CN108335908A - 介电复合物、及包括其的多层电容器和电子器件 - Google Patents

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Abstract

公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。

Description

介电复合物、及包括其的多层电容器和电子器件
对相关申请的交叉引用
本申请要求2017年1月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0008971的优先权和权益，将其全部内容引入本文作为参考。
技术领域
公开了介电(电介质)复合物及包括其的多层电容器和电子器件。
背景技术
作为具有大容量的小尺寸电容器的多层陶瓷电容器(MLCC)是通过如下获得的电子器件：交替地层叠介电陶瓷成分和内部电极并且同时将其焙烧。然而，根据电子器件提供小尺寸、薄膜、和更高容量的不断要求，对于开发与常规的多层陶瓷电容器结构相比具有进一步更小的尺寸和更薄的厚度、和更高的容量的电容器而言需求已经增加。
同时，显示良好介电特性的介电材料的粒间(晶粒间)绝缘型电容器在具有导电性或半导电性(半导体性)的晶粒之间形成晶界绝缘层，因此其可具有高的表观相对电容率(介电常数)，以实现小型化和更高的容量。
粒间绝缘型电容器的表观相对电容率趋向于与颗粒尺寸成正比并且与晶界绝缘层的厚度成反比。然而，晶界绝缘层的相对电容率也根据晶界绝缘层的厚度降低而降低，因此其具有在于以下问题：考虑粒间绝缘型电容器的相对电容率，可将晶界绝缘层的厚度保持为预定水平。
发明内容
一种实施方式提供介电复合物，其通过包括即使在具有几到几十纳米的厚度的区域中也显示高的相对电容率的材料而具有高容量特性并且还能够被小型化和薄膜化。
另一实施方式提供包括所述介电复合物的多层电容器和电子器件。
根据一种实施方式，介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围所述晶粒的边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒的表面的至少一部分的二维层状材料。
所述二维层状材料可包括单层。
所述二维层状材料可包括如下的两个或更多个的多层：单层以两个或更多个层进行层叠。
所述二维层状材料可直接与所述晶粒的表面接触。
所述二维层状材料可覆盖所述晶粒的至少一个的表面的全部。
所述二维层状材料可具有小于或等于约120nm的厚度。
所述二维层状材料可具有大于或等于约50且小于或等于1000的相对电容率。
所述晶界绝缘层可进一步包括与所述二维层状材料组合的三维块状(疏松，bulk)材料。
基于100体积％的所述晶界绝缘层，可在10体积％-100体积％的范围内包括所述二维层状材料。
所述二维层状材料可为从如下层离(剥离)的二维层状材料：包括Aurivilius(奥里维里斯)相的材料、具有Ruddlesden-Popper相的材料、具有Dion-Jacobson相的材料、和钛铌酸盐。
所述二维层状材料可由化学式1表示。
[化学式1]
Xm[A(n-1)B’nO(3n+1)]
在化学式1中，X包括H、碱金属、阳离子化合物、或其组合，A包括Ca、Na、Ta、Bi、Ba、Sr、或其组合，B’包括W、Mo、Cr、Ta、Nb、V、Zr、Hf、Pb、Sn、La、Ti、或其组合，0≤m≤2，和n≥1。
所述阳离子化合物可包括四甲基铵化合物、四乙基铵化合物、四丙基铵化合物、四丁基铵化合物、甲基胺化合物、乙基胺化合物、丙基胺化合物、丁基胺化合物、聚乙烯亚胺化合物、或其组合。
由化学式1表示的二维层状材料是电中性的。
所述晶粒可包括这样的材料，所述材料包括钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅、锆酸铅、锆钛酸铅(钛酸锆酸铅)、或其组合。
所述晶粒可具有在50nm-2.0μm范围内的平均颗粒直径。
所述介电复合物可具有大于或等于1000且小于或等于20000的相对电容率。
同时，另一实施方式提供多层电容器，其包括层叠的交替层，且所述层叠的交替层包括交替地层叠的内部电极和介电层，其中所述介电层包括所述介电复合物。
所述内部电极和所述介电层可包括三个或更多个层叠的层。
所述介电层可具有小于500nm的厚度并且可具有大于或等于4000且小于或等于40000的相对电容率。
又一实施方式提供包括根据实施方式的介电复合物的电子器件。
所述电子器件可为变阻器(压敏电阻器)、热敏电阻、或用于储能的电容器。
根据实施方式的介电复合物包括如下的二维层状材料：其中即使晶界绝缘层的厚度降低，相对电容率也不降低，因此晶界绝缘层可以超薄膜形成；从而其可克服常规的粒间绝缘型电容器的限制。
附图说明
图1为显示根据实施方式的介电复合物的精细结构的示意图，
图2和3为显示根据实施方式的介电复合物的多种精细结构的示意图，和
图4为显示根据实施方式的多层电容器的示意图。
具体实施方式
参照以下实例实施方式以及附于此的附图，本公开内容的优点和特性、以及其实现方法将变得明晰。然而，实施方式不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。如果未另外定义，则说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可如本领域技术人员通常所理解地那样定义。常用字典中定义的术语不可理想化地或者夸大地解释，除非清楚地定义。此外，除非明确地相反描述，否则措辞“包括(包含)”将被理解为暗示包括所陈述的要素，但是不排除任何其它要素。
此外，单数包括复数，除非另有说明。
在附图中，为了清楚，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在说明书中，相同的附图标记始终是指相同的元件。
将理解，当第一元件例如层、膜、区域、或基底被称为“在”第二元件“上”时，则其可直接在所述第二元件上或者也可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另外的元件“上”时，则不存在中间元件。
如本文中使用的，相对电容率指的是作为相对于真空的电容率的比率表示的一种材料的绝对电容率或一种材料的介电常数。
如本文中使用的，“颗粒直径”指的是颗粒可具有的最大尺寸。例如，当晶粒具有椭圆形状或者类似于椭圆的单轴伸长形状例如片、板、或者针时，其意指纵向长度，在圆形/球形形状的情况下，其意指直径长度，或者在多边形或者无定形形状的情况下，其意指连接晶粒边界中的任意两点的线的最远距离。
此外，本说明书中的晶粒的颗粒直径可通过用于显示群(组)的平均尺寸的计量学来数字化(numerize)，而常用方式可包括显示分布的最大值的众数(mode)直径、与积分的分布曲线的中值对应的中值直径、和各种平均直径(数(量平)均、长度平均、面积平均、质量平均、体积平均等)。根据本发明，除非另有说明，术语“平均颗粒直径”指的是以D50(在分布为50％的点处的颗粒直径)测量的数均直径。
下文中，参照图1-3描述根据实施方式的介电复合物的组成。
图1为显示根据实施方式的介电复合物的精细结构的示意图。
根据实施方式的介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围所述晶粒的边界的晶界绝缘层。
另外，所述多个晶粒和晶界彼此直接地和/或并行地连接，因此其整体上可实施具有预定电容的电容器的功能。换而言之，根据实施方式的介电复合物为当向相邻的两个晶粒施加预定电压时向形成于两个晶粒之间的晶界绝缘层提供电容的粒间绝缘型电容器。
同时，实施方式不必限于此，而是其可通过将包括介电复合物的介电层以两个或更多个层进行层叠而以多层电容器形成。下文中将对其进行描述。
参照图1，设置多个晶粒。多个晶粒可包括具有半导电性或导电性的材料。构成所述晶粒的材料可为金属氧化物，包括例如钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅、锆酸铅、锆钛酸铅、或其组合。
根据实施方式，构成所述晶粒的材料可进一步包括给体元素。换而言之，构成所述晶粒的金属氧化物具有氧空位，并且所述给体元素可固溶在所述晶粒中。由此，所述晶粒可变成半导体。所述给体元素的实例可包括La、Sm、Dy、Ho、Y、Nd、Ce、Nb、Ta、W等。
同时，根据实施方式的晶粒的平均颗粒直径可考虑将在下文中描述的所述介电复合物的表观相对电容率而不同地确定，但是可将其调节在合适的范围内，使得所述介电复合物可被小型化和薄膜化。
所述晶粒的平均颗粒直径可例如小于或等于约2.0μm、小于或等于约1.9μm、小于或等于约1.8μm、小于或等于约1.7μm、小于或等于约1.6μm、小于或等于约1.5μm、小于或等于约1.4μm、小于或等于约1.3μm、小于或等于约1.2μm、小于或等于约1.1μm、小于或等于约1.0μm、小于或等于约900nm、小于或等于约800nm、小于或等于约700nm、小于或等于约600nm、小于或等于约500nm，和例如大于或等于约50nm、大于或等于约60nm、大于或等于约70nm、大于或等于约80nm、大于或等于约90nm、或者大于或等于约100nm。
所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
在实施方式中，所述二维层状材料指的是“具有二维晶体结构的材料，其为具有包括1-9个原子层的一层或多层结构的材料”。
即，所述二维层状材料可以单层或者以其中单层以多层地堆叠的多层结构形成。
此外，当所述二维层状材料具有多层结构时，所述层各自可彼此物理和/或化学结合。在此情况下，所述层的一部分可具有与所述二维晶体结构不同的结晶结构。
根据实施方式，所述晶界绝缘层可包括二维层状材料，如图1中所示。然而，实施方式不必限于此，而是所述晶界绝缘层可包括所述二维层状材料以及具有与所述二维层状材料不同的晶体结构的三维块状材料，如图2和3中所示。
图2和3是显示根据实施方式的介电复合物的多种精细结构的示意图。
参照图2和3，所述三维块状材料可与所述二维层状材料组合以形成所述晶界绝缘层。所述三维块状材料具有如下的多晶结构：晶体颗粒在三维上联合(缔合)，但是不具有二维晶体结构，不同于二维层状材料。
同时，根据实施方式，所述三维块状材料可为用于所述晶粒的材料：在所述材料中包括受体元素。所述受体元素的实例可包括Mn、Co、Ni、Cr等。
换而言之，所述三维块状材料可如下形成：相邻晶粒彼此接触。然而，所述三维块状材料包括加速形成肖特基势垒的受体元素，这使电阻率改善，使得不同于所述晶粒，它可具有优异的绝缘。
同时，根据实施方式，所述晶界绝缘层中的所述二维层状材料的比率没有特别限制，而是可考虑所述二维层状材料和所述三维块状材料的各自相对电容率、所述晶界绝缘层的原材料、估计厚度等而不同地确定，但是可对其进行调节，以便即使所述晶界绝缘层是以几到几十纳米的尺寸形成的，也显示由所述二维层状材料所导致的优异的相对电容率。
基于100体积％的所述晶界绝缘层，所述晶界绝缘层中的所述二维层状材料的比率可为例如大于或等于约10体积％、大于或等于约15体积％、大于或等于约20体积％、大于或等于约25体积％、大于或等于约30体积％、大于或等于约35体积％、大于或等于约40体积％、大于或等于约45体积％、大于或等于约50体积％、大于或等于约55体积％、大于或等于约60体积％、大于或等于约65体积％、大于或等于约70体积％、大于或等于约75体积％、大于或等于约80体积％、大于或等于约85体积％、大于或等于约90体积％、大于或等于约95体积％、或者约100体积％。
同时，所述二维层状材料可与所述晶粒表面直接接触，如图1和2中所示；和其至少一部分可设置成以预定的间隔空间离开所述晶粒表面，如图3中所示。
此外，所述二维层状材料可形成为覆盖所述晶粒表面的仅部分区域以覆盖所述晶粒表面的一部分，如图2中所示；或者可形成为覆盖所述晶粒的整个表面，如图1或图3中所示。
在实施方式中，所述二维层状材料可为由化学式1表示的化合物。
[化学式1]
Xm[A(n-1)B’nO(3n+1)]
在化学式1中，X为包括H、碱金属、和阳离子化合物、或其组合的至少一种，A为包括Ca、Na、Ta、Bi、Ba、和Sr、或其组合的至少一种，B’为包括W、Mo、Cr、Ta、Nb、V、Zr、Hf、Pb、Sn、La、和Ti、或其组合的至少一种，0≤m≤2，和n≥1。
如本文中使用的阳离子化合物包括聚合物，且可为在使用的条件下带正电的或能够带正电的。所述阳离子化合物可包括(C1-C16烷基)铵化合物、(C1-C16烷基)化合物、(C1-C16烷基)胺化合物、胺聚合物、或其组合。烷基胺化合物可为伯胺、仲胺或叔胺。所述阳离子化合物可包括四甲基铵化合物、四乙基铵化合物、四丙基铵化合物、四丁基铵化合物、甲基胺化合物、乙基胺化合物、丙基胺化合物、丁基胺化合物、聚乙烯亚胺化合物、或其组合。
在化学式1中，调节X、A、B和O的化学计量比以对于整个所述二维层状材料而言满足电中性。即，化学式1是电中性的。
根据实施方式，所述二维层状材料的厚度没有特别限制，而是可考虑所述晶粒的材料、所述晶粒的平均颗粒直径、所述二维层状材料的材料、所述晶界绝缘层中所述二维层状材料的比率等而不同地确定，但是可将其调节成足以通过降低所述晶界绝缘层的厚度而改善介电复合物的表观介电常数(其将在下文中描述)。
所述二维层状材料的厚度可为例如小于或等于约120nm、小于或等于约110nm、小于或等于约100nm、小于或等于约50nm、小于或等于约40nm、小于或等于约30nm、小于或等于约20nm、或者小于或等于约10nm，或者可具有例如几纳米至几十纳米、例如在约2nm-约80nm范围内、在约3nm-约70nm范围内、在约4nm-约60nm范围内、或在约5nm-约50nm范围内的厚度。
二维层状材料的厚度可通过分析用AFM(原子力显微镜)拍摄的图像来计算。
所述二维层状材料可显示由所述二维晶体结构导致的相对电容率。所述二维层状材料的相对电容率没有特别限制，而是可考虑所述二维层状材料的原材料、所述二维晶体结构的种类、所层叠的层的数量、所述晶粒的平均颗粒直径、用于所述晶粒的材料等而不同地确定，但是其被确定为当向晶粒施加预定电压时为所述晶界绝缘层提供如下这样多的电容：至少作为电容器运行。
所述二维层状材料的相对电容率可为例如大于或等于约10、大于或等于约20、大于或等于约30、大于或等于约40、大于或等于约50、大于或等于约60、大于或等于约70、大于或等于约80、大于或等于约90、或者大于或等于约100。在实施方式中，所述二维层状材料的相对电容率可例如小于或等于约1000。
二维层状材料的相对电容率可通过如下方法计算：将二维层状材料设置在AFM(原子力显微镜)中包含的一对探针之间，之后向所述一对探针施加预定电压。
根据实施方式,所述二维层状材料可为从如下层离的金属氧化物纳米片：具有Aurivilius相的材料、具有Ruddlesden-Popper相的材料、具有Dion-Jacobson相的材料、钛铌酸盐、或其组合。
例如，将作为原材料的具有Aurivilius相的材料、具有Ruddlesden-Popper相的材料、具有Dion-Jacobson相的材料、钛铌酸盐、或其组合的至少一种在酸溶液中处理以被质子化，并且与烷基铵、或烷基胺反应以使所述原材料中存在的层状结构的层之间的间隙变宽，然后使用选自水、醇、乙腈、二甲亚砜、二甲基甲酰胺、碳酸亚丙酯、或其组合的至少一种的溶剂进行搅拌以形成层离的金属氧化物纳米片。
层离作为根据实施方式的二维层状材料的实例的Ca2Na2Nb5O16的方法描述如下：使KCa2Na2Nb5O16和酸化合物例如HNO3反应以将K+用H+代替，因此获得质子化的层状材料HCa2Na2Nb5O16。使所获得的HCa2Na2Nb5O16与例如烷基铵化合物例如氢氧化四烷基铵反应以将H+用例如四丁基铵阳离子(TBA+)代替。
所述烷基铵化合物可为C1-C16烷基铵化合物。由于所述烷基铵分子具有大的尺寸，因而其通过进入Ca2Na2Nb5O16层之间而使Ca2Na2Nb5O16层之间的间隙变宽，因此导致层间分离。由此，当将其添加到溶剂并且搅拌时，其层离以提供Ca2Na2Nb5O16纳米片。
同时，所述粒间绝缘型电容器通常满足与表观相对电容率有关的方程1。
[方程1]
εrAPP∝εr·d/t
在方程1中，εrAPP指的是所述介电复合物的表观相对电容率，εr指的是由用于所述晶界绝缘层的材料导致的相对电容率，d指的是所述晶粒的平均颗粒直径，和t指的是所述晶界绝缘层的厚度。
在常规的粒间绝缘型电容器之中，晶界绝缘层仅包括三维块状材料，并且其显示，所述三维块状材料的相对电容率趋向于取决于所述三维块状材料的量。
因此，当晶界绝缘层的厚度(t)减小时，用于晶界绝缘层的材料的量可降低，从而粒间绝缘型电容器的表观相对电容率也将减小。因此，常规的粒间绝缘型电容器对于向晶界绝缘层提供小于或等于预定厚度的超薄膜有困难。
另一方面，在根据实施方式的介电复合物中，晶界绝缘层至少包括二维层状材料，因此作为粒间绝缘型电容器，即使所述晶界绝缘层是以具有几到几十纳米的厚度t的超薄膜形成的，所述介电复合物也可显示大于或等于预定水平的相对电容率和所述预定水平是由所述二维层材料导致的。即，不同于常规的粒间绝缘型电容器，通过使用所述二维层状材料，所述晶界绝缘层的厚度和相对电容率可被彼此独立地控制。
根据实施方式的介电复合物的相对电容率可取决于所述晶粒的平均颗粒直径和所述晶界绝缘层的厚度而不同地确定，而是其可具有即使所述介电复合物以超小尺寸和超薄膜形成也足以用作电容器的相对电容率。
所述介电复合物的相对电容率可为例如大于或等于约1000、大于或等于约2000、大于或等于约3000、大于或等于约4000、大于或等于约5000、大于或等于约6000、大于或等于约7000、大于或等于约8000、大于或等于约9000、或者大于或等于约10000。在实施方式中，所述介电复合物的相对电容率可为例如小于或等于约20000。
因此，即使晶界绝缘层是以几到几十纳米的超薄膜形成的，根据实施方式的介电复合物也可显示大于或等于由位于所述晶界绝缘层中的所述二维层状材料导致的预定水平的相对电容率。
如上所述，由于根据实施方式的介电复合物包括即使在具有几到几十纳米的厚度的区域中也具有高的相对电容率的二维层状材料，因此其可以小尺寸和薄膜形成并且还具有高容量特性。
下文中，参照图4描述包括根据实施方式的介电复合物的多层电容器的结构。
图4示意性地显示根据实施方式的多层电容器。
根据实施方式的多层电容器1基本上具有如下结构：内部电极12和介电层11交替和层叠，其中介电层11包括图1-3中显示的介电复合物。
在根据实施方式的多层电容器1中，内部电极12和介电层11交替层叠两次或更多次，例如内部电极12和介电层11包括三个或更多个层叠的层。由此，相邻的内部电极和设置在其间的介电层可起到单元(单位)电容器的作用。
此外，在根据实施方式的多层电容器1中，内部电极12和介电层11可交替和层叠大于或等于约2次、例如大于或等于约3次、例如大于或等于约4次、例如大于或等于约5次，因此多层电容器1可显示由内部的单元电容器并行地设置的结构所导致的电容。
内部电极12可形成为具有比介电层11的面积小的面积。同时，内部电极12具有彼此相同的面积，但是相邻的内部电极可被不完全地覆盖并且可以Z字形图案层叠，如图4中所示。
介电层11可以比内部电极12的面积大的面积形成，并且相邻的介电层可彼此连接，因此其横截面可整体上为蛇形(蜿蜒)形状，如图4中所示。
同时，根据实施方式，多层电容器1可进一步包括一对外部电极13，其包围包括介电层11和内部电极12的堆叠结构的两个横向侧，如图4中所示。然而，实施方式不必限于此，而是其可具有如下结构：所述外部电极被省略，并且所述内部电极在所述介电层和所述内部电极的堆叠结构的两侧中长地延伸，或者所述内部电极与电源直接连接而没有所述外部电极。
通常，所述多层电容器包括多个介电层和内部电极，并且所述介电层的总厚度对于提供具有小型化和薄膜的多层电容器而言是重要因素。然而，常规的多层电容器的介电层包括BaTiO3、PbTiO3等作为介电材料，因此如上所述，相对电容率根据厚度降低也降低。
因此，当在常规的多层电容器中使介电层的总厚度变薄以提供薄膜时，所述介电层的各层的厚度可被限制直到约550nm-约600nm，在此情况下，常规的介电层可具有范围约3000-约3500的相对电容率。此外，所述常规的介电层的厚度以小于或等于该界限范围的超薄膜形成，相对于厚度的相对电容率急剧地降低，因此其显示出太过恶化的性质而无法用作用于多层电容器的介电层。
然而，在根据实施方式的多层电容器1中，介电层11包括所述介电复合物，并且因此介电层11的一层的厚度可为小于或等于约3000nm、小于或等于约2500nm、小于或等于约2000nm、小于或等于约1500nm、小于或等于约1000nm、或者小于或等于约500nm和例如480nm、小于或等于约460nm、小于或等于约440nm、小于或等于约420nm、小于或等于约400nm、小于或等于约380nm、小于或等于约360nm、小于或等于约340nm、小于或等于约320nm、小于或等于约300nm、或者甚至约200nm-约300nm，这提供薄膜。
因此，根据实施方式的多层电容器1可显示大于或等于由用于介电层11中的晶界绝缘层的二维层状材料导致的预定水平的相对电容率。换而言之，即使介电层11的每一个层的厚度在该范围内减小，其也可显示，例如，介电层11的每一个层大于或等于约1000、大于或等于约1500、大于或等于约2000、大于或等于约2500、大于或等于约3000、大于或等于约4000、大于或等于约4200、大于或等于约4400、大于或等于约4600、大于或等于约4800、大于或等于约4900、大于或等于约5000、大于或等于约7000、大于或等于约8000、大于或等于约9000、大于或等于约10000、大于或等于约12000、大于或等于约14000、大于或等于约16000、大于或等于约18000、或者大于或等于约20000的相对电容率。在实施方式中，介电层的相对电容率可例如小于或等于约40000。
多层电容器1可由介电层11导致的相对电容率。根据实施方式的多层电容器1可具有例如大于或等于约1000、大于或等于约1500、大于或等于约2000、大于或等于约2500、大于或等于约3000、大于或等于约4000、大于或等于约4200、大于或等于约4400、大于或等于约4600、大于或等于约4800、大于或等于约4900、大于或等于约5000、大于或等于约7000、大于或等于约8000、大于或等于约9000、大于或等于约10000、大于或等于约12000例如14000、大于或等于约16000、大于或等于约18000、或者大于或等于约20000的相对电容率。在实施方式中，多层电容器的相对电容率可例如小于或等于约40000。
即，与常规技术相比，根据实施方式的多层电容器1可使介电层11的每一个层的厚度显著降低，因此在与常规技术相同的条件下，多层电容器1中的内部介电层的层叠数量和电容可显著改善。
此外，一种实施方式提供能够被超薄膜化和小型化并且同时具有改善的电容和相对电容率的多层电容器1。
同时，另一实施方式可提供包括所述介电复合物的电子器件。所述电子器件可以所述介电复合物的单层形成，或者可如多层电容器1中那样以多层形成。根据实施方式的电子器件可为一种实现可变电阻器的功能的器件例如变阻器(压敏电阻器)和热敏电阻或者可为用于储能的电容器。
下文中，说明具体实施例。然而，这些实施例是示例性的并且本公开内容的范围不限于此。
实施例1
将起始材料TiO2以及SrCO3与给体元素镝(Dy)混合，并且将混合物使用球磨处理以提供混合物。将所获得的混合物蒸发，然后焙烧以提供具有氧空位的钛酸锶(SrTiO3)芯材料。所获得的钛酸锶(SrTiO3)芯材料具有约200nm的平均颗粒直径。
单独地，将K2CO3、CaCO3、Nb2O5、NaNbO3作为起始材料混合，并且将混合物形成为粒料(团粒，pellet)。将所获得的粒料加热以提供KCa2Na2Nb5O16粉末。将所获得的KCa2Na2Nb5O16粉末添加到HCl溶液或HNO3溶液中并且搅拌，然后过滤以提供HCa2Na2Nb5O16粉末。
将所获得的HCa2Na2Nb5O16粉末添加到TBAOH水溶液中并且搅拌和离心以提供二维纳米片。所述二维纳米片的组成为Ca2Na2Nb5O16。所获得的二维纳米片具有2.5nm的平均厚度和500nm的平均颗粒直径。
二维纳米片的厚度可通过分析用AFM(原子力显微镜)拍摄的图像来计算。
二维纳米片的平均颗粒可通过分析用AFM(原子力显微镜)拍摄的图像来计算。
然后，通过混合使用作为阳离子化合物的聚乙烯亚胺将所获得的二维纳米片涂布在芯材料钛酸锶(SrTiO3)的晶界上，以提供包括所述二维纳米片的晶界绝缘层。由此，中间产物具有包括钛酸锶(SrTiO3)芯材料的芯和包围所述芯的包括二维纳米片的晶界绝缘层的结构。
然后，将晶粒芯-晶界绝缘层在1250℃在1％湿度的H2气氛下还原和焙烧以将氧空位提供至晶界中的钛酸锶(SrTiO3-δ)，并且将其在潮湿的N2气氛下在1000℃再氧化以提供介电复合物。然后，在所获得的介电复合物的两侧上形成一对由In-Ga构成的电极以提供根据实施例1的粒间绝缘型电容器。根据实施例1的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图1对应的结构，并且晶界绝缘层具有约5nm的厚度。
晶界绝缘层的厚度可通过如下方法得到：通过使用AFM(原子力显微镜)和/或SEM(扫描电子显微镜)辨别晶粒和晶界，之后计算所辨别的晶界的厚度。
实施例2
根据与实施例1中相同的程序制备根据实施例2的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：在制备钛酸锶(SrTiO3)芯材料期间将受体元素锰(Mn)添加至钛酸锶晶界。根据实施例2的粒间绝缘型电容器具有与图2对应的结构，并且晶界绝缘层中二维纳米片的比率为50体积％。
换而言之，根据实施例2的晶界绝缘层具有如下结构：包括不具有氧空位并且具有受体元素的钛酸锶(SrTiO3)的三维块状材料和二维纳米片组合。
实施例3
根据与实施例2相同的程序制备根据实施例3的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：将晶界绝缘层中二维纳米片的比率调节为70体积％。根据实施例3的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图2对应的结构，但是二维纳米片的比率相对于实施例2略微升高。
实施例4
根据与实施例2相同的程序制备根据实施例4的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：将晶界绝缘层中二维纳米片的比率调节为90体积％。根据实施例4的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图2对应的结构，但是二维纳米片的比率相对于实施例2和3升高。
实施例5
根据与实施例1中相同的程序制备根据实施例5的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：在制备钛酸锶(SrTiO3)期间将晶粒的平均颗粒直径调节为约100nm。根据实施例5的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图1对应的结构。
实施例6
根据与实施例1中相同的程序制备根据实施例6的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：在制备钛酸锶(SrTiO3)期间将晶粒的平均颗粒直径调节为约300nm。根据实施例6的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图1对应的结构。
实施例7
根据与实施例1中相同的程序制备根据实施例7的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：在制备晶界绝缘层期间将钛酸锶(SrTiO3)晶界用具有Ca2Nb3O10的组成的二维纳米片涂布。根据实施例7的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图1对应的结构。
实施例8
根据与实施例1中相同的程序制备根据实施例8的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：用钛酸钡(BaTiO3)代替钛酸锶(SrTiO3)制备晶粒。根据实施例8的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图1对应的结构。
对比例1
将起始材料TiO2以及SrCO3与给体元素镝(Dy)混合，并且将混合物使用球磨处理以提供混合物。将所获得的混合物蒸发和焙烧以提供具有氧空位的钛酸锶(SrTiO3)。所获得的钛酸锶(SrTiO3)晶粒具有约200nm的平均颗粒直径。
然后，向钛酸锶(SrTiO3)晶界添加受体元素锰(Mn)并且在还原条件下焙烧和在空气气氛下再次烘烤以再氧化以提供介电复合物。然后，在所获得的介电复合物的两侧上形成一对由In-Ga构成的电极以提供根据对比例1的粒间绝缘型电容器。
在根据对比例1的粒间绝缘型电容器中，晶界绝缘层不包括二维纳米片(与图1中不同)，并且包括不具有氧空位且具有受体元素锰(Mn)的钛酸锶(SrTiO3)。
下文中，根据实施例1-8和对比例1的粒间绝缘型电容器的组成和所有性质示于表1中。
(表1)
参照表1，证实，根据实施方式的粒间绝缘型电容器具有如下方面：表观相对电容率与晶粒的平均颗粒直径和二维纳米片比率成比例，所述表观相对电容率取决于二维纳米片的组成而变化。
同时，如下改变实施例1的条件，因此制备根据实施例9和10以及对比例2和3的各粒间绝缘型电容器。
实施例9
根据与实施例1中相同的程序制备根据实施例9的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：在制备钛酸锶(SrTiO3)芯材料期间，将钛酸锶(SrTiO3)芯材料形成为提供具有约1300nm的平均颗粒直径，并且将锰(Mn)作为受体元素添加至钛酸锶晶界。在根据实施例9的粒间绝缘型电容器的介电复合物中，晶界绝缘层形成为具有几十纳米的厚度。此外，根据实施例9的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图2对应的结构，并且晶界绝缘层中二维纳米片的比率为80体积％。
实施例10
根据与实施例1中相同的程序制备钛酸锶(SrTiO3)芯材料，除了如下之外：在制备钛酸锶(SrTiO3)芯材料期间，将钛酸锶(SrTiO3)芯材料形成为具有约1000nm的平均颗粒直径，并且将锰(Mn)作为受体元素添加至钛酸锶晶界。
单独地，将起始材料K2CO3、SrCO3、Nb2O5混合，并且将混合物形成为粒料。将所获得的粒料加热以提供KSr2Nb3O10粉末。将所获得的KSr2Nb3O10粉末添加到HCl溶液或HNO3溶液中并且搅拌，然后过滤以提供HSr2Nb3O10粉末。
将所获得的HSr2Nb3O10粉末添加到TBAOH水溶液中并且搅拌和离心以提供二维纳米片。所述二维纳米片具有Sr2Nb3O10的组成。所获得的二维纳米片具有1.5nm的平均厚度和500nm的平均颗粒直径。
然后，使用阳离子化合物聚乙烯亚胺将所获得的二维纳米片涂布在钛酸锶(SrTiO3)芯材料的晶界上，因此获得包括二维纳米片的晶界绝缘层。因此，中间产物具有包括如下的结构：钛酸锶(SrTiO3)芯材料的芯和包围所述芯的包括二维纳米片的晶界绝缘层。
然后，将晶粒芯-晶界绝缘层在1250℃在1％湿度的H2气氛中还原和焙烧以提供在晶界中具有氧空位的钛酸锶(SrTiO3-δ)，并且将其在900℃在空气气氛下再氧化以提供介电复合物。然后，在所获得的介电复合物的两侧上形成一对由In-Ga构成的电极以提供根据实施例10的粒间绝缘型电容器。在根据实施例10的粒间绝缘型电容器的介电复合物中，晶界绝缘层是以几十纳米的厚度形成的。此外，根据实施例10的粒间绝缘型电容器的介电复合物具有与图2对应的结构，并且晶界绝缘层中二维纳米片的比率为80体积％。
对比例2
根据与实施例1中相同的程序制备钛酸锶(SrTiO3)芯材料，除了如下之外：将钛酸锶(SrTiO3)芯材料形成为具有约1300nm的平均颗粒直径。
然后，向所获得的钛酸锶(SrTiO3)晶界添加作为受体元素的锰(Mn)，然后在还原条件下焙烧和在空气气氛下再次烘烤以再氧化，使得获得根据对比例2的粒间绝缘型电容器。在根据对比例2的粒间绝缘型电容器的介电复合物中，晶界绝缘层是以几十nm的厚度形成的。
在根据对比例2的粒间绝缘型电容器中，晶界绝缘层不包括二维纳米片(与图1不同)并且包括不具有氧空位且具有受体元素锰(Mn)的钛酸锶(SrTiO3)。
对比例3
根据与对比例2中相同的程序制备根据对比例3的粒间绝缘型电容器，除了如下之外：将钛酸锶(SrTiO3)芯材料形成为具有约1000nm的平均颗粒直径。在根据对比例3的粒间绝缘型电容器中，晶界绝缘层是以几十nm的厚度形成的。
在根据对比例3的粒间绝缘型电容器中，晶界绝缘层如对比例2中那样不包括二维纳米片并且包括不具有氧空位且具有受体元素锰(Mn)的钛酸锶(SrTiO3)。
下文中，根据实施例9和10以及对比例2和3的粒间绝缘型电容器的组成和所有性质示于表2中。
(表2)
参照表1和2，证实，根据实施例9和10的粒间绝缘型电容器具有比实施例1-8的那些大的晶粒的平均颗粒直径，并且晶界绝缘层的厚度也以约5nm增加到几十nm。
同时，参照表2，将相同晶粒的平均颗粒直径视为参比，证实，晶界绝缘层包括二维纳米片的实施例9和10显示出优于不包括二维纳米片的对比例2和3的那些的表观相对电容率。
此外，证实，参照实施例9和10，即使使用包括几乎类似的平均颗粒直径的相同材料的晶粒芯材料，在二维纳米片的材料不同的情况下，也可改变表观相对电容率。其是因为，方程1中的εrAPP取决于纳米片材料的变化而变化。
虽然已经关于当前被认为是实践性的实例实施方式的内容描述了本公开内容，但是将理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的多种改动和等同布置。

Claims (22)

1.介电复合物，其包括：
包括具有半导电性或导电性的材料的多个晶粒，和
包围所述晶粒的边界的晶界绝缘层，
其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
2.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料包括单层。
3.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料包括2个或更多个层叠的层。
4.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料与所述晶粒表面直接接触。
5.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料覆盖在所述晶粒的至少一个的表面的全部。
6.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料具有小于或等于约120nm的厚度。
7.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料具有大于或等于约50且小于或等于1000的相对电容率。
8.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述晶界绝缘层进一步包括与所述二维层状材料组合的三维块状材料。
9.如权利要求1所述的介电复合物，其中基于100体积％的所述晶界绝缘层，所述二维层状材料以10体积％-100体积％的范围存在。
10.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料是从如下层离的：包括Aurivilius相的材料、具有Ruddlesden-Popper相的材料、具有Dion-Jacobson相的材料、和钛铌酸盐。
11.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述二维层状材料由化学式1表示：
[化学式1]
Xm[A(n-1)B’nO(3n+1)]
其中，在化学式1中，X包括H、碱金属、阳离子化合物、或其组合，A包括Ca、Na、Ta、Bi、Ba、Sr、或其组合，B’包括W、Mo、Cr、Ta、Nb、V、Zr、Hf、Pb、Sn、La、Ti、或其组合，0≤m≤2，和n≥1。
12.如权利要求11所述的介电复合物，其中所述阳离子化合物包括四甲基铵化合物、四乙基铵化合物、四丙基铵化合物、四丁基铵化合物、甲基胺化合物、乙基胺化合物、丙基胺化合物、丁基胺化合物、聚乙烯亚胺化合物、或其组合。
13.如权利要求11所述的介电复合物，其中由化学式1表示的二维层状材料是电中性的。
14.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述晶粒包括钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅、锆酸铅、锆钛酸铅、或其组合。
15.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述晶粒具有在50nm-2.0μm范围内的平均颗粒直径。
16.如权利要求1所述的介电复合物，其中所述介电复合物具有大于或等于1000且小于或等于20000的相对电容率。
17.多层电容器，包括：
层叠的交替层，所述层叠的交替层包括内部电极和介电层，
其中所述介电层包括如权利要求1-16任一项所述的介电复合物。
18.如权利要求17所述的多层电容器，其中所述内部电极和所述介电层包括三个或更多个层叠的层。
19.如权利要求17所述的多层电容器，其中所述介电层具有小于500nm的厚度。
20.如权利要求17所述的多层电容器，其中所述介电层具有大于或等于4000且小于或等于40000的相对电容率。
21.电子器件，其包括如权利要求1-16任一项所述的介电复合物。
22.如权利要求21所述的电子器件，其中所述电子器件为变阻器、热敏电阻、或用于储能的电容器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110246689A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 三星电子株式会社 陶瓷电解质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备
KR20190106726A (ko) * 2018-03-09 2019-09-18 삼성전자주식회사 세라믹 유전체 및 그 제조 방법, 세라믹 전자 부품 및 전자장치
CN111564310A (zh) * 2019-02-13 2020-08-21 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102363288B1 (ko) * 2017-03-10 2022-02-14 삼성전자주식회사 유전체, 그 제조 방법, 이를 포함하는 유전체 소자 및 전자 소자
JP2019008873A (ja) * 2017-06-20 2019-01-17 株式会社 Ｎｇｒ 画像取得システムおよび画像取得方法
CN109180181B (zh) * 2018-09-28 2020-10-27 西安交通大学 一种无铅弛豫反铁电陶瓷储能材料及其制备方法
CN109206135B (zh) * 2018-09-28 2020-05-19 华中科技大学 一种具有高温度系数的热敏陶瓷材料及其制备方法
KR102217289B1 (ko) * 2018-11-22 2021-02-19 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조 방법
JP7318310B2 (ja) * 2019-05-28 2023-08-01 株式会社豊田中央研究所 誘電体フィルム
JP2022158987A (ja) * 2021-03-31 2022-10-17 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品、回路基板構造、およびセラミック電子部品の製造方法
US20230080684A1 (en) * 2021-09-14 2023-03-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Ceramic electronic component, method of manufacturing ceramic electronic component, and method of producing dielectric powder

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6401524A (zh) * 1963-02-22 1964-08-24
FR1472425A (fr) * 1965-03-19 1967-03-10 Siemens Ag Corps céramique en matériau ferroélectrique
EP0634756A2 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Metal oxide resistor, power resistor, and power circuit breaker
JP2007001055A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 高誘電率材シートの製造方法、配線基板の製造方法、粒体の配列方法、突出部の形成方法
CN102320827A (zh) * 2011-07-27 2012-01-18 吴浩 单层电容器晶界层材料、基片的制作方法、以及单层电容器的方法
CN103270564A (zh) * 2011-02-03 2013-08-28 株式会社村田制作所 半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4403236A (en) 1979-10-09 1983-09-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Boundary layer type semiconducting ceramic capacitors with high capacitance
US4309295A (en) 1980-02-08 1982-01-05 U.S. Philips Corporation Grain boundary barrier layer ceramic dielectrics and the method of manufacturing capacitors therefrom
JPS56144522A (en) 1980-04-11 1981-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition
JP3032819B2 (ja) 1998-05-29 2000-04-17 コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー ＳｒＴｉＯ３ 系粒界絶縁型誘電体
US6795296B1 (en) * 2003-09-30 2004-09-21 Cengiz A. Palanduz Capacitor device and method
WO2008078652A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 National Institute For Materials Science 誘電体素子とその製造方法
CN102036918B (zh) 2008-05-23 2013-09-25 独立行政法人物质·材料研究机构 电介体膜、电介体元件及其制造方法
WO2012051176A2 (en) 2010-10-12 2012-04-19 Apricot Materials Technologies, LLC Ceramic capacitor and methods of manufacture
CN103370754B (zh) * 2011-02-04 2016-06-08 株式会社村田制作所 带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
JP5483028B2 (ja) * 2011-02-24 2014-05-07 株式会社村田製作所 粒界絶縁型半導体セラミック、半導体セラミックコンデンサ、及び半導体セラミックコンデンサの製造方法
JP2015115476A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電材料とその製造方法
JP6578703B2 (ja) * 2015-03-31 2019-09-25 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
KR102392041B1 (ko) * 2017-03-10 2022-04-27 삼성전자주식회사 유전체, 그 제조 방법, 이를 포함하는 유전체 소자 및 전자 소자
KR102363288B1 (ko) * 2017-03-10 2022-02-14 삼성전자주식회사 유전체, 그 제조 방법, 이를 포함하는 유전체 소자 및 전자 소자
KR102325821B1 (ko) * 2017-03-31 2021-11-11 삼성전자주식회사 2차원 페로브스카이트 소재, 이를 포함하는 유전체 및 적층형 커패시터

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6401524A (zh) * 1963-02-22 1964-08-24
FR1472425A (fr) * 1965-03-19 1967-03-10 Siemens Ag Corps céramique en matériau ferroélectrique
EP0634756A2 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Metal oxide resistor, power resistor, and power circuit breaker
JP2007001055A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 高誘電率材シートの製造方法、配線基板の製造方法、粒体の配列方法、突出部の形成方法
CN103270564A (zh) * 2011-02-03 2013-08-28 株式会社村田制作所 半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
CN102320827A (zh) * 2011-07-27 2012-01-18 吴浩 单层电容器晶界层材料、基片的制作方法、以及单层电容器的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110246689A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 三星电子株式会社 陶瓷电解质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备
KR20190106726A (ko) * 2018-03-09 2019-09-18 삼성전자주식회사 세라믹 유전체 및 그 제조 방법, 세라믹 전자 부품 및 전자장치
CN110246689B (zh) * 2018-03-09 2022-05-24 三星电子株式会社 陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备
KR102585979B1 (ko) 2018-03-09 2023-10-06 삼성전자주식회사 세라믹 유전체 및 그 제조 방법, 세라믹 전자 부품 및 전자장치
CN111564310A (zh) * 2019-02-13 2020-08-21 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
US11201012B2 (en) 2019-02-13 2021-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multi-layered ceramic capacitor
CN111564310B (zh) * 2019-02-13 2022-04-12 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器

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Publication number Publication date
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JP2022058938A (ja) 2022-04-12
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