CN108247455B - 一种硅片单面处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅片单面处理装置,包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,将硅片直接置于设置在上模座上的定位槽内,伺服电机带动硅片右移,过渡条对磨头产生推力,弹性机构内的第二弹簧压缩,使得磨头与硅片保持完全接触,同时,直线模组带动立板前后移动,进而带动磨头前后移动,从而完成硅片“扫描”时磨洗。该装置结构简单,能对硅片表面进行自动磨洗处理,而且通过“扫描”式磨洗,能对硅片表面各个地方进行均匀磨洗,清除硅片表面附着的杂质,提高表面处理质量及生产效率,同时,硅片装夹、拆卸方便快捷,效率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种机械装置,尤其涉及一种硅片单面处理装置。
背景技术
半导体器件生产中硅片须经严格清洗,微量污染也会导致器件失效,清洗的目的在于清除表面污染杂质,清除污染的方法有物理清洗和化学清洗,物理清洗主要是采用刷洗或擦洗的方法将硅片表面杂质去除,主要是通过人工手动操作,生产效率低下,而且手动刷洗或擦洗均匀性差。鉴于以上缺陷,实有必要设计一种硅片单面处理装置。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:提供一种硅片单面处理装置,来解决手动刷洗或擦洗均匀性差及生产效率低的问题。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种硅片单面处理装置,包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,所述的伺服电机位于底座上端左侧,所述的伺服电机与底座通过螺栓相连,所述的丝杠位于伺服电机右侧且位于底座上端,所述的丝杠与伺服电机键相连且与底座转动相连,所述的丝杠贯穿进给螺母,所述的进给螺母与丝杠螺纹相连,所述的滑座位于进给螺母外侧且位于底座上端,所述的滑座与进给螺母通过螺栓相连且与底座滑动相连,所述的下模板位于滑座上端,所述的下模板与滑座通过螺栓相连,所述的上模座位于下模板上端,所述的上模座与下模板通过螺栓相连,所述的过渡条位于上模座右侧,所述的过渡条与上模座通过螺栓相连,所述的滑动吸取机构贯穿上模座且贯穿下模板,所述的滑动吸取机构可以沿上模座上下滑动,所述的上模座还设有进气通道,所述的进气通道不贯穿上模座主体,所述的进气管位于上模座外侧,所述的进气管与上模座螺纹相连,所述进气管的腔体和进气通道的腔体互通,所述的托架位于底座上端,所述的托架与底座通过螺栓相连,所述的直线模组位于托架上端,所述的直线模组与托架通过螺栓相连,所述的立板位于直线模组下端,所述的立板与直线模组通过螺栓相连,所述的调速电机位于立板下端,所述的调速电机与立板通过螺栓相连,所述的弹性机构位于调速电机下端,所述的弹性机构与调速电机键相连,所述的磨头位于弹性机构下端,所述的磨头与弹性机构螺纹相连。
本发明进一步的改进如下:
进一步的,所述的下模板还设有密封套,所述的密封套贯穿下模板且被滑动吸取机构贯穿,所述的密封套与下模板螺纹相连。
进一步的,所述的密封套还包括套筒、密封圈,所述的套筒贯穿下模板,所述的套筒与下模板螺纹相连,所述的密封圈位于套筒内侧,密封圈有效密封滑动吸取机构与密封套间的接触面,防止漏气。
进一步的,所述的上模座还设有定位槽,所述的定位槽位于上模座顶部,所述的定位槽不贯穿上模座主体。
进一步的,所述的上模座还设有滑动腔,所述滑动腔的腔体与进气通道的腔体互通。
进一步的,所述的滑动吸取机构还包括直管、活塞、第一弹簧、吸取块、橡胶垫、吸气胶管,所述的直管贯穿上模座且贯穿密封套,所述的活塞位于直管外侧,所述的活塞与直管螺纹相连,所述的第一弹簧位于直管外侧且位于活塞上端,所述的吸取块位于直管上端,所述的吸取块与直管螺纹相连,所述的橡胶垫位于吸取块上端,所述的橡胶垫与吸取块粘接相连,所述的吸气胶管位于直管下端,所述的吸气胶管与直管紧配相连,将硅片直接置于设置在上模座上的定位槽内,经吸气胶管将直管抽成负压,使得吸取块将硅片吸取,从而完成定位夹紧,当需要将硅片取出时,经进气管向进气通道内泵入压缩空气,压缩空气进入滑动腔内,从而推动与活塞固连的直管上移,进而带动吸取块吸取的硅片上移,操作人员即可将硅片取出,随后,停止向进气管泵入压缩空气,第一弹簧复位,从而带动吸取块落入上模座内。
进一步的,所述的吸取块还设有若干吸孔,所述的吸孔贯穿吸取块主体,橡胶垫用于密封,使得经吸孔抽气时,能将硅片吸紧。
进一步的,所述的弹性机构还包括轴套、导杆、压板、第二弹簧,所述的轴套位于调速电机下端,所述的轴套与调速电机键相连,所述的导杆贯穿轴套,所述的导杆可以沿轴套上下滑动,所述的压板位于导杆下端,所述的压板与导杆螺纹相连,所述的第二弹簧位于导杆外侧且位于轴套和压板之间。
与现有技术相比,该硅片单面处理装置,工作时,将硅片直接置于设置在上模座上的定位槽内,滑动吸取机构将硅片吸紧,随后,伺服电机通过丝杠带动与进给螺母固连的滑座右移,从而带动放置在上模座内的硅片右移,当过渡条与磨头接触后,随着伺服电机继续工作,过渡条对磨头产生推力,弹性机构内的第二弹簧压缩,从而带动磨头上移微小距离,使得磨头与上模座完全接触,由于第二弹簧反作用于磨头,使得磨头与硅片保持完全接触,随后,调速电机带动磨头转动,同时,直线模组带动立板前后移动,进而带动磨头前后移动,从而完成硅片“扫描”时磨洗。该装置结构简单,能对硅片表面进行自动磨洗处理,而且通过“扫描”式磨洗,能对硅片表面各个地方进行均匀磨洗,清除硅片表面附着的杂质,提高表面处理质量及生产效率,同时,硅片装夹、拆卸方便快捷,效率高。
附图说明
图1示出本发明主视图
图2示出本发明密封套结构示意图
图3示出本发明滑动吸取机构结构示意图
图4示出本发明吸取块俯视图
图5示出本发明弹性机构结构示意图
图中:底座1、伺服电机2、丝杠3、进给螺母4、滑座5、下模板6、上模座7、过渡条8、滑动吸取机构9、进气通道10、进气管11、托架12、直线模组13、立板14、调速电机15、弹性机构16、磨头17、密封套601、套筒602、密封圈603、定位槽701、滑动腔702、直管901、活塞902、第一弹簧903、吸取块904、橡胶垫905、吸气胶管906、吸孔907、轴套1601、导杆1602、压板1603、第二弹簧1604。
具体实施方式
如图1、图2、图3、图4、图5所示,一种硅片单面处理装置,包括底座1、伺服电机2、丝杠3、进给螺母4、滑座5、下模板6、上模座7、过渡条8、滑动吸取机构9、进气通道10、进气管11、托架12、直线模组13、立板14、调速电机15、弹性机构16、磨头17,所述的伺服电机2位于底座1上端左侧,所述的伺服电机2与底座1通过螺栓相连,所述的丝杠3位于伺服电机2右侧且位于底座1上端,所述的丝杠3与伺服电机2键相连且与底座1转动相连,所述的丝杠3贯穿进给螺母4,所述的进给螺母4与丝杠3螺纹相连,所述的滑座5位于进给螺母4外侧且位于底座1上端,所述的滑座5与进给螺母4通过螺栓相连且与底座1滑动相连,所述的下模板6位于滑座5上端,所述的下模板6与滑座5通过螺栓相连,所述的上模座7位于下模板6上端,所述的上模座7与下模板6通过螺栓相连,所述的过渡条8位于上模座7右侧,所述的过渡条8与上模座7通过螺栓相连,所述的滑动吸取机构9贯穿上模座7且贯穿下模板6,所述的滑动吸取机构9可以沿上模座7上下滑动,所述的上模座7还设有进气通道10,所述的进气通道10不贯穿上模座7主体,所述的进气管11位于上模座7外侧,所述的进气管11与上模座7螺纹相连,所述进气管11的腔体和进气通道10的腔体互通,所述的托架12位于底座1上端,所述的托架12与底座1通过螺栓相连,所述的直线模组13位于托架12上端,所述的直线模组13与托架12通过螺栓相连,所述的立板14位于直线模组13下端,所述的立板14与直线模组13通过螺栓相连,所述的调速电机15位于立板14下端,所述的调速电机15与立板14通过螺栓相连,所述的弹性机构16位于调速电机15下端,所述的弹性机构16与调速电机15键相连,所述的磨头17位于弹性机构16下端,所述的磨头17与弹性机构16螺纹相连,所述的下模板6还设有密封套601,所述的密封套601贯穿下模板6且被滑动吸取机构9贯穿,所述的密封套601与下模板6螺纹相连,所述的密封套601还包括套筒602、密封圈603,所述的套筒602贯穿下模板6,所述的套筒602与下模板6螺纹相连,所述的密封圈603位于套筒602内侧,密封圈603有效密封滑动吸取机构9与密封套601间的接触面,防止漏气,所述的上模座7还设有定位槽701,所述的定位槽701位于上模座7顶部,所述的定位槽701不贯穿上模座7主体,所述的上模座7还设有滑动腔702,所述滑动腔702的腔体与进气通道10的腔体互通,所述的滑动吸取机构9还包括直管901、活塞902、第一弹簧903、吸取块904、橡胶垫905、吸气胶管906,所述的直管901贯穿上模座7且贯穿密封套601,所述的活塞902位于直管901外侧,所述的活塞902与直管901螺纹相连,所述的第一弹簧903位于直管901外侧且位于活塞902上端,所述的吸取块904位于直管901上端,所述的吸取块904与直管901螺纹相连,所述的橡胶垫905位于吸取块904上端,所述的橡胶垫905与吸取块904粘接相连,所述的吸气胶管906位于直管901下端,所述的吸气胶管906与直管901紧配相连,将硅片直接置于设置在上模座7上的定位槽701内,经吸气胶管906将直管901抽成负压,使得吸取块904将硅片吸取,从而完成定位夹紧,当需要将硅片取出时,经进气管11向进气通道10内泵入压缩空气,压缩空气进入滑动腔702内,从而推动与活塞902固连的直管901上移,进而带动吸取块904吸取的硅片上移,操作人员即可将硅片取出,随后,停止向进气管11泵入压缩空气,第一弹簧903复位,从而带动吸取块904落入上模座7内,所述的吸取块904还设有若干吸孔907,所述的吸孔907贯穿吸取块904主体,橡胶垫905用于密封,使得经吸孔907抽气时,能将硅片吸紧,所述的弹性机构16还包括轴套1601、导杆1602、压板1603、第二弹簧1604,所述的轴套1601位于调速电机15下端,所述的轴套1601与调速电机15键相连,所述的导杆1602贯穿轴套1601,所述的导杆1602可以沿轴套1601上下滑动,所述的压板1603位于导杆1602下端,所述的压板1603与导杆1602螺纹相连,所述的第二弹簧1604位于导杆1602外侧且位于轴套1601和压板1603之间,该硅片单面处理装置,工作时,将硅片直接置于设置在上模座7上的定位槽701内,滑动吸取机构9将硅片吸紧,随后,伺服电机2通过丝杠3带动与进给螺母4固连的滑座5右移,从而带动放置在上模座7内的硅片右移,当过渡条8与磨头17接触后,随着伺服电机2继续工作,过渡条8对磨头17产生推力,弹性机构16内的第二弹簧1604压缩,从而带动磨头17上移微小距离,使得磨头17与上模座7完全接触,由于第二弹簧1604反作用于磨头17,使得磨头17与硅片保持完全接触,随后,调速电机15带动磨头17转动,同时,直线模组13带动立板14前后移动,进而带动磨头17前后移动,从而完成硅片“扫描”时磨洗。该装置结构简单,能对硅片表面进行自动磨洗处理,而且通过“扫描”式磨洗,能对硅片表面各个地方进行均匀磨洗,清除硅片表面附着的杂质,提高表面处理质量及生产效率,同时,硅片装夹、拆卸方便快捷,效率高。
本发明不局限于上述具体的实施方式,本领域的普通技术人员从上述构思出发,不经过创造性的劳动,所做出的种种变换,均落在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种硅片单面处理装置,其特征在于包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,所述的伺服电机位于底座上端左侧,所述的伺服电机与底座通过螺栓相连,所述的丝杠位于伺服电机右侧且位于底座上端,所述的丝杠与伺服电机键相连且与底座转动相连,所述的丝杠贯穿进给螺母,所述的进给螺母与丝杠螺纹相连,所述的滑座位于进给螺母外侧且位于底座上端,所述的滑座与进给螺母通过螺栓相连且与底座滑动相连,所述的下模板位于滑座上端,所述的下模板与滑座通过螺栓相连,所述的上模座位于下模板上端,所述的上模座与下模板通过螺栓相连,所述的过渡条位于上模座右侧,所述的过渡条与上模座通过螺栓相连,所述的滑动吸取机构贯穿上模座且贯穿下模板,所述的滑动吸取机构可以沿上模座上下滑动,所述的上模座还设有进气通道,所述的进气通道不贯穿上模座主体,所述的进气管位于上模座外侧,所述的进气管与上模座螺纹相连,所述进气管的腔体和进气通道的腔体互通,所述的托架位于底座上端,所述的托架与底座通过螺栓相连,所述的直线模组位于托架上端,所述的直线模组与托架通过螺栓相连,所述的立板位于直线模组下端,所述的立板与直线模组通过螺栓相连,所述的调速电机位于立板下端,所述的调速电机与立板通过螺栓相连,所述的弹性机构位于调速电机下端,所述的弹性机构与调速电机键相连,所述的磨头位于弹性机构下端,所述的磨头与弹性机构螺纹相连;
所述的下模板还设有密封套,所述的密封套贯穿下模板且被滑动吸取机构贯穿,所述的密封套与下模板螺纹相连;
所述的弹性机构还包括轴套、导杆、压板、第二弹簧,所述的轴套位于调速电机下端,所述的轴套与调速电机键相连,所述的导杆贯穿轴套,所述的导杆可以沿轴套上下滑动,所述的压板位于导杆下端,所述的压板与导杆螺纹相连,所述的第二弹簧位于导杆外侧且位于轴套和压板之间。
2.如权利要求1所述的硅片单面处理装置,其特征在于所述的密封套还包括套筒、密封圈,所述的套筒贯穿下模板,所述的套筒与下模板螺纹相连,所述的密封圈位于套筒内侧。
3.如权利要求1所述的硅片单面处理装置,其特征在于所述的上模座还设有定位槽,所述的定位槽位于上模座顶部,所述的定位槽不贯穿上模座主体。
4.如权利要求1所述的硅片单面处理装置,其特征在于所述的上模座还设有滑动腔,所述滑动腔的腔体与进气通道的腔体互通。
5.如权利要求1所述的硅片单面处理装置,其特征在于所述的滑动吸取机构还包括直管、活塞、第一弹簧、吸取块、橡胶垫、吸气胶管,所述的直管贯穿上模座且贯穿密封套,所述的活塞位于直管外侧,所述的活塞与直管螺纹相连,所述的第一弹簧位于直管外侧且位于活塞上端,所述的吸取块位于直管上端,所述的吸取块与直管螺纹相连,所述的橡胶垫位于吸取块上端,所述的橡胶垫与吸取块粘接相连,所述的吸气胶管位于直管下端,所述的吸气胶管与直管紧配相连。
6.如权利要求5所述的硅片单面处理装置,其特征在于所述的吸取块还设有若干吸孔,所述的吸孔贯穿吸取块主体。
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