CN108346630A - 散热型封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种散热型封装结构，通过于一设有电子元件的承载件上设置连接件，再将散热件设于该电子元件与该连接件上，以藉由该连接件提供支撑力或拉力而避免散热件与电子元件间发生脱层。
Description
技术领域
本发明有关一种封装结构，尤指一种散热型封装结构。
背景技术
随着电子产品在功能及处理速度的需求的提升，作为电子产品的核心组件的半导体芯片需具有更高密度的电子元件(Electronic Components)及电子电路(ElectronicCircuits)，故半导体芯片在运作时将随之产生更大量的热能，且包覆该半导体芯片的封装胶体为一种导热系数仅0.8Wm-1k-1的不良传热材质(即热量的逸散效率不佳)，因而若不能有效逸散所产生的热量，则会造成半导体芯片的损害或造成产品信赖性问题。
因此，为了迅速将热能散逸至大气中，通常在半导体封装结构中配置散热片(HeatSink或Heat Spreader)，该散热片通常藉由散热胶(例如导热介面材(Thermal InterfaceMaterial)，简称TIM)结合至芯片背面，以藉散热胶与散热片逸散出半导体芯片所产生的热量，再者，通常令散热片的顶面外露出封装胶体或直接外露于大气中为佳，俾取得较佳的散热效果。
悉知TIM层为低温熔融的热传导材料(如焊锡材料)，其设于半导体芯片背面与散热片之间，而为了提升TIM层与芯片背面之间的接着强度，需于芯片背面上覆金(即所谓的Coating Gold On Chip Back)，且需使用助焊剂(flux)，以利于该TIM层接着于该金层上。
如图1A所示，悉知散热型的半导体封装结构1的制法先将一半导体芯片11以其作用面11a利用覆晶接合方式(即透过导电凸块110与底胶111)设于一封装基板10上，且将一金层(图略)形成于该半导体芯片11的非作用面11b上，再将一散热件13以其顶片130藉由TIM层12(其包含焊锡层与助焊剂)回焊结合于该金层上，且该散热件13的支撑脚131藉由黏着层14架设于该封装基板10上。接着，进行封装压模作业，以供封装胶体(图略)包覆该半导体芯片11及散热件13，并使该散热件13的顶片130外露出封装胶体而直接与大气接触。
于运作时，该半导体芯片11所产生的热能经由该非作用面11b、金层、TIM层12而传导至该散热件13以散热至该半导体封装结构1的外部。
惟，当半导体封装结构1的厚度薄化要求，且其面积越来越大时，使该散热件13与TIM层12之间因为热膨胀系数差异(CTE Mismatch)而导致变形的情况(即翘曲程度)更加明显，而当变形量过大时，该散热件13的顶片130与变形的TIM层12’(或与该半导体芯片11)之间容易发生脱层(如图1B所示的间隙d)，不仅造成导热效果下降，且会造成半导体封装结构1外观上的不良，甚而严重影响产品的信赖性。
因此，如何克服上述悉知技术的问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
发明内容
鉴于上述悉知技术的种种缺失，本发明提供一种散热型封装结构，以避免散热件与电子元件间发生脱层。
本发明的散热性封装结构包括：承载件；电子元件，其设于该承载件上；连接件，其设于该承载件上；以及散热件，其设于该电子元件与该连接件上。
前述的散热型封装结构中，该散热件包含有散热体与设于该散热体上的支撑脚，该散热体结合该连接件与该电子元件，且该支撑脚结合于该承载件上，使该连接件位于该电子元件与该支撑脚之间。例如，该散热体与该支撑脚为一体成形或非一体成形。
前述的散热型封装结构中，还包括设于该承载件上且用以结合该散热件的第一胶体。例如，还包括设于该承载件上的第二胶体，且该第一胶体及该第二胶体相邻间隔设于该承载件上，该第二胶体的材质不同于该第一胶体的材质，该连接件的高度大于该第一胶体及该第二胶体的高度。
前述的散热型封装结构中，该连接件位于该电子元件外围。
前述的散热型封装结构中，该承载件为封装基板或导线架。
前述的散热型封装结构中，该电子元件藉由结合层结合该散热件。
前述的散热型封装结构中，该连接件为导热材质或非导热材质。
前述的散热型封装结构中，该连接件为导电材质或非导电材质。
前述的散热型封装结构中，该连接件为刚性材或弹性材。
前述的散热型封装结构中，该承载件上设有多个该连接件，且部分该连接件为刚性材，而部分该连接件为弹性材。
由上可知，本发明的散热型封装结构，主要藉由在散热件与承载件之间结合连接件的设计，以当该散热型封装结构因为厚度薄化或面积增大等因素而产生翘曲时，该连接件得以提供支撑力或拉力，维持散热件与承载件之间的距离，避免该散热件与电子元件之间发生脱层，进而提升导热效果，且能提升产品的信赖性。
附图说明
图1A为悉知半导体封装结构的剖视示意图；
图1B为图1A的半导体封装结构产生脱层情况的示意图；
图2A为本发明的散热型封装结构的剖视示意图；
图2B及图2C为图2A的散热型封装结构的其它实施例的剖视示意图；以及
图3A至图3H为图2A的散热型封装结构省略散热件与结合层的各种态样的上视图。
符号说明
1、2 封装结构
10 封装基板
11 半导体芯片
11a、21a 作用面
11b、21b 非作用面
110、210 导电凸块
111、211 底胶
12、12’ TIM层
13、23、23’、23” 散热件
130 顶片
131、231 支撑脚
14 黏着层
20 承载件
21 电子元件
22 结合层
230 散热体
24a 第一胶体
24a’ 胶材
24b 第二胶体
25、25a、25b 连接件
d 间隙
h、t 高度。
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
图2A为本发明的散热型封装结构2，其包括：一承载件20、一电子元件21、一结合层22、多个连接件25以及一散热件23。
所述的承载件20例如为封装基板，且有关封装基板的种类繁多，并无特别限制；于其它实施例中，该承载件20亦可为导线架。
所述的电子元件21设于该承载件20上，且该电子元件21为主动元件、被动元件、封装元件或其三者的组合。
于本实施例中，该主动元件为例如半导体芯片，该被动元件为例如电阻、电容及电感，且该封装元件包含基板、设于该基板上的芯片及包覆该芯片的封装层。例如，该电子元件21具有相对的作用面21a及非作用面21b，且该作用面21a设有多个导电凸块210，使该电子元件21藉该些导电凸块210以覆晶方式结合并电性连接该承载件20，并以底胶211包覆该些导电凸块210。于其它实施例中，该电子元件21亦可藉由打线方式电性连接该承载件20。
所述的结合层22为导热介面材(TIM)或一般导热胶，其设于该电子元件21的非作用面21b上。
所述的连接件25设于该承载件20上且连结散热件23与承载件20，并位于该电子元件21的外围，例如位于电子元件21角落处或侧边处，且该连接件25为各式形状的柱体、球体或长条状或其它各种立体形状，如图3A至图3H所示的L形、圆形或矩形等形状的组合，且可紧临或远离该电子元件21的周围设置，但不限于上述。
又，该连接件25可为导热材质或非导热材质，若为导热材质可将电子元件21所产生的部分热能传导至该承载件20；或者，该连接件25可为导电材质或非导电材质，若为导电材质时，可将该散热件23与该承载件20电性连接，进而接地，以提供电子元件21电磁干扰(Electromagnetic Interference，简称EMI)屏蔽(shielding)的功效；另外，该连接件25可为刚性材(如金属)或弹性材(如胶材)。
所述的散热件23设于该结合层22上且具有一散热体230与多个设于该散热体230下侧的支撑脚231，该散热体230为散热片并以下侧接触该结合层22，且该支撑脚231以第一胶体24a结合于该承载件20上，并相对位于该承载件20的上侧表面，再者，该连接件25位于该电子元件21与该支撑脚231之间，且该连接件25的高度h大于该第一胶体24a的高度t。
于本实施例中，该散热体230与该支撑脚231为一体成形；于其它实施例中，如图2B所示的散热件23’，该散热体230与该支撑脚231为非一体成形，例如可用胶材24a’结合该散热体230与该支撑脚231，其中，该支撑脚231可为金属材、半导体材或绝缘材；或者，如图2C所示，该散热件23”为板体或片状，其藉由该连接件25架设于该承载件20上，以避免该散热件23”脱落。
再者，如图2A所示，于制作过程中，可先将连接件25形成于承载件20上再接置散热件23，抑或先将连接件25形成于散热件23，再连同散热件23一起接置于承载件20上。
又，该连接件25的材质可相同或不同于该散热体230的材质。
另外，该第一胶体24a的布设面积可对应该支撑脚231的压印形状，如图3A至图3H所示。于制程中，可先将该第一胶体24a形成于该支撑脚231的脚底上，再以该支撑脚231压合该第一胶体24a于该承载件20上。
本发明的散热型封装结构2藉由该连接件25较该支撑脚231更靠近该电子元件21周围，故当该散热型封装结构2的厚度薄化或面积增大等因素而发生翘曲时，透过该连接件25的设置可使该散热型封装结构2的翘曲(warpage)程度相较于悉知封装结构减少，且降低该电子元件21的表面分离应力(surface peeling stress)。例如，翘曲程度减少37％，且该电子元件21的表面分离应力减少23％。
因此，本发明于该散热体230(或该散热件23”)与该承载件20之间形成连接件25，以于该封装结构2发生翘曲(warpage)时该连接件25能提供支撑力或拉力，而维持该散热体230(或该散热件23”)与该承载件20之间的距离，故能避免该散热体230(或该散热件23”)与该结合层22(或该电子元件21)之间发生脱层(delamination)。
此外，该连接件25可为刚性材(如金属)或弹性材(如胶材)，亦或可同时使用弹性连接件25a及刚性连接件25b，如图3G所示，若该封装结构2发生翘曲导致散热件与承载件距离增大时，该弹性连接件25a可设于该散热件23与该承载件20距离增加位置处以提供拉力，相对地，若该封装结构2发生翘曲导致散热件与承载件距离缩小时，该刚性连接件25b可设于该散热件23与该承载件20距离缩小位置处以提供支撑力。故弹性及刚性连接件两者可同时设置，以于该散热件23的温度升降时，使该散热件23具有更佳的平整度。
于另一实施例中，如图3A至图3H所示，该散热型封装结构2还包括形成于该承载件20上的第二胶体24b，其与该第一胶体24a位于该承载件20的边缘，以环绕该电子元件21与该连接件25的周围，以加强散热件23与承载件20的结合。具体地，该第二胶体24b的材质与该第一胶体24a的材质可相同或不相同，其中，该第二胶体24b可配合设于支撑脚231处，使该支撑脚231同时结合该第一胶体24a与该第二胶体24b而设于该承载件20上，亦或该第二胶体24b可无需结合支撑脚231，且该第二胶体24b的材质可采用多个种类，不限于单一种类。另外，该连接件25的高度大于该第二胶体24b的高度。
上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (14)
1.一种散热型封装结构，其特征为，该封装结构包括：
承载件；
电子元件，其设于该承载件上；
连接件，其设于该承载件上；以及
散热件，其设于该电子元件与该连接件上。
2.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该散热件包含有散热体与设于该散热体上的支撑脚，该散热体结合该连接件与该电子元件，且该支撑脚结合于该承载件上，使该连接件位于该电子元件与该支撑脚之间。
3.根据权利要求2所述的散热型封装结构，其特征为，该散热体与该支撑脚为一体成形或非一体成形。
4.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该封装结构还包括设于该承载件上且用以结合该散热件的第一胶体。
5.根据权利要求4所述的散热型封装结构，其特征为，该封装结构还包括设于该承载件上的第二胶体。
6.根据权利要求5所述的散热型封装结构，其特征为，该第一胶体及该第二胶体相邻间隔设于该承载件上。
7.根据权利要求5所述的散热型封装结构，其特征为，该连接件的高度大于该第一胶体及该第二胶体的高度。
8.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该连接件位于该电子元件外围。
9.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该承载件为封装基板或导线架。
10.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该电子元件藉由结合层结合该散热件。
11.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该连接件为导热材质或非导热材质。
12.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该连接件为导电材质或非导电材质。
13.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该连接件为刚性材或弹性材。
14.根据权利要求1所述的散热型封装结构，其特征为，该承载件上设有多个该连接件，且部分该连接件为刚性材，而部分该连接件为弹性材。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023108909A1 (zh) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 封装结构、电路板组件和电子设备 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114267664A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-04-01 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 封装电路结构及其制作方法 |
| TWI828003B (zh) * | 2021-11-15 | 2024-01-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1357917A (zh) * | 2000-12-06 | 2002-07-10 | 华泰电子股份有限公司 | 具整体封装包覆散热结构的覆晶结合模组 |
| US20070235861A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor device package with a heat sink and method for fabricating the same |
| US20150228553A1 (en) * | 2012-08-29 | 2015-08-13 | Broadcom Corporation | Hybrid thermal interface material for ic packages with integrated heat spreader |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472762B1 (en) * | 2001-08-31 | 2002-10-29 | Lsi Logic Corporation | Enhanced laminate flipchip package using a high CTE heatspreader |
| US9287233B2 (en) * | 2013-12-02 | 2016-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adhesive pattern for advance package reliability improvement |
-
2017
- 2017-01-25 TW TW106102895A patent/TWI658549B/zh active
- 2017-02-10 CN CN201710072523.0A patent/CN108346630B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1357917A (zh) * | 2000-12-06 | 2002-07-10 | 华泰电子股份有限公司 | 具整体封装包覆散热结构的覆晶结合模组 |
| US20070235861A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor device package with a heat sink and method for fabricating the same |
| US20150228553A1 (en) * | 2012-08-29 | 2015-08-13 | Broadcom Corporation | Hybrid thermal interface material for ic packages with integrated heat spreader |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023108909A1 (zh) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 封装结构、电路板组件和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN108346630B (zh) | 2020-10-02 |
| TW201828425A (zh) | 2018-08-01 |
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