CN108288620A - 像素结构基板及其显示面板 - Google Patents
像素结构基板及其显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108288620A CN108288620A CN201810116262.2A CN201810116262A CN108288620A CN 108288620 A CN108288620 A CN 108288620A CN 201810116262 A CN201810116262 A CN 201810116262A CN 108288620 A CN108288620 A CN 108288620A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- illusory
- pixel
- color blocking
- sub
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 253
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 10
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- -1 PI) Polymers 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000010981 turquoise Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
一种像素结构基板,包括一第一基板、复数个第一、第二与第三色阻、至少二个虚设色阻、以及至少一转接电极。第一基板具有一显示区和一周边区,周边区具有复数个虚设像素,各个虚设像素包含至少三个虚设子像素,显示区具有复数个子像素单元。第一、第二与第三色阻分别设置在至少一部份的子像素单元上。至少二个虚设色阻设置于至少一个虚设像素包含的三个虚设子像素中的第一个与第二个,第三个不包含虚设色阻和第一、第二与第三色阻。至少一转接电极设置于至少一虚设像素所包含的三个虚设子像素中的第三个中。
Description
技术领域
本发明是有关于一种基板及其显示面板,特别是有关于一种像素结构基板及其显示面板。
背景技术
显示面板,为目前受大众的欢迎而有着各种广泛的应用于各种领域中,例如:手机、看板、或其它合适的领域。然而,如何达到较大的显示面板可视区乃是目前大家想要努力的其中一种方向。
发明内容
本发明之目的之一在于提供设置虚设色阻以及周边驱动电路的相对位置,进而达到窄边框。
根据一些实施例,本发明提供一种像素结构基板。此种像素结构基板包括一第一基板、复数个第一、第二与第三色阻、一周边驱动电路、至少二个虚设色阻、以及至少一转接电极。第一基板具有一显示区和一周边区。周边区位于显示区之至少一侧。周边区具有复数个虚设像素。各个虚设像素包含至少三个虚设子像素。显示区具有复数个子像素单元。各个子像素单元包含至少一有源元件与至少一像素电极,像素电极电性连接于有源元件,且有源元件电性连接于所对应之至少一信号线。第一、第二与第三色阻分别设置在至少一部份的子像素单元上。周边驱动电路设置在周边区至少一部份上。周边驱动电路包括至少一驱动元件。至少二个虚设色阻设置于虚设像素其中至少一个包含的至少三个虚设子像素中的第一个与第二个,虚设像素其中至少一个包含的至少三个虚设子像素中的第三个不包含虚设色阻和第一、第二与第三色阻,且至少二个虚设色阻系为不同颜色。至少一转接电极设置于虚设像素其中至少一者所包含的至少三个虚设子像素中的第三个中,且周边驱动电路之至少一驱动元件经由至少一转接电极电性连接于至少一信号线。
根据一些实施例,本发明提供一种显示面板。此种显示面板包含如前所述的像素结构基板、一第二基板、以及一显示介质。第二基板对应于第一基板设置。显示介质设置于第一基板与第二基板之间。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A示出根据一实施例之部分元件之像素结构基板示意图;
图1B示出根据一实施例之色阻及虚设色阻堆叠于图1A之配置示意图;
图1C示出沿着图1B中A-A’线的剖面示意图;
图2A示出根据比较例之部分元件之像素结构基板示意图;
图2B示出根据比较例之色阻及虚设色阻堆叠于图2A之配置示意图;
图2C示出沿着图2B中B-B’线的剖面示意图;
图3A示出使用对应的掩模配置图1B之色阻及虚设色阻部分配置的示意图;
图3B示出接续图3A之色阻及虚设色阻另一部分配置的示意图;
图3C示出使用对应的掩模配置图2B之色阻及虚设色阻部分配置的示意图;
图3D示出接续图3C之色阻及虚设色阻另一部分配置的示意图;
图4A示出另一实施例之色阻及虚设色阻部分配置的示意图;
图4B示出接续图4A之色阻及虚设色阻另一部分配置的示意图;
图5A示出又一实施例的掩模配置示意图;
图5B示出使用对应的掩模配置制造一对照于图5A实施例之色阻及虚设色阻配置;
图6示出根据实施例之一示例性显示面板。
其中,附图标记:
10:像素结构基板
102:第一基板
102A:显示区
102P:周边区
104:虚设像素
1041、1042、1043:虚设子像素
106:像素单元
1061、1062、1063:子像素单元
108:有源元件
110:像素电极
112:信号线(数据线)
114:信号线(扫描线)
116:信号线(参考电极线)
1221:第一色阻
1222:第二色阻
1223:第三色阻
1241:虚设色阻
1243:虚设色阻
126:参考电极总线
130:周边驱动电路
134:转接电极
138:介电层
140:介电层
144:导电层
G:栅极
D:漏极
S:源极
SE:半导体层
T::驱动元件
TH1、TH2:穿孔
202A:显示区
202P:周边区
204:虚设像素
2041、2042、2043:虚设子像素
206:像素单元
2061、2062、2063:子像素单元
2221:第一色阻
2222:第二色阻
2223:第三色阻
2241:虚设色阻
2242:虚设色阻
2243:虚设色阻
1521:第一掩模
1522:第二掩模
1523:第三掩模
2521:第一掩模
2522:第二掩模
2523:第三掩模
3041、3042、3043、3044:虚设子像素
3221:第一色阻
3222:第二色阻
3223:第三色阻
3224:第四色阻
3241:虚设色阻
3244:虚设色阻
3521:第一掩模
3522:第二掩模
3523:第三掩模
3524:第四掩模
5041、5042、5043、5044:虚设子像素
5221:第一色阻
5222:第二色阻
5223:第三色阻
5224:第四色阻
5241:虚设色阻
5242:虚设色阻
5243:虚设色阻
5244:虚设色阻
5521:第一掩模
5522:第二掩模
5523:第三掩模
5524:第四掩模
602A:显示区
602P:周边区
6221:第一色阻
6222:第二色阻
6223:第三色阻
6224:第四色阻
6241:虚设色阻
6242:虚设色阻
6243:虚设色阻
6244:虚设色阻
6521:第一掩模
6522:第二掩模
6523:第三掩模
6524:第四掩模
1:显示面板
100:像素结构基板
200:第二基板
300:显示介质
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
图式中的元件可能并未依照比例绘制。并且,图式中可能省略部分元件。一实施例中的元件和特征,能够与另一实施例的元件和特征组合,然而并未对此作进一步的列举。任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本揭示内容之实施例后,当可由本揭示内容所教示之技术,加以改变及修饰,其并不脱离本揭示内容之精神与范围。
关于本文中所使用之「第一」、「第二」、「第三」…等,在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的「第一元件」、「部件」、「区域」、「层」、或「部分」可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件」上」或」连接到」另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为」直接在另一元件上」或」直接连接到」另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,」连接」可以指物理及/或电性连接。所以,电性连接可为二元件间存在其它元件。
本文使用的」约」、」近似」或、」实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,」约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的「约」、」近似」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
关于本文中所使用之「包含」、「包括」、「具有」、「含有」等等,均为开放性的用语,即意指包含但不限于。关于本文中所使用之「及/或」,系包括所述事物的任一或全部组合。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非内容清楚地指示,否则单数形式「一」、「一个」和「该」旨在包括复数形式,包括「至少一个」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的,术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语「包括」及/或「包括」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外,诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此,示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件「下」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此,示例性术语「下」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
请参照图1A~1C,其示出根据实施例之一示例性像素结构基板10。图1A示出根据一实施例之部分元件之像素结构基板示意图。图1B示出根据一实施例之色阻及虚设色阻堆叠于图1A之配置示意图。图1C示出沿着图1B中A-A’线的剖面示意图。
如图1A~1C所示,像素结构基板10包括一第一基板102。第一基板102的材料例如但不限于是玻璃、石英、陶瓷、金属、合金或聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚酰胺(polyamide,PA)等有机材料、或其它合适的材料、或上述至少两种材料的结合。第一基板102具有一显示区102A和一周边区102P,其中显示区102A系用于显示画面,周边区102P是非显示区,用于设置周边驱动电路。周边区102P位于显示区102A之至少一侧。举例来说,周边区102P可位于显示区102A之其中一侧,或者位于显示区102A之相对二侧,又或者可环绕显示区102A,但不受限于此。周边区102P具有复数个虚设像素104,且复数个虚设像素104其中至少一个(较佳地,每个虚设像素104)包含至少三个虚设子像素1041、1042、1043。显示区102A具有复数子像素单元106,其中复数个子像素单元106其中至少一个举例而言包含至少三个子像素单元1061、1062、1063。于一实施例中,子像素单元1061、1062、1063用以发出不同色光。
如图1A所示,各个子像素单元1061、1062、1063包含至少一有源元件108与至少一像素电极110,像素电极110电性连接于有源元件108,且有源元件108电性连接于所对应之至少一信号线(例如:至少一数据线112、至少一扫描线114、或其它合适的线路,例如:至少一参考电极线116),图1A所示子像素单元106中有源元件108、像素电极110与信号线112、114、116…等相对位置设置仅为示例,其他子像素单元106的布置也应包含于本发明中。在一些实施例中,信号线包含数据线112、扫描线114或参考电极线116其中至少一者。图1A所示各子像素单元106,较佳地包括主像素(main pixel)与次像素(sub pixle)且具有三个有源元件108,但本发明并不以此为限。于其它实施例中,子像素单元106可尽具有一个有源元件108及/或各子像素单元106亦可只包含一个子像素。在一些实施例中,有源元件108例如是底栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT),例如:栅极位于半导体层下,但本发明不限于此。在其他实施例中,有源元件108也可以是顶栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT),例如:栅极位于半导体层上,或是其它合适类型的薄膜晶体管。
请再参照图1B及图1C,像素结构基板10可包括复数个第一色阻1221、第二色阻1222与第三色阻1223,分别设置在至少一部份的像素单元106上。举例而言,第一色阻1221、第二色阻1222与第三色阻1223,可分别设置在其中一些像素单元106上,例如图1B所示的分别设置在子像素单元1061、1062、1063上,其中子像素单元1061、1062、1063三者为相邻的关系。于其它实施例中,子像素单元1061、1062、1063的排列可依需求变更,例如:错位排列、三角形排列、或是其它合适的排列。于一实施例中,第一色阻1221、第二色阻1222与第三色阻1223,较佳为不同颜色,但并不以此为限。
虚设像素104包含第一个虚设子像素1041(即虚设子像素中的第一个)、第二个虚设子像素1042(即虚设子像素中的第二个)与第三个虚设子像素1043(即虚设子像素中的第三个),且虚设子像素1041、1042、1043三者相邻,于本实施例中第三个虚设子像素1043系位于第一个虚设子像素1041与第二个虚设子1042之间。像素结构基板10包括至少二个虚设色阻1241、1243,举例而言,虚设色阻1241、1243分别设置于第一个虚设子像素1041与第二个虚设子像素1042上。于本实施例中,第一个虚设子像素1041系与子像素单元1062相邻,例如:第一个虚设子像素1041与子像素单元1062间不具有其他虚设子像素或子像素单元。虚设像素104其中至少一个(较佳地,多个虚设像素)所包含的虚设子像素中的第三个虚设子像素1043不包含虚设色阻1241、1243和第一色阻1221、第二色阻1222与第三色阻1223。从另一方面来看,第三个虚设子像素1043上不具有色阻。虚设色阻1241、1243较佳系为不同颜色。举例来说,色阻1221、1222、1223及虚设色阻1241、1243的颜色配置可为红绿蓝(RGB)、红绿蓝白(RGBW)、红黄绿蓝(RYGB)等适合用于显示面板的颜色组合,但本发明并不受限于此。
如图1A~1C所示,像素结构基板10包括一周边驱动电路130,周边驱动电路130于基板102的周边区102P至少一部份上形成驱动电路可取代占去大面积的驱动芯片(driverIC),进而缩减显示面板的边框宽度,可视为周边驱动电路130占有周边区102P的至少一部份面积。本发明之实施例中,驱动电路以栅极驱动电路位于矩阵上(gate driver onarray,GOA)为范例,其可取代占去大面积的栅极驱动芯片(Gate driver IC),进而缩减显示面板的边框宽度,可视为周边驱动电路130占有周边区102P的至少一部份面积,但不限于此。周边驱动电路130包括至少一驱动元件T与周边线路(例如参考电极总线126或是传输其它信号之线路),用以驱动显示区102A的子像素单元1061、1062、1063,图1A与图1B简化周边驱动电路130仅以线段表示其位于基板102上的相对位置。
如图1B与1C所示,周边驱动电路130藉由驱动元件T驱动显示区102A的子像素单元1061、1062、1063。驱动元件T举例而言,包含栅极G、源极S、漏极D、半导体层SE,例如是底栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT),即栅极G位于半导体层SE下,但本发明不限于此。在其他实施例中,驱动元件T也可以是顶栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT),例如:栅极G位于半导体层SE上,或是其它合适类型的薄膜晶体管。其中,显示区120A的有源元件108与周边驱动电路130的驱动元件T之半导体层可为单层或多层,且其材料可包含非晶硅、纳米晶硅、微晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体材料、纳米碳管/杆、有机半导体材料、或是其它合适的半导体材料,显示区120A的有源元件108与周边驱动电路130的驱动元件T之结构可实质上相同或不同,且显示区120A的有源元件108与周边驱动电路130的驱动元件T之半导体层材料可实质上相同或不同。周边驱动电路130之至少一驱动元件T经由至少一转接电极134电性连接于至少一信号线(例如:数据线112、扫描线114其中至少一者)。驱动元件T的源极S/漏极D藉由转接电极134与至少一信号线(例如:扫描线114)电性连接,然此连接方式并非用以限制本发明。此外,图1C图的示例性配置所示,周边线路(例如:参考电极总线126)可位于周边驱动电路130与转接电极134之间。周边线路(例如:参考电极总线126)也可电性连接于像素单元106的至少一信号线(例如:参考电极线116),其中至少一信号线(例如:参考电极线116)具有一参考电位或浮置信号(floating)。
在一些实施例中,转接电极134也可称为桥接元件,其可包括通过一或多个绝缘层138、140所对应的穿孔TH1、TH2而连接不同导电层(例如是信号线112/114),其中信号线114、116可视为第一导电层,信号线112可视为第二导电层。于部份实施例中,像素电极110与转接电极134系为同层导电层(例如:第三导电层),但不限于此。于其它实施例中,像素电极PE与转接电极134系为不同层导电层,例如:像素电极110可由第三导电层所构成,而转接电极134由除了第三导电层之外所构成,例如:第一导电层、第二导电层、或其它额外的导电层。转接电极134可为单层或多层结构,且其材料包含反射材料(例如:钼、铜、铝、钛、金、银、合金、或其它合适的材料)、透明材料(例如:铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓氧化物、铟镓锌氧化物、氧化锌、纳米碳管、金属或合金厚度小于60埃、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。
于本实施例中,第一个虚设子像素1041可直接邻接显示区102A的第三色阻1223,可避免在色阻之后形成之元件(例如像素电极110)在显示区102A邻接周边区102P的边界(例如:可达到约3微米)落差太大,发生色阻之后形成之元件曝光异常或成膜后不均的情况。关于色阻及虚设色阻的配置,将在后续段落进一步的说明,图1B及1C中只是示例性的提供一种配置的一部份,本发明并不受限于此。
图2A~2C示出根据比较例之一像素结构基板20,其中图2A~2C分别对应图1A~1C,为了更清楚地分辨像素结构基板20与像素结构基板10的不同,在图2A~2C中有部分元件沿用与图1A~1C中元件相同的符号,其系实质上相同的元件并且在此省略相关叙述。像素结构基板20在显示区202A具有复数个像素单元206,像素单元206包含至少三个子像素单元2061、2062、2063,其分别设置有第一色阻2221、第二色阻2222、第三色阻2223。第一色阻2221、第二色阻2222与第三色阻2223,系实质上相同于前述的第一色阻1221、第二色阻1222与第三色阻1223。
像素结构基板20在周边区202P具有复数个虚设像素204,且虚设像素204其中至少一个(较佳地,每个虚设像素)亦可包含至少三个虚设子像素(2041、2042、2043)。虚设子像素中的第一个2041(即第一个虚设子像素2041)包含虚设色阻2241,虚设色阻2241下具有类似于像素结构基板10的虚设子像素中的第一个1041在虚设色阻1241下的结构配置。虚设子像素中的第二个2042(即第二个虚设子像素2042)包含虚设色阻2243。
如图2A~2C所示,为了显示区202A中的元件在制作上的一致性,在周边区202P邻接显示区202A处会配置虚设元件,例如虚设像素204。虚设元件(例如虚设像素)与显示区中的对应元件(例如像素)可以设计成实质上相同,然本发明并不以此为限。如此一来,可对虚设元件(例如虚设像素)进行光学、电性检测或其他设计需求。然而,设置虚设元件(例如虚设像素)易造成显示器边框较宽。
因此如图2A~2C所示,像素结构基板20与像素结构基板10不同之处在于,像素结构基板20的虚设子像素中的第三个2043具有虚设色阻2242。由于虚设色阻2242的设置,在虚设子像素中的第三个2043(即第三个虚设子像素2043)无法配置转接电极134等元件,该些元件仍必须设置在虚设像素204外,因此周边区202P必须占据较周边区102P更大的面积,进而使得像素结构基板20及使用其的装置须具有较大的空间。相较于此种配置的像素结构基板20及使用其的装置之尺寸及/或周边区,根据图1A~1C实施例的像素结构基板10及使用其的装置之尺寸及/或周边区可进一步地缩小。
请参照图3A~3D,图3A示出使用对应的掩模配置图1B之色阻及虚设色阻部分配置的示意图,图3B示出接续图3A之色阻及虚设色阻另一部分配置的示意图,图3C示出使用对应的掩模配置图2B之色阻及虚设色阻部分配置的示意图,图3D示出接续图3C之色阻及虚设色阻另一部分配置的示意图。
请参照图3A~3B,第一、第二与第三色阻1221~1223设置在显示区102A中的子像素单元1061、1062、1063(标示于图1A~1B)上,虚设色阻1241、1243设置于周边区102P中的虚设像素104所包含的虚设子像素中的第一个1041与第二个1042。在此一配置中,各个虚设像素104所包含的三个虚设子像素中的第三个1043,举例而言,不包含虚设色阻1241、1243和第一、第二与第三色阻1221~1223者,系可位于虚设像素104所包含的三个虚设子像素中的第一个1041与第二个1042之间。因此,可从图3A~3B中看到,在虚设像素104的中间一行的位置系留空,并未设置对应第二色阻1222的虚设色阻。根据一些实施例,第一色阻1221与虚设色阻1241可为红色色阻,第二色阻1222可为绿色色阻,第三色阻1223与虚设色阻1243可为蓝色色阻,但不限于此。
如图3A~3B所示,第一、第二与第三色阻1221~1223和虚设色阻1241、1243,可藉由一种显示面板之彩色滤光层的接曝方法形成。所谓接曝方法,系使用同一张掩模进行两次以上的曝光显影,达到不同尺寸的图案化步骤。如图3A所示,以彩色滤光层之图案化的掩模(1521、1522、1523)曝光基板102的一部份之后,再如图3B所示曝光同一基板102的另一部分,藉此完成整个像素结构基板10所需要之曝光的方法。举例来说,接曝方法可应用在41时或更大的基板、62时或更大的基板之制程应用上,可节省制程成本,但本发明不受限于此。在此所述的接曝方法,具体来说包括提供已形成像素单元106等元件层(例如:包含至少一信号线、有源元件、驱动元件、周边驱动电路等等)、以及提供一组用于彩色滤光层之图案化掩模(1521、1522、1523),彩色滤光层之图案化掩模(1521、1522、1523)用以形成图1A之像素结构基板10上的第一、第二与第三色阻1221~1223和虚设色阻1241、1243。彩色滤光层之图案化掩模包括一第一掩模1521、一第二掩模1522、以及一第三掩模1523。第一掩模1521具有复数个第一条状掩模S1,用以图案化出第一色阻1221与虚设色阻1241。第二掩模1522具有复数个第二条状掩模S2,用以图案化出第二色阻1222。其中,在第二掩模1522的一侧未配置第二条状掩模S2。第三掩模1523具有复数个第三条状掩模S3,用以图案化出第三色色阻1223与虚设色阻1243。图案化的具体方式可使用但不限于已知之色阻图案化方式。由于并未设置对应第二色阻1222的虚设色阻,因此第二掩模1522之第二条状掩模S2的数目,少于第一掩模1521之第一条状掩模S1的数目和第三掩模1523之第三条状掩模S3的数目。以图3A~3B所示的曝光二次的接曝方法为例,第二掩模1522之第二条状掩模S2的数目,可比第一掩模1521之第一条状掩模S1的数目和第三掩模1523之第三条状掩模S3的数目少一条。
于本实施例中,使用于第一、第二与第三色阻1221~1223和虚设色阻1241、1243是以正型光阻剂为例,因此被光线照射到的部分会产生裂解反应,变成交联度较低的光阻。在进行显影制程以后,未被照光的光阻(例如:交联度较高的光阻)会留下来,而被照光的光阻部份(例如:光阻交联度较低的部分)则会被洗去。于其它实施例中,第一、第二与第三色阻1221~1223和虚设色阻1241、1243以负型光阻剂为范例,因此,光阻被光线照射到的部分会产生交联反应,形成交联度较高的光阻。在进行显影制程以后,交联度较高的光阻会留下来,交联度较低的光阻则会被洗去。因此,经由图3A~3B所示的接曝步骤后,位于,周边区102P的虚设像素104的虚设色阻1241、1243间不具有色阻(即第三个虚设子像素1043上不具有色阻)。于较佳实施例中,虚设像素104是位于显示区102A之相对两侧。
根据一些实施例,第一、第二与第三色阻1221~与1223和虚设色阻1241、1243,每一者的尺寸可实质上相等于对应的子像素单元1061、1062、1063或虚设子像素1041、1042、1043的尺寸。举例来说,如图3A~3B所示,第一、第二与第三色阻1221~1223和虚设色阻1241、1243,每一者的宽度可实质上相等于对应的子像素单元1061、1062、1063或虚设子像素的宽度,但长度为数个子像素单元1061、1062、1063或虚设子像素1041、1042、1043的长度。
请参照图3C~3D,为一对照实施例的配置。此一对照实施例的配置与前述根据实施例之例示性配置的差异在于,在各个虚设像素104所包含的三个虚设子像素中的第三个2043,设置对应第二色阻2222的虚设色阻2242。因此,对应的第二掩模2522之第二条状掩模S2’的数目,相等于第一掩模2521之第一条状掩模S1’的数目和第三掩模2523之第三条状掩模S3’的数目。换言之,用来形成根据实施例之例示性配置的第二掩模1522之第二条状掩模S2的数目,少于用来形成对照的配置的第二掩模2522之第二条状掩模S2’的数目。
与对照实施例的配置相比,实施例之例示性配置中,由于不设置对应第二色阻1222的虚设色阻于虚设像素104中,因此可在虚设子像素中的第三个1043处,设置周边区102P的元件,例如转接电极134。藉此,可进一步地缩小周边区102P的面积,进而缩小整个像素结构基板及使用其之装置的尺寸,或留下更多空间设计其他元件,增加设计空间上的弹性。同时,直接邻接显示区102A的虚设色阻1243仍被保留,因此不会影响显示区202A之彩色滤光图案(第一、第二与第三色阻)形成之后元件(例如:像素电极)制造的一致性。
请参照图4A与图4B,图4A示出另一实施例之色阻及虚设色阻部分配置的示意图,图4B示出接续图4A之色阻及虚设色阻另一部分配置的示意图。
在此一配置中,像素结构基板除了第一色阻3221、第二色阻3222和第三色阻3223之外,更包含复数个第四色阻3224。第四色阻3224设置于一部份的像素单元106上。与此对应,虚设像素104其中至少一个(较佳地,每个虚设像素)包含至少四个虚设子像素,且至少二个虚设色阻3241、3244设置于虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第一个虚设子像素3041与第二个虚设子像素3042,虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第三个3043(即第三虚设子像素3043)与第四个3044(即第四虚设子像素3044)不包含虚设色阻3241、3244和第一、第二、第三与第四色阻3221~3224。转接电极134设置于各个虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第三个3043与第四个3044其中至少一个中。周边驱动电路130之至少一驱动元件T经由转接电极134电性连接于至少一信号线(112、114或116)。在此一配置中,各个虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第三个3403与第四个3044皆位于各个虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第一个3041与第二个3042之间。因此,可从图4A~4B中看到,在虚设像素104的中间二行(即第三虚设子像素3403与第四虚设子像素3044)的位置系留空,并未设置对应第二色阻3222与第三色阻3223的虚设色阻。该至少二个虚设色阻3241、3244系为不同颜色。根据一些实施例,第一色阻3221与虚设色阻3241可为红色色阻,第二色阻3222可为黄色色阻或透明色阻(或称为白色色阻),第三色阻3223可为蓝色色阻,第四色阻3224与虚设色阻3244可为绿色色阻,但不限于此色阻颜色对应关系。
如图4A~4B所示,第一、第二、第三与第四色阻3221~3224和虚设色阻3241、3244,可藉由类似于前述的显示面板之彩色滤光层的接曝方法形成。用于此一例示性配置的彩色滤光层之图案化的一组掩模,包括一第一掩模3521、一第二掩模3522、一第三掩模3523、以及一第四掩模3524。第一掩模3521具有复数个第一条状掩模S1,用以图案化出第一色阻3221与虚设色阻3241。第二掩模3522具有复数个第二条状掩模S2,用以图案化出第二色阻3222。其中,在第二掩模3522的二相对侧边未配置第二条状掩模S2。第三掩模3523具有复数个第三条状掩模S3,用以图案化出第三色色阻3223。其中,在第三掩模3523的二相对侧边未配置第三条状掩模S3。第四掩模3524具有复数个第四条状掩模S4,用以图案化出第四色阻3224与虚设色阻3244。图案化的具体方式可使用但不限于已知之色阻(或光阻)图案化方式。由于第二掩模3522之第二条状掩模S2的数目和第三掩模3523之第三条状掩模S3的数目,少于第一掩模3521之第一条状掩模S1的数目和第四掩模3524之第四条状掩模S4的数目。以图4A~4B所示的曝光二次的接曝方法为例,第二掩模3522之第二条状掩模S2的数目和第三掩模3523之第三条状掩模S3的数目,可比第一掩模3521之第一条状掩模S1的数目和第四掩模3524之第四条状掩模S4的数目少一条。因而可以形成第三虚设子像素3403与第四虚设子像素3044。
请参照图5A,其绘示又一实施例的掩模配置示意图。在图5A实施例中,第一基板102除了第一色阻5221、第二色阻5222和第三色阻5223之外,更包含复数个第四色阻5224。与图4A与图4B的差异在于,图5A的第一色阻5221、第二色阻5222和第三色阻5223与第四色阻5224于第一方向D1与第二方向D2上交错排列,类似于马赛克的分布方式。虚设像素104包含至少四个虚设子像素,且虚设色阻5241~5244中的至少二个设置于虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第一个虚设子像素5041与第二个虚设子像素5042,虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第三个虚设子像素5043与第四个虚设子像素5044不包含虚设色阻5241~5244和第一、第二、第三与第四色阻5221~5224。在此一配置中,虚设子像素可排列成至少四行或列,但不限于此。每行或列中虚设子像素所对应的至少二个虚设色阻系为不同颜色。可从图5A中看到,在虚设像素104的外侧二行的位置系留空,并未设置虚设色阻。举例来说,在图5A中标示出的虚设像素104中,四个虚设子像素中的第一个5041与第二个5042分别包含虚设色阻5241、5242,虚设子像素中的第三个5043与第四个5044则不包含虚设色阻5241~5244和第一、第二、第三与第四色阻5221~5224。此外,以在右边的周边区102P中最接近显示区102A的该行虚设子像素为例,其包括交错配置的虚设色阻5241、5243。转接电极134设置于虚设像素104所包含的至少四个虚设子像素中的第三个5043与第四个5044其中至少一个中。周边驱动电路130之至少一驱动元件T经由转接电极134电性连接于至少一信号线(112、114或116)。虚设色阻5241~5244系为不同颜色。根据一些实施例,第一色阻5221与虚设色阻5241可为红色色阻,第二色阻5222与虚设色阻5242可为绿色色阻,第三色阻5223与虚设色阻5243可为蓝色色阻,第四色阻5224与虚设色阻5244可为透明色阻(或称为白色色阻),或者是,第一色阻5221与虚设色阻5241可为红色色阻,第二色阻5222与虚设色阻5242可为绿色色阻,第三色阻5223与虚设色阻5243可为蓝色色阻,第四色阻5224与虚设色阻5244可为黄色色阻,然本发明并不以此为限于色阻颜色对应关系。
第一、第二、第三与第四色阻5221~5224和虚设色阻5241~5244,可藉由类似于前述的显示面板之彩色滤光层的接曝方法形成。用于此一例示性配置的彩色滤光层之图案化的一组掩模,包括一第一掩模5521、一第二掩模5522、一第三掩模5523、以及一第四掩模5524。第一掩模5521具有复数个第一条状掩模S1,用以图案化出第一色阻5221与虚设色阻5241。第二掩模5522具有复数个第二条状掩模S2,用以图案化出第二色阻5222与虚设色阻5242。第三掩模5523具有复数个第三条状掩模S3,用以图案化出第三色色阻5223与虚设色阻5243。第四掩模5524具有复数个第四条状掩模S4,用以图案化出第四色阻5224与虚设色阻5244。图案化的具体方式可使用但不限于已知之色阻图案化方式。第一、第二、第三与第四条状掩模S4分别独立地呈交错排列,且第一、第二、第三与第四掩模5521~5524系对应虚设像素104中留空(未配置色阻和虚设色阻)的该些虚设子像素,可分别独立地在二相对侧边未配置条状掩模。
请参照图5B,在此一对照的配置中,显示区602A、周边区602P、第一、第二、第三与第四色阻6221、6222、6223与6224、虚设色阻6241、6242、6243与6244,系实质上相同于图4A中以类似元件符号指示的对应元件。此一对照的配置与前述根据实施例之例示性配置的差异在于,在虚设像素104所包含的四个虚设子像素中的第三个和第四个也设置虚设色阻(6241~6244)。因此,对应的第一、第二、第三与第四掩模6521~6524之第一、第二、第三与第四条状掩模S4的数目,多于用来形成根据实施例之例示性配置的第一、第二、第三与第四掩模5521~5524之第一、第二、第三与第四条状掩模S4的数目,例如分别多出二行。
与对照的配置相比,在根据实施例之例示性配置中,由于在部分的虚设子像素中不设置虚设色阻,因此可在该处设置其他元件。藉此,可进一步地缩小周边区102P的面积,进而缩小整个像素结构基板及使用其之装置的尺寸,或留下更多设计空间给其他元件。
现在对于根据实施例之显示面板进行说明。请参照图6,其绘示根据实施例之一例示性显示面板1。该显示面板1包含一像素结构基板100、一第二基板200、以及一显示介质300。在此,像素结构基板100(包含前述之第一基板102),第二基板200与第一基板102相对设置。显示介质300设置于第一基板102与第二基板200之间。显示面板例如是前述颜色色阻层(或称为彩色滤光层、或称为色彩转换层)配置于像素结构基板100之内表面上的显示面板,显示介质300例如是液晶或其它合适的非自发光材料,但不受限于此。于其它实施例中,显示介质300也可是自发光材料,例如:有机材料、无机材料、或其合适的材料、或前述材料之组合,且色彩转换层(例如:前述颜色色阻层或其它合适的色彩转换层)配置于像素结构基板100之内表面上。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种像素结构基板,其特征在于,包括:
一第一基板,具有一显示区和一周边区,其中,该周边区位于该显示区之至少一侧,该周边区具有复数个虚设像素,且各该虚设像素包含至少三个虚设子像素,该显示区具有复数个子像素单元,各该子像素单元包含至少一有源元件与至少一像素电极,该像素电极电性连接于该有源元件,且该有源元件电性连接于所对应之至少一信号线;
复数个第一、第二与第三色阻,分别设置在至少一部份的该些子像素单元上;
一周边驱动电路,设置在该周边区至少一部份上,该周边驱动电路包括至少一驱动元件;
至少二个虚设色阻,设置于各该虚设像素所包含的该至少三个虚设子像素中的第一个与第二个,各该虚设像素所包含的该至少三个虚设子像素中的第三个不包含该些虚设色阻和该些第一、第二与第三色阻,且该至少二个虚设色阻系为不同颜色;以及
至少一转接电极,设置于该些虚设像素其中至少一者所包含的该至少三个虚设子像素中的该第三个中,且该周边驱动电路之该至少一驱动元件经由该至少一转接电极电性连接于该至少一信号线。
2.如权利要求1所述的像素结构基板,其特征在于,其中,各该虚设像素所包含的该至少三个虚设子像素中的该第三个系位于各该虚设像素所包含的该至少三个虚设子像素中的该第一个与该第二个之间。
3.如权利要求1所述的像素结构基板,其特征在于,更包含:复数个第四色阻,设置于一部份的该些子像素单元上,
其中,各该虚设像素所包含的该至少三个虚设子像素系至少四个虚设子像素,且该至少二个虚设色阻设置于各该虚设像素所包含的该至少四个虚设子像素中的第一个与第二个,各该虚设像素所包含的该至少四个虚设子像素中的第三个与第四个不包含该些虚设色阻和该些第一、第二、第三与第四色阻,且该至少二个虚设色阻系为不同颜色。
4.如权利要求3所述的像素结构基板,其特征在于,其中,该转接电极设置于各该虚设像素所包含的该至少四个虚设子像素中的该第三个与该第四个其中至少一个中,且该周边驱动电路之该至少一驱动元件经由该转接电极电性连接于该至少一信号线。
5.如权利要求4所述的像素结构基板,其特征在于,其中,各该虚设像素所包含的该至少四个虚设子像素中的该第三个与该第四个皆位于各该虚设像素所包含的该至少四个虚设子像素中的该第一个与该第二个之间。
6.如权利要求3所述的像素结构基板,其特征在于,其中,该些虚设子像素排列成至少四行,且每行中该些虚设子像素所对应的该至少二个虚设色阻系为不同颜色。
7.如权利要求6所述的像素结构基板,其特征在于,其中,该至少四行的其中二行位于该显示区与该至少四行的其中另二行之间,且该至少四行中该另二行的该些虚设子像素系为各该虚设像素所包含的该至少四个虚设子像素中的该第三个与该第四个。
8.如权利要求1所述的像素结构基板,其特征在于,其中,该至少一信号线包含至少一数据线或至少一扫描线中的至少一者。
9.如权利要求1所述的像素结构基板,其特征在于,更包括一参考电极总线,设置于该第一基板上,其中,该参考电极总线位于该周边驱动电路与该转接电极之间,且该参考电极总线电性连接于复数个参考电极线,该参考电极总线与该至少二个虚设色阻其中一个重叠。
10.一种显示面板,其特征在于,包含:
如权利要求1所述的像素结构基板;
一第二基板,对应于该第一基板设置;以及
一显示介质,设置于该第一基板与该第二基板之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106141501 | 2017-11-29 | ||
TW106141501A TWI644298B (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 畫素結構基板及其顯示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108288620A true CN108288620A (zh) | 2018-07-17 |
CN108288620B CN108288620B (zh) | 2020-06-23 |
Family
ID=62836497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810116262.2A Active CN108288620B (zh) | 2017-11-29 | 2018-02-05 | 像素结构基板及其显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10890814B2 (zh) |
CN (1) | CN108288620B (zh) |
TW (1) | TWI644298B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110716359A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法 |
CN110888278A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111091773A (zh) * | 2020-01-10 | 2020-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113393762A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 元太科技工业股份有限公司 | 显示装置 |
WO2021217413A1 (zh) * | 2020-04-28 | 2021-11-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
WO2021227025A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI730662B (zh) * | 2020-03-11 | 2021-06-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101526710A (zh) * | 2009-04-21 | 2009-09-09 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列及显示面板 |
CN102621753A (zh) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 联胜(中国)科技有限公司 | 像素结构以及显示面板 |
TW201541633A (zh) * | 2014-04-23 | 2015-11-01 | Innolux Corp | 顯示基板及應用其之顯示裝置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100553247B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-02-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101413577B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
US8077275B2 (en) * | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate and a method of manufacturing the same |
CN203930275U (zh) * | 2014-03-07 | 2014-11-05 | 敦泰科技有限公司 | 显示装置及其驱动电路、电子设备 |
TWM484775U (zh) * | 2014-03-21 | 2014-08-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 顯示面板 |
TWI515488B (zh) * | 2014-08-01 | 2016-01-01 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 顯示裝置及其子畫素陣列 |
CN104536229B (zh) | 2015-01-12 | 2017-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
KR20180014363A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN106707392B (zh) | 2016-12-07 | 2019-02-01 | 友达光电(昆山)有限公司 | 彩色滤光片及其膜层厚度测量方法 |
-
2017
- 2017-11-29 TW TW106141501A patent/TWI644298B/zh active
-
2018
- 2018-02-05 CN CN201810116262.2A patent/CN108288620B/zh active Active
- 2018-11-13 US US16/188,623 patent/US10890814B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101526710A (zh) * | 2009-04-21 | 2009-09-09 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列及显示面板 |
CN102621753A (zh) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 联胜(中国)科技有限公司 | 像素结构以及显示面板 |
TW201541633A (zh) * | 2014-04-23 | 2015-11-01 | Innolux Corp | 顯示基板及應用其之顯示裝置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110716359A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法 |
CN110888278A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN110888278B (zh) * | 2019-11-19 | 2023-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111091773A (zh) * | 2020-01-10 | 2020-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113393762A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 元太科技工业股份有限公司 | 显示装置 |
CN113393762B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-03-14 | 元太科技工业股份有限公司 | 显示装置 |
WO2021217413A1 (zh) * | 2020-04-28 | 2021-11-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
WO2021227025A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
US11963397B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-04-16 | Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. | Display panel, method for manufacturing the same and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201926290A (zh) | 2019-07-01 |
CN108288620B (zh) | 2020-06-23 |
US20190163005A1 (en) | 2019-05-30 |
US10890814B2 (en) | 2021-01-12 |
TWI644298B (zh) | 2018-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108288620A (zh) | 像素结构基板及其显示面板 | |
WO2022057491A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP5710801B2 (ja) | 4色駆動液晶表示装置及びこれに使用する表示板 | |
TWI478126B (zh) | Surface light display device | |
WO2019095764A1 (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN107452773A (zh) | 有机发光显示装置 | |
US20120147314A1 (en) | Display device and color filter substrate | |
WO2022042046A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
US20230371324A1 (en) | Display panel and display device | |
CN106371254A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
KR20130122883A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
CN112635520A (zh) | 显示装置 | |
WO2020206901A1 (en) | Transparent display substrate, transparent display apparatus and method of fabricating transparent display substrate | |
CN109257943A (zh) | 有机发光二极管显示面板和设备以及有机发光二极管显示面板的驱动方法和制造方法 | |
WO2023280012A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR102297897B1 (ko) | 다중층의 패드부를 포함하는 기판, 기판을 포함하는 표시패널 및 이를 제조하는 방법 | |
EP4123715A1 (en) | Display substrate, preparation method therefor, and display apparatus | |
KR101483024B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2007164100A (ja) | 表示装置 | |
KR20170002719A (ko) | 투명표시장치 및 이를 제조하는 방법 | |
WO2023004763A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
US11215866B2 (en) | Display device, photomask for color filter, and manufacturing method of display device | |
WO2023283996A1 (zh) | 双面显示面板及显示装置 | |
JP2007240806A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2023159511A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |