CN108318548B - 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 - Google Patents
一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108318548B CN108318548B CN201810447798.2A CN201810447798A CN108318548B CN 108318548 B CN108318548 B CN 108318548B CN 201810447798 A CN201810447798 A CN 201810447798A CN 108318548 B CN108318548 B CN 108318548B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cantilever
- base
- film
- window
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005088 metallography Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/304—Beam type
- H10N30/306—Cantilevers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种单悬梁气体传感器，包括依次层叠设置的硅衬底、支撑膜、加热电阻、隔离膜和检测电极，该气体传感器呈“T”型，具有基体结构和悬臂结构，在悬臂结构的端部上设有气敏材料。本发明还提供了一种由单悬梁气体传感器组成的传感器阵列，并提供了该气体传感器的制备方法，其包括(1)选择硅衬底；(2)制备支撑膜；(3)制备加热电阻；(4)制备隔离膜；(5)制备检测电极；(6)释放薄膜；(7)气敏材料加载。本发明的优点在于，该传感器功耗低、尺寸小、集成度高，生产工艺简单，易于定位，有效提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明属于微电子机械系统和气体检测技术领域，具体涉及一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法。
背景技术
基于微电子机械系统(MEMS)技术的气体传感器，由于其小尺寸、低功耗、高灵敏度和快速响应等特点，逐步显现出巨大的应用潜力，将有望取代基于传统技术的气体传感器，在物联网、移动端和人工智能等领域广泛应用。而在MEMS气体传感器中，又因采用金属氧化物半导体(MOS)材料的传感器具有广泛的检测范围，在未来的大规模应用中具有更为广阔的市场空间。
目前MEMS MOS气体传感器中，主要以基于悬膜式微型加热器的研究居多，该结构的传感器具有较低的功耗，一般可低至20毫瓦，如专利号为201520759054.6的实用新型专利提供了一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，其具有自下而上依次设置的硅衬底框架、加热膜层、加热电极层和敏感膜层，其中加热膜层包括加热膜区，该加热膜区通过四根悬梁与硅衬底框架连接。又如专利号为CN201520759055.0的实用新型专利提供了一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，该传感器也包括自下而上依次设置的硅衬底框架、加热膜层、加热电极层和敏感膜层，其中加热膜层包括加热膜区，该加热膜区通过两根悬梁与硅衬底框架连接。这些多悬梁式气体传感器功耗虽然较低，但随着移动端和物联网应用的高速发展，其已不能满足需要。同时多悬梁式气体传感器在制备时，存在工艺复杂、定位困难、效率低下的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于：如何进一步降低悬梁式气体传感器的功耗。
本发明采用以下技术方案解决上述技术问题：
一种单悬梁气体传感器，具有基体结构和悬梁结构，其包括依次层叠设置的如下部分：
硅衬底；
支撑膜，包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接；
加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；
隔离膜，包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；
检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；
所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部和第四基部对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂对应设置形成所述悬梁结构；
所述第四悬臂远离基体结构的一端上设有气敏材料。
优选地，本发明所述的一种单悬梁气体传感器，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的外形均呈矩形。
优选地，本发明所述的一种单悬梁气体传感器，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的外形均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的宽度均逐渐增大。
优选地，本发明所述的一种单悬梁气体传感器，所述第一悬臂上设有沿第一悬臂长度方向延伸的第一孔。
优选地，本发明所述的一种单悬梁气体传感器，所述第三悬臂上设有第二孔，所述第二孔沿第三悬臂的长度方向延伸，并与第一孔对应设置。
优选地，本发明所述的一种单悬梁气体传感器，所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部及第四基部均为矩形；所述第四基部设有第四悬臂的侧边的长度短于第一窗口远离第二悬臂的侧边的长度；或第三窗口远离第四悬臂的侧边的长度长于第二基部设有第二悬臂的侧边的长度。
优选地，本发明所述的一种单悬梁气体传感器，所述支撑膜为单层氧化硅层与单层氮化硅层形成的复合膜，氧化硅层与氮化硅层依次设置在硅衬底上，且氮化硅层的厚度大于氧化硅层的厚度；所述隔离膜为氧化硅膜或氮化硅膜。
本发明还提供了一种传感器阵列，其由多个上述的单悬梁气体传感器阵列组成。
本发明提供了一种传感器的制备方法，其用以制备上述的一种单悬梁气体传感器，包括以下步骤：
(1)选择硅衬底：当释放薄膜采用各向同性的干法刻蚀或湿法腐蚀时，对硅衬底的金相无要求；当释放薄膜采用各向异性湿法腐蚀时，选择<100>晶向的硅片；
(2)制作支撑膜：在硅衬底上采用热氧化和低压化学气相沉积法制备；
(3)制作加热电阻：采用剥离工艺制备；
(4)制作隔离膜：先采用等离子增强化学气相沉积制备，再利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀该隔离膜，形成透过孔露出加热电阻；
(5)制作检测电极：采用剥离工艺制备；
(6)释放薄膜：首先利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀彻底刻蚀暴露支撑膜，露出硅衬底形成薄膜释放窗口，然后采用四甲基氢氧化铵或氢氧化钾各向异性湿法腐蚀液，或采用由氢氟酸、硝酸和水组成的各向同性湿法腐蚀液，或XeF2各向同性干法腐蚀气体来掏空支撑膜下面的硅衬底即可释放出薄膜结构；
(7)气敏材料的加载：在所述悬梁结构的端部沾取气敏材料后高温烧结完成气敏材料的加载。
优选地，本发明所述的一种传感器的制备方法，所述步骤(3)中加热电阻为铂电阻，厚度为所述步骤(4)中隔离膜的厚度为/>所述步骤(6)中检测电极为铂电极或金电极，其厚度为/>
本发明技术有益效果：
本发明技术方案采用单悬梁式结构，将有效区设置在悬梁的端部，通过减小有效区面积和降低悬梁数量使得传感器的功耗降至1毫瓦；
单悬梁式的传感器尺寸更小、集成度更高，集成度较现有多悬梁式结构提高一个数量级；
本发明提出的单悬梁气体传感器的制备方法工艺简单、易于定位，有效提高了生产效率，同时也更易于制备具有气质材料的复合结构的气敏材料。
附图说明
图1为本发明实施例所述一种单悬梁气体传感器的结构示意图；
图2为图1的爆炸示意图；
图3为本发明实施例所述的另一种单悬梁气体传感器的爆炸示意图；
图4为本发明实施例所述的一种传感器阵列的结构示意图。
具体实施方式
为便于本领域技术人员理解本发明技术方案，现结合说明书附图对本发明技术方案做进一步的说明。
参阅图1及图2，本发明提供的一种单悬梁气体传感器，包括硅衬底1、支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4、检测电极5和气敏材料6。
该传感器具有基体结构和悬梁结构，一般情况下，所述基体结构呈矩形，所述悬梁结构设置在基体结构一长边的中部，从而形成“T”型单悬梁式结构。所述硅衬底1、支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4及检测电极5自下而上依次层叠设置，其具体结构如下：
所述硅衬底1的上、下端面呈矩形。
所述支撑膜2用以对整个悬梁结构起支撑作用。其包括呈矩形的第一基部21，所述第一基部21的一长边中部设有向外延伸的第一悬臂22。
所述加热电阻3由金属或半导体材料构成，用以为传感器工作提供所需的工作温度。该加热电阻3包括外形呈矩形的第二基部31，所述第二基部31一长边中部设有第二悬臂32，第二基部31与第二悬臂32相对的一侧开设有第一窗口33，所述第二悬臂32上开设有沿第二悬臂32长度方向延伸的第二窗口34，所述第二窗口34与第一窗口31连通。加热电阻3上设有两个第一引线(图中未示出)，所述两个第一引线分别设置在第二基部31背离第二悬臂32的侧边，且位于第一窗口33的两侧上。
所述隔离膜4由氮化硅或氧化硅等绝缘介质构成，用以对加热电阻3和检测电极5进行电隔离。其包括呈矩形的第三基部41，所述第三基部41上对应第一引线的位置处分别设有透过孔44，第一引线穿过对应透过孔44后暴露在外；所述第三基部41的一长边中部设有第三悬臂42；且所述隔离膜4的厚度大于所述加热电阻3的厚度；
所述检测电极5一般为贵金属材料电极，如金属铂或金。检测电极5包括外形呈矩形的第四基部51，所述第四基部51一长边中部设有第四悬臂52，第四基部51与第四悬臂52相对的一侧开设有第三窗口53，所述第四悬臂52上开设有沿第四悬臂52长度方向延伸并将第四悬臂52分割的第四窗口54，所述第四窗口54与第三窗口53连通。检测电极5上设有两个第二引线(图中未示出)，所述的两个第二引线分别设置在第四基部51背离第三窗口53的侧边，且位于第三窗口53的两侧上。需要注意的是，第四基部51不能够遮挡透过孔44。
所述硅衬底1、第一基部21、第二基部31、第三基部41和第四基部51对应设置形成基体结构；第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42及第四悬臂52对应设置形成悬梁结构；
所述气敏材料6为纳米尺度下金属氧化物半导体材料构成，如二氧化锡、氧化锌或其他氧化物等。气敏材料6设置在第四悬臂52远离基体结构的端部上，使得气敏材料6与检测电极5电性连接。当气敏材料6在吸附特定气体分子后，其电阻率会发生变化，从而达到检测气体的目的。
该气体传感器的核心部分为悬梁结构，用于加载气敏材料的有效区域也仅在悬梁结构远离基体机构的端部。一方面，通过减小有效区的面积降低因热对流和热辐射引起的热量散失，另一方面悬梁结构细而长，可以大幅降低热传导过程中的热量损失，因而该传感器具有极低的功耗。
需要说明的是，本实施例中以基体结构呈矩形、悬梁结构设置在矩形基体结构长边中部处为例进行介绍，但这并不是严格的规定，在实际生产过程中，其基体结构具体形状及悬梁结构的设置位置根据需要进行设置。
如图2所示，在该传感器的一种结构中，所述第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42及第四悬臂52的外形均呈矩形。
如图3所示，在该传感器的另一种结构中，所述第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42及第四悬臂52的外形均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，所述第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42及第四悬臂52的宽度均逐渐增大。通过加宽悬梁结构与基体结构的连接宽度，在保留单悬梁式结构所具有的低功耗特点的同时，还提高了整个传感器的机械强度。
所述第一悬臂22上设有沿第一悬臂22长度反向延伸的第一孔23；所述第三悬臂42上设有沿第三悬臂42长度方向延伸的第二孔43，所述第一孔23与第二孔43对应设置。通过设置狭长的第一孔23和第二孔43来进一步降低热传导过程中的热量损失。
再具体地，所述第四基部51的长边的长度短于第一窗口33远离第二悬臂32的侧边的长度。或者，第三窗口53背离第三悬臂52的侧边的长度大于第二基部21的长边的长度。
所述支撑膜2为单层氧化硅层与单层氮化硅层形成的复合膜，氧化硅层与氮化硅层依次设置在硅衬底1上，且氮化硅层的厚度大于氧化硅层的厚度。所述隔离膜4为氧化硅膜或氮化硅膜。
本实施例中第一窗口33可以为对称结构，通过设置第一窗口33和第二窗口34使得加热电阻3形成为一对称结构；第三窗口53为对称结构，通过第三窗口53和第四窗口54将检测电极5分割成为对称的两部分。需要说明的是，实际生产时，根据需要，第一窗口33和第三窗口53也可以是不对称的结构，此时加热电阻3及检测电极5也为非对称结构。
在气味识别应用中，往往需要将众多的传感器集成在一起工作，本实施例提供的单悬梁式传感器因其结构的独特性，极易实现多个传感器的集成而构成传感器阵列。如图4所示，本实施例还提供了一种传感器阵列，其由上述的单悬梁式传感器平铺而成，其中各个传感器的悬梁结构均位于基体结构的同一侧。当然，也可以根据需要，将各个传感器的悬梁结构分布于基体结构的两侧或采用其他排布方式。
本实施例所述的单悬梁气体传感器的制备方法较传统多悬梁式传感器的制备方法，具有定位容易、工艺简单的特点。下面通过具体实施例来进行详细说明。
实施例一
一种单悬梁气体传感器制备方法，包括以下步骤：
(1)选择选择<100>晶向的硅片作为衬底，电阻率3-8Ωcm，硅片厚度为350±10μm，切边的角度误差<1％；
(2)在衬底上采用热氧化和低压化学气相沉积法依次生长一层厚度为的氧化硅和一层厚度为/>的氮化硅；
(3)制作加热电阻3：利用剥离工艺制作铂电阻的加热电阻丝，厚度为
(4)制作隔离膜4：利用等离子增强化学气相沉积制作氧化硅或氮化硅作为隔离膜4，隔离膜4的厚度为然后利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀隔离膜4，形成透过孔44露出下面的加热电阻3；
(5)制作检测电极5：利用剥离工艺制作材料为铂的检测电极5，厚度为
(6)释放薄膜：首先利用RIE或Ion-beam彻底刻蚀暴露的支撑膜2，露出硅衬底1形成薄膜释放窗口，然后使用25％浓度的四甲基氢氧化铵进行湿法腐蚀，腐蚀时间为8小时；
(7)气敏材料6的加载：所述悬梁结构的端部沾取适量的二氧化锡气敏材料胶体，然后在600℃下烧结2小时完成气敏材料6的加载，获得单悬臂式气体传感器，再在对应位置设置第一引线、第二引线即可。
实施例二
一种单悬梁气体传感器制备方法，包括以下步骤：
(1)取一硅片作为衬底，其电阻率3-8Ωcm，硅片厚度为350±10μm，切边的角度误差<1％；
(2)在衬底上采用热氧化和低压化学气相沉积法依次生长一层厚度为的氧化硅和一层厚度为/>的氮化硅；
(3)制作加热电阻3：利用剥离工艺制作铂电阻的加热电阻丝，厚度为
(4)制作隔离膜4：利用等离子增强化学气相沉积制作氧化硅或氮化硅作为隔离膜4，隔离膜4的厚度为然后利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀隔离膜4，形成透过孔44露出下面的加热电阻3；
(5)制作检测电极5：利用剥离工艺制作材料为铂的检测电极5，厚度为
(6)释放薄膜：首先利用RIE或Ion-beam彻底刻蚀暴露的支撑膜2，露出硅衬底1形成薄膜释放窗口，然后使用干法刻蚀气体二氟化氙(XeF2)对硅衬底1进行刻蚀，腐蚀时间为30min；
(7)气敏材料6的加载：所述悬梁结构的端部沾取适量的三氧化物气敏材料胶体，然后在600℃下烧结2小时完成气敏材料6的加载，获得单悬臂式气体传感器，再在对应位置设置第一引线、第二引线即可。
实施例三
一种单悬梁气体传感器制备方法，包括以下步骤：
(1)取一硅片作为衬底，其电阻率3-8Ωcm，硅片厚度为350±10μm，切边的角度误差<1％；
(2)在衬底上采用热氧化和低压化学气相沉积法依次生长一层厚度为的氧化硅和一层厚度为/>的氮化硅；
(3)制作加热电阻3：利用剥离工艺制作铂电阻的加热电阻丝，厚度为
(4)制作隔离膜4：利用等离子增强化学气相沉积制作氧化硅或氮化硅作为隔离膜4，隔离膜4的厚度为然后利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀隔离膜4，露出下面的加热电阻3；
(5)制作检测电极5：利用剥离工艺制作材料为铂的检测电极5，厚度为
(6)释放薄膜：首先利用RIE或Ion-beam彻底刻蚀暴露的支撑膜2，露出硅衬底1形成薄膜释放窗口，然后使用各向同性湿法腐蚀液对硅衬底1进行湿法刻蚀，腐蚀时间为4小时；
(7)气敏材料6的加载：悬梁结构的端部沾取适量的二氧化锡气敏材料胶体，然后在550℃下烧结3小时完成气敏材料6的加载，获得单悬臂式气体传感器，再在对应位置设置第一引线、第二引线即可。
将该单悬梁气体传感器制备成单悬梁气体传感器阵列的方法与上述单悬梁气体传感器制备过程基本相同，其只需要在步骤(6)中，通过设置刻蚀条件，使得释放薄膜之后形成多个基体结构依次连接，每一基体结构上具有一悬梁结构的传感器阵列；然后在每一悬梁结构的端部分别沾取不同配方的二氧化锡气敏材料，形成单悬梁气体传感器阵列。
本发明技术方案在上面结合附图对发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种单悬梁气体传感器，其特征在于，具有基体结构和悬梁结构，其包括依次层叠设置的如下部分：
硅衬底；
支撑膜，包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接；
加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；
隔离膜，包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；
检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；
所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部和第四基部对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂对应设置形成所述悬梁结构；
所述悬梁结构细长，所述第四悬臂远离基体结构的一端上设有气敏材料。
2.根据权利要求1所述的一种单悬梁气体传感器，其特征在于，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的外形均呈矩形。
3.根据权利要求1所述的一种单悬梁气体传感器，其特征在于，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的外形均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的宽度均逐渐增大。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种单悬梁气体传感器，其特征在于，所述第一悬臂上设有沿第一悬臂长度方向延伸的第一孔。
5.根据权利要求4所述的一种单悬梁气体传感器，其特征在于，所述第三悬臂上设有第二孔，所述第二孔沿第三悬臂的长度方向延伸，并与第一孔对应设置。
6.根据权利要求4所述的一种单悬梁气体传感器，其特征在于，所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部及第四基部均为矩形；所述第四基部设有第四悬臂的侧边的长度短于第一窗口远离第二悬臂的侧边的长度；或第三窗口远离第四悬臂的侧边的长度长于第二基部设有第二悬臂的侧边的长度。
7.根据权利要求1所述的一种单悬梁气体传感器，其特征在于，所述支撑膜为单层氧化硅层与单层氮化硅层形成的复合膜，氧化硅层与氮化硅层依次设置在硅衬底上，且氮化硅层的厚度大于氧化硅层的厚度；所述隔离膜为氧化硅膜或氮化硅膜。
8.一种传感器阵列，其特征在于，由多个如权利要求1-7任一项所述的单悬梁气体传感器组成。
9.一种传感器的制备方法，其用以制备如权利要求1-7任一项所述的一种单悬梁气体传感器，包括以下步骤：
(1)选择硅衬底：当释放薄膜采用各向同性的干法刻蚀或湿法腐蚀时，对硅衬底的金相无要求；当释放薄膜采用各向异性湿法腐蚀时，选择<100>晶向的硅片；
(2)制作支撑膜：在硅衬底上采用热氧化和低压化学气相沉积法制备；
(3)制作加热电阻：采用剥离工艺制备；
(4)制作隔离膜：先采用等离子增强化学气相沉积制备，再利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀该隔离膜，形成透过孔露出加热电阻；
(5)制作检测电极：采用剥离工艺制备；
(6)释放薄膜：首先利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀彻底刻蚀暴露支撑膜，露出硅衬底形成薄膜释放窗口，然后采用四甲基氢氧化铵或氢氧化钾各向异性湿法腐蚀液，或采用各向同性湿法腐蚀液，或XeF2各向同性干法腐蚀气体来掏空支撑膜下面的硅衬底即可释放出薄膜结构；
(7)气敏材料的加载：在所述悬梁结构的端部沾取气敏材料，经烧结完成气敏材料的加载。
10.根据权利要求8所述的一种传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中加热电阻为铂电阻，厚度为所述步骤(4)中隔离膜的厚度为/>所述步骤(6)中检测电极为铂电极或金电极，其厚度为/>
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810447798.2A CN108318548B (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 |
| PCT/CN2018/120549 WO2019214229A1 (zh) | 2018-05-11 | 2018-12-12 | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 |
| JP2019537366A JP6804173B2 (ja) | 2018-05-11 | 2018-12-12 | 片持ち梁型ガスセンサ、センサアレイ及びセンサの製造方法 |
| EP18915794.4A EP3608661A4 (en) | 2018-05-11 | 2018-12-12 | GAS SENSOR WITH A CONSOLE, SENSOR ARRAY AND METHOD FOR PRODUCING A SENSOR |
| US16/482,275 US10914700B2 (en) | 2018-05-11 | 2018-12-12 | Single cantilever gas sensor, sensor array, and manufacturing method thereof |
| KR1020197024227A KR102339612B1 (ko) | 2018-05-11 | 2018-12-12 | 싱글 캔틸레버 빔 기체 센서, 센서 어레이 및 센서의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810447798.2A CN108318548B (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108318548A CN108318548A (zh) | 2018-07-24 |
| CN108318548B true CN108318548B (zh) | 2024-03-15 |
Family
ID=62896535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810447798.2A Active CN108318548B (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10914700B2 (zh) |
| EP (1) | EP3608661A4 (zh) |
| JP (1) | JP6804173B2 (zh) |
| KR (1) | KR102339612B1 (zh) |
| CN (1) | CN108318548B (zh) |
| WO (1) | WO2019214229A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108318548B (zh) | 2018-05-11 | 2024-03-15 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 |
| CN109164157B (zh) * | 2018-10-26 | 2020-12-25 | 浙江师范大学 | 用于生化检测的检测系统 |
| CN111721965A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 中国科学院物理研究所 | 一种纳米级的气流传感器及其制备方法 |
| CN111272828B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-04-12 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列、制备方法 |
| CN114755135B (zh) * | 2022-04-15 | 2023-11-03 | 四川大学 | 一种基于嵌入式薄膜的谐振式气体传感器及其制造工艺 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2703328Y (zh) * | 2003-12-31 | 2005-06-01 | 中国科学技术大学 | 光－机械式微梁阵列热型红外图象传感器 |
| CN1684285A (zh) * | 2004-04-16 | 2005-10-19 | 中国科学院电子学研究所 | 微结构气敏传感器阵列芯片及其制备方法 |
| CN101559913A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种增加变形梁强度和使用寿命的结构及其应用 |
| JP2013190362A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Kazuo Muto | Ａｅセンサの製造方法およびこれによって製造されたａｅセンサ |
| CN105116023A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-12-02 | 江苏物联网研究发展中心 | Mos型气体传感器及制备方法 |
| CN106495086A (zh) * | 2015-09-03 | 2017-03-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN208313881U (zh) * | 2018-05-11 | 2019-01-01 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种单悬梁气体传感器及传感器阵列 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05312752A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-22 | Ricoh Co Ltd | ガス種決定方法 |
| JP3482028B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2003-12-22 | 株式会社リコー | マイクロセンサ |
| GR1004040B (el) * | 2001-07-31 | 2002-10-31 | Μεθοδος για την κατασκευη αιωρουμενων μεμβρανων πορωδους πυριτιου και εφαρμογης της σε αισθητηρες αεριων | |
| JP3897296B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2007-03-22 | リコーエレメックス株式会社 | マイクロセンサおよびその製造方法 |
| JP2004151019A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Ricoh Elemex Corp | 酸化亜鉛ガス検知膜の製造方法、その酸化亜鉛ガス検知膜を備えるガスセンサ、およびそのガスセンサを用いるガス漏れ警報器並びにガス漏れ警報システム |
| JP2007132762A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nippon Ceramic Co Ltd | ガスセンサの構造 |
| US7414351B2 (en) * | 2006-10-02 | 2008-08-19 | Robert Bosch Gmbh | Energy harvesting device manufactured by print forming processes |
| US8024958B2 (en) * | 2007-05-18 | 2011-09-27 | Life Safety Distribution Ag | Gas sensors with thermally insulating ceramic substrates |
| JP2009058389A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | New Cosmos Electric Corp | ガス検知素子 |
| CN101532975B (zh) * | 2008-03-12 | 2012-12-12 | 中国科学院电子学研究所 | 一种恒温测量式微型湿度传感器和制作方法 |
| US8828243B2 (en) * | 2010-09-02 | 2014-09-09 | Applied Nanostructures, Inc. | Scanning probe having integrated silicon tip with cantilever |
| US8580099B2 (en) * | 2010-09-20 | 2013-11-12 | University Of South Carolina | InN nanowire based multifunctional nanocantilever sensors |
| KR101906589B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2018-10-11 | 한국전자통신연구원 | 압전 에너지 하베스팅/저장 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2014153135A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Panasonic Corp | ガスセンサ及び匂い判別装置 |
| CN104181203B (zh) * | 2014-08-13 | 2017-12-22 | 苏州能斯达电子科技有限公司 | 一种mems气体传感器及其制作方法 |
| US10191004B2 (en) * | 2014-10-21 | 2019-01-29 | University Of South Carolina | Microcantilever based selective volatile organic compound (VOC) sensors and methods |
| JP6514875B2 (ja) * | 2014-10-27 | 2019-05-15 | 木村 光照 | 水素ガスセンサ装置の駆動方法およびこれを用いた水素ガスセンサ装置 |
| CN205449863U (zh) | 2015-09-28 | 2016-08-10 | 许磊 | 一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器 |
| CN205449859U (zh) | 2015-09-28 | 2016-08-10 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器 |
| US10580605B2 (en) * | 2015-11-23 | 2020-03-03 | University Of Utah Research Foundation | Very low power microelectromechanical devices for the internet of everything |
| CN106093138B (zh) | 2016-06-21 | 2018-09-11 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 通过金属氧化物检测气体的传感器的制造方法及传感器 |
| KR102204974B1 (ko) * | 2016-08-29 | 2021-01-19 | 한국전자기술연구원 | 마이크로 가스 센서 및 마이크로 가스 센서 모듈 |
| CN107089640B (zh) * | 2017-05-02 | 2023-11-10 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 一种mems芯片及制备方法 |
| CN108318548B (zh) | 2018-05-11 | 2024-03-15 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 |
-
2018
- 2018-05-11 CN CN201810447798.2A patent/CN108318548B/zh active Active
- 2018-12-12 US US16/482,275 patent/US10914700B2/en active Active
- 2018-12-12 EP EP18915794.4A patent/EP3608661A4/en not_active Withdrawn
- 2018-12-12 KR KR1020197024227A patent/KR102339612B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-12 JP JP2019537366A patent/JP6804173B2/ja active Active
- 2018-12-12 WO PCT/CN2018/120549 patent/WO2019214229A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2703328Y (zh) * | 2003-12-31 | 2005-06-01 | 中国科学技术大学 | 光－机械式微梁阵列热型红外图象传感器 |
| CN1684285A (zh) * | 2004-04-16 | 2005-10-19 | 中国科学院电子学研究所 | 微结构气敏传感器阵列芯片及其制备方法 |
| CN101559913A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种增加变形梁强度和使用寿命的结构及其应用 |
| JP2013190362A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Kazuo Muto | Ａｅセンサの製造方法およびこれによって製造されたａｅセンサ |
| CN105116023A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-12-02 | 江苏物联网研究发展中心 | Mos型气体传感器及制备方法 |
| CN106495086A (zh) * | 2015-09-03 | 2017-03-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN208313881U (zh) * | 2018-05-11 | 2019-01-01 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种单悬梁气体传感器及传感器阵列 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3608661A1 (en) | 2020-02-12 |
| JP2020522674A (ja) | 2020-07-30 |
| CN108318548A (zh) | 2018-07-24 |
| US10914700B2 (en) | 2021-02-09 |
| JP6804173B2 (ja) | 2020-12-23 |
| EP3608661A4 (en) | 2020-05-27 |
| KR20190129838A (ko) | 2019-11-20 |
| WO2019214229A1 (zh) | 2019-11-14 |
| KR102339612B1 (ko) | 2021-12-16 |
| US20200333277A1 (en) | 2020-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108318548B (zh) | 一种单悬梁气体传感器、传感器阵列及传感器的制备方法 | |
| KR101094870B1 (ko) | 습도 센서 및 이의 제조 방법 | |
| US7861575B2 (en) | Micro gas sensor and manufacturing method thereof | |
| KR100812996B1 (ko) | 마이크로 가스 센서 및 그 제조방법 | |
| JP2582229B2 (ja) | シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法 | |
| CN108519408B (zh) | 一种气体传感器、传感器的制备方法及传感器阵列 | |
| CN101795505B (zh) | 一种具有网孔结构加热膜的低功耗微型加热器及制作方法 | |
| CN107345826B (zh) | 一种热式气体流量传感器及其制备方法 | |
| CN101743637A (zh) | 利用晶片结合和电化学蚀刻停止的小型表压传感器 | |
| CN104142359B (zh) | 一种mems气体传感器及其加工方法 | |
| JP6730280B2 (ja) | 限界電流式ガスセンサ | |
| CN108519409B (zh) | 一种翘曲的单悬梁式气体传感器、制备方法及传感器阵列 | |
| CN108226236B (zh) | 一种集成化湿度传感器及其制作工艺 | |
| CN102256386A (zh) | 具有非均匀线间距加热电阻丝的矩形微型加热器及方法 | |
| CN112408311A (zh) | 一种陶瓷悬梁式mems微热板及其制造方法 | |
| CN108318547B (zh) | 一种具有卷曲结构的单悬梁式气体传感器及传感器阵列 | |
| CN203998937U (zh) | 一种mems硅基微热板 | |
| CN108178122B (zh) | 微热导检测器及其制备方法 | |
| CN214360245U (zh) | 一种陶瓷悬梁式mems微热板 | |
| CN204125161U (zh) | 一种具有绝热沟槽的mems硅基微热板 | |
| CN109752418B (zh) | 一种微型热导气体传感器 | |
| CN208313881U (zh) | 一种单悬梁气体传感器及传感器阵列 | |
| CN113562688B (zh) | 微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片 | |
| CN118125373B (zh) | 氢气传感器的制备方法及氢气传感器 | |
| CN108918743B (zh) | 微型热导检测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Country or region after: China Address after: 230088 building D6, phase I, Zhongan chuanggu Science Park, No. 900, Wangjiang West Road, high tech Zone, Hefei, Anhui Applicant after: Micro nano perception (Hefei) Technology Co.,Ltd. Address before: Room 1608-1610, 16 / F, F3 building, phase II, innovation industrial park, 2800 innovation Avenue, high tech Zone, Hefei City, Anhui Province, 230088 Applicant before: HEFEI MICRO NANO SENSING TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |