CN108344523A - 天然气发电厂用温度传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种负温度系数热敏电阻，其特征在于，包括：圆片状ntc芯片；圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分。还涉及一种天然气发电厂用温度传感器。上述负温度系数热敏电阻和采用该负温度系数热敏电阻的天然气发电厂用温度传感器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及天然气发电厂用温度传感器，特别是涉及天然气发电厂用温度传感器以及负温度系数热敏电阻。
背景技术
热敏电阻是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)。热敏电阻的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻(PTC)在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻(NTC)在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。
温度传感器(temperature transducer)是指能感受温度并转换成可用输出信号的传感器。温度传感器是温度测量仪表的核心部分，品种繁多。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类，按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类。
传统技术存在以下技术问题：
天然气发电厂用温度传感器常常采用负温度系数热敏电阻，但是由于天然气发电厂的环境相对恶劣，与空气接触，导致负温度系数热敏电阻的性能会随着时间的变化降低性能，减小使用寿命，从而导致采用负温度系数热敏电阻的温度传感器也会随着时间的变化降低性能，减小使用寿命。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种负温度系数热敏电阻和采用该负温度系数热敏电阻的温度传感器，避免随着时间的变化降低性能，提高使用寿命。
一种天然气发电厂用温度传感器，包括负温度系数热敏电阻；所述负温度系数热敏电阻包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第一部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第一部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第二部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
一种负温度系数热敏电阻，包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第一部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第一部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第二部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
一种负温度系数热敏电阻，包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第二部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第二部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第一部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
一种天然气发电厂用温度传感器，包括负温度系数热敏电阻；所述负温度系数热敏电阻包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第二部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第二部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第一部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
上述负温度系数热敏电阻和采用该负温度系数热敏电阻的天然气发电厂用温度传感器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种负温度系数热敏电阻的爆炸示意图。
图2为本申请实施例提供的一种负温度系数热敏电阻的轴测剖视图。
图3为本申请实施例提供的一种负温度系数热敏电阻中圆片状外框的爆炸示意图。
图4为本申请实施例提供的一种负温度系数热敏电阻中圆片状外框的轴测剖视图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参阅图1到图4，一种负温度系数热敏电阻，包括：圆片状ntc芯片100；圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框210、圆片状上封盖220和圆片状下封盖230；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔211；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分2101和半圆环状外框第二部分2102；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱21011；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔21021；所述连接盲孔内固定有连接柱2103；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第一部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第一部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第二部分的外侧设有一拉环21022；上圆片状铜箔300，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；下圆片状铜箔400，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；上引脚500，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及下引脚600，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔310，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔221，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱700电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔410，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔231，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱800电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
上述负温度系数热敏电阻避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。具体地，圆片状ntc芯片通过圆片状密封盒进行密封，接触外界空气的概率大大降低，提高了使用寿命。通过把拉动拉环可以使所述外框第一部分与所述外框第二部分分离，这样的话，可以根据需要方便换用不同型号的ntc芯片。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ntc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ntc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ntc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ntc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。也就是说，本申请不限制圆片状ntc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
一种天然气发电厂用温度传感器，包括负温度系数热敏电阻；所述负温度系数热敏电阻包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第一部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第一部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第二部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
上述采用该负温度系数热敏电阻的天然气发电厂用温度传感器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。具体地，圆片状ntc芯片通过圆片状密封盒进行密封，接触外界空气的概率大大降低，提高了使用寿命。通过把拉动拉环可以使所述外框第一部分与所述外框第二部分分离，这样的话，可以根据需要方便换用不同型号的ntc芯片。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ntc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ntc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ntc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ntc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。也就是说，本申请不限制圆片状ntc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
一种负温度系数热敏电阻，包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第二部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第二部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第一部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
上述负温度系数热敏电阻避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。具体地，圆片状ntc芯片通过圆片状密封盒进行密封，接触外界空气的概率大大降低，提高了使用寿命。通过把拉动拉环可以使所述外框第一部分与所述外框第二部分分离，这样的话，可以根据需要方便换用不同型号的ntc芯片。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ntc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ntc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ntc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ntc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。也就是说，本申请不限制圆片状ntc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
一种天然气发电厂用温度传感器，包括负温度系数热敏电阻；所述负温度系数热敏电阻包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第二部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第二部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第一部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
上述采用该负温度系数热敏电阻的天然气发电厂用温度传感器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。具体地，圆片状ntc芯片通过圆片状密封盒进行密封，接触外界空气的概率大大降低，提高了使用寿命。通过把拉动拉环可以使所述外框第一部分与所述外框第二部分分离，这样的话，可以根据需要方便换用不同型号的ntc芯片。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ntc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ntc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ntc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ntc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆片状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆片状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
在另外的一个实施例中，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。也就是说，本申请不限制圆片状ntc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
需要注意的是，本申请只有图3示出了拉环，其它为了方便，省略了拉环。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种天然气发电厂用温度传感器，其特征在于，包括负温度系数热敏电阻；所述负温度系数热敏电阻包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第一部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第一部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第二部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
2.一种负温度系数热敏电阻，其特征在于，包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第一部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第一部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第二部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
3.根据权利要求2所述的负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚和所述下引脚都呈长条状。
4.根据权利要求2所述的负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述圆片状ntc芯片是半导体圆片状ntc芯片、金属圆片状ntc芯片或者合金圆片状ntc芯片。
5.根据权利要求2所述的负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒镜像对称分布。
6.根据权利要求2所述的负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆片状密封盒的中心中心对称分布。
7.根据权利要求2所述的负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚是铜制条状导电片。
8.根据权利要求2所述的负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述下引脚是铜制条状导电片。
9.一种负温度系数热敏电阻，其特征在于，包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第二部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第二部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第一部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
10.一种天然气发电厂用温度传感器，其特征在于，包括负温度系数热敏电阻；所述负温度系数热敏电阻包括：
圆片状ntc芯片；
圆片状密封盒，所述圆片状密封盒包括圆片状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆片状外框内设有ntc芯片容纳通孔；所述ntc芯片容纳通孔放置所述ntc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ntc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ntc芯片的下表面；
所述圆片状外框包括半圆环状外框第一部分和半圆环状外框第二部分；所述外框第一部分的第一端部和第二端部设有若干插入导柱；所述外框第二部分的第一端部和第二端部设有与所述插入导柱对应的连接盲孔；所述连接盲孔内固定有连接柱；所述外框第一部分和外框第二部分都由聚乙烯材料制成；所述插入导柱与所述连接柱都由磁铁材料制成且两者互相吸引；所述外框第二部分的上端面与所述圆片状上封盖的下端面固定连接；所述外框第二部分的下端面与所述圆片状下封盖的上端面固定连接；所述外框第一部分的外侧设有一拉环；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔的下端面固定在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔的上端面固定在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆片状ntc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109290161A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-02-01 | 苏州涵轩信息科技有限公司 | 超声波发生装置及其组装方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201994152U (zh) * | 2011-03-31 | 2011-09-28 | 上海神沃电子有限公司 | 热敏电阻 |
| CN202260334U (zh) * | 2011-08-18 | 2012-05-30 | 中国电力工程顾问集团公司 | 固定光纤电流互感器并与管型母线连接的金具及连接结构 |
| CN206436712U (zh) * | 2016-12-15 | 2017-08-25 | 新昌县大市聚镇沁沁工艺品厂 | 一种可调节的工艺品固定装置 |
-
2018
- 2018-03-14 CN CN201810210454.XA patent/CN108344523A/zh active Pending
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