CN108174124B

CN108174124B - 像素电路及其驱动方法以及探测器

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Publication number: CN108174124B
Application number: CN201810083880.1A
Authority: CN
Inventors: 段立业; 史永明; 张春倩; 梁魁; 刘晓惠
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2018-01-29
Filing date: 2018-01-29
Publication date: 2021-02-19
Anticipated expiration: 2038-01-29
Also published as: US20200260040A9; US20190238778A1; CN108174124A; US11196954B2

Abstract

本发明的实施例提供一种像素电路及其驱动方法，以及包括该像素电路的探测器。该像素电路包括：光电转换电路、复位电路、放大电路、第一控制电路、第二控制电路、存储电路以及输出电路。光电转换电路被配置为将光信号转换成电信号。复位电路被配置为复位第一节点的电压。放大电路被配置为放大第一节点的电压。第一控制电路被配置为根据来自第一控制端的电压信号和来自第二电压端的第二电压，控制第二节点的电压。第二控制电路被配置为根据来自第二控制端的电压信号和第一节点的电压，控制第三节点的电压。存储电路被配置为存储由放大电路输出的电压所对应的电荷。输出电路被配置为在第三控制端的电压信号的控制下，输出存储电路所存储的电荷。

Description

像素电路及其驱动方法以及探测器

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及像素电路及其驱动方法，以及探测器。

背景技术

X射线平板探测器是实现电子计算机断层扫描(CT)成像的核心部件，其将肉眼看不到的X射线转换为最终能转变为图像的数字化信号。X射线平板探测器以光电二极管阵列为核心。在X射线照射下，探测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光，而后由光电二极管阵列转变为图像的模拟信号。通过外围电路读出该模拟信号并通过模拟/数字变换将该模拟信号转换成数字化信号。X射线平板探测器具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率，直接数字输出等优点。

发明内容

本发明的实施例提供了一种像素电路及其驱动方法以及探测器，其能够补偿X射线平板探测器的像素电路中的放大晶体管的阈值电压Vth，并且使得读出的模拟信号更准确，读出的速度更快。

根据本发明的第一方面，提供了一种像素电路。该像素电路包括：光电转换电路、复位电路、放大电路、第一控制电路、第二控制电路、存储电路以及输出电路。光电转换电路连接第一节点和第一电压端，并被配置为将光信号转换成电信号。复位电路连接复位端、第一节点和第一电压端，并被配置为根据来自复位端的复位信号和来自第一电压端的第一电压，复位第一节点的电压。放大电路连接第一节点、第二节点和第三节点，并被配置为放大第一节点的电压。第一控制电路连接到第一控制端、第二电压端和第二节点，并被配置为根据来自第一控制端的电压信号和来自第二电压端的第二电压，控制第二节点的电压。第二控制电路连接到第一节点、第三节点和第二控制端，并被配置为根据来自第二控制端的电压信号和第一节点的电压，控制第三节点的电压。存储电路连接到第一电压端和第三节点，并被配置为存储由放大电路输出的电压所对应的电荷。输出电路连接到第三节点、第三控制端和输出端，并被配置为在第三控制端的电压信号的控制下，输出存储电路所存储的电荷。

在本发明的实施例中，存储电路包括电容器。电容器的第一端耦接第一电压端，电容器的第二端耦接第三节点。

在本发明的实施例中，光电转换电路包括光电二极管。光电二极管的阳极耦接第一电压端，光电二极管的阴极耦接第一节点。

在本发明的实施例中，复位电路包括第一晶体管。第一晶体管的控制极耦接复位端，第一晶体管的第一极耦接第一电压端，第一晶体管的第二极耦接第一节点。

在本发明的实施例中，放大电路包括放大晶体管。放大晶体管的控制极耦接第一节点，放大晶体管的第一极耦接第二节点，放大晶体管的第二极耦接第三节点。

在本发明的实施例中，第一控制电路包括第二晶体管。第二晶体管的控制极耦接第一控制端，第二晶体管的第一极耦接第二电压端，第二晶体管的第二极耦接第二节点。

在本发明的实施例中，第二控制电路包括第三晶体管。第三晶体管的控制极耦接第二控制端，第三晶体管的第一极耦接第一节点，第三晶体管的第二极耦接第三节点。

在本发明的实施例中，输出电路包括第四晶体管。第四晶体管的控制极耦接第三控制端，第四晶体管的第一极耦接第三节点，第四晶体管的第二极耦接输出端。

根据本发明的第二方面，提供了一种像素电路。该像素电路包括：光电二极管、第一晶体管、放大晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电容器和第四晶体管。光电二极管的阳极耦接第一电压端，光电二极管的阴极耦接第一节点。第一晶体管的控制极耦接复位端，第一晶体管的第一极耦接第一电压端，第一晶体管的第二极耦接第一节点。放大晶体管的控制极耦接第一节点，放大晶体管的第一极耦接第二节点，放大晶体管的第二极耦接第三节点。第二晶体管的控制极耦接第一控制端，第二晶体管的第一极耦接第二电压端，第二晶体管的第二极耦接第二节点。第三晶体管的控制极耦接第二控制端，第三晶体管的第一极耦接第一节点，第三晶体管的第二极耦接第三节点。电容器的第一端耦接第一电压端，电容器的第二端耦接第三节点。第四晶体管的控制极耦接第三控制端，第四晶体管的第一极耦接第三节点，第四晶体管的第二极耦接输出端。

在本发明的实施例中，所有晶体管都为P型晶体管或者都为N型晶体管。

根据本发明的第三方面，提供了一种探测器。该探测器包括如上所述的根据本发明的第一方面和第二方面的像素电路。

根据本发明的第四方面，提供了一种用于驱动如上所述的根据本发明的第一方面和第二方面的像素电路的驱动方法。在该驱动方法中，向复位端提供复位信号以复位第一节点的电压。然后，向第一控制端和第二控制端提供第一电压，向第三控制端提供第二电压。接着，向第一控制端继续提供第一电压，向第二控制端提供第二电压，以向第一节点提供由光信号转换成的电信号，在第三节点获得经放大的第一节点的电压。接着，向第一控制端提供第二电压，向第三控制端提供第一电压。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制，其中：

图1是根据本发明的实施例的像素电路的示意性框图；

图2是根据本发明的实施例的像素电路的示例电路图；

图3是用于图2所示的像素电路的各信号的时序图；

图4是根据本发明的实施例的像素电路的示例电路图；

图5是用于图4所示的像素电路的各信号的时序图；

图6是根据本发明的实施例的驱动如图1或图2或图4所示的像素电路的驱动方法的示意性流程图；

图7是根据本发明的实施例的探测器的示意性框图。

具体实施方式

为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，也都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的形式来解释，除非在此另外明确定义。如在此所使用的，将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。

在本发明的所有实施例中，由于晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)是对称的，并且N型晶体管和P型晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)之间的导通电流方向相反，因此在本发明的实施例中，统一将晶体管的受控中间端称为控制极，信号输入端称为第一极，信号输出端称为第二极。本发明的实施例中所采用的晶体管主要是开关晶体管。另外，诸如“第一”和“第二”的术语仅用于将一个部件(或部件的一部分)与另一个部件(或部件的另一部分)区分开。

不同于基于硅工艺的互补金属氧化物半导体(CMOS)的图像传感器技术，薄膜晶体管(TFT)工艺像素电路因为受制于工艺水平和其自身较大的尺寸，各像素中的关键TFT的一致性问题较严重。所以在目前的X射线平板探测器中，TFT在像素中只作为开关使用。X射线平板探测器中的光电二极管积累的电荷通常很小，很容易受到噪声干扰。通过光电二极管获得的电信号在被读出后再通过总线终端放大器被放大，因而读出的电信号噪声很大，其信噪比S/N低。此外，还因为不同位置的像素的噪声大小不一样而影响整个图像的质量。可以将放大晶体管引入到X射线平板探测器的像素中，以在读出电信号之前放大所检测的电信号，从而抑制噪声水平。但放大晶体管的阈值电压Vth可能会发生变化。如果没有补偿放大晶体管的阈值电压Vth，将会带来更大的图像质量问题。

本发明的实施例提供了一种能够补偿放大晶体管的阈值电压Vth的像素电路。图1示出根据本公开的实施例的像素电路100的示意性框图。如图1所示，像素电路100可包括光电转换电路110、复位电路120、放大电路130、第一控制电路140、第二控制电路150、存储电路160以及输出电路170。

光电转换电路110连接第一节点n1和第一电压端V1，并被配置为将光信号转换成电信号。

复位电路120连接复位端RST、第一节点n1和第一电压端V1，并被配置为根据来自复位端RST的复位信号和来自第一电压端V1的第一电压，复位第一节点n1的电压。

放大电路130连接第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3，并被配置为放大第一节点n1的电压。

第一控制电路140连接到第一控制端S1、第二电压端V2和第二节点n2，并被配置为根据来自第一控制端S1的电压信号和来自第二电压端V2的第二电压，控制第二节点n2的电压。

第二控制电路150连接到第一节点n1、第三节点n3和第二控制端S2，并被配置为根据来自第二控制端S2的电压信号和第一节点n1的电压，控制第三节点n3的电压。

存储电路160连接到第一电压端V1和第三节点n3，并被配置为存储由放大电路130输出的电压所对应的电荷。

输出电路170连接到第三节点n3、第三控制端RD和输出端OUT，并被配置为在第三控制端RD的电压信号的控制下，输出存储电路160所存储的电荷。

根据本发明的实施例的像素电路能够补偿放大晶体管的阈值电压Vth。此外，相比于通过输出电流再由外部芯片对电流积分来获得光电转换电路110转换的电信号，通过存储电路160存储由放大电路130输出的电压所对应的电荷再读出存储电路160所存储的电荷，使得电流积分已经在像素内部完成。而且读出电荷的时间比读出电流的时间更短。因此，根据本发明的实施例的像素电路能够使得读出的模拟信号更准确，读出的速度更快，还可以减少外部芯片的成本。

图2示出根据本公开的实施例的像素电路的示例电路图。在图2所示的实施例中，以所有晶体管都是P型晶体管为例进行说明。在这种情况下，从第一电压端V1输出低电平VSS，从第二电压端V2输出高电平VDD。上述高电平与低电平是指相对于彼此而言较高和较低的两个预设电压，本领域技术人员可以根据所选用的器件及所采用的电路结构对其进行设置，本发明对此不做限制。

如图2所示，存储电路160可包括电容器Cst。电容器Cst的第一端耦接第一电压端V1，电容器Cst的第二端耦接第三节点n3。

光电转换电路110可包括光电二极管PD。光电二极管PD的阳极耦接第一电压端V1，光电二极管PD的阴极耦接第一节点n1。

复位电路120可包括第一晶体管T1。第一晶体管T1的控制极耦接复位端RST，第一晶体管T1的第一极耦接第一电压端V1，第一晶体管T1的第二极耦接第一节点n1。

放大电路130可包括放大晶体管Ta。放大晶体管Ta的控制极耦接第一节点n1，放大晶体管Ta的第一极耦接第二节点n2，放大晶体管Ta的第二极耦接第三节点n3。

第一控制电路140可包括第二晶体管T2。第二晶体管T2的控制极耦接第一控制端S1，第二晶体管T2的第一极耦接第二电压端V2，第二晶体管T2的第二极耦接第二节点n2。

第二控制电路150可包括第三晶体管T3。第三晶体管T3的控制极耦接第二控制端S2，第三晶体管T3的第一极耦接第一节点n1，第三晶体管T3的第二极耦接第三节点n3。

输出电路170可包括第四晶体管T4。第四晶体管T4的控制极耦接第三控制端RD，第四晶体管T4的第一极耦接第三节点n3，第四晶体管T4的第二极耦接输出端OUT。

图3示出用于图2所示的像素电路200的各信号的时序图。下面结合图3所示的时序图，对如图2所示的像素电路200的工作过程进行详细描述。

在第一阶段Ⅰ，向复位端RST输入低电平信号，因此，第一晶体管T1导通。向第二控制端S2输入低电平信号，因此，第三晶体管T3导通。这样，第一节点n1和第三节点n3的电压被复位成来自第一电压端V1的低电平VSS。另外，向第一控制端S1输入高电平信号，因此，第二晶体管T2截止。向第三控制端RD输入高电平信号，因此，第四晶体管T4截止。

在该阶段，光电二极管PD转换成的电流不影响第一节点n1的电压。

在第二阶段Ⅱ，向复位端RST输入高电平信号，因此，第一晶体管T1截止。向第二控制端S2继续输入低电平信号，因此，第三晶体管T3继续导通。由于第三晶体管T3导通，第一节点n1和第三节点n3等效成一个节点。向第一控制端S1输入低电平信号，因此，第二晶体管T2导通。由于第二晶体管T2导通，第二节点n2的电压等于来自第二电压端V2的高电平VDD。这样，放大晶体管Ta等效成导通的二极管。该等效的二极管的阳极连接到第二节点n2，该等效的二极管的阴极连接到第一节点n1和第三节点n3。因此，第一节点n1和第三节点n3的电压等于VDD-|Vth|。另外，向第三控制端RD继续输入高电平信号，因此，保持第四晶体管T4截止。

在第三阶段Ⅲ，向复位端RST继续输入高电平信号，因此，保持第一晶体管T1截止。向第二控制端S2输入高电平信号，因此，第三晶体管T3截止。此时，只有流过光电二极管PD的电流影响第一节点n1的电压。流过光电二极管PD的电流大小与光照在此像素上的照射光强度有关系。假设流过光电二极管PD的电流为i，则经过时间t之后，第一节点n1上的电荷量减少Q＝it。那么第一节点n1的电压减少Q/Cpd＝it/Cpd。在这里，Cpd为光电二极管PD的寄生电容。因此第一节点n1的电压Vn1＝VDD-|Vth|-it/Cpd。

另外，向第一控制端S1继续输入低电平信号，从而保持第二晶体管T2导通。这样，放大晶体管Ta处于饱和区，流过其的电流为

I＝uCoxW/L(V_GS-Vth)²

＝uCoxW/L(VDD-Vn1-|Vth|)²

＝uCoxW/L(it/Cpd)² (1)

其中，u为载流子迁移率，Cox为单位面积的栅绝缘层电容值，W/L为放大晶体管Ta的宽长比。

电流I在电容器Cst上造成的电荷变化量△Q为：

△Q＝∫Idt＝∫uCoxW/L(it/Cpd)²dt (2)

向第三控制端RD继续输入高电平信号，因此，保持第四晶体管T4截止。

在第四阶段Ⅳ，向复位端RST继续输入高电平信号，因此，保持第一晶体管T1截止。向第二控制端S2输入高电平信号，因此，第三晶体管T3截止。向第一控制端S1输入高电平信号，因此，第二晶体管T2截止。这样，放大晶体管Ta不再放大第一节点n1的电压。向第三控制端RD输入低电平信号，因此，第四晶体管T4导通。这样，可以通过输出端OUT读出电容器Cst上存储的电荷△Q。从式(2)可见，△Q与放大晶体管Ta的阈值电压Vth没有关系。因此通过读出的电荷△Q换算成的照射光强度的信息不受放大晶体管Ta的阈值电压Vth的影响。

图4示出根据本公开的实施例的像素电路400的示例电路图。在图4所示的实施例中，以所有晶体管都是N型晶体管为例进行说明。在这种情况下，从第一电压端V1输出高电平VDD，从第二电压端V2输出低电平VSS。上述高电平与低电平是指相对于彼此而言较高和较低的两个预设电压，本领域技术人员可以根据所选用的器件及所采用的电路结构对其进行设置，本发明对此不做限制。

如图4所示，存储电路160可包括电容器Cst。电容器Cst的第一端耦接第一电压端V1，电容器Cst的第二端耦接第三节点n3。

图5示出用于图4所示的像素电路400的各信号的时序图。下面结合图5所示的时序图，对如图4所示的像素电路400的工作过程进行详细描述。

在第一阶段Ⅰ，向复位端RST输入高电平信号，因此，第一晶体管T1导通。向第二控制端S2输入高电平信号，因此，第三晶体管T3导通。这样，第一节点n1和第三节点n3的电压被复位成来自第一电压端V1的高电平VDD。另外，向第一控制端S1输入低电平信号，因此，第二晶体管T2截止。向第三控制端RD输入低电平信号，因此，第四晶体管T4截止。

在第二阶段Ⅱ，向复位端RST输入低电平信号，因此，第一晶体管T1截止。向第二控制端S2继续输入高电平信号，因此，第三晶体管T3继续导通。由于第三晶体管T3导通，第一节点n1和第三节点n3等效成一个节点。向第一控制端S1输入高电平信号，因此，第二晶体管T2导通。由于第二晶体管T2导通，第二节点n2的电压等于来自第二电压端V2的低电平VSS。这样，放大晶体管Ta等效成导通的二极管。该等效的二极管的阳极连接到第二节点n2，该等效的二极管的阴极连接到第一节点n1和第三节点n3。因此，第一节点n1和第三节点n3的电压等于VSS+Vth。另外，向第三控制端RD继续输入低电平信号，因此，保持第四晶体管T4截止。

在第三阶段Ⅲ，向复位端RST继续输入低电平信号，因此，保持第一晶体管T1截止。向第二控制端S2输入低电平信号，因此，第三晶体管T3截止。此时，只有流过光电二极管PD的电流影响第一节点n1的电压。流过光电二极管PD的电流大小与光照在此像素上的照射光强度有关系。假设流过光电二极管PD的电流为i，则经过时间t之后，第一节点n1上的电荷量增加Q＝it。那么第一节点n1的电压增加Q/Cpd＝it/Cpd。在这里，Cpd为光电二极管PD的寄生电容。因此第一节点n1的电压Vn1＝VSS+Vth+it/Cpd。

另外，向第一控制端S1继续输入高电平信号，从而保持第二晶体管T2导通。这样，放大晶体管Ta处于饱和区，流过其的电流为

I＝uCoxW/L(V_GS-Vth)²

＝uCoxW/L(Vn1-VSS-Vth)²

＝uCoxW/L(it/Cpd)² (3)

电流I在电容器Cst上造成的电荷变化量△Q为：

△Q＝∫Idt＝∫uCoxW/L(it/Cpd)²dt (4)

向第三控制端RD继续输入低电平信号，因此，保持第四晶体管T4截止。

在第四阶段Ⅳ，向复位端RST继续输入低电平信号，因此，保持第一晶体管T1截止。向第二控制端S2输入低电平信号，因此，第三晶体管T3截止。向第一控制端S1输入低电平信号，因此，第二晶体管T2截止。这样，放大晶体管Ta不再放大第一节点n1的电压。向第三控制端RD输入高电平信号，因此，第四晶体管T4导通。这样，可以通过输出端OUT读出电容器Cst上存储的电荷△Q。从式(4)可见，△Q与放大晶体管Ta的阈值电压Vth没有关系。因此通过读出的电荷△Q换算成的照射光强度的信息不受放大晶体管Ta的阈值电压Vth的影响。

尽管图2示出了像素电路的所有晶体管都为P型晶体管的实施例，而图4示出了像素电路的所有晶体管都为N型晶体管的实施例，但是本领域的技术人员可知道，像素电路100也可以由N型晶体管和P型晶体管的组合来实现。相应地，像素电路100中的各信号的时序也适应性地改变。

图6示出根据本公开的实施例的驱动如图1或图2或图4所示的像素电路的驱动方法600的示意性流程图。

在该驱动方法中，在步骤S602，向复位端RST提供复位信号以复位第一节点n1的电压。

在步骤S604，向第一控制端S1和第二控制端S2提供第一电压，从而向第一节点n1施加用于补偿放大电路130的补偿电压。向第三控制端RD提供第二电压。此时，输出端OUT没有输出。

在步骤S606，向第一控制端S1继续提供第一电压，向第二控制端S2提供第二电压，以向第一节点n1提供由光信号转换成的电信号，在第三节点n3获得经放大的第一节点n1的电压。存储电路160存储由放大电路130输出的电压(即，第三节点n3的电压)所对应的电荷。向第三控制端RD提供第二电压。此时，输出端OUT没有输出。

在步骤S608，向第一控制端S1提供第二电压，向第三控制端RD提供第一电压。此时，从输出端OUT输出存储电路160存储的电荷。这样，外部电路可以将输出端OUT输出的电荷换算成表示照射光强度的数字化信号。

在上述第一电压为低电平的情况下，上述第二电压为高电平。在上述第一电压为高电平的情况下，上述第二电压为低电平。

图7示出根据本公开的实施例的探测器700的示意性框图。如图7所示，探测器700包括如图1所示的像素电路100或如图2所示的像素电路200或如图4所示的像素电路400。

除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中明确禁止这样的解释。在本文中使用术语“示例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“示例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。

适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其它方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。

以上对本发明的若干实施例进行了详细描述，但显然，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本发明的实施例进行各种修改和变型。本发明的保护范围由所附的权利要求限定。

Claims

1.一种像素电路，包括：

光电转换电路，其连接第一节点和第一电压端，并被配置为将光信号转换成电信号；

复位电路，其连接复位端、所述第一节点和所述第一电压端，并被配置为根据来自所述复位端的复位信号和来自所述第一电压端的第一电压，复位所述第一节点的电压；

放大电路，其连接所述第一节点、第二节点和第三节点，并被配置为放大所述第一节点的电压；

第一控制电路，其连接到第一控制端、第二电压端和所述第二节点，并被配置为根据来自所述第一控制端的电压信号和来自所述第二电压端的第二电压，控制所述第二节点的电压；

第二控制电路，其连接到所述第一节点、所述第三节点和第二控制端，并被配置为根据来自所述第二控制端的电压信号和所述第一节点的电压，控制所述第三节点的电压；

存储电路，其连接到所述第一电压端和所述第三节点，并被配置为存储由所述放大电路输出的电压所对应的电荷；以及

输出电路，其连接到所述第三节点、第三控制端和输出端，并被配置为在所述第三控制端的电压信号的控制下，输出所述存储电路所存储的电荷。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述存储电路包括电容器，

其中，所述电容器的第一端耦接所述第一电压端，所述电容器的第二端耦接所述第三节点。

3.根据权利要求1或2所述的像素电路，其中，所述光电转换电路包括光电二极管，

其中，所述光电二极管的阳极耦接所述第一电压端，所述光电二极管的阴极耦接所述第一节点。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的像素电路，其中，所述复位电路包括第一晶体管，

其中，所述第一晶体管的控制极耦接所述复位端，所述第一晶体管的第一极耦接所述第一电压端，所述第一晶体管的第二极耦接所述第一节点。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的像素电路，其中，所述放大电路包括放大晶体管，

其中，所述放大晶体管的控制极耦接所述第一节点，所述放大晶体管的第一极耦接所述第二节点，所述放大晶体管的第二极耦接所述第三节点。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的像素电路，其中，所述第一控制电路包括第二晶体管，

其中，所述第二晶体管的控制极耦接所述第一控制端，所述第二晶体管的第一极耦接所述第二电压端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第二节点。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的像素电路，其中，所述第二控制电路包括第三晶体管，

其中，所述第三晶体管的控制极耦接所述第二控制端，所述第三晶体管的第一极耦接所述第一节点，所述第三晶体管的第二极耦接所述第三节点。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的像素电路，其中，所述输出电路包括第四晶体管，

其中，所述第四晶体管的控制极耦接所述第三控制端，所述第四晶体管的第一极耦接所述第三节点，所述第四晶体管的第二极耦接所述输出端。

9.一种像素电路，包括：光电二极管、第一晶体管、放大晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电容器和第四晶体管，

其中，所述光电二极管的阳极耦接第一电压端，所述光电二极管的阴极耦接第一节点；

所述第一晶体管的控制极耦接复位端，所述第一晶体管的第一极耦接所述第一电压端，所述第一晶体管的第二极耦接所述第一节点；

所述放大晶体管的控制极耦接所述第一节点，所述放大晶体管的第一极耦接第二节点，所述放大晶体管的第二极耦接第三节点；

所述第二晶体管的控制极耦接第一控制端，所述第二晶体管的第一极耦接第二电压端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第二节点；

所述第三晶体管的控制极耦接第二控制端，所述第三晶体管的第一极耦接所述第一节点，所述第三晶体管的第二极耦接所述第三节点；

所述电容器的第一端耦接所述第一电压端，所述电容器的第二端耦接所述第三节点；

所述第四晶体管的控制极耦接第三控制端，所述第四晶体管的第一极耦接所述第三节点，所述第四晶体管的第二极耦接输出端。

10.根据权利要求9所述的像素电路，其中，所有晶体管都为P型晶体管或者都为N型晶体管。

11.一种探测器，包括如权利要求1-10中任一项所述的像素电路。

12.一种用于驱动如权利要求1-10中任一项所述的像素电路的驱动方法，包括：

向所述复位端提供复位信号以复位所述第一节点的电压；

向所述第一控制端和所述第二控制端提供所述第一电压，向所述第三控制端提供所述第二电压；

向所述第一控制端继续提供所述第一电压，向所述第二控制端提供所述第二电压，以向所述第一节点提供由光信号转换成的电信号，在所述第三节点获得经放大的第一节点的电压；以及

向所述第一控制端提供所述第二电压，向所述第三控制端提供所述第一电压。