CN108352815A - 跨导放大器和移相器 - Google Patents

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Abstract

跨导放大器具有：交叉耦合差动对(31)，其具有一组差动对晶体管，该差动对晶体管的各个栅极被输入极性反转的信号，一组差动对晶体管中的一个差动对晶体管的漏极与另一个差动对晶体管的其他漏极连接；以及控制电路(32)，其由逻辑电路构成，根据所输入的输出有无控制信号和极性控制信号，对各个差动对晶体管的公共源极输出二值信号。

Description

跨导放大器和移相器
技术领域
本发明涉及具有输出有无控制功能和极性控制功能的跨导放大器和使用跨导放大器的移相器。
背景技术
在相控阵雷达等中，为了使射束方向可变，需要移相器。作为这种移相器之一，存在具有跨导放大器的矢量合成型的移相器(例如参照非专利文献1)。跨导放大器具有源极接地的极性控制级和位于该极性控制级的上级的放大级。而且，在矢量合成型的移相器中，将输入信号的同相成分(I信号)和正交成分(Q信号)分别施加到各个跨导放大器的放大级，将该放大级的输出与同一负载连接。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：T.C.Yan，W.Z.Lin，and C.N.Kuo，“A 3.5GHz phase shifter ofhigh input power range with digitally controlled VGA，”2011IEEEInt.Symp.Radio-Frequency Integr.Technol.RFIT 2011，pp.29-32，2011.
发明内容
发明要解决的课题
在非专利文献1所公开的现有的移相器所使用的跨导放大器中，在源极接地的极性控制级的上级设置有放大级，需要使纵向堆叠(vertically stacked stage)最低为两级。因此，当要取放大级的漏极电压的较大振幅而使源极降低到地电位(地电平)时，存在无法得到输出这样的不良情况。因此，需要使极性控制级和放大级进行饱和动作，晶体管的漏极-源极间需要数百mV程度的电压。由此，存在漏极电压的振幅的上限较低、线性度较低这样的课题。
本发明是为了解决上述这种课题而完成的，其目的在于，提供如下的跨导放大器和移相器：相对于现有结构，能够扩大放大级的漏极电压的振幅，能够提高线性度。
用于解决课题的手段
本发明的跨导放大器具有：交叉耦合差动对，其具有一组差动对晶体管，该一组差动对晶体管的各个栅极被输入极性反转的信号，一组差动对晶体管中的一个差动对晶体管的漏极与另一个差动对晶体管的其他漏极连接；以及控制电路，其由逻辑电路构成，根据所输入的输出有无控制信号和极性控制信号对各个差动对晶体管的公共源极输出二值信号，该输出有无控制信号是对交叉耦合差动对的输出的有无进行控制的二值信号，该极性控制信号是对交叉耦合差动对的输出的极性进行控制的二值信号。
发明效果
根据本发明，如上所述构成，因此，相对于现有结构，能够扩大放大级的漏极电压的振幅，能够提高线性度。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的移相器的结构例的图。
图2是示出本发明的实施方式1的跨导放大器的结构例的图。
图3A、图3B是说明本发明的实施方式1的跨导放大器中、所输入的输出有无控制信号与所输出的电流之间的关系的图，是示出电流输出状态的图和示出电流无输出状态的图。
图4A、图4B是说明本发明的实施方式1的跨导放大器中、所输入的极性控制信号与所输出的电流的极性之间的关系的图，是示出极性通常时的图和示出极性反转时的图。
图5是示出本发明的实施方式1的移相器的移相控制的一例的图。
图6是示出全差动跨导器(fully-differential transconductor)的结构例的图。
图7A、图7B是示出伪差动跨导器(pseudo differential transconductor)的结构例的图，是示出理想的伪差动的图和示出由于电阻而使增益降低的伪差动的图。
图8是示出NAND电路的结构例的图。
图9是示出反相器的结构例的图。
图10是示出本发明的实施方式2的跨导放大器的结构例的图。
图11A、图11B是说明本发明的实施方式2的跨导放大器中、所输入的输出有无控制信号与所输出的电流之间的关系的图，是示出电流输出状态的图和示出电流无输出状态的图。
图12A、图12B是说明本发明的实施方式2的跨导放大器中、所输入的极性控制信号与所输出的电流的极性之间的关系的图，是示出极性通常时的图和示出极性反转时的图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
实施方式1.
图1是示出本发明的实施方式1的移相器1的结构例的图。
移相器1根据基于控制码的控制信号(后述输出有无控制信号VEN和极性控制信号VPOS)将输入信号转换为任意相位的信号，是矢量合成型的移相器。如图1所示，该移相器1具有可变增益放大器2a和可变增益放大器2b。可变增益放大器2a被输入使输入信号的同相成分(I信号)进行非反转和反转的互补信号(非反转输入信号VP_I、反转输入信号VN_I)而进行处理。并且，可变增益放大器2b被输入使输入信号的正交成分(Q信号)进行非反转和反转的互补信号(非反转输入信号VP_Q、反转输入信号VN_Q)而进行处理。该可变增益放大器2a的输出和可变增益放大器2b的输出与同一负载连接。
可变增益放大器2a、2b是相同的电路结构，分别具有多个跨导放大器3。如图2所示，实施方式1的跨导放大器3具有交叉耦合差动对31和控制电路32。
交叉耦合差动对31具有由晶体管311和晶体管312构成的一对晶体管(差动对晶体管)以及由晶体管313和晶体管314构成的一对晶体管(差动对晶体管)。
晶体管311的栅极与非反转输入端子(未图示)连接。另外，对非反转输入端子输入非反转输入信号VP。
晶体管312的栅极与反转输入端子(未图示)连接，漏极与晶体管313的漏极连接。另外，对反转输入端子输入反转输入信号VN。
晶体管313的栅极与非反转输入端子连接。
晶体管314的栅极与反转输入端子连接，漏极与晶体管311的漏极连接。
控制电路32由逻辑电路构成，具有对交叉耦合差动对31的输出的有无进行控制的功能(输出有无控制功能)以及控制交叉耦合差动对31输出的信号的极性的功能(极性控制功能)。在实施方式1的控制电路32中，根据所输入的输出有无控制信号VEN和极性控制信号VPOS，对各个差动对晶体管的公共源极输出二值信号。另外，输出有无控制信号VEN是对交叉耦合差动对31的输出的有无进行控制的二值信号(H电平(电源电平)或L电平(地电平))。并且，极性控制信号VPOS是对交叉耦合差动对31的输出的极性进行控制的二值信号(H电平(电源电平)或L电平(地电平))。
该控制电路32具有反相器(NOT电路、非电路)321、324、325和NAND电路(与非电路)322、323。
反相器321是安装了逻辑非的电路，在被输入H电平的信号的情况下输出L电平的信号，在被输入L电平的信号的情况下输出H电平的信号。串联连接奇数个该反相器321，该反相器321的输入端与极性控制端子(未图示)连接。另外，对极性控制端子输入极性控制信号VPOS。并且，在图2中，示出设置有一个反相器321的情况。
NAND电路322是安装了与非的电路，在被输入H电平的2个信号的情况下输出L电平的信号，在除此以外的情况下输出H电平的信号。该NAND电路322的一个输入端子与输出有无控制端子(未图示)连接，另一个输入端子与反相器321的输出端子连接。另外，对输出有无控制端子输入输出有无控制信号VEN。
NAND电路323是安装了与非的电路，在被输入H电平的2个信号的情况下输出L电平的信号，在除此以外的情况下输出H电平的信号。该NAND电路323的一个输入端子与极性控制端子连接，另一个输入端子与输出有无控制端子连接。
反相器324是安装了逻辑非的电路，在被输入H电平的信号的情况下输出L电平的信号，在被输入L电平的信号的情况下输出H电平的信号。串联连接偶数个该反相器324，该反相器324的输入端与一个NAND电路(在图2中为NAND电路322)的输出端子连接，该反相器324的输出端与一方的差动对晶体管(在图2中为晶体管313、314)的公共源极连接。另外，在图2中，示出设置有2个反相器324的情况。
反相器325是安装了逻辑非的电路，在被输入H电平的信号的情况下输出L电平的信号，在被输入L电平的信号的情况下输出H电平的信号。串联连接偶数个该反相器325，该反相器325的输入端与另一个NAND电路(在图2中为NAND电路323)的输出端子连接，该反相器325的输出端与另一方的差动对晶体管(在图2中为晶体管311、312)的公共源极连接。另外，在图2中，示出设置有2个反相器325的情况。
接着，对如上所述构成的移相器1的动作例进行说明。
在实施方式1的移相器1中，如图1所示，利用可变增益放大器2a对输入信号的同相成分的互补信号(电压)VP_I、VN_I进行放大而将其转换为电流，利用可变增益放大器2b对输入信号的正交成分的互补信号(电压)VP_Q、VN_Q进行放大而将其转换为电流，流过负载并得到电压输出。
这里，各跨导放大器3通过输出有无控制信号VEN_I<0>～VEN_I<M>、VEN_Q<0>～VEN_Q<M>被控制成有电流输出或无电流输出这2个状态。而且，通过该输出有无控制信号VEN_I<0>～VEN_I<M>、VEN_Q<0>～VEN_Q<M>的设定的组合，能够对流过负载的电流的振幅进行控制，能够进行增益控制。
图3A、图3B是说明跨导放大器3中、所输入的输出有无控制信号VEN与所输出的电流之间的关系的图，是示出电流输出状态的图和示出电流无输出状态的图。另外，在跨导放大器3中，还被输入决定输出电流的极性的极性控制信号VPOS，但是，在图3A、图3B的说明中没有关系，因此，设为极性控制信号VPOS＝H而进行说明。并且，假设对非反转输入端子和反转输入端子分别施加互补信号(非反转输入信号VP、反转输入信号VN)。
如图3A所示，在输出有无控制信号VEN＝H的情况下，通过控制电路32，对交叉耦合差动对31中的左侧的差动对晶体管(晶体管311、312)的公共源极输入的信号成为L电平。因此，该晶体管311、312成为导通状态，流过电流。
另一方面，如图3B所示，在输出有无控制信号VEN＝L的情况下，通过控制电路32，对交叉耦合差动对31的双方的差动对晶体管(晶体管311～314)的各公共源极输入的信号成为H电平。因此，晶体管311～314全部成为截止状态，不流过电流。
图4A、图4B是说明跨导放大器3中、所输入的极性控制信号VPOS与所输出的电流的极性之间的关系的图，是示出极性通常时的图和示出极性反转时的图。另外，在图4A、图4B中，设为输出有无控制信号VEN＝H。并且，对非反转输入端子和反转输入端子分别施加互补信号(非反转输入信号VP、反转输入信号VN)。
如图4A所示，在极性控制信号VPOS＝H的情况下，通过控制电路32，对交叉耦合差动对31中的左侧的差动对晶体管(晶体管311、312)的公共源极输入的信号成为L电平，对右侧的差动对晶体管(晶体管313、314)的公共源极输入的信号成为H电平。因此，仅晶体管311、312成为导通状态，流过通常极性的电流。
另一方面，如图4B所示，在极性控制信号VPO S＝L的情况下，通过控制电路32，对交叉耦合差动对31中的左侧的差动对晶体管(晶体管311、312)的公共源极输入的信号成为H电平，对右侧的差动对晶体管(晶体管313、314)的公共源极输入的信号成为L电平。因此，仅晶体管313、314成为导通状态，流过反转的极性的电流。
另外，移相器1的输出中出现的信号的相移量用arctan(Q/I)表示。而且，I和Q的极性能够取正负，因此，当利用矢量图表现I和Q时，能够取全部4个象限。即，在本发明的移相器1中，能够在0～360度的范围内控制相移量。
图5示出本发明的移相器1的移相控制的一例。在图5中，横轴是表示转移状态的控制码。并且，左纵轴是相移量。另外，理想情况下，相移量相对于控制码呈直线变化。并且，优选增益(非显示)恒定而与控制码无关。并且，右纵轴是与理想值之间的增益误差和相位误差。
并且，在本发明的移相器1中，能够使纵积最低为1级，能够使交叉耦合差动对31的源极降低到地电平。由此，相对于现有结构，能够扩大交叉耦合差动对31的漏极电压的振幅，能够提高线性度。
另外，在实施方式1中，在NAND电路322、323与交叉耦合差动对31的公共源极之间分别设置偶数个反相器324、325，但是，下面对其理由进行说明。
在跨导器(跨导放大器)中，大致存在全差动跨导器和伪差动跨导器这2种。
如图6所示，全差动跨导器在差动对晶体管的共享源极连接恒流源601、602。多数情况下，恒流源601、602由晶体管构成。在该全差动跨导器中，利用恒流源601、602进行偏置，因此，差动对晶体管中流过的电流和增益由恒流源601、602决定。但是，如上所述，在图6的结构中，恒流源601、602需要电压，因此，漏极电压的振幅相应地减小。
另一方面，如图7A、图7B所示，伪差动跨导器是本发明所使用的跨导器。在该伪差动跨导器中，能够取漏极电压的较大振幅。并且，在该伪差动跨导器中，流过差动对晶体管的电流和增益由对栅极施加的信号VP、VN的DC电压决定。因此，针对相同的信号VP、VN的DC电压，如图7A那样在公共源极直接连接GND的情况下，流过意图的电流，得到意图的增益。另一方面，如图7B那样附加电阻701、702的情况下，电流减小，无法得到意图的增益。这是伪差动跨导器的缺点。
这里，针对图2所示的结构，去除反相器324、325，使NAND电路322、323与交叉耦合差动对31的公共源极直接连接。另外，NAND电路322、323是图8所示的电路结构，反相器324、325是图9所示的电路结构。
而且，在针对NAND电路322、323的2个输入信号均为H电平的情况下，从NAND电路322、323输出的信号成为L电平，与NAND电路322、323的输出连接的公共源极成为接地电位。但是，根据图8可知，在NAND电路322、323中，堆叠2个NMOS晶体管，与图9所示的反相器相比，晶体管的导通(ON)电阻翻倍。即，在相同的NMOS晶体管中，图7B的电阻值倍增，与图2那样存在反相器324、324的情况相比，无法得到意图的增益(增益降低)。
以上是在NAND电路322、323与交叉耦合差动对31的公共源极之间分别设置偶数个反相器324、325的理由。
如上所述，根据该实施方式1，跨导放大器具有：交叉耦合差动对31，其具有一组差动对晶体管，该差动对晶体管的各个栅极被输入极性反转的信号VP、VN，一组差动对晶体管中的一个差动对晶体管的漏极与另一个差动对晶体管的其他漏极连接；以及控制电路32，其由逻辑电路构成，根据所输入的输出有无控制信号VEN和极性控制信号VPOS，对各个差动对晶体管的公共源极输出二值信号，因此，相对于现有结构，能够扩大放大级(交叉耦合差动对31)的漏极电压的振幅，能够提高线性度。
另外，上述示出利用反相器321、324、325和NAND电路322、323构成控制电路32的情况。但是，不限于此，也可以代替2个NAND电路322、323而使用2个AND电路(与电路)。另外，在使用AND电路的情况下，设置奇数个反相器324、325。
实施方式2.
在实施方式2中，示出跨导放大器3的另一个结构例。另外，除了跨导放大器3的结构以外的结构，实施方式2的移相器1与图1所示的实施方式1的结构例相同，省略其说明。
图10是示出本发明的实施方式2的跨导放大器3的结构例的图。
如图10所示，实施方式2的跨导放大器3具有电感器33、交叉耦合差动对34和控制电路35。
电感器33的一端与非反转输入端子(未图示)连接，另一端与反转输入端子(未图示)连接，中心接地。另外，对非反转输入端子输入非反转输入信号VP，对反转输入端子输入反转输入信号VN。
交叉耦合差动对34具有由晶体管341和晶体管342构成的一对晶体管(差动对晶体管)以及由晶体管343和晶体管344构成的一对晶体管(差动对晶体管)。
晶体管341的公共源极连接在非反转输入端子与电感器33的一端之间。
晶体管342的公共源极连接在非反转输入端子与电感器33的一端之间，漏极与晶体管343的漏极连接。
晶体管343的公共源极连接在反转输入端子与电感器33的另一端之间。
晶体管344的公共源极连接在反转输入端子与电感器33的另一端之间，漏极与晶体管341的漏极连接。
控制电路35由逻辑电路构成，具有对交叉耦合差动对34的输出的有无进行控制的功能(输出有无控制功能)以及控制交叉耦合差动对34输出的信号的极性的功能(极性控制功能)。在实施方式2的控制电路35中，根据所输入的输出有无控制信号VEN和极性控制信号VPOS，对各个差动对晶体管的各个栅极输出二值信号。另外，输出有无控制信号VEN是对交叉耦合差动对34的输出的有无进行控制的二值信号(H电平(电源电平)或L电平(地电平))。并且，极性控制信号VPOS是对交叉耦合差动对34的输出的极性进行控制的二值信号(H电平(电源电平)或L电平(地电平))。
该控制电路35具有反相器(NOT电路、非电路)351、354、355和NAND电路(与非电路)352、353。
反相器351是安装了逻辑非的电路，在被输入H电平的信号的情况下输出L电平的信号，在被输入L电平的信号的情况下输出H电平的信号。串联连接奇数个该反相器351，该反相器351的输入端与极性控制端子(未图示)连接。另外，对极性控制端子输入极性控制信号VPOS。并且，在图10中，示出设置有一个反相器351的情况。
NAND电路352是安装了与非的电路，在被输入H电平的2个信号的情况下输出L电平的信号，在除此以外的情况下输出H电平的信号。该NAND电路352的一个输入端子与输出有无控制端子(未图示)连接，另一个输入端子与反相器351的输出端子连接。另外，对输出有无控制端子输入输出有无控制信号VEN。
NAND电路353是安装了与非的电路，在被输入H电平的2个信号的情况下输出L电平的信号，在除此以外的情况下输出H电平的信号。该NAND电路353的一个输入端子与极性控制端子连接，另一个输入端子与输出有无控制端子连接。
反相器354是安装了逻辑非的电路，在被输入H电平的信号的情况下输出L电平的信号，在被输入L电平的信号的情况下输出H电平的信号。串联连接奇数个该反相器354，该反相器354的输入端与一个NAND电路(在图10中为NAND电路352)的输出端子连接，该反相器354的输出端与各个差动对晶体管的一方的栅极(在图10中为晶体管342、344的栅极)连接。另外，在图10中，示出设置有一个反相器354的情况。
反相器355是安装了逻辑非的电路，在被输入H电平的信号的情况下输出L电平的信号，在被输入L电平的信号的情况下输出H电平的信号。串联连接奇数个该反相器355，该该反相器355的输入端与另一个NAND电路(在图10中为NAND电路353)的输出端子连接，该反相器355的输出端与各个差动对晶体管的另一方的栅极(在图10中为晶体管341、343的栅极)连接。另外，在图10中，示出设置有一个反相器355的情况。
接着，对如上所述构成的移相器1的动作例进行说明。
在实施方式2的移相器1中，与实施方式1同样，如图1所示，利用可变增益放大器2a对输入信号的同相成分的互补信号(电压)VP_I、VN_I进行放大而将其转换为电流，利用可变增益放大器2b对输入信号的正交成分的互补信号(电压)VP_Q、VN_Q进行放大而将其转换为电流，流过负载并得到电压输出。
这里，各跨导放大器3通过输出有无控制信号VEN_I<0>～VEN_I<M>、VEN_Q<0>～VEN_Q<M>被控制成有电流输出或无电流输出这2个状态。而且，通过该输出有无控制信号VEN_I<0>～VEN_I<M>、VEN_Q<0>～VEN_Q<M>的设定的组合，能够对流过负载的电流的振幅进行控制，能够进行增益控制。
图11A、图11B是说明跨导放大器3中、所输入的输出有无控制信号VEN与所输出的电流之间的关系的图，是示出电流输出状态的图和示出电流无输出状态的图。另外，在跨导放大器3中，还被输入决定输出电流的极性的极性控制信号VPOS，但是，在图11A、图11B的说明中没有关系，因此，设为极性控制信号VPOS＝H而进行说明。并且，对非反转输入端子和反转输入端子分别施加互补信号(非反转输入信号VP、反转输入信号VN)。
如图11A所示，在输出有无控制信号VEN＝H的情况下，通过控制电路35，对交叉耦合差动对34中的晶体管341、343的栅极输入的信号成为H电平。因此，该晶体管341、343成为导通状态，流过电流。
另一方面，如图11B所示，在输出有无控制信号VEN＝L的情况下，通过控制电路35，对交叉耦合差动对34的全部晶体管341～344的栅极输入的信号成为L电平。因此，晶体管341～344全部成为截止状态，不流过电流。
图12A、图12B是说明跨导放大器3中、所输入的极性控制信号VPOS与所输出的电流的极性之间的关系的图，是示出极性通常时的图和示出极性反转时的图。另外，在图12A、图12B中，设为输出有无控制信号VEN＝H。并且，对非反转输入端子和反转输入端子分别施加互补信号(非反转输入信号VP、反转输入信号VN)。
如图12A所示，在极性控制信号VPOS＝H的情况下，通过控制电路35，对交叉耦合差动对34中的晶体管341、343的栅极输入的信号成为H电平，对晶体管342、344的栅极输入的信号成为L电平。因此，仅晶体管341、343成为导通状态，流过通常极性的电流。
另一方面，如图12B所示，在极性控制信号VPOS＝L的情况下，通过控制电路35，对交叉耦合差动对34中的晶体管342、344的栅极输入的信号成为H电平，对晶体管341、343的栅极输入的信号成为L电平。因此，仅晶体管342、344成为导通状态，流过反转的极性的电流。
另外，移相器1的输出中出现的信号的相移量用arctan(Q/I)表示。而且，I和Q的极性能够取正负，因此，当利用矢量图表现I和Q时，能够取全部4个象限。即，在本发明的移相器1中，能够在0～360度的范围内控制相移量。
并且，在本发明的移相器1中，能够使纵向堆叠最低为1级。由此，相对于现有结构，能够扩大交叉耦合差动对34的漏极电压的振幅，能够提高线性度。
如上所述，根据该实施方式2，跨导放大器具有：交叉耦合差动对34，其具有一组差动对晶体管，该一组差动对晶体管的各个公共源极被输入极性反转的信号，一组差动对晶体管中的一个差动对晶体管的漏极与另一个差动对晶体管的其他漏极连接；以及控制电路35，其由逻辑电路构成，根据所输入的输出有无控制信号VEN和极性控制信号VPOS，对各个差动对晶体管的各个栅极输出二值信号，因此，相对于现有结构，能够扩大放大级(交叉耦合差动对34)的漏极电压的振幅，能够提高线性度。并且，在实施方式2的结构中，相对于实施方式1的结构，能够削减反相器数量。
另外，上述示出利用反相器351、354、355和NAND电路352、353构成控制电路35的情况。但是，不限于此，也可以代替2个NAND电路352、353而使用2个AND电路(与电路)。另外，在使用AND电路的情况下，设置偶数个反相器354、355。
并且，在AND电路与交叉耦合差动对34之间分别设置偶数个反相器354、355的理由与实施方式1相同。
另外，本申请发明能够在其发明的范围内进行各实施方式的自由组合、或各实施方式的任意结构要素的变形、或各实施方式中的任意结构要素的省略。
产业上的可利用性
本发明的跨导放大器相对于现有结构，能够扩大放大级的漏极电压的振幅，能够提高线性度，适用于具有输出有无控制功能和极性控制功能的跨导放大器和使用跨导放大器的移相器等。
标号说明
1：移相器；2a、2b：可变增益放大器；3：跨导放大器；31、34：交叉耦合差动对；32、35：控制电路；33：电感器；311～314、341～344：晶体管；321、324、325、341、344、345：反相器(NOT电路；非电路)；322、323、342、343：NAND电路(与非电路)；601、602：恒流源；701、702：电阻。

Claims (8)

1.一种跨导放大器，其具有：
交叉耦合差动对，其具有一组差动对晶体管，该差动对晶体管的各个栅极被输入极性反转的信号，一组所述差动对晶体管中的一个所述差动对晶体管的漏极与另一个所述差动对晶体管的其他漏极连接；以及
控制电路，其由逻辑电路构成，根据所输入的输出有无控制信号和极性控制信号对各个所述差动对晶体管的公共源极输出二值信号，其中，该输出有无控制信号是对所述交叉耦合差动对的输出的有无进行控制的二值信号，该极性控制信号是对所述交叉耦合差动对的输出的极性进行控制的二值信号。
2.根据权利要求1所述的跨导放大器，其特征在于，
所述控制电路具有：
串联连接的奇数个非电路，其被输入所述极性控制信号；
与非电路，其被输入所述输出有无控制信号和所述非电路的输出；
与非电路，其被输入所述极性控制信号和所述输出有无控制信号；
串联连接的偶数个非电路，其被输入一个所述与非电路的输出，输出端与一个所述差动对晶体管的公共源极连接；以及
串联连接的偶数个非电路，其被输入另一个所述与非电路的输出，输出端与另一个所述差动对晶体管的公共源极连接。
3.根据权利要求1所述的跨导放大器，其特征在于，
所述控制电路具有：
串联连接的奇数个非电路，其被输入所述极性控制信号；
与电路，其被输入所述输出有无控制信号和所述非电路的输出；
与电路，其被输入所述极性控制信号和所述输出有无控制信号；
串联连接的奇数个非电路，其被输入一个所述与电路的输出，输出端与一个所述差动对晶体管的公共源极连接；以及
串联连接的奇数个非电路，其被输入另一个所述与电路的输出，输出端与另一个所述差动对晶体管的公共源极连接。
4.一种跨导放大器，其具有：
交叉耦合差动对，其具有一组差动对晶体管，该一组差动对晶体管的各个公共源极被输入极性反转的信号，一组所述差动对晶体管中的一个所述差动对晶体管的漏极与另一个所述差动对晶体管的其他漏极连接；以及
控制电路，其由逻辑电路构成，根据所输入的输出有无控制信号和极性控制信号对各个所述差动对晶体管的各个栅极输出二值信号，其中，该输出有无控制信号是对所述交叉耦合差动对的输出的有无进行控制的二值信号，该极性控制信号是对所述交叉耦合差动对的输出的极性进行控制的二值信号。
5.根据权利要求4所述的跨导放大器，其特征在于，
所述控制电路具有：
串联连接的奇数个非电路，其被输入所述极性控制信号；
与非电路，其被输入所述输出有无控制信号和所述非电路的输出；
与非电路，其被输入所述极性控制信号和所述输出有无控制信号；
串联连接的奇数个非电路，其被输入一个所述与非电路的输出，输出端与各个所述差动对晶体管的一个栅极连接；以及
串联连接的奇数个非电路，其被输入另一个所述与非电路的输出，输出端与各个所述差动对晶体管的另一个栅极连接。
6.根据权利要求4所述的跨导放大器，其特征在于，
所述控制电路具有：
串联连接的奇数个非电路，其被输入所述极性控制信号；
与电路，其被输入所述输出有无控制信号和所述非电路的输出；
与电路，其被输入所述极性控制信号和所述输出有无控制信号；
串联连接的偶数个非电路，其被输入一个所述与电路的输出，输出端与各个所述差动对晶体管的一个栅极连接；以及
串联连接的偶数个非电路，其被输入另一个所述与电路的输出，输出端与各个所述差动对晶体管的另一个栅极连接。
7.一种移相器，其具有：
可变增益放大器，其具有多个权利要求1所述的跨导放大器，使用作为输入信号的同相成分的信号和极性相对于该信号反转的信号作为所述极性反转的信号；以及
可变增益放大器，其具有多个权利要求1所述的跨导放大器，使用作为所述输入信号的正交成分的信号和极性相对于该信号反转的信号作为所述极性反转的信号。
8.一种移相器，其具有：
可变增益放大器，其具有多个权利要求4所述的跨导放大器，使用作为输入信号的同相成分的信号和极性相对于该信号反转的信号作为所述极性反转的信号；以及
可变增益放大器，其具有多个权利要求4所述的跨导放大器，使用作为所述输入信号的正交成分的信号和极性相对于该信号反转的信号作为所述极性反转的信号。
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