CN108237222A - 一种核壳结构纳米金属互连工艺 - Google Patents

一种核壳结构纳米金属互连工艺 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种核壳结构纳米金属互连工艺，包括：A)将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上；所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种；B)将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件；C)将所述整体器件烧结，得到互连器件。本发明的金属壳层包覆的纳米铜颗粒中壳层金属形态致密、尺寸均匀可控，易在较低温度下发生原子扩散，与核层纳米铜颗粒连接在一起，形成三维的互连体系，不仅提高了纳米铜的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件。该工艺能够在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成电子器件的连接封装。

Description

一种核壳结构纳米金属互连工艺
技术领域
本发明涉及电子封装技术领域，尤其是涉及一种核壳结构纳米金属互连工艺。
背景技术
电子封装技术是电子制造技术的延伸，其发展的快慢以及所达到的技术水平和生产规模，直接影响整机产品或电子系统的发展。电子封装技术的发展动力来源于电子产品的更新换代，一代产品造就一代技术，随着电子产品轻、薄、短、小的发展趋势和微电子技术的不断更新，电子封装技术以其高密度和高性能的特点正逐渐进入超高速发展时期，这对互连工艺也提出了更高的要求：(1)保证芯片与基板可靠的机械连接；(2)具有较高的电导率以实现芯片与基板之间的电信号传输；(3)具有较高的热导率以使热量能够有效地从芯片传导到封装结构，提高芯片的散热效果；(4)能够匹配芯片与基板之间热膨胀系数的差异，有效减小连接处应力。
铜是一种很好的散热材料，同时具有很好的导电性，其纳米颗粒材料也具备小尺寸效应，颗粒直径越小其烧结温度越低，因此可以用作很好的互连材料。然而，纳米铜极其容易被氧化，氧化后的纳米铜颗粒虽然也可以达到互连的效果，但由于生成的氧化铜不具有导电性，因此在互连过程中应该尽量避免纳米铜颗粒的氧化问题。现有技术中，多采用有机络合包覆的方法实现对纳米铜颗粒的防氧化。但是，烧结过程中的热重分析曲线显示有机保护剂在温度达到200℃左右时会发生分解，如果没有保护气体充入则同样会导致纳米铜颗粒的氧化。
传统电子封装互连工艺中，通常需要在较高的温度和一定的压力下利用互连材料将芯片与基板的封装互连。随着电子产品应用领域和范围的扩大，互连工艺逐渐倾向于向低温低压互连发展。一方面，互连温度高，对互连设备、电子元件及基板材料的耐热性能会提出严峻挑战，对于一些耐热性差的电子器件，在高互连温度下容易造成器件损伤；而且，对于一些特殊的电子产品如太阳能薄膜、LED、LCD、温控元件等必须在低温下互连；另一方面，互连温度高还不利于节能减排，而电子元器件互连封装又是现代主体行业，高温互连势必对能源环境造成不小的问题。因此，实现低温无压烧结的互连工艺已成了电子行业的当务之急。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种核壳结构纳米金属互连工艺，本发明的互连工艺可以实现低温无压互连。
本发明提供了一种核壳结构纳米金属互连工艺，包括：
A)将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上；所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种；
B)将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件；
C)将所述整体器件烧结，得到互连器件。
优选的，步骤A)所述核壳结构的纳米颗粒互连材料还包括溶剂；所述溶剂选自乙醇、乙二醇、松油醇、松香、苯并咪唑、苯并三氮唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的一种或几种。
优选的，步骤A)所述金属壳层包覆的纳米铜颗粒占所述核壳结构的纳米颗粒互连材料的质量百分比为60％～99％；所述纳米铜颗粒的粒径为10～500nm；所述金属壳层的厚度为1～80nm。
优选的，所述印刷至基板上还包括静置，所述静置时间为10～300min；所述烧结温度为100～250℃；所述烧结时间为10～150min。
优选的，所述核壳结构的纳米颗粒互连材料的制备方法具体为：
a)纳米铜颗粒和保护剂混合，得到纳米铜溶液；
b)将壳层前驱体和纳米铜溶液混合、反应、离心洗涤后得到核壳双金属纳米颗粒；
c)将核壳双金属纳米颗粒分散在溶剂中、脱泡处理，得到核壳结构的纳米颗粒互连材料。
优选的，步骤a)所述纳米铜颗粒和保护剂的摩尔比为1：(0.2～15)；所述保护剂选自聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、油酸、油胺、乙醇胺、三乙醇胺、聚丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一种或几种。
优选的，所述壳层前驱体和纳米铜颗粒的摩尔比为(0.001～1):1；所述壳层前驱体为金、银、锡、铂和钯中一种金属的盐或者金属络合物；所述金属的盐或者金属络合物选自氯金酸、柠檬酸金、氰化金钾、氰化银钾、二铵合银、氰化银、氰酸银、硫氰酸银、醋酸银、咪唑银盐、硫氰酸银、氯化银、硝酸银、氯化亚锡、结晶四氯化锡、硫酸锡、硫酸亚锡、草酸亚锡、乙酸锡、辛酸亚锡、氯铂酸、氯化铂、硝酸铂、氯亚铂酸铵、四氯化铂、乙酰丙酮铂、乙二胺氯化铂、四氨合硝酸铂、氯化钯、硫酸钯、乙酸钯、硝酸钯、乙酰丙酮钯、二氯二氨钯和四氨基硝酸钯中的一种或几种。
优选的，步骤b)所述反应温度为20～60℃；所述反应时间为10～360min；步骤b)所述反应后还包括离心、洗涤；所述离心为3000～8000r/min，所述洗涤的溶剂为去离子水、无水乙醇和丙酮中的一种或至少两种的混合物。
优选的，步骤c)所述溶剂选自乙醇、乙二醇、松油醇、松香、苯并咪唑、苯并三氮唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的一种或几种；步骤c)所述脱泡为真空脱泡混料处理；所述真空脱泡混料处理的搅拌速度为1000～5000r/min，时间为1～10min，真空度为-80～-120KPa。
优选的，步骤A)具体为纳米铜颗粒和保护剂在溶剂中混合，磁力搅拌；所述溶剂选自水、乙醇、异丙醇、乙二醇和丙三醇中的一种或几种；所述磁力搅拌的时间为20～30min。
与现有技术相比，本发明提供了一种核壳结构纳米金属互连工艺，包括：A)将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上；所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种；B)将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件；C)将所述整体器件烧结，得到互连器件。本发明的金属壳层包覆的纳米铜颗粒中壳层金属形态致密、尺寸均匀可控，易在较低温度下发生原子扩散，与核层纳米铜颗粒连接在一起，形成三维的互连体系，不仅提高了纳米铜的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件。该工艺能够在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成电子器件的连接封装，能够较好的应用于高端电子器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。因此，本发明提供的核壳纳米金属的互连工艺，能够实现低温无压条件下半导体器件的封装互连。
附图说明
图1为本发明核壳结构的纳米金属结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种核壳结构纳米金属互连工艺，本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都属于本发明保护的范围。本发明的方法及应用已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本发明内容、精神和范围内对本文的方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本发明技术。
本发明提供了一种核壳结构纳米金属互连工艺，包括：
A)将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上；所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种；
B)将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件；
C)将所述整体器件烧结，得到互连器件。
本发明提供的核壳结构纳米金属互连工艺将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上。
本发明所述核壳结构的纳米颗粒互连材料还包括溶剂；所述溶剂选自乙醇、乙二醇、松油醇、松香、苯并咪唑、苯并三氮唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的一种或几种。
优选具体为：将含分散液的核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上，静置。
本发明所述印刷优选为丝网印刷；本发明对于所述丝网印刷的具体工艺不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
所述静置时间优选为10～300min；更优选为20～250min；最优选为20～200min。
本发明所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种。
本发明提供的核壳结构的纳米颗粒互连材料的制备方法，包括：
a)纳米铜颗粒和保护剂混合，得到纳米铜溶液；
b)将壳层前驱体和纳米铜溶液混合、反应、离心洗涤后得到核壳双金属纳米颗粒；
c)将核壳双金属纳米颗粒分散在溶剂中、脱泡处理，得到核壳结构的纳米颗粒互连材料。
本发明提供的核壳结构的纳米颗粒互连材料的制备方法首先将纳米铜颗粒和保护剂混合，得到纳米铜溶液。优选具体为:
将纳米铜颗粒和保护剂分散于溶剂中，在室温下磁力搅拌，形成均匀分散的纳米铜溶液。
其中，所述纳米铜颗粒尺寸为10～500nm；更优选为20～400nm；最优选为20～300nm。所述纳米铜颗粒形状为球形；可以为市售，也可以按照本领域熟知的方法制备。
所述保护剂优选选自聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、油酸、油胺、乙醇胺、三乙醇胺、聚丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一种或几种。
所述溶剂选自水、乙醇、异丙醇、乙二醇和丙三醇中的一种或几种。所述磁力搅拌的时间为20～30min。本发明对于所述磁力搅拌的具体参数不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。所述磁力搅拌的温度优选为室温即为20～40℃。
所述纳米铜颗粒和保护剂的摩尔比优选为1：(0.2～15)；更优选为1：(0.2～13)；最优选为1：(0.2～10)。
得到均匀分散的纳米铜溶液后，将壳层前驱体和纳米铜溶液混合、反应、离心洗涤后得到核壳双金属纳米颗粒。
优选具体为：将壳层前驱体加入到纳米铜溶液中，继续搅拌反应，离心洗涤，得到双金属核壳结构纳米颗粒。
其中，所述壳层前驱体和纳米铜颗粒的摩尔比优选为(0.001～1):1；更优选为(0.001～0.01):1。
所述壳层前驱体为金、银、锡、铂和钯中一种金属的盐或者金属络合物；所述金属的盐或者金属络合物选自氯金酸、柠檬酸金、氰化金钾、氰化银钾、二铵合银、氰化银、氰酸银、硫氰酸银、醋酸银、咪唑银盐、硫氰酸银、氯化银、硝酸银、氯化亚锡、结晶四氯化锡、硫酸锡、硫酸亚锡、草酸亚锡、乙酸锡、辛酸亚锡、氯铂酸、氯化铂、硝酸铂、氯亚铂酸铵、四氯化铂、乙酰丙酮铂、乙二胺氯化铂、四氨合硝酸铂、氯化钯、硫酸钯、乙酸钯、硝酸钯、乙酰丙酮钯、二氯二氨钯和四氨基硝酸钯中的一种。
所述反应为搅拌反应，本发明对于所述搅拌的具体方式不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
所述反应温度优选为室温，即为20～60℃；所述反应时间优选为10～360min；更优选为20～330min；最优选为20～300min。
本发明所述反应为置换反应，反应得到的所述双金属核壳结构纳米颗粒，核层为纳米铜颗粒，壳层为包覆在铜核表面的金属金、银、锡、铂和钯中的一种。
其中，所述金属壳层的厚度为1～80nm。
所述反应后为离心、洗涤。
本发明对于所述离心、洗涤的具体方式不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
所述离心优选为3000～8000r/min，所述洗涤的溶剂为去离子水、无水乙醇和丙酮中的一种或至少两种的混合物；优选可以为先用去离子水洗涤，而后用无水乙醇和丙酮中的一种洗涤。所述洗涤的次数优选为4次以上；优选为4～8次。
得到核壳双金属纳米颗粒后，将核壳双金属纳米颗粒分散在溶剂中、脱泡处理，得到核壳结构的纳米颗粒互连材料。
其中，所述溶剂优选选自乙醇、乙二醇、松油醇、松香、苯并咪唑、苯并三氮唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的一种或几种；更优选选自乙醇、乙二醇、苯并咪唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的两种或两种以上。
所述脱泡为真空脱泡混料处理；所述真空脱泡混料处理的搅拌速度优选为1000～5000r/min，更优选为2000～4000r/min，所述处理时间优选为1～10min，更优选为2～8min，所述真空度为-80～-120KPa。
其中，所述核壳纳米颗粒粉体占互连材料的质量比优选为60％～99％。
本发明提供了一种核壳结构的纳米颗粒互连材料的制备方法，包括：a)纳米铜颗粒和保护剂混合，得到纳米铜溶液；b)将壳层前驱体和纳米铜溶液混合、反应、离心洗涤后得到核壳双金属纳米颗粒；c)将核壳双金属纳米颗粒分散在溶剂中、脱泡处理，得到核壳结构的纳米颗粒互连材料。
本发明利用壳层金属络合物来控制壳层金属前驱体与核芯铜颗粒的置换反应速度，以实现壳层金属的形态和晶核尺寸的可控制备。本发明制备的壳层金属形态致密、尺寸均匀可控，易在较低温度下发生原子扩散，与纳米铜颗粒连接在一起，形成三维的互连体系，不仅提高了核层纳米铜颗粒的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件。可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成电子元器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
本发明提供了一种核壳结构的纳米颗粒互连材料，由上述技术方案所述的制备方法制备得到。
所述核壳双金属纳米颗粒中，纳米铜颗粒尺寸为10～500nm，所述金属壳层的厚度为1～80nm。
本发明所提供的互连材料制备工艺简单温和，包覆壳层致密均匀、尺寸可控，成本低廉，而且在互连过程中壳层金属颗粒会在较低温度下发生原子扩散，将纳米铜颗粒连接在一起，形成三维的互连体系，不仅提高了纳米铜的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件，能够实现微电子器件芯片与基板的低温互连。
印刷后，将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件。
本发明对于所述芯片和基板不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
优选具体为将镀铜芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖其表面。
将所述整体器件烧结，得到互连器件。
将所述整体器件在一定气氛下烧结，得到互连器件。
所述一定气氛优选可以为空气、氮气、氩气、氢气、甲酸中的一种或几种混合气体。
所述烧结温度优选为100～250℃；更优选为120～250℃；所述烧结时间优选为10～150min；更优选为10～130min。
本发明正是由于采用了上述特定的纳米颗粒互连材料，使得本发明的种核壳结构纳米金属互连工艺可以在上述低温(100～250℃)，无压的条件下互连，大大优于现有工艺条件，具有优异的技术效果。
本发明核壳结构的纳米金属结构示意图如图1所示，图1为本发明核壳结构的纳米金属结构示意图。
本发明提供了一种核壳结构纳米金属互连工艺，包括：A)将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上；所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种；B)将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件；C)将所述整体器件烧结，得到互连器件。本发明的金属壳层包覆的纳米铜颗粒中壳层金属致密均匀、尺寸可控，易在较低温度下发生原子扩散，与核层纳米铜颗粒连接在一起，形成三维的互连体系，不仅提高了纳米铜的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件。该工艺能够在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于高端电子器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。因此，本发明提供的核壳纳米金属的互连工艺，能够实现低温无压条件下半导体器件的互连。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种核壳结构的纳米颗粒互连材料及其制备方法进行详细描述。
实施例1
在乙二醇溶剂中加入尺寸为20nm的纳米铜颗粒和保护剂聚丙烯酰胺，其中，保护剂与纳米铜颗粒的摩尔比为2：1；在室温下磁力搅拌30min，形成均匀分散的纳米铜溶液；将氯金酸加入纳米铜溶液中，其中，氯金酸与纳米铜颗粒的摩尔比为0.01：1，将混合溶液在室温下继续搅拌反应90min，在5000r/min下用去离子水和无水乙醇各离心洗涤4次，得到双金属核壳结构纳米颗粒；将核壳纳米颗粒分散于一缩二乙二醇和乙二醇丁醚的溶剂中，经过2000r/min真空脱泡混料处理5min，得到核壳纳米颗粒互连材料，核壳纳米颗粒粉体占互连材料的质量比为60％。
通过丝网印刷将含分散液的互连材料印刷至基板上，静置60min后将镀铜芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面，再将其整体置于200℃，空气环境下烧结保温60min得到烧结互连器件。
实施例2
在丙三醇溶剂中加入尺寸为300nm的纳米铜颗粒和保护剂聚乙烯吡咯烷酮，其中，保护剂与纳米铜颗粒的摩尔比为5：1；在室温下磁力搅拌30min，形成均匀分散的纳米铜溶液；将乙酸钯加入纳米铜溶液中，其中，乙酸钯与纳米铜颗粒的摩尔比为0.005：1，将混合溶液在室温下继续搅拌反应120min，在7000r/min下用去离子水和无水乙醇各离心洗涤4次，得到双金属核壳结构纳米颗粒。将核壳纳米颗粒分散于乙二醇和乙二醇甲醚的溶剂中，经过3000r/min真空脱泡混料处理5min，得到核壳纳米颗粒互连材料，核壳纳米颗粒粉体占互连材料的质量比为80％。
通过丝网印刷将含分散液的互连材料印刷至基板上，静置40min后将镀铜芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面，再将其整体置于240℃，氮气环境下烧结保温80min得到烧结互连器件。
实施例3
在丙三醇溶剂中加入尺寸为100nm的纳米铜颗粒和保护剂聚乙烯吡咯烷酮，其中，保护剂与纳米铜颗粒的摩尔比为6：1；在室温下磁力搅拌30min，形成均匀分散的纳米铜溶液；将硫氰酸银加入纳米铜溶液中，其中，氯化银与纳米铜颗粒的摩尔比为4：1，将混合溶液在室温下继续搅拌反应100min，在7000r/min下用去离子水和无水乙醇各离心洗涤4次，得到双金属核壳结构纳米颗粒。将核壳纳米颗粒分散于乙二醇和乙二醇甲醚的溶剂中，经过2000r/min真空脱泡混料处理5min，得到核壳纳米颗粒互连材料，核壳纳米颗粒粉体占互连材料的质量比为95％。
通过丝网印刷将含分散液的互连材料印刷至基板上，静置40min后将镀铜芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面，再将其整体置于120℃，氢气与氮气混合气环境下烧结保温80min得到烧结互连器件。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种核壳结构纳米金属互连工艺，其特征在于，包括：
A)将核壳结构的纳米颗粒互连材料印刷至基板上；所述核壳结构的纳米颗粒互连材料包括金属壳层包覆的纳米铜颗粒；所述金属选自金、银、锡、铂和钯中的一种或几种；
B)将芯片覆盖于所述纳米颗粒互连材料表面，得到整体器件；
C)将所述整体器件烧结，得到互连器件。
2.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，步骤A)所述核壳结构的纳米颗粒互连材料还包括溶剂；所述溶剂选自乙醇、乙二醇、松油醇、松香、苯并咪唑、苯并三氮唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，步骤A)所述金属壳层包覆的纳米铜颗粒占所述核壳结构的纳米颗粒互连材料的质量百分比为60％～99％；所述纳米铜颗粒的粒径为10～500nm；所述金属壳层的厚度为1～80nm。
4.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，所述印刷至基板上还包括静置，所述静置时间为10～300min；所述烧结温度为100～250℃；所述烧结时间为10～150min。
5.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，所述核壳结构的纳米颗粒互连材料的制备方法具体为：
a)纳米铜颗粒和保护剂混合，得到纳米铜溶液；
b)将壳层前驱体和纳米铜溶液混合、反应、离心洗涤后得到核壳双金属纳米颗粒；
c)将核壳双金属纳米颗粒分散在溶剂中、脱泡处理，得到核壳结构的纳米颗粒互连材料。
6.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，步骤a)所述纳米铜颗粒和保护剂的摩尔比为1：(0.2～15)；所述保护剂选自聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、油酸、油胺、乙醇胺、三乙醇胺、聚丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，所述壳层前驱体和纳米铜颗粒的摩尔比为(0.001～1):1；所述壳层前驱体为金、银、锡、铂和钯中一种金属的盐或者金属络合物；所述金属的盐或者金属络合物选自氯金酸、柠檬酸金、氰化金钾、氰化银钾、二铵合银、氰化银、氰酸银、硫氰酸银、醋酸银、咪唑银盐、硫氰酸银、氯化银、硝酸银、氯化亚锡、结晶四氯化锡、硫酸锡、硫酸亚锡、草酸亚锡、乙酸锡、辛酸亚锡、氯铂酸、氯化铂、硝酸铂、氯亚铂酸铵、四氯化铂、乙酰丙酮铂、乙二胺氯化铂、四氨合硝酸铂、氯化钯、硫酸钯、乙酸钯、硝酸钯、乙酰丙酮钯、二氯二氨钯和四氨基硝酸钯中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，步骤b)所述反应温度为20～60℃；所述反应时间为10～360min；步骤b)所述反应后还包括离心、洗涤；所述离心为3000～8000r/min，所述洗涤的溶剂为去离子水、无水乙醇和丙酮中的一种或至少两种的混合物。
9.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，步骤c)所述溶剂选自乙醇、乙二醇、松油醇、松香、苯并咪唑、苯并三氮唑、烷基咪唑、烷基苯并咪唑、烷基芳基咪唑、一缩二乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚和三乙二醇甲醚中的一种或几种；步骤c)所述脱泡为真空脱泡混料处理；所述真空脱泡混料处理的搅拌速度为1000～5000r/min，时间为1～10min，真空度为-80～-120KPa。
10.根据权利要求1所述的互连工艺，其特征在于，步骤A)具体为纳米铜颗粒和保护剂在溶剂中混合，磁力搅拌；所述溶剂选自水、乙醇、异丙醇、乙二醇和丙三醇中的一种或几种；所述磁力搅拌的时间为20～30min。
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