CN108346451A

CN108346451A - 存储器的测试方法

Info

Publication number: CN108346451A
Application number: CN201810209621.9A
Authority: CN
Inventors: 任栋梁; 钱亮
Original assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Current assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date: 2018-03-14
Filing date: 2018-03-14
Publication date: 2018-07-31

Abstract

本发明公开了一种存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。这样的测试方法可以大幅度提高测试稳定性，大大降低误判率，从而提高产品良率。

Description

存储器的测试方法

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别涉及一种存储器的测试方法。

背景技术

近年来，在半导体存储器技术领域中，闪存的发展尤为迅速。由于闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失，具有反复擦除、读取、写入等优点，因此广泛应用于手机、数码照相机、平板电脑等电子设备中。

在闪存出厂前，需要对闪存的可靠性进行测试，闪存的可靠性测试包括电气连接性能、功耗、读取、写入、擦除、串扰等测试项目。如图1所示，为现有技术中对嵌入式闪存的测试方法的流程示意图，其中，测试项目1为所述嵌入式闪存的读取测试项目，测试项目2可以但不限于为擦除测试项目，现有技术对嵌入式闪存的读取测试项目仅进行一次判断，若一次判断失效(Fall)，则判断所述嵌入式闪存为不合格品；若一次判断成功(Pass)，则进入下一个测试项目(测试项目2)，当所有的测试项目都判断成功后，则判断所述嵌入式闪存为合格品。需要说明的是，图1主要是为了体现对测试项目1的测试流程，因此，图1中对其他测试项目的测试流程示意图已省略。但是这种测试方法的误判率较高，稳定性偏低，特别是，传统嵌入式闪存的读取测试判断，还要增加边界测试，这就更加影响其读取的稳定性，有时候会呈现时而判断成功，时而判断失效的问题，严重降低产品良率。

因此，有必要提供一种新的存储器的测试方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器的测试方法，以提高测试稳定性，提高产品良率。

为解决上述技术问题，本发明提供的存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，n为大于等于1的整数，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。

进一步的，所述测试方法在对测试项目i进行N次判断之前，还包括预先设置测试项目i的期望值。

可选的，所述对测试项目i进行N次判断的步骤包括：对所述测试项目i进行第1次实际测试，得到第1次实际测得值，对所述测试项目i进行第1次判断，若所述第1次实际测得值与所述测试项目i的期望值相同，则判断所测的测试项目i为合格；否则，对所述测试项目i进行第2次判断。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述期望值为数字信号。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述实际测得值为数字信号。

优选的，在所述的存储器的测试方法中，通过编程的方式对测试项目i进行N次判断。

优选的，在所述的存储器的测试方法中，套用if和elseif语句进行编程。

进一步的，在所述的存储器的测试方法中，所述存储器为嵌入式闪存。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述测试项目包括读取测试项目、写入测试项目和擦除测试项目。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述测试项目i为读取测试项目。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明提出一种存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。则在所述测试方法中，当对所述测试项目i进行第1次判断为不合格时，会再对所述测试项目i进行多次判断，即当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断，只要出现一次判断合格，则判断所述测试项目i为合格，进入测试项目i+1的测试或者判断所述存储器为合格品。这样的测试方法可以大幅度提高测试稳定性，大大降低误判率，从而提高产品良率。

附图说明

图1为现有技术中嵌入式闪存的测试方法的流程示意图；

图2为本发明实施例中一种嵌入式闪存的测试方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合流程示意图对本发明的一种存储器的测试方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，本发明提供一种存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，n为大于等于1的整数，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；

当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；

当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。

本发明的所述测试方法，当对所述测试项目i进行第1次判断为不合格时，会再对所述测试项目i进行多次判断，即当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断，只要出现一次判断合格，则判断所述测试项目i为合格，进入测试项目i+1的测试或者判断所述存储器为合格品。这样的测试方法可以大幅度提高测试稳定性，大大降低误判率，从而提高产品良率。

以下列举嵌入式闪存的测试方法的实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。

所述嵌入式闪存具有n个测试项目，n为大于等于1的整数，所述测试项目可以包括读取测试项目、写入测试项目、擦除测试项目、串扰测试项目，写入与读取测试项目、擦除与读取测试项目、串扰与读取测试项目、电气连接性能、功耗等等，所述测试项目是可以根据实际需要进行增减的，在此不做限定。所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数，优选的，在本实施例中，对测试项目1进行N次判断，且所述测试项目1为读取测试项目，如图2所示。

首先，预先设置测试项目1的期望值，较佳的，所述期望值为数字信号；

然后，对测试项目1进行N次判断。具体的，对所述测试项目1进行第1次实际测试，得到第1次实际测得值，较佳的，所述实际测得值也为数字信号，对所述测试项目1进行第1次判断，若所述第1次实际测得值与所述测试项目1的期望值相同，则判断所测的测试项目1为合格(Pass)，进入测试项目2的测试，所述测试项目2可以但不限于为擦除测试项目；

否则，对所述测试项目1进行第2次判断。即对所述测试项目1进行第2次实际测试，得到第2次实际测得值，对所述测试项目1进行第2次判断，若所述第2次实际测得值与所述测试项目1的期望值相同，则判断所测的测试项目1为合格(Pass)，进入测试项目2的测试；

否则，对所述测试项目1继续进行第3次判断。

本领域普通技术人员通过上述第1次和第2次判断的描述以及结合图2的流程示意图，容易理解对所述测试项目1继续进行第3次判断的具体过程，甚至是对所述测试项目1进行更多次的判断，在此不做赘述。

即对读取测试项目进行多次读取的操作，只要有一次读取判断为合格(Pass)，便进入测试项目2的测试；如果出现读取失效(Fall)的情况，便再次进行该测试项目1的判断。显然，所述测试方法对测试项目1的多次读取也是有上限的，较佳的，如果出现了100次的读取失效(Fall)，便可直接判断所述嵌入式闪存为不合格品。当然，所述测试项目1的读取上限的具体值是可依据实际需求而设定的，在此不做限定。

在本实施例中，所述测试方法中若对测试项目1的第N次判断结果为合格(Pass)，则进入测试项目2的测试；当N小于100时，若对测试项目1的第N次判断结果为失效(Fall)，则进行对所述测试项目1的第N+1次判断；若对所述测试项目1的第100次判断结果为失效(Fall)，则判断所述嵌入式闪存为不合格品，如图2所示，需要说明的是，图2主要是体现对测试项目1的测试流程，因此，图2中对其他测试项目的测试流程示意图已省略。

优选的，可通过编程的方式来实现对上述测试项目1进行N次判断，比如C++等，进一步的，可以套用if和elseif语句进行编程。

这样，通过上述对测试项目1的多次读取判断，只要出现一次判断合格(Pass)，则判断所述测试项目1为合格，从而能够大大降低误判率，提高测试稳定性，从而提高产品良率。

显然，在其他实施例中，所述测试方法还可以应用于其他存储器中，而且当所述测试项目i为最后一个测试项目时(即i等于n时)，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断该存储器为合格品。

综上，本发明提出一种存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。则在所述测试方法中，当对所述测试项目i进行第1次判断为不合格时，会再对所述测试项目i进行多次判断，即当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断，只要出现一次判断合格，则判断所述测试项目i为合格，进入测试项目i+1的测试或者判断所述存储器为合格品。这样的测试方法可以大幅度提高测试稳定性，大大降低误判率，从而提高产品良率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，n为大于等于1的整数，其特征在于，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；

2.如权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述测试方法在对测试项目i进行N次判断之前，还包括预先设置测试项目i的期望值。

3.如权利要求2所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述对测试项目i进行N次判断的步骤包括：

对所述测试项目i进行第1次实际测试，得到第1次实际测得值，对所述测试项目i进行第1次判断，若所述第1次实际测得值与所述测试项目i的期望值相同，则判断所测的测试项目i为合格；否则，对所述测试项目i进行第2次判断。

4.如权利要求3所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述期望值为数字信号。

5.如权利要求4所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述实际测得值为数字信号。

6.如权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，通过编程的方式对测试项目i进行N次判断。

7.如权利要求6所述的存储器的测试方法，其特征在于，套用if和elseif语句进行编程。

8.如权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述存储器为嵌入式闪存。

9.如权利要求8所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述测试项目包括读取测试项目、写入测试项目和擦除测试项目。

10.如权利要求9所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述测试项目i为读取测试项目。