CN108170195A - 源极跟随器 - Google Patents

Abstract

一种源极跟随器，具有第一晶体管、第一输出模块、第二晶体管、第二输出模块与反馈模块；第一晶体管的第一端用以接收第一基准电压，第一晶体管的第二端电性连接第一输出端，第一晶体管的控制端用以接收第一控制电压，第一输出模块电性连接第一输出端；第二晶体管的第一端用以接收第一基准电压，第二晶体管的第二端电性连接第二输出端，第二晶体管的控制端用以接收第一控制电压；第二输出模块电性连接第二输出端；反馈模块电性连接第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端与第二输出模块中的参考节点。本发明所提供的源极跟随器具有反馈模块，源极跟随器借助于反馈模块稳定所输出的电流，从而克服了压力、体积与温度对于源极跟随器电流的影响。

Description

源极跟随器

技术领域

本发明涉及一种源极跟随器，特别是一种具有反馈电路的源极跟随器。

背景技术

在传统的电路设计上，会设置源极跟随器(source follower)电路于可程序化增益放大器(programmable gain amplifier，PGA)的前端。相较于不具源极跟随器的电路，在设置有源极跟随器的电路中，相对于可程序化增益放大器而言，其前端电路所提供的输出阻抗会较低。在一种做法中，源极跟随器会例如使用金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)当做缓冲器与转换阻抗。但是，源极跟随器中的元件容易受到压力、体积与温度(process，voltage and temperature，PVT)影响而有程度不一的老化，从而导致源极跟随器因为这些因素而输出预期之外的电压或者是电流，以致于整体电路的效能也会受到影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种源极跟随器，以克服压力、体积与温度对输出电压电流的影响。

本发明所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的：

一种源极跟随器，所述的源极跟随器具有第一晶体管、第一输出模块、第二晶体管、第二输出模块与反馈模块；第一晶体管的第一端用以接收第一基准电压，第一晶体管的第二端电性连接第一输出端，第一晶体管的控制端用以接收第一控制电压，第一晶体管用以依据第一控制电压产生第一电流；第一输出模块电性连接第一输出端，第一输出模块依据输入信号与第一电流提供输出电压至第一输出端；第二晶体管的第一端用以接收第一基准电压，第二晶体管的第二端电性连接第二输出端，第二晶体管的控制端用以接收第一控制电压，第二晶体管用以依据第一控制电压产生第二电流；第二输出模块电性连接第二输出端，第二输出模块依据第二基准电压与第二电流提供共模电压至第二输出端；反馈模块电性连接第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端与第二输出模块中的参考节点，反馈模块用以依据参考电压调整参考节点的电压电平与第一控制电压的电压电平。

更好地，该第一输出模块具有另一参考节点，该反馈模块电性连接该另一参考节点，且该反馈模块依据该参考电压调整该另一参考节点的电压电平，该反馈模块包括：一第一差动对，具有一第一控制端、一第二控制端、一第一电流端、一第二电流端与一第三电流端，该第一控制端电性连接该参考节点，该第二控制端用以接收该参考电压，该第一差动对用以依据该第一控制端的电压电平与该第二控制端的电压电平控制流经该第一差动对的该些电流端的电流；一第二差动对，具有一第三控制端、一第四控制端、一第四电流端、一第五电流端与一第六电流端，该第三控制端用以接收该参考电压，该第四控制端电性连接该另一参考节点，该第二差动对用以依据该第三控制端的电压电平与该第四控制端的电压电平控制流经该第二差动对的该些电流端的电流；以及一汇流单元，该汇流单元电性连接该第一晶体管与该第二晶体管，且该汇流单元具有一第一汇流端与一第二汇流端，该第一汇流端电性连接该第三电流端与该第五电流端，该第二汇流端电性连接该第二电流端与该第六电流端，该汇流单元用以依据流经该第三电流端的电流、流经该第四电流端的电流、流经该第五电流端的电流与流经该第六电流端的电流控制流经该第一晶体管的电流与流经该第二晶体管的电流。

更好地，该第一差动对包括一第五晶体管与一第六晶体管，该第二差动对包括一第七晶体管与一第八晶体管，该第五晶体管的第一端电性连接该第一电流端，该第五晶体管的第二端电性连接该第二电流端，该第五晶体管的控制端电性连接该第一控制端，该第六晶体管的第一端电性连接该第一电流端，该第六晶体管的第二端电性连接该第三电流端，该第六晶体管的控制端电性连接该第二控制端，该第七晶体管的第一端电性连接该第四电流端，该第七晶体管的第二端电性连接该第五电流端，该第七晶体管的控制端电性连接该第三控制端，该第八晶体管的第一端电性连接该第四电流端，该第八晶体管的第二端电性连接该第六电流端，该第八晶体管的控制端电性连接该第四控制端。

更好地，该汇流单元包括一第九晶体管与一第十晶体管，该第九晶体管的第一端电性连接该第一汇流端，该第九晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第九晶体管的控制端电性连接该第一汇流端，该第十晶体管的第一端电性连接该第二汇流端，该第十晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第十晶体管的控制端电性连接该第二汇流端。

更好地，包括一第十一晶体管与一第十二晶体管，该第十一晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第十一晶体管的控制端电性连接该第十晶体管的控制端，该第十二晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十二晶体管的第二端电性连接该第十一晶体管的第一端，该第十二晶体管的控制端电性连接该第十二晶体管的第二端，且该第十二晶体管的控制端电性连接该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端。

更好地，包括一第十三晶体管、第十四晶体管、一第十五晶体管与一电流源，该第十三晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十三晶体管的第二端电性连接该第一电流端，该第十四晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十四晶体管的第二端电性连接该第四电流端，该第十五晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十五晶体管的第二端电性连接该电流源的一端，该第十五晶体管的控制端电性连接该第十三晶体管的控制端、第十四晶体管的控制端与该十五晶体管的第二端，该电流源的另一端用以接收该第二基准电压。

更好地，该反馈模块包括一放大器，该放大器的第一输入端用以接收该参考电压，该放大器的第二输入端电性连接该参考节点，该放大器的输出端电性连接该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端，该放大器经由输出端提供该第一控制电压。

更好地，该第一输出模块包括：一第三晶体管，该第三晶体管的第一端电性连接该第一晶体管的第二端，该第三晶体管的控制端用以接收该输入电压；以及一第一电阻，该第一电阻的一端电性连接该第三晶体管的第二端，该第一电阻的另一端用以接收该第二基准电压。

更好地，该第一输出模块包括一第一二极管与一第二二极管，该第一二极管的阳极端电性连接该第三晶体管的控制端，该第一二极管的阴极端用以接收该第二基准电压，该第二二极管的阳极端用以接收该第二基准电压，该第二二极管的阴极端电性连接该第三晶体管的控制端。

更好地，该第一二极管与该第二二极管为多晶硅二极管。

更好地，该第二输出模块包括：一第四晶体管，该第四晶体管的第一端电性连接该第二晶体管的第二端，该第四晶体管的控制端用以接收该第二基准电压；以及一第二电阻，该第二电阻的一端电性连接该第四晶体管的第二端，该第二电阻的另一端用以接收该第二基准电压。

更好地，该第二输出模块包括一第三二极管与一第四二极管，该第三二极管的阳极端电性连接该第四晶体管的控制端，该第三二极管的阴极端用以接收该第二基准电压，该第四二极管的阳极端用以接收该第二基准电压，该第四二极管的阴极端电性连接该第四晶体管的控制端。

更好地，该第三二极管与该第四二极管为多晶硅二极管。

综合以上所述，本发明所提供的源极跟随器具有反馈模块，源极跟随器借助于反馈模块稳定所输出的电流。因此，即使受到压力、体积与温度的影响，源极跟随器所输出的电流仍不至于有太大的偏移，从而克服了压力、体积与温度对于源极跟随器电流的影响。

以上的记载内容的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的权利要求保护范围更进一步的解释。

附图说明

图1为本发明一实施例的源极跟随器的电路示意图；

图2为本发明另一实施例的源极跟随器的电路示意图。

【附图标记说明】

1、2 源极跟随器

12、22 第一输出模块

14、24 第二输出模块

16、26 反馈模块

262 第一差动对

264 第二差动对

266 汇流单元

D1、D2 二极管

VDD、GND 基准电压

IB1、IB2 电流

IDC 电流源

NC1～NC4、NI1～NI6、NIN1、NIN2 端点

NO、NO1、NO2、NS1、NS2 端点

N1、N2 参考节点

OP 运算放大器

R1、R2 电阻

T1～T15 晶体管

VC1 控制电压

VCM 共模电压

VIN 输入电压

VIN_SF 输出电压

VREF 参考电压

具体实施方式

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使本领域普通技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所记载的内容、权利要求保护范围及附图，本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。

图1为本发明一实施例的源极跟随器的电路示意图。如图1所示，源极跟随器1具有第一晶体管T1、第一输出模块12、第二晶体管T2、第二输出模块14与反馈模块16。

第一晶体管T1的第一端用以接收第一基准电压VDD。第一晶体管T1的第二端电性连接第一输出端NO1。第一晶体管T1的控制端用以接收第一控制电压VC1。第一晶体管T1用以依据第一控制电压VC1产生第一电流IB1。第二晶体管T2的第一端用以接收第一基准电压VDD。第二晶体管T2的第二端电性连接第二输出端NO2。第二晶体管T2的控制端用以接收第一控制电压VC1。第二晶体管T2用以依据第一控制电压VC1产生第二电流IB2。在此实施例中，第一晶体管T1与第二晶体管T2例如为P型金属半导体氧化物场效晶体管，但不以此为限。第一基准电压VDD例如为系统中一个相对高的电压电平，第二基准电压GND例如为系统中一个相对低的电压电平，且第一基准电压VDD高于第二基准电压GND。然上述晶体管的类型与基准电压的相对高低为本领域普通技术人员经详阅本说明书后可自由设计，在此并不加以限制。

第一输出模块12电性连接第一输出端NO1。第一输出模块12依据输入信号VIN与第一电流IB1提供输出电压VIN_SF至第一输出端NO1。第二输出模块14电性连接第二输出端NO2。第二输出模块14依据第二基准电压GND与第二电流IB2提供共模电压VCM至第二输出端NO2。

反馈模块16电性连接第一晶体管T1的控制端、第二晶体管T2的控制端与第二输出模块14中的参考节点N2。反馈模块16用以依据参考电压VREF调整参考节点N2的电压电平VN与第一控制电压VC1的电压电平。

更详细地来说，在图1所示的实施例中，第一输出模块12例如具有第三晶体管T3与第一电阻R1。第三晶体管T3的第一端电性连接第一晶体管T1的第二端。第三晶体管T3的控制端用以接收输入电压VIN。第一电阻R1的一端电性连接第三晶体管T3的第二端。第一电阻R1的另一端用以接收第二基准电压GND。

此外，第一输出模块12例如具有第一二极管D1与第二二极管D2。第一二极管D1的阳极端电性连接第三晶体管T3的控制端。第一二极管D1的阴极端用以接收第二基准电压GND。第二二极管D2的阳极端用以接收第二基准电压GND。第二二极管D2的阴极端电性连接第三晶体管T3的控制端。第一二极管D1与第二二极管D2做为偏压单元使用，以给定第三晶体管T3的控制端接收到的电压。需注意的是，以第一二极管D1与第二二极管D2做为偏压单元为一种选择性的设计，源极跟随器并不必然具有第一二极管D1与第二二极管D2。第一二极管D1与第二二极管D2例如为多晶硅二极管(poly-silicon diode)。

第二输出模块14例如具有第四晶体管T4与第二电阻R2。第四晶体管T4的第一端电性连接第二晶体管T2的第二端。第四晶体管T4的控制端用以接收第二基准电压GND。第二电阻R2的一端电性连接第四晶体管T4的第二端。第二电阻R2的另一端用以接收第二基准电压GND。

于一实施例中，第二输出模块14包括第三二极管与第四二极管。第三二极管的阳极端电性连接第四晶体管T4的控制端。第三二极管的阴极端用以接收第二基准电压GND。第四二极管的阳极端用以接收第二基准电压GND。第四二极管的阴极端电性连接第四晶体管T4的控制端。第三二极管与第四二极管做为偏压单元使用，以给定第四晶体管T4的控制端接收到的电压。另一方面，当第一输出模块12具有第一二极管D1与第二二极管D2时，第二输出模块14也具有第三二极管与第四二极管更可提升整体电路的对称性。第三二极管与第四二极管例如为多晶硅二极管。

在图1所示的实施例中，反馈模块16包括运算放大器OP。运算放大器OP的第一输入端NIN1用以接收参考电压VREF。运算放大器OP的第二输入端NIN2电性连接参考节点N2。运算放大器OP的输出端NO电性连接第一晶体管T1的控制端与第二晶体管T2的控制端。运算放大器OP经由输出端NO提供第一控制电压VC1。在这样的架构之下，基于放大器输入端的虚短路特性，参考节点N2的电压电平VN大致上会相等于参考电压VREF，而且第二电阻R2基本上属被动元件而较不受到压力、体积与温度的影响，因此流经第二电阻R2的电流大致上为定值。另一方面，第一晶体管T1与第二晶体管T2组成电流镜，因此流经第一晶体管T1与第三晶体管的第一电流IB1也得以较不受到压力、体积与温度的影响。借助于上述的电路结构，源极跟随器1得以避免了当第四晶体管T4的特性因为压力、体积与温度而变动时所造成的电压电流漂移。

请参照图2，图2为本发明另一实施例的源极跟随器的电路示意图。如图2所示，源极跟随器2具有第一晶体管T1、第一输出模块22、第二晶体管T2、第二输出模块24与反馈模块26。其中，第一晶体管T1、第一输出模块22、第二晶体管T2与第二输出模块24之间的连接关系与电路架构大致上相仿于图1所示的实施例，于此不再赘述。于图2所示的实施例中，第一输出模块22具有参考节点N1，参考节点N1具有电压电平VP。反馈模块26电性连接参考节点N1，且反馈模块26依据参考电压VREF调整参考节点N1的电压电平VP。在图2所示的实施例中，反馈模块26具有第一差动对262、第二差动对264与汇流单元266。以下就第一差动对262、第二差动对264与汇流单元266分别进行说明。

第一差动对262具有第一控制端NC1、第二控制端NC2、第一电流端NI1、第二电流端NI2与第三电流端NI3。第一控制端NC1电性连接参考节点N2。第二控制端NC2用以接收参考电压VREF。第一差动对262用以依据第一控制端NC1的电压电平与第二控制端NC2的电压电平控制流经第一电流端NI1的电流、流经第二电流端NI2的电流与流经第三电流端NI3的电流。更详细地来说，第一差动对262例如具有第五晶体管T5与第六晶体管T6。第五晶体管T5的第一端电性连接第一电流端NI1。第五晶体管T5的第二端电性连接第二电流端NI2。第五晶体管T5的控制端电性连接第一控制端NC1。第六晶体管T6的第一端电性连接第一电流端NI1。第六晶体管T6的第二端电性连接第三电流端NI3。第六晶体管T6的控制端电性连接第二控制端NC2。流经第一电流端NI1的电流大致上为流经第二电流端NI2的电流与流经第三电流端NI3的电流的总和。而第一控制端NC1的电压电平与第二控制端NC2的电压电平的相对大小则影响流经第二电流端NI2的电流与流经第三电流端NI3的电流之间的比例。

第二差动对264具有第三控制端NC3、第四控制端NC4、第四电流端NI4、第五电流端NI5与第六电流端NI6。第三控制端NC3用以接收参考电压VREF。第四控制端NC4电性连接参考节点N1。第二差动对264用以依据第三控制端NC3的电压电平与第四控制端NC4的电压电平控制流经第四电流端NI4的电流、流经第五电流端NI5的电流与流经第六电流端NI6的电流。更详细地来说，第二差动对264例如具有第七晶体管T7与第八晶体管T8。第七晶体管T7的第一端电性连接第四电流端NI4。第七晶体管T7的第二端电性连接第五电流端NI5。第七晶体管T7的控制端电性连接第三控制端NC3。第八晶体管T8的第一端电性连接第四电流端NI4，第八晶体管T8的第二端电性连接第六电流端NI6，第八晶体管T8的控制端电性连接第四控制端NC4。流经第四电流端NI4的电流大致上为流经第五电流端NI5的电流与流经第六电流端NI6的电流的总和。而第三控制端NC3的电压电平与第四控制端NC4的电压电平的相对大小则影响流经第五电流端NI5的电流与流经第六电流端NI6的电流之间的比例。

汇流单元266电性连接第一晶体管T1的控制端与第二晶体管T2控制端。汇流单元266具有第一汇流端NS1与第二汇流端NS2。第一汇流端NS1电性连接第三电流端NI3与第五电流端NI5。第二汇流端NS2电性连接第二电流端NI2与第六电流端NI6。汇流单元266用以依据流经第二电流端NI2的电流、流经第三电流端NI3的电流、流经第五电流端NI5的电流与流经第六电流端NI6的电流，以控制流经第一晶体管T1的电流与控制流经第二晶体管T2的电流。

更详细地来说，汇流单元266例如具有第九晶体管T9与第十晶体管T10。第九晶体管T9的第一端电性连接第一汇流端NS1。第九晶体管T9的第二端用以接收第二基准电压GND。第九晶体管T9的控制端电性连接第一汇流端NS1。第十晶体管T10的第一端电性连接第二汇流端NS2。第十晶体管T10的第二端用以接收第二基准电压GND。第十晶体管T10的控制端电性连接第二汇流端NS2。从另一个角度来说，第九晶体管T9用以汇流流经第六晶体管T6的电流与流经第七晶体管T7的电流，第十晶体管T10用以汇流流经第五晶体管T5的电流与流经第八晶体管T8的电流。

除了如上所述的元件之外，源极跟随器2具有第十一晶体管T11与第十二晶体管T12。第十一晶体管T1的第二端用以接收第二基准电压GND。第十一晶体管T1的控制端电性连接第十晶体管T10的控制端。第十二晶体管T12的第一端用以接收第一基准电压VDD。第十二晶体管T12的第二端电性连接第十一晶体管T11的第一端。第十二晶体管T12的控制端电性连接第十二晶体管T12的第二端。且第十二晶体管T12的控制端电性连接第一晶体管T1的控制端与第二晶体管T2的控制端。其中第十二晶体管T12用以与第一晶体管T1组成电流镜，且第十二晶体管T12用以与第二晶体管T2组成电流镜。第十一晶体管T11则用以与汇流单元266中的第十晶体管10组成电流镜以作为电流源提供相应的电流给第十二晶体管T12。

源极跟随器2具有第十三晶体管T13、第十四晶体管T14、第十五晶体管T15与电流源IDC。第十三晶体管T13的第一端用以接收第一基准电压VDD。第十三晶体管T13的第二端电性连接第一电流端NI1。第十四晶体管T14的第一端用以接收第一基准电压VDD。第十四晶体管T14的第二端电性连接第四电流端NI4。第十五晶体管T15的第一端用以接收第一基准电压VDD。第十五晶体管T15的第二端电性连接电流源IDC的一端。第十五晶体管T15的控制端电性连接第十三晶体管T13的控制端、第十四晶体管T14的控制端与十五晶体管T15的第二端。电流源IDC的另一端用以接收第二基准电压GND。其中，第十三晶体管T13、第十四晶体管T4与十五晶体管T15组成电流镜，以提供电流给第一差动对262与第二差动对264。

综合以上所述，本发明所提供的源极跟随器具有反馈模块，且源极跟随器具有至少一个电阻等被动元件。借助于设置反馈模块与电阻等被动元件如前述各实施例的结构，源极跟随器得以稳定所输出的电流。即使受到压力、体积与温度的影响，而使得元件老化或者是特性有所变异，源极跟随器所输出的电流仍不至于有太大的偏移，从而克服了以往压力、体积与温度对于源极跟随器电流的影响。

Claims (13)

1.一种源极跟随器，其特征在于，包括：

一第一晶体管，该第一晶体管的第一端用以接收一第一基准电压，该第一晶体管的第二端电性连接一第一输出端，该第一晶体管的控制端用以接收一第一控制电压，该第一晶体管用以依据该第一控制电压产生一第一电流；

一第一输出模块，电性连接该第一输出端，该第一输出模块依据一输入信号与该第一电流提供一输出电压至该第一输出端；

一第二晶体管，该第二晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第二晶体管的第二端电性连接一第二输出端，该第二晶体管的控制端用以接收该第一控制电压，该第二晶体管用以依据该第一控制电压产生一第二电流；

一第二输出模块，电性连接该第二输出端，该第二输出模块依据一第二基准电压与该第二电流提供一共模电压至该第二输出端；以及

一反馈模块，电性连接该第一晶体管的控制端、该第二晶体管的控制端与该第二输出模块中的一参考节点，该反馈模块用以依据一参考电压调整该参考节点的电压电平与该第一控制电压的电压电平。

2.如权利要求1所述的源极跟随器，其特征在于，该第一输出模块具有另一参考节点，该反馈模块电性连接该另一参考节点，且该反馈模块依据该参考电压调整该另一参考节点的电压电平，该反馈模块包括：

一第一差动对，具有一第一控制端、一第二控制端、一第一电流端、一第二电流端与一第三电流端，该第一控制端电性连接该参考节点，该第二控制端用以接收该参考电压，该第一差动对用以依据该第一控制端的电压电平与该第二控制端的电压电平控制流经该第一差动对的该些电流端的电流；

一第二差动对，具有一第三控制端、一第四控制端、一第四电流端、一第五电流端与一第六电流端，该第三控制端用以接收该参考电压，该第四控制端电性连接该另一参考节点，该第二差动对用以依据该第三控制端的电压电平与该第四控制端的电压电平控制流经该第二差动对的该些电流端的电流；以及

一汇流单元，该汇流单元电性连接该第一晶体管与该第二晶体管，且该汇流单元具有一第一汇流端与一第二汇流端，该第一汇流端电性连接该第三电流端与该第五电流端，该第二汇流端电性连接该第二电流端与该第六电流端，该汇流单元用以依据流经该第三电流端的电流、流经该第四电流端的电流、流经该第五电流端的电流与流经该第六电流端的电流控制流经该第一晶体管的电流与流经该第二晶体管的电流。

3.如权利要求2所述的源极跟随器，其特征在于，该第一差动对包括一第五晶体管与一第六晶体管，该第二差动对包括一第七晶体管与一第八晶体管，该第五晶体管的第一端电性连接该第一电流端，该第五晶体管的第二端电性连接该第二电流端，该第五晶体管的控制端电性连接该第一控制端，该第六晶体管的第一端电性连接该第一电流端，该第六晶体管的第二端电性连接该第三电流端，该第六晶体管的控制端电性连接该第二控制端，该第七晶体管的第一端电性连接该第四电流端，该第七晶体管的第二端电性连接该第五电流端，该第七晶体管的控制端电性连接该第三控制端，该第八晶体管的第一端电性连接该第四电流端，该第八晶体管的第二端电性连接该第六电流端，该第八晶体管的控制端电性连接该第四控制端。

4.如权利要求2所述的源极跟随器，其特征在于，该汇流单元包括一第九晶体管与一第十晶体管，该第九晶体管的第一端电性连接该第一汇流端，该第九晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第九晶体管的控制端电性连接该第一汇流端，该第十晶体管的第一端电性连接该第二汇流端，该第十晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第十晶体管的控制端电性连接该第二汇流端。

5.如权利要求4所述的源极跟随器，其特征在于，包括一第十一晶体管与一第十二晶体管，该第十一晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第十一晶体管的控制端电性连接该第十晶体管的控制端，该第十二晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十二晶体管的第二端电性连接该第十一晶体管的第一端，该第十二晶体管的控制端电性连接该第十二晶体管的第二端，且该第十二晶体管的控制端电性连接该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端。

6.如权利要求5所述的源极跟随器，其特征在于，包括一第十三晶体管、第十四晶体管、一第十五晶体管与一电流源，该第十三晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十三晶体管的第二端电性连接该第一电流端，该第十四晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十四晶体管的第二端电性连接该第四电流端，该第十五晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第十五晶体管的第二端电性连接该电流源的一端，该第十五晶体管的控制端电性连接该第十三晶体管的控制端、第十四晶体管的控制端与该十五晶体管的第二端，该电流源的另一端用以接收该第二基准电压。

7.如权利要求1所述的源极跟随器，其特征在于，该反馈模块包括一放大器，该放大器的第一输入端用以接收该参考电压，该放大器的第二输入端电性连接该参考节点，该放大器的输出端电性连接该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端，该放大器经由输出端提供该第一控制电压。

8.如权利要求1-7任一项所述的源极跟随器，其特征在于，该第一输出模块包括：

一第三晶体管，该第三晶体管的第一端电性连接该第一晶体管的第二端，该第三晶体管的控制端用以接收该输入电压；以及

一第一电阻，该第一电阻的一端电性连接该第三晶体管的第二端，该第一电阻的另一端用以接收该第二基准电压。

9.如权利要求8所述的源极跟随器，其特征在于，该第一输出模块包括一第一二极管与一第二二极管，该第一二极管的阳极端电性连接该第三晶体管的控制端，该第一二极管的阴极端用以接收该第二基准电压，该第二二极管的阳极端用以接收该第二基准电压，该第二二极管的阴极端电性连接该第三晶体管的控制端。

10.如权利要求9所述的源极跟随器，其特征在于，该第一二极管与该第二二极管为多晶硅二极管。

11.如权利要求8所述的源极跟随器，其特征在于，该第二输出模块包括：

一第四晶体管，该第四晶体管的第一端电性连接该第二晶体管的第二端，该第四晶体管的控制端用以接收该第二基准电压；以及

一第二电阻，该第二电阻的一端电性连接该第四晶体管的第二端，该第二电阻的另一端用以接收该第二基准电压。

12.如权利要求11所述的源极跟随器，其特征在于，该第二输出模块包括一第三二极管与一第四二极管，该第三二极管的阳极端电性连接该第四晶体管的控制端，该第三二极管的阴极端用以接收该第二基准电压，该第四二极管的阳极端用以接收该第二基准电压，该第四二极管的阴极端电性连接该第四晶体管的控制端。

13.如权利要求12所述的源极跟随器，其特征在于，该第三二极管与该第四二极管为多晶硅二极管。