CN111052730B - 薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置 - Google Patents

薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置，所述薄膜半导体结构包括一像素(P11)，包括：光电二极管(102)，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；源跟随薄膜晶体管(106)，闸极耦接至光电二极管的一端；电流源(108)，耦接至源跟随薄膜晶体管的一源/漏极，当电流源被开启时，电流源供应电流给源跟随薄膜晶体管，当电流源被关闭时，电流源不供应电流给源跟随薄膜晶体管；以及电容(110)，一端耦接于源跟随薄膜晶体管的源/漏极；其中源跟随薄膜晶体管用来在光电二极管于曝光操作时，依据光电二极管中的电荷的改变，来改变电容中的电荷。

Description

薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置
技术领域
本申请涉及半导体结构，尤其涉及一种薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置。
背景技术
随著手持装置上的指纹辨识功能的普及，对于萤幕上能够执行指纹辨识的区域面积要求也越来越高，使用互补金属氧化物半导体结构实现的图像传感器，其成本远远高于使用薄膜半导体结构实现的图像传感器，但使用薄膜半导体结构实现的图像传感器有许多缺点需要克服，例如使用薄膜半导体结构实现的源跟随薄膜晶体管的操作速度远不及使用互补金属氧化物半导体结构实现的源跟随薄膜晶体管。
因此，需要进一步改良及创新以克服上述问题。
发明内容
本申请的目的之一在于公开一种薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置，来解决上述问题。
本申请的一实施例公开了一种薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括：像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；源跟随薄膜晶体管，所述源跟随薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的一端；电流源，耦接至所述源跟随薄膜晶体管的一源/漏极，当所述电流源被开启时，所述电流源供应电流给所述源跟随薄膜晶体管，当所述电流源被关闭时，所述电流源不供应电流给所述源跟随薄膜晶体管；以及电容，所述电容的一端耦接于所述源跟随薄膜晶体管的所述源/漏极；其中所述源跟随薄膜晶体管用来在所述光电二极管于所述曝光操作时，依据所述光电二极管中的所述电荷的改变，来改变所述电容中的电荷。
本申请的一实施例公开了一种图像传感器，包括上述的薄膜半导体结构；以及互补金属氧化物半导体结构，包括放大器耦接至所述薄膜半导体结构的所述像素阵列。
本申请的一实施例公开了一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，所述手持装置包括：显示面板，包括显示区域以及指纹感测区域，其中所述指纹感测区域包括上述的薄膜半导体结构，用以感测所述特定对象的指纹。
本申请所公开的薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置能在不影响效能的情况下降低成本。
附图说明
图1为本申请的图像传感器的实施例的示意图。
图2为本申请的薄膜半导体结构的第一实施例的示意图。
图3为本申请的薄膜半导体结构的第一实施例的操作时序图。
图4为本申请的薄膜半导体结构的第二实施例的示意图。
图5为本申请的薄膜半导体结构的第二实施例的操作时序图。
图6为本申请的薄膜半导体结构的第三实施例的示意图。
图7为本申请的薄膜半导体结构的第四实施例的示意图。
图8为本申请手持装置的实施例的示意图。
具体实施方式
以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随申请专利范围所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
传统使用互补金属氧化物半导体结构实现的像素阵列中的源跟随晶体管需要在曝光操作之后，快速地把曝光结果读出，时间长度大约是微秒等级。和互补金属氧化物半导体结构相比，薄膜半导体结构下的薄膜晶体管的迁移率较差，因此薄膜晶体管的速度远远慢于互补金属氧化物半导体结构下的晶体管速度。若直接将上述传统的像素阵列以薄膜半导体结构置换而不改变电路和操作方式，将会遇到源跟随薄膜晶体管速度不够的问题。
本申请所公开的薄膜半导体结构利用薄膜晶体管工艺来实现像素阵列，和传统的像素阵列不同的地方在于，本申请的像素阵列于曝光操作时，利用源跟随薄膜晶体管实时地将曝光结果读出并暂时储存到电容，待曝光操作结束后进入读出操作，才将所述电容中的电荷读出。由于曝光操作的时间足够长，大约是毫秒等级，因此源跟随薄膜晶体管有足够的时间能够将曝光结果读出并暂时储存到电容，解决了上述问题。
以下配合多个实施例及图式，详细说明本申请薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置的技术内容。
图1为本申请的图像传感器100的实施例的示意图。图像传感器100包括薄膜半导体结构101和互补金属氧化物半导体结构103。薄膜半导体结构101包括由多个像素构成的像素阵列，在图1中仅绘示了像素P11、P21、P12、P22，实际上所述像素阵列可包括例如n行*m列的像素阵列，其中n和m为大于0的整数。互补金属氧化物半导体结构103包括多个放大器，例如放大器103_1、103_22等，所述多个放大器分别耦接至薄膜半导体结构101的所述像素阵列中的多列像素。
所述像素阵列中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，在此实施例中，所述像素阵列中的所述多个像素可以一行像素一行像素地，将对应整行像素的多个电荷分别输出至互补金属氧化物半导体结构103中的多个放大器。例如将像素P11和像素P12的电荷分别通过位线BL1和位线BL2输出至互补金属氧化物半导体结构103中的放大器103_1和103_2，之后再把像素P21和像素P22的电荷分别通过位线BL1和位线BL2输出至互补金属氧化物半导体结构103中的放大器103_1和103_2。
图2为本申请的薄膜半导体结构101的第一实施例的示意图。为简要起见，图2仅绘示了薄膜半导体结构101中的像素P11，图2的像素P11包括光电二极管102、重置薄膜晶体管104、源跟随薄膜晶体管106、电流源108、电容110和行选择薄膜晶体管112。光电二极管102用来将光线转换为电荷，例如将从指纹反射进入光电二极管102的光线转换为电荷。光电二极管102的一端(阴极)耦接至源跟随薄膜晶体管106的闸极，光电二极管102的另一端(阳极)耦接至第一电压V1，在此实施例中，第一电压V1为接地电压，但本申请不以此限。重置薄膜晶体管104的源极耦接至源跟随薄膜晶体管106的闸极和光电二极管102的所述一端(阴极)，重置薄膜晶体管104的漏极耦接至第二电压V2，并依据重置薄膜晶体管104的闸极的控制信号R来选择性地被导通。在此实施例中，第二电压V2大于第一电压V1。
源跟随薄膜晶体管106的闸极耦接至光电二极管102的所述一端(阴极)和重置薄膜晶体管104的源极，源跟随薄膜晶体管106的漏极耦接至第二电压V2，源跟随薄膜晶体管106的源极耦接至电流源108。在本实施例中，电流源108以电流源薄膜晶体管108实现，电流源薄膜晶体管108的漏极耦接至源跟随薄膜晶体管106的源极，电流源薄膜晶体管108的源极耦接至第一电压V1，并依据电流源薄膜晶体管108的闸极的偏置电压B来选择性地被开启，当电流源薄膜晶体管108被开启时，电流源薄膜晶体管108供应偏置电流给源跟随薄膜晶体管106，使源跟随薄膜晶体管106可以运作；当电流源薄膜晶体管108被关闭时，电流源薄膜晶体管108无法正常地供应偏置电流给源跟随薄膜晶体管106，源跟随薄膜晶体管106变无法运作。在本实施例中，偏置电压B小于第二电压V2且大于第一电压V1。电容110的一端耦接至源跟随薄膜晶体管106的源极、电流源薄膜晶体管108的漏极和行选择薄膜晶体管112的源极。电容110的另一端耦接至第一电压V1。行选择薄膜晶体管112的漏极耦接至位线BL1，并依据行选择薄膜晶体管112的闸极的控制信号S来选择性地被导通。
以图2的像素P11为例，至少具有重置操作、曝光操作和读出操作三个操作阶段。图3为本申请的图像传感器100依据薄膜半导体结构101的第一实施例的操作时序图，图3的操作时序图亦以图2的像素P11为例。请同时参阅图2和图3，于所述重置操作时，重置薄膜晶体管104导通，电流源薄膜晶体管108导通，行选择薄膜晶体管112不导通。光电二极管102和电容110被重置，使光电二极管102和电容110在所述重置操作完成时，会具有对应的重置电压水平，也就是清除光电二极管102和电容110中对应前一次感测结果的电荷。
于所述重置操作后，图2的像素P11会进入所述曝光操作，此时重置薄膜晶体管104不导通，电流源薄膜晶体管108导通，行选择薄膜晶体管112不导通。光电二极管102会将光线转换为光电子，即电荷，例如将从指纹反射进入光电二极管102的光线转换为电荷，由于电荷进入光电二极管102，光电二极管102对应的重置电压水平会降低，行选择薄膜晶体管112实时地依据光电二极管102中的电荷的改变，对应地改变电容110中的电荷，使电容110连带地被放电。具体来说，由于电流源薄膜晶体管108被导通并供应额外电流给源跟随薄膜晶体管112，因此源跟随薄膜晶体管112可以放大光电二极管102中的电荷的改变，并且体现在电容110中。一般来说，所述曝光操作的时间很长，即光电二极管102的曝光时间很长，大约是毫秒等级，因此源跟随薄膜晶体管112有足够的时间能够改变电容110中的电荷，克服了薄膜半导体结构下的薄膜晶体管的迁移率较差、速度较慢的问题。
于所述曝光操作后，图2的像素P11会进入所述读出操作，此时重置薄膜晶体管104不导通，电流源薄膜晶体管108不导通，行选择薄膜晶体管112被导通。此时，由于电流源薄膜晶体管108不继续供应额外电流给源跟随薄膜晶体管112，因此源跟随薄膜晶体管112不再改变电容110中的电荷，电容110中的电荷会通过行选择薄膜晶体管112的漏极从位线BL1输出。请同时参考图2和图1的放大器103_1的电路，放大器103_1为电流模灵敏放大器，且放大器103_1包括运放114以及另一电容116，运放114具有正端(+)、负端(-)和输出端VO，所述正端(+)耦接至共模电压VCM，另一电容116耦接于所述负端(-)和输出端VO之间，使位线BL1的电压水平被限制在共模电压VCM，当电容110中的电荷以电流形式通过行选择薄膜晶体管112的漏极从位线BL1输出时，会储存到另一电容116，藉以改变输出端VO的电压水平，换句话说，图2的像素P11的感测结果被读出至输出端VO。于所述读出操作后，图2的像素P11会重复上述重置、曝光和读出操作以进行下一轮的感测。
在某些实施例中，可在所述重置操作和所述曝光操作之间，额外增加一次所述读出操作，以在输出端VO得到代表重置值的电压水平，由于不同像素的代表重置值的电压水平可能会有不同程度的误差，因此，可将所述曝光操作之后的所述读出操作所得到的输出端VO的电压水平减去代表重置值的电压水平以消去所述的误差，也就是说，图2的像素P11亦可重复上述重置、读出、曝光和读出操作。
图4为本申请的薄膜半导体结构101的第二实施例的示意图。和图2相同，图4仅绘示了薄膜半导体结构101中的像素P11，和图2不同的地方在于，图4中的实施例多了开关212，依据开关212的闸极的控制信号S2来选择性地被导通，开关212的源极耦接至源跟随薄膜晶体管106的源极，开关212的漏极耦接于行选择薄膜晶体管112的源极和电容110的所述一端。
图4的像素P11也具有重置操作、曝光操作和读出操作三个操作阶段。图5为本申请的图像传感器100依据薄膜半导体结构101的第二实施例的操作时序图，图5的操作时序图亦以图4的像素P11为例。请同时参阅图4和图5，于所述重置操作时，重置薄膜晶体管104导通，电流源薄膜晶体管108导通，开关212被导通，行选择薄膜晶体管112不导通。光电二极管102和电容110被重置，使光电二极管102和电容110在所述重置操作完成时，会具有对应的重置电压水平，也就是清除光电二极管102和电容110中对应前一次感测结果的电荷。
于所述重置操作后，图4的像素P11会进入所述曝光操作，此时重置薄膜晶体管104不导通，电流源薄膜晶体管108导通，开关212被导通，行选择薄膜晶体管112不导通。其他操作细节和图2的像素P11相同。于所述曝光操作后，图4的像素P11会进入所述读出操作，此时重置薄膜晶体管104不导通，开关212不导通，行选择薄膜晶体管112被导通。此时，由于开关212不导通，因此源跟随薄膜晶体管112不再改变电容110中的电荷，电容110中的电荷会通过行选择薄膜晶体管112的漏极从位线BL1输出。此时电流源薄膜晶体管108可导通或不导通，皆不会影响结果。
额外使用开关212的好处在于，当行选择薄膜晶体管112被导通时，行选择薄膜晶体管112要吸引电荷形成通道，若没有开关212，则难免会将电容110中的部分电荷吸引过去，因为电容110中的电荷本来应该全部用来反应感测结果，所以损失了部分电荷会影响像素P11在输出端VO的感测结果的精准度。图4的像素P11的开关212在所述曝光操作和所述读出操作时的导通与否情况和行选择薄膜晶体管112相反，因此，图4的像素P11在从所述曝光操作转换至所述读出操作时，开关212释放的电荷便可直接从开关212迁移至行选择薄膜晶体管112以形成通道，如此一来便不会影响电容110中的电荷。在某些实施例中，开关212和行选择薄膜晶体管112尽量设计成彼此匹配，例如控制信号S的高电压水平和控制信号S2的高电压水平相同，开关212和行选择薄膜晶体管112的尺寸相同，及/或开关212和行选择薄膜晶体管112的通道长度相同，使图4的像素P11在从所述曝光操作转换至所述读出操作时，开关212释放的电荷和行选择薄膜晶体管112需要形成通道的电荷相同。
图2的实施例中，像素P11中的重置薄膜晶体管104、源跟随薄膜晶体管106、电流源薄膜晶体管108和行选择薄膜晶体管112都是N型薄膜晶体管。图4的实施例中，像素P11中的重置薄膜晶体管104、源跟随薄膜晶体管106、电流源薄膜晶体管108、开关212和行选择薄膜晶体管112都是N型薄膜晶体管。也就是说，图2和图4的实施例中，像素P11中的所有薄膜晶体管的极性均相同。但本申请不以此限，在某些实施例中，像素P11中的薄膜晶体管亦可以均为P型薄膜晶体管。在某些实施例中，像素P11中的薄膜晶体管可以同时具有N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管。
图6为本申请的薄膜半导体结构101的第三实施例的示意图。图6的像素P11为将图2的像素P11中均为N型薄膜晶体管的的重置薄膜晶体管104、源跟随薄膜晶体管106、电流源薄膜晶体管108和行选择薄膜晶体管112置换为均为P型薄膜晶体管的重置薄膜晶体管304、源跟随薄膜晶体管306、电流源薄膜晶体管308和行选择薄膜晶体管312，并且因应薄膜晶体管极性的改变，图6的像素P11中元件的配置方式亦做了相应的调整，但操作方式和图2的像素P11相同，其细节便不多做赘述。
图7为本申请的薄膜半导体结构101的第四实施例的示意图。图7的像素P11为将图4的像素P11中均为N型薄膜晶体管的的重置薄膜晶体管104、源跟随薄膜晶体管106、电流源薄膜晶体管108、开关212和行选择薄膜晶体管112置换为均为P型薄膜晶体管的重置薄膜晶体管304、源跟随薄膜晶体管306、电流源薄膜晶体管308、开关412和行选择薄膜晶体管312，并且因应薄膜晶体管极性的改变，图7的像素P11中元件的配置方式亦做了相应的调整，但操作方式和图4的像素P11相同，其细节便不多做赘述。
在某些实施例中，图像传感器100另可包括微透镜(未绘示于图中)设置于薄膜半导体结构101的像素阵列之上。在某些实施例中，图像传感器100另可包括滤光片(未绘示于图中)设置于薄膜半导体结构101的像素阵列和所述微透镜之间或者设置于所述微透镜之上，用以让具有特定波长的特定光波通过。
图8为本申请手持装置的实施例的示意图。手持装置600用以感测一特定对象的指纹，手持装置600包括显示面板602以及薄膜半导体结构101，在某些实施例中，薄膜半导体结构101设置于显示面板602之下，用以感测所述特定对象的指纹。在某些实施例中，薄膜半导体结构101和显示面板602可整合在一起，举例来说，显示面板602为薄膜半导体显示面板，包括显示区域以及指纹感测区域，所述指纹感测区域即为薄膜半导体结构101所在区域。手持装置600可用来进行光学式屏下/屏内指纹感测以感测特定对象的指纹。其中，手持装置600可为例如智能型手机、个人数字助理、手持式计算机系统或平板计算机等任何手持式电子装置。且由于薄膜半导体结构101的成本相较于传统使用互补金属氧化物半导体结构的像素感测元件来的低，因此手持装置600的薄膜半导体结构101可以具有较大的面积，方便使用者进行指纹感测，例如薄膜半导体结构101的面积可达显示面板602的1/4到1/2，甚至更大。
上文的叙述简要地提出了本申请某些实施例之特征，而使得本申请所属技术领域具有通常知识者能够更全面地理解本揭示内容的多种态样。本申请所属技术领域具有通常知识者当可明了，其可轻易地利用本揭示内容作为基础，来设计或更动其他工艺与结构，以实现与此处所述之实施方式相同的目的和/或达到相同的优点。本申请所属技术领域具有通常知识者应当明白，这些均等的实施方式仍属于本揭示内容之精神与范围，且其可进行各种变更、替代与更动，而不会悖离本揭示内容之精神与范围。

Claims (19)

1.一种薄膜半导体结构，其特征在于，包括：
像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：
光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；
源跟随薄膜晶体管，所述源跟随薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的一端；
电流源，耦接至所述源跟随薄膜晶体管的一源/漏极，当所述电流源被开启时，所述电流源供应电流给所述源跟随薄膜晶体管，当所述电流源被关闭时，所述电流源不供应电流给所述源跟随薄膜晶体管；以及
电容，所述电容的一端耦接于所述源跟随薄膜晶体管的所述源/漏极；
其中，于所述曝光操作时，所述电流源被开启，使所述源跟随薄膜晶体管得以依据所述光电二极管中的所述电荷的改变，来改变所述电容中的电荷。
2.如权利要求1所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括行选择薄膜晶体管，所述行选择薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述源跟随薄膜晶体管的所述源/漏极和所述电容的所述一端。
3.如权利要求2所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述行选择薄膜晶体管用来在读出操作时，通过所述行选择薄膜晶体管的另一源/漏极，将所述电容中的所述电荷输出。
4.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，于所述读出操作时，所述电流源被关闭，所述电容中的所述电荷从所述行选择薄膜晶体管输出。
5.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括开关，所述开关的一端耦接于所述源跟随薄膜晶体管的所述源/漏极，所述开关的另一端耦接于所述行选择薄膜晶体管的所述源/漏极和所述电容的所述一端。
6.如权利要求5所述的薄膜半导体结构，其特征在于，于所述曝光操作时，所述开关导通，使所述源跟随薄膜晶体管得以改变所述电容中的电荷。
7.如权利要求6所述的薄膜半导体结构，其特征在于，于所述读出操作时，所述开关不导通。
8.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括重置薄膜晶体管，所述重置薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述源跟随薄膜晶体管的所述闸极和所述光电二极管的所述一端。
9.如权利要求8所述的薄膜半导体结构，其特征在于，于重置操作时，所述重置薄膜晶体管导通以重置所述光电二极管和所述电容。
10.如权利要求9所述的薄膜半导体结构，其特征在于，于所述曝光操作和所述读出操作时，所述重置薄膜晶体管不导通。
11.如权利要求8所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述电流源包括电流源薄膜晶体管，所述电流源薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述源跟随薄膜晶体管的所述源/漏极。
12.如权利要求11所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述源跟随薄膜晶体管、行选择薄膜晶体管、所述重置薄膜晶体管和所述电流源薄膜晶体管的极性均相同。
13.如权利要求1所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述像素阵列中的所述多个像素以一行像素一行像素的模式输出所述多个电流以代表对应像素的所述感测结果。
14.一种图像传感器，其特征在于，包括：
如权利要求1-13中任意一项所述的薄膜半导体结构；以及
互补金属氧化物半导体结构，包括放大器耦接至所述薄膜半导体结构的所述像素阵列。
15.如权利要求14所述的图像传感器，其特征在于，所述放大器为电流模灵敏放大器，且所述电流模灵敏放大器包括：
运放，具有正端、负端和输出端；以及
另一电容，耦接于所述运放的所述负端和所述输出端之间，所述另一电容用来储存所述多个像素的至少其中之一所输出的电荷。
16.如权利要求14所述的图像传感器，其特征在于，另包括微透镜，设置在所述薄膜半导体结构上。
17.如权利要求16所述的图像传感器，其特征在于，另包括滤光片，所述滤光片设置在所述薄膜半导体结构和所述微透镜之间或者设置于所述微透镜之上。
18.一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，其特征在于，所述手持装置包括：
显示面板；以及
如权利要求1-13中任一项所述的薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构设置于所述显示面板之下，用以感测所述特定对象的指纹。
19.一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，其特征在于，所述手持装置包括：
显示面板，包括显示区域以及指纹感测区域，其中所述指纹感测区域包括如权利要求1-13中任一项所述的薄膜半导体结构，用以感测所述特定对象的指纹。
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