例中所述基底为硅基底,也可为其他材质的基底,在本发明中不做具体限定。
本发明实施例提供的掩膜板,由于其上设置有对准标记线图案,且利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充,因此在利用该掩膜板进行BMG对准DTI工艺时,不容易产生剥离(peeling)缺陷。且由于采用本发明实施例提供的掩膜板能够实现BMG和DTI的对准且不存在缺陷问题,因此不再像背景技术部分描述的那样需要额外一道BSGND工艺,从而节省了工艺和成本。
本发明另一实施例还提供了一种掩膜板制作方法,通常采用的是玻璃涂敷铬技术,优选地,掩膜板制作材料选择硼硅酸盐玻璃或石英,具有良好的尺寸稳定性和曝光波长的传播性能。铬图层的厚度在1000埃范围内,用溅射法淀积在玻璃上,先进的掩膜板使用铬、铬氧化物、铬氮化物镀层。
在掩膜板具体的制作过程中,将所需要的图案通过显影、目检、刻蚀、去光刻胶等过程复制到镀铬层上,完成掩膜板的制作。
在本发明中,将需要的图形包括对准标记线图案和深沟槽图案复制到镀铬层上形成掩膜板,方便使用在后续掩膜板的曝光过程中;其中,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。
本发明提供一种优选的实施方式,由于现有技术中掩膜板上的对准标记线的宽度为1.6um,但是在后续的填充工艺中存在无法完全填充,容易剥落等缺陷,而本发明实施例提供的对准标记线图案形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充,不会产生破裂等缺陷。
具体地,图3为本发明实施例提供的掩膜板上的对准标记线图案的示意图,如图3所示,其中,图3中只示出了对准标记线图案5,并没有示出深沟槽图案。其中,对准标记线图案和深沟槽图案的位置可根据实际的需要进行设置,掩膜板上的对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,如图3中阴影面积的图案,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
本发明提供又一种优选的实施方式,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm,在对基底上形成的对准标记线进行填充的时候,优选地,采用原子层沉积填充工艺的深沟槽填充工艺,在对深沟槽填充的同时,也将对准标记线一并填充,并且可以完全填充。可选地,所述深沟槽填充工艺包括原子气相层沉积填充工艺。
在上述实施例的基础上,在对对准标记线进行填充的时候,采用深沟槽填充工艺,可选地,采用原子气相层沉积来实现填充工艺,可以完全将对准标记线填充。
优选地,本发明实施例中所述基底为硅基底,也可为其他材质的基底,在本发明中不做具体限定。
本发明实施例还提供了一种设置有背面金属栅格的掩膜板与深沟槽对准方法,图4为本发明实施例提供的设置有背面金属栅格图案的掩膜板与深沟槽对准方法的流程示意图,如图4所示,包括:
S101、在基底表面铺设光阻剂,按照所述掩膜板上设置的对准标记线图案和深沟槽图案进行曝光后在所述基底表面形成所述对准标记线图案和所述深沟槽图案;
S102、进行刻蚀工艺后在所述基底上形成深沟槽以及对准标记线;
S103、根据所述对准标记线,实现有背面金属栅格图案的掩膜板与所述基底上的深沟槽的对准工艺。
具体的,图5为本发明实施例提供的实现背面金属栅格与深沟槽对准的结构示意图,如图5所示,图中7代表根据新设计的对准标记线图案形成的对准标记线,利用上述实施例提供的掩膜板在基底上形成深沟槽和对准标记线,对准标记线用于深沟槽与设置有背面金属栅格的掩膜板对准。其中,上述实施例提供的掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。
在基底上敷设光阻剂,且将掩膜板放置在光阻剂上,按照所述掩膜板上设置的对准标记线图案和深沟槽图案进行曝光后在所述基底表面形成所述对准标记线图案和所述深沟槽图案;对基底上的图案进行刻蚀工艺后在所述基底上形成深沟槽以及对准标记线;根据所述对准标记线,实现有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工艺。
本发明提供一种优选的实施方式,由于现有技术中掩膜板上的对准标记线的宽度为1.6um,但是在后续的填充工艺中存在无法完全填充,容易剥落等缺陷,而本发明实施例提供的对准标记线图案形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充,不会产生破裂等缺陷。
具体地,图3为本发明实施例提供的掩膜板上的对准标记线图案的示意图,如图3所示,其中,图3中只示出了对准标记线图案,并没有示出深沟槽图案。其中,对准标记线图案和深沟槽图案的位置可根据实际的需要进行设置,掩膜板上的对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,如图3中阴影面积的图案,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
本发明提供又一种优选的实施方式,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm在对基底上形成的对准标记线进行填充的时候,优选地,采用原子层沉积填充工艺的深沟槽填充工艺,在对深沟槽填充的同时,也将对准标记线一并填充,并且可以完全填充。可选地,所述深沟槽填充工艺包括原子气相层沉积填充工艺。
在上述实施例的基础上,在对对准标记线进行填充的时候,采用深沟槽填充工艺,可选地,采用原子气相层沉积来实现填充工艺,可以完全将对准标记线填充。
优选地,本发明实施例中所述基底为硅基底,也可为其他材质的基底,在本发明中不做具体限定。本发明实施例提供的背面金属栅格与深沟槽对准方法,利用掩膜板上的对准标记线图案,在基底上形成的对准标记线,且对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充,因此在利用本发明提供的掩膜板进行BMG对准DTI工艺时,不容易产生剥离(peeling)等缺陷。且由于采用本发明实施例提供的掩膜板,能够实现BMG和DTI的对准且不存在缺陷问题,因此不再像背景技术部分描述的那样需要额外一道BSGND工艺,从而节省了工艺和成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限定本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充;所述掩膜板制作材料选择硼硅酸盐玻璃或石英;
在对所述深沟槽填充的同时,采用所述深沟槽填充工艺将所述对准标记线完全填充;
所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。
3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述深沟槽填充工艺包括原子层沉积填充工艺。
4.一种掩膜板制作方法,其特征在于,包括:在掩膜板上形成对准标记线图案和深沟槽图案;其中,所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案,所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽,所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线,所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序,其中,利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充;所述掩膜板制作材料选择硼硅酸盐玻璃或石英;
在对所述深沟槽填充的同时,采用所述深沟槽填充工艺将所述对准标记线完全填充;
所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述深沟槽填充工艺包括原子层沉积填充工艺。
7.一种利用如权利要求1-3任一项所述的掩膜板进行设置有背面金属栅格的掩膜板与深沟槽对准的方法,其特征在于,包括:
在基底表面铺设光阻剂,按照所述掩膜板上设置的对准标记线图案和深沟槽图案进行曝光后在所述基底表面形成所述对准标记线图案和所述深沟槽图案;
进行刻蚀工艺后在所述基底上形成深沟槽以及对准标记线;
根据所述对准标记线,实现有背面金属栅格图案的掩膜板与所述基底上的深沟槽的对准工艺;
所述掩膜板上设置的对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构,且所述条状结构的宽度为130-200nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810119093.8A CN108375871B (zh) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 一种掩膜板、制作方法及对准的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810119093.8A CN108375871B (zh) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 一种掩膜板、制作方法及对准的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108375871A CN108375871A (zh) | 2018-08-07 |
CN108375871B true CN108375871B (zh) | 2021-08-24 |
Family
ID=63017472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810119093.8A Active CN108375871B (zh) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 一种掩膜板、制作方法及对准的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108375871B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112510016B (zh) * | 2020-12-08 | 2024-08-16 | 武汉新芯集成电路股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101446768A (zh) * | 2007-11-27 | 2009-06-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 零层对准标记及制作方法 |
CN101458443A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩模版及其制作方法、图形化的方法 |
CN101576714A (zh) * | 2009-06-09 | 2009-11-11 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻设备的对准基准板及其制造工艺方法 |
CN103035486A (zh) * | 2012-09-28 | 2013-04-10 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法 |
CN104181016A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法 |
CN105702662A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套准标记及其形成方法 |
CN106356415A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-01-25 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 背面金属格栅的制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5728187B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2015-06-03 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-02-06 CN CN201810119093.8A patent/CN108375871B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101446768A (zh) * | 2007-11-27 | 2009-06-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 零层对准标记及制作方法 |
CN101458443A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩模版及其制作方法、图形化的方法 |
CN101576714A (zh) * | 2009-06-09 | 2009-11-11 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻设备的对准基准板及其制造工艺方法 |
CN103035486A (zh) * | 2012-09-28 | 2013-04-10 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法 |
CN104181016A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法 |
CN105702662A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套准标记及其形成方法 |
CN106356415A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-01-25 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 背面金属格栅的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108375871A (zh) | 2018-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101281361A (zh) | 具有次解析度辅助特征的光掩模与其制造方法 | |
TW200539311A (en) | Method utilizing compensation features in semiconductor processing | |
CN102707575A (zh) | 掩模板及制造阵列基板的方法 | |
CN102236247A (zh) | 光掩膜的制作方法 | |
CN105719955A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
CN108375871B (zh) | 一种掩膜板、制作方法及对准的方法 | |
JPS61292643A (ja) | ホトマスク | |
KR100734318B1 (ko) | 포토 마스크의 cd 보정 방법 및 cd가 보정된 포토마스크 | |
CN103365069A (zh) | 制造光刻掩模的方法 | |
JP6167568B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2005148514A (ja) | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 | |
TW201525610A (zh) | 光罩之製造方法、光罩及圖案轉印方法 | |
JP2010026367A (ja) | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 | |
KR100946026B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 | |
US6296974B1 (en) | Method of forming a multi-layer photo mask | |
JP2616416B2 (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
KR100819672B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 패턴 형성 방법 | |
KR100318272B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
KR960000183B1 (ko) | 크롬막이 부가된 위상반전마스크 및 그 제조 방법 | |
KR101101582B1 (ko) | 하프톤 패드를 이용한 포토 마스크 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크 | |
JPH03172844A (ja) | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 | |
KR0172735B1 (ko) | 노광용 정렬 키 제조방법 | |
JP2882215B2 (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
JP3166223B2 (ja) | 位相シフト露光マスク、位相シフト露光マスクの製造方法、及び位相シフト露光マスクを使用した露光方法 | |
KR20000006852A (ko) | 쉐도우 마스크를 이용한 웨이퍼상에 금속 패턴을 형성하는방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 430205 No. 18, Gaoxin 4th Road, Donghu high tech Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 430205 No. 18, Gaoxin 4th Road, Donghu high tech Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
CP03 | Change of name, title or address |