CN108281510B - 硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法属于太阳能电池保护涂层的制造技术领域，尤其涉及一种硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法。本发明提供一种硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基太阳能电池基片用离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiAlN薄膜作为抗腐蚀保护涂层。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池保护涂层的制造技术领域，尤其涉及一种硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法。
背景技术
目前已经商业化应用于大规模光伏电站的太阳能板以基于玻璃为衬底的非晶硅或者多晶硅材料为主，不论是多晶硅还是单晶硅，其制备太阳能电池板的技术都是采用太阳能电池材料硅基材料，通过掺杂形成P型或者N型，然后镀上其各种材料，形成太阳能基片，而后挤压组装成太阳能电池板。然而，其转化效率的提升一直是研究的重中之重，普通Si材料的太阳能最高转化效率在22%，而且还是处于实验室阶段；其次，太阳能电池材料很容易产生隐裂，影响其发电效率。
发明内容
本发明就是针对上述问题，提供一种硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案，本发明包括以下步骤：
1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；
2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiAlN薄膜作为抗腐蚀保护涂层；
3）将磁控溅射反应室抽真空，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气作为反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料；
4）将磁控溅射反应室抽真空，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料之后继续沉积制备AZO透明导电电极；
5）向磁控溅射反应室中通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。
作为一种优选方案，本发明所述步骤1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，用氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤3）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3Pa真空条件，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气反应源，氩气流量为50sccm～80sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟至180分钟。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤4）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3 Pa真空条件，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤5）向反应室中通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤1）加热温度为100℃；
步骤2）氮气流量为30sccm，加热温度为100℃；
所述步骤3）氩气流量为50sccm，加热温度为100℃，反应时间为30分钟；
所述步骤4）加热温度为100℃；
所述步骤5）氮气流量为30sccm，加热温度为100℃。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤1）加热温度为150℃；
步骤2）氮气流量为50sccm，加热温度为200℃；
所述步骤3）氩气流量为60sccm，加热温度为200℃，反应时间为60分钟；
所述步骤4）加热温度为200℃；
所述步骤5）氮气流量为60sccm，加热温度为200℃。
作为另一种优选方案，本发明所述步骤1）加热温度为200℃；
步骤2）氮气流量为70sccm，加热温度为350℃；
所述步骤3）氩气流量为65sccm，加热温度为250℃，反应时间为120分钟；
所述步骤4）加热温度为250℃；
所述步骤5）氮气流量为70sccm，加热温度为300℃。
其次，本发明所述步骤1）加热温度为200℃；
步骤2）氮气流量为70sccm，加热温度为300℃；
所述步骤3）氩气流量为55sccm，加热温度为300℃，反应时间为120分钟；
所述步骤4）加热温度为300℃；
所述步骤5）氮气流量为40sccm，加热温度为400℃。
另外，本发明所述步骤1）加热温度为300℃；
步骤2）氮气流量为80sccm，加热温度为400℃；
所述步骤3）氩气流量为80sccm，加热温度为300℃，反应时间为180分钟；
所述步骤4）加热温度为300℃；
所述步骤5）氮气流量为80sccm，加热温度为400℃。
本发明有益效果。
本发明将CdTe基薄膜材料制备在硅基太阳能材料上，形成叠层太阳能材料，增强了太阳能光的吸收性，提高了光伏转化效率。然后再蒸镀TiAlN材料；TiAlN材料硬度大、耐腐蚀，有效解决了太阳能电池材料的隐裂问题以及腐蚀问题，进一步提高了太阳能电池板的使用寿命。而后采用AZO作为太阳能电池的导电电极；一方面可以作为减缓层，减小电池板与涂层之间的晶格失配；另一方面可以作为透明导电电极，提高太阳能光的透射率，使太阳能电池的光电转换效率得到了很大的提高。本发明工艺简单，可实现规模生产。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。本发明保护范围不仅局限于以下内容的表述。
图1为本发明硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备结构图。
图2为本发明器件薄膜XRD全谱图。
图3为本发明TiAlN薄膜纳米压痕过程的载荷-压深谱线图。
图4 为本发明CdTe薄膜的原子力显微镜图。
具体实施方式
本发明包括以下步骤：
1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；
2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiAlN薄膜作为抗腐蚀保护涂层；
3）将磁控溅射反应室抽真空，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气作为反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料；
4）将磁控溅射反应室抽真空，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料之后继续沉积制备AZO透明导电电极；
5）向磁控溅射反应室中通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。
所述步骤1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，用氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。
所述步骤2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。
所述步骤3）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3Pa真空条件，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气反应源，氩气流量为50sccm～80sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟至180分钟。
所述步骤4）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3 Pa真空条件，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。
所述步骤5）向反应室中通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。
最终制备成一种TiAlN/AZO/CdTe/Si:PIN太阳能电池材料/AZO/TiAlN结构涂层的太阳能电池材料。该太阳能电池材料从上到下依次为金属TiAlN高硬度抗腐蚀材料、AZO材料、CdTe薄膜、普通Si:PIN太阳能电池材料、AZO材料、TiAlN高硬度抗腐蚀材料。
实施例1
（1）将普通Si基太阳能电池基片先用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3 Pa真空的条件下，在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为100℃，制备时间为30分钟。
（2）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为100℃，制备时间为20分钟。
（3）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，将电池板翻过来，在电池基片正面沉积制备CdTe材料。工艺参数条件是：氩气作为反应源，氩气流量为50sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，制备温度为100℃，制备时间为30分钟。
（4）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，继续沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为100℃，制备时间为30分钟。
（5）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为100℃，制备时间为20分钟。
实施例2
（1）将普通Si基太阳能电池基片先用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3 Pa真空的条件下，在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为150℃，制备时间为30分钟。
（2）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为50sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为200℃，制备时间为20分钟。
（3）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，将电池板翻过来，在电池基片正面沉积制备CdTe材料。工艺参数条件是：氩气作为反应源，氩气流量为60sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，制备温度为200℃，制备时间为60分钟。
（4）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，继续沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为200℃，制备时间为30分钟。
（5）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为60sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为200℃，制备时间为20分钟。
实施例3
（1）将普通Si基太阳能电池基片先用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3 Pa真空的条件下，在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为200℃，制备时间为30分钟。
（2）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为70sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为350℃，制备时间为20分钟。
（3）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，将电池板翻过来，在电池基片正面沉积制备CdTe材料。工艺参数条件是：氩气作为反应源，氩气流量为65sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，制备温度为250℃，制备时间为120分钟。
（4）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，继续沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为250℃，制备时间为30分钟。
（5）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为70sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为300℃，制备时间为20分钟。
本发明对实施例3制备的产品进行实验测试分析，采用的测试分析仪器包括：
原位纳米力学测试系统Triboindenter TI–950，附有金刚石压痕计并利用MTS XP系统来测量，对薄膜的纳米压痕硬度，弹性模量等微观力学性能进行测量与分析。
D/Max–Ultima+型X射线衍射仪型号，仪器采用Cu靶，其中Cu-kα波长0.15418 nm。
原子力显微镜（AFM），型号是Picoscan 2500，Agilent公司生产。在正常室温的测试条件下对薄膜样品的形貌进行测试与分析。样品的测试分析区域是。
采用XRD分析设备对Si基衬底的薄膜材料的性能进行测试分析，其结果如图2所示。由图2可以看出比较高的衍射峰是基片Si基衬底的衍射峰，而后为TiAlN抗腐蚀性薄膜的衍射峰。实验结果可以分析出TiAlN结晶性能很好，具备抗腐蚀好、硬度高的特性。
继续采用原位纳米力学测试系统仪对TiAlN薄膜的硬度进行测试分析，其结果如图3所示。由图3可以看出TiAlN薄膜的硬度良好，满足器件对硬度的要求。
继续采用原子力显微镜（AFM）对CdTe薄膜的形貌进行测试分析，其结果如图4所示。由图4可以看出薄膜形貌很平整，晶粒分布很均匀。
实施例4
（1）将普通Si基太阳能电池基片先用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3 Pa真空的条件下，在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为200℃，制备时间为30分钟。
（2）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为70sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为300℃，制备时间为20分钟。
（3）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，将电池板翻过来，在电池基片正面沉积制备CdTe材料。工艺参数条件是：氩气作为反应源，氩气流量为55sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，制备温度为300℃，制备时间为120分钟。
（4）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，继续沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为300℃，制备时间为30分钟。
（5）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为40sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为400℃，制备时间为20分钟。
实施例5
（1）将普通Si基太阳能电池基片先用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3 Pa真空的条件下，在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为300℃，制备时间为30分钟。
（2）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为400℃，制备时间为20分钟。
（3）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，将电池板翻过来，在电池基片正面沉积制备CdTe材料。工艺参数条件是：氩气作为反应源，氩气流量为80sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，制备温度为300℃，制备时间为180分钟。
（4）然后在磁控溅射制备中，将真空抽到1.0×10-3 Pa真空的条件下，继续沉积制备AZO透明导电电极。工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，制备温度为300℃，制备时间为30分钟。
（5）在磁控溅射制备中继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，氮气流量为80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，制备温度为400℃，制备时间为20分钟。
可以理解的是，以上关于本发明的具体描述，仅用于说明本发明而并非受限于本发明实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；
2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiAlN薄膜作为抗腐蚀保护涂层；
3）将磁控溅射反应室抽真空，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气作为反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料；
4）将磁控溅射反应室抽真空，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料之后继续沉积制备AZO透明导电电极；
5）向磁控溅射反应室中通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。
2.根据权利要求1所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。
3.根据权利要求2所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。
4.根据权利要求3所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤3）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3Pa真空条件，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气反应源，氩气流量为50sccm～80sccm，反应溅射碲化镉靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟至180分钟。
5. 根据权利要求4所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤4）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3 Pa真空条件，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。
6.根据权利要求5所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤5）向反应室中通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和铝靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。
7.根据权利要求6所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤1）加热温度为100℃；
步骤2）氮气流量为30sccm，加热温度为100℃；
所述步骤3）氩气流量为50sccm，加热温度为100℃，反应时间为30分钟；
所述步骤4）加热温度为100℃；
所述步骤5）氮气流量为30sccm，加热温度为100℃。
8.根据权利要求6所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤1）加热温度为150℃；
步骤2）氮气流量为50sccm，加热温度为200℃；
所述步骤3）氩气流量为60sccm，加热温度为200℃，反应时间为60分钟；
所述步骤4）加热温度为200℃；
所述步骤5）氮气流量为60sccm，加热温度为200℃。
9.根据权利要求6所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤1）加热温度为200℃；
步骤2）氮气流量为70sccm，加热温度为350℃；
所述步骤3）氩气流量为65sccm，加热温度为250℃，反应时间为120分钟；
所述步骤4）加热温度为250℃；
所述步骤5）氮气流量为70sccm，加热温度为300℃。
10.根据权利要求6所述硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于所述步骤1）加热温度为200℃；
步骤2）氮气流量为70sccm，加热温度为300℃；
所述步骤3）氩气流量为55sccm，加热温度为300℃，反应时间为120分钟；
所述步骤4）加热温度为300℃；
所述步骤5）氮气流量为40sccm，加热温度为400℃。
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