CN107041166A - 电力转换装置、以及半导体装置 - Google Patents

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Abstract

电力转换装置，包括：配置在基板上的半导体元件；热敏电阻元件，配置在基板上，其一端与接地侧节点相连接，其另一端与基板的检测节点相连接，用于检测基板的温度；电流检测用电阻，其一端与接地侧节点相连接，其另一端接地；第一电压检测部，对电流检测用电阻的另一端的第一电位以及接地侧节点的第二电位进行检测，并且输出第一检测信号；控制部，基于第一检测信号，对半导体元件进行控制；温度检测用电阻，其一端与基准电位相连接，其另一端与检测节点相连接；以及温度检测部，基于检测节点的第三电位对温度进行检测，并且输出包含检测出的温度信息的温度信息信号。

Description

电力转换装置、以及半导体装置
技术领域
本发明涉及电力转换装置、以及半导体装置。
背景技术
以往，作为电力转换装置，在基板上配置有MOSFET等的功率模块已被普遍认知(例如，参照特开2013-26010、特开2008-113509)。
这样的电力转换装置100A(图6)，包括：晶体管(transistor)Q1～Q4；用于测定基板X的温度的热敏电阻(thermistor)元件TH；对热敏电阻元件的温度进行检测的温度检测部TDC；对电阻RI的电压进行检测的电压检测部VC；以及对晶体管Q1～Q4进行控制的控制部CON。
热敏电阻元件TH与晶体管Q1～Q4一同被配置在基板X上，热敏电阻元件TH的一端经由该基板X的节点(node)ND1与温度检测部TDC相连接，热敏电阻元件TH的另一端经由该基板X的节点ND2接地(图6)。
而且，根据温度检测部TDC检测出的电压，对应热敏电阻元件TH的电阻值的温度则被检测出。
在上述以往的电力转换装置100A中，为了检测出配置在基板X上的热敏电阻元件TH的电压，在基板X上就需要两个独立的节点ND1、ND2。
因此，对于该电力转换装置100A来说，为了检测出配置在基板X上的热敏电阻元件TH的电压，就存在有：基板X上的节点数量增加(在图6中为两个节点ND1、ND2)，导致制造成本上升的问题。
本发明的目的是：提供一种通过削减基板上的节点数量，从而能够降低制造成本的电力转换装置。
发明内容
本发明的一种形态所涉及的电力转换装置，其特征在于，包括：
配置在基板上的半导体元件，具有：与所述基板的输出节点相连接的输出部、与所述基板的第一控制节点相连接的第一输入部、与所述基板的第二控制节点相连接的第二输入部、与所述基板的电源侧节点相连接的第一驱动电流节点、以及与所述基板的接地侧节点相连接的第二驱动电流节点；
热敏电阻元件，配置在所述基板上，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端与所述基板的检测节点相连接，用于检测所述基板的温度；
电流检测用电阻，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端接地；
第一电压检测部，对所述电流检测用电阻的另一端的第一电位以及所述接地侧节点的第二电位进行检测，并且输出对应所述第一电位与所述第二电位之间的第一电位差的第一检测信号；
控制部，基于所述第一检测信号，将第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一输入部，并且，将第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二输入部，从而对所述半导体元件进行控制；
温度检测用电阻，其一端与基准电位相连接，其另一端与所述检测节点相连接；以及
温度检测部，基于所述检测节点的第三电位对温度进行检测，并且输出包含检测出的温度信息的温度信息信号。
在所述电力转换装置中，
所述半导体元件包括：
第一晶体管，具有：作为所述第一驱动电流节点的一端、与所述输出部相连接的另一端、以及作为所述第一输入部的栅极(gate)；以及
第二晶体管，具有：与所述输出部相连接的一端、作为所述第二驱动电流节点的另一端、以及作为所述第二输入部的栅极，
所述控制部基于所述第一检测信号，将第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一晶体管的栅极，从而控制所述第一晶体管，并且，将第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二晶体管的栅极，从而控制所述第二晶体管。
在所述电力转换装置中，
所述温度检测部
被输入所述检测节点的所述第三电位并且被输入所述第一检测信号，
并且基于所述第三电位和所述第一电位差获取所述热敏电阻元件的电阻值，从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
在所述电力转换装置中，
所述温度检测部
获取将所述第三电位与接地电位之间的电位差减去所述第一电位差后的第二电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第二电位差除以所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
在所述电力转换装置中，
进一步包括：对所述接地侧节点的所述第二电位以及所述检测节点的所述第三电位进行检测的第二电压检测部，
所述温度检测部
被输入来自所述第二电压检测部的包含有所述第二以及第三电位信息的信号，
并且基于所述第三电位和所述第二电位来获取所述热敏电阻元件的电阻值，
从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
在所述电力转换装置中，
所述温度检测部
获取所述第三电位与所述第二电位之间的第二电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第二电位差除以所述热敏电阻元件处流通的电流的所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
在所述电力转换装置中，
进一步包括：对所述电流检测用电阻的另一端的所述第一电位以及所述检测节点的所述第三电位进行检测的第二电压检测部，
所述温度检测部
被输入来自所述第二电压检测部的包含有所述第一以及第三电位信息的信号，
并且基于所述第一电位和所述第三电位来获取所述热敏电阻元件的电阻值，从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
在所述电力转换装置中，
所述温度检测部
获取所述第三电位与所述第一电位之间的电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第三电位与所述第一电位之间的所述电位差除以所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
在所述电力转换装置中，
进一步包括：对所述电流检测用电阻的另一端的所述第一电位以及所述检测节点的所述第三电位进行检测的第二电压检测部，
所述温度检测部
被输入来自所述第二电压检测部的包含有所述第一以及第三电位信息的信号并且被输入所述第一检测信号，
并且基于所述第一电位、所述第三电位、以及所述第一电位差来获取所述热敏电阻元件的电阻值，
从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
在所述电力转换装置中，
所述温度检测部
获取将所述第三电位与所述第一电位之间的电位差减去所述第一电位差后的第二电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第二电位差除以所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
在所述电力转换装置中，
所述温度检测用电阻的电阻值比所述电流检测用电阻的电阻值更大，常温下所述热敏电阻元件的电阻值比所述温度检测用电阻的电阻值更大。
在所述电力转换装置中，
所述控制部
基于所述第一检测信号来获取所述电流检测用电阻处流通的第一电流，并且基于该第一电流，将所述第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一晶体管的栅极，从而对所述第一晶体管进行控制，并且，将所述第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二晶体管的栅极，从而对所述第二晶体管进行控制。
在所述电力转换装置中，
所述第一晶体管为：作为所述第一晶体管的一端的漏极与所述电源侧节点相连接的，并且作为所述第一晶体管的另一端的源极与所述输出节点相连接的第一nMOS晶体管，
所述第二晶体管为：作为所述第二晶体管的一端的漏极与所述输出节点相连接的，并且作为所述第二晶体管的另一端的源极与所述接地侧节点相连接的第二nMOS晶体管。
在所述电力转换装置中，
所述电源节点与电源电位相连接。
本发明的一种形态涉及的实施例中的半导体装置，其特征在于，包括：
配置在基板上的半导体元件，具有：与所述基板的输出节点相连接的输出部、与所述基板的第一控制节点相连接的第一输入部、与所述基板的第二控制节点相连接的第二输入部、与所述基板的电源侧节点相连接的第一驱动电流节点、以及与所述基板的接地侧节点相连接的第二驱动电流节点；以及
热敏电阻元件，配置在所述基板上，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端与所述基板的检测节点相连接，用于检测所述基板的温度。
发明效果
本发明的一种形态所涉及的电力转换装置，包括：配置在基板上的半导体元件，具有：与所述基板的输出节点相连接的输出部、与所述基板的第一控制节点相连接的第一输入部、与所述基板的第二控制节点相连接的第二输入部、与所述基板的电源侧节点相连接的第一驱动电流节点、以及与所述基板的接地侧节点相连接的第二驱动电流节点；热敏电阻元件，配置在所述基板上，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端与所述基板的检测节点相连接，用于检测所述基板的温度；电流检测用电阻，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端接地；第一电压检测部，对所述电流检测用电阻的另一端的第一电位以及所述接地侧节点的第二电位进行检测，并且输出对应所述第一电位与所述第二电位之间的第一电位差的第一检测信号；控制部，基于所述第一检测信号，将第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一输入部，并且，将第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二输入部，从而对所述半导体元件进行控制；温度检测用电阻，其一端与基准电位相连接，其另一端与所述检测节点相连接；以及温度检测部，基于所述检测节点的第三电位对温度进行检测，并且输出包含检测出的温度信息的温度信息信号。
即，在电力转换装置中，通过将热敏电阻元件的另一端与接地侧节点相连接，从而将用于检测热敏电阻元件的电压而接地的基板的节点，同连接有用于对半导体元件(第一、第二晶体管)处流通的电流进行检测的电流检测用电阻的接地侧节点并用。
通过这样，就能够削减用于检测热敏电阻元件电压的基板的节点数量。
因此，本发明涉及的电力转换装置，能够通过削减基板上的节点数量，来降低制造成本。
简单附图说明
图1是展示第一实施方式涉及的电力转换装置100构成的一例电路图。
图2是展示第二实施方式涉及的电力转换装置200构成的一例电路图。
图3是展示第三实施方式涉及的电力转换装置300构成的一例电路图。
图4是展示第四实施方式涉及的电力转换装置400构成的一例电路图。
图5是展示第五实施方式涉及的电力转换装置500构成的一例电路图。
图6是展示以往的电力转换装置100A构成的一例电路图。
具体实施方式
以下，将参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。
【第一实施方式】
第一实施方式涉及的电力转换装置100(图1)，包括：半导体元件Z、热敏电阻元TH、电流检测用电阻RI、温度检测用电阻RT、第一电压检测部VC1、温度检测部TDC、控制部CON、以及基板X。另外，半导体元件Z、热敏电阻元TH、以及基板X构成半导体装置Y。
基板X具有：输出节点NO、第一控制节点N1、第二控制节点N2、电源侧节点NS、以及接地侧节点NG。输出节点NO与输出端子TOUT相连接。电源侧节点NS与电源电位VS相连接。例如，该电源侧节点NS与输出电源电位VS的电池(未图示)的正极相连接，并且该电池的负极接地。
半导体元件Z被配置在基板X上。该半导体元件Z具有：与基板X的输出节点NO相连接的输出部A、与基板X的第一控制节点N1相连接的第一输入部G1、与基板X的第二控制节点N2相连接的第二输入部G2、与基板X的电源侧节点NS相连接的第一驱动电流节点D1、以及与基板X的接地侧节点NG相连接的第二驱动电流节点D2。半导体元件Z的第一、第二驱动电流节点D1、D2之间流通半导体元件Z的驱动电流。
该半导体元件Z例如图1所示，包括：第一晶体管Q1、以及第二晶体管Q2。
第一晶体管Q1具有：作为第一驱动电流节点D1的一端(漏极)、与输出部A相连接的另一端(源极)、以及作为第一输入部G1的栅极。
该第一晶体管Q1为：作为第一晶体管Q1的一端的漏极与电源侧节点NS相连接的，并且作为第一晶体管Q1的另一端的源极与输出节点NO相连接的第一nMOS晶体管。
另外，第二晶体管Q2具有：与输出部A相连接的一端(漏极)、作为第二驱动电流节点D2的另一端(源极)、以及作为第二输入部G2的栅极。
该第二晶体管Q2为：作为第二晶体管Q2的一端的漏极与输出部A相连接的，并且作为第二晶体管Q2的另一端的源极与接地侧节点NG相连接的第二nMOS晶体管。
例如，这些第一以及第二晶体管Q1、Q2构成对电机(未图示)的输出电压进行整流的三相桥接电路。
热敏电阻元件TH被配置在基板X上，其一端与接地侧节点NG相连接，其另一端与基板X的检测节点ND相连接。该热敏电阻元件TH是用于检测基板X温度的元件。
电流检测用电阻RI的一端与接地侧节点NG相连接，另一端接地。该电流检测用电阻RI是用于对半导体元件Z的驱动电流进行检测的电阻。
第一电压检测部VC1对电流检测用电阻RI的另一端的第一电位V1以及接地侧节点NG的第二电位V2进行检测，并且输出对应第一电位V1与第二电位V2之间的第一电位差的第一检测信号。
温度检测用电阻RT的一端与基准电位Vcc相连接的，另一端与检测节点ND相连接。该温度检测用电阻RT是用于检测基板X温度的电阻。
另外，该温度检测用电阻RT的电阻值被设定为比电流检测用电阻RI的电阻值更大。另外，常温下热敏电阻元件TH的电阻值被设定为比该温度检测用电阻RT的电阻值更大。
温度检测部TDC基于检测节点ND的第三电位V3对温度进行检测，并且输出包含有检测出的温度信息的温度信息信号。
控制部CON基于第一检测信号，将第一控制信号经由第一控制节点N1输出至第一输入部G1，并且，将第二控制信号经由第二控制节点N2输出至第二输入部G2，从而对半导体元件Z进行控制。
特别是，在图1所示例中，控制部CON基于第一检测信号，将第一控制信号经由第一控制节点N1输出至第一晶体管Q1的栅极，从而对第一晶体管Q1进行控制，并且，将第二控制信号经由第二控制节点N2输出至第二晶体管Q2的栅极，从而对第二晶体管Q2进行控制。
更具体地来讲，控制部CON基于第一检测信号来获取电流检测用电阻RI处流通的第一电流。并且，控制部CON基于该第一电流的值，将第一控制信号经由第一控制节点N1输出至第一晶体管Q1的栅极，从而对第一晶体管Q1进行控制，并且，将第二控制信号经由第二控制节点N2输出至第二晶体管Q2的栅极，从而对第二晶体管Q2进行控制。
此时，控制部CON例如对第一以及第二晶体管Q1、Q2进行控制从而使第一晶体管Q1与第二晶体管Q2在导通(ON)与截止(OFF)之间互补地进行切换。
通过这样，控制部CON基于第一检测信号，通过第一、第二控制信号使第一、第二晶体管Q1、Q2在导通与截止之间互补地进行切换。
接下来，将对具有上述构成的电力转换装置100的运行的一例进行说明。
例如，如已述般，第一电压检测部VC1对电流检测用电阻RI的另一端的第一电位V1以及接地侧节点NG的第二电位V2进行检测，并且输出对应第一电位V1与第二电位V2之间的第一电位差(电流检测用电阻RI的电位差)的第一检测信号。
而且，控制部CON例如基于第一检测信号来获取电流检测用电阻RI处流通的第一电流。
另外，由于电流检测用电阻RI的电阻值为已知值，因此只要第一电位差(电流检测用电阻RI的电位差)基于第一检测信号来获取，通过将该第一电位差除以电流检测用电阻RI的电阻值，就能够获取电流检测用电阻RI处流通的第一电流。
并且，控制部CON基于该第一电流的值，将第一控制信号经由第一控制节点N1输出至第一晶体管Q1的栅极，从而对第一晶体管Q1进行控制，并且，将第二控制信号经由第二控制节点N2输出至第二晶体管Q2的栅极，从而对第二晶体管Q2进行控制。
此时，控制部CON例如基于第一电流值与规定值比较后的结果，对第一以及第二晶体管Q1、Q2进行控制从而使第一晶体管Q1与第二晶体管Q2在导通与截止之间互补地进行切换。
通过这样，控制部CON基于第一检测信号，通过第一、第二控制信号使第一、第二晶体管Q1、Q2在导通与截止之间互补地进行切换。
另一方面，如已述般，温度检测部TDC基于检测节点ND的第三电位V3对温度进行检测，并且输出包含有检测出的温度信息的温度信息信号。
具体来讲，例如，温度检测部TDC获取第三电位V3与接地电位之间的电位差。该电位差包含：热敏电阻元件TH中的电位差、以及电流检测用电阻RI中的电位差。另外，如已述般，电流检测用电阻RI的电阻值是比热敏电阻元件TH的电阻值小得多的值。
再有，温度检测部TDC在将基准电位Vcc与第三电位V3之间的电位差(温度检测用电阻RT中的电位差)除以温度检测用电阻RT的电阻值后获取热敏电阻元件TH处流通的电流的电流值。并且，温度检测部TDC将第三电位V3与接地电位之间的电位差除以获得的电流值之后的值，作为热敏电阻元件TH的电阻来获取。此时，则无视电流检测用电阻RI的电阻值。
通过这样，温度检测部TDC检测出对应热敏电阻元件TH的电阻值的温度，从而将包含有检测出的温度信息的温度信息信号进行输出。
综上，本发明的一种形态设计的电力转换装置100，包括：配置在基板X上的半导体元件Z，具有：与基板X的输出节点NO相连接的输出部A、与基板X的第一控制节点N1相连接的第一输入部G1、与基板X的第二控制节点N2相连接的第二输入部G2、与基板X的电源侧节点NS相连接的第一驱动电流节点D1、以及与基板X的接地侧节点NG相连接的第二驱动电流节点D2；热敏电阻元件TH，配置在基板X上，其一端与接地侧节点NG相连接，其另一端与基板X的检测节点ND相连接，用于检测基板X的温度；电流检测用电阻RI，其一端与接地侧节点NG相连接，其另一端接地；第一电压检测部VC1，对电流检测用电阻RI的另一端的第一电位V1以及接地侧节点NG的第二电位V2进行检测，并且输出对应第一电位V1与第二电位V2之间的第一电位差的第一检测信号；控制部CON，基于第一检测信号，将第一控制信号经由第一控制节点N1输出至第一输入部G1，并且，将第二控制信号经由第二控制节点N2输出至第二输入部G2，从而对半导体元件Z进行控制；温度检测用电阻RT，其一端与基准电位Vcc相连接，其另一端与检测节点ND相连接；以及温度检测部TDC，基于检测节点ND的第三电位V3对温度进行检测，并且输出包含检测出的温度信息的温度信息信号。
即，在电力转换装置100中，通过将热敏电阻元件TH的另一端与接地侧节点NG相连接，从而将用于检测热敏电阻元件TH的电压而接地的基板X的节点，同连接有用于对半导体元件Z(第一、第二晶体管Q1、Q2)处流通的电流进行检测的电流检测用电阻RI的接地侧节点NG并用。
通过这样，就能够削减用于检测热敏电阻元件TH电压的基板X的节点数量(用于热敏电阻元件TH的为一个(检测节点ND))。
因此，本发明涉及的电力转换装置，能够通过削减基板上的节点数量，来降低制造成本。
【第二实施方式】
在本第二实施方式中，将对电力转换装置的构成的其他例子进行说明。图2是展示第二实施方式涉及的电力转换装置200构成的一例电路图。在该图2中，与图1相同的符号表示与第一实施方式相同的构成，并且会省略其说明。
第二实施方式涉及的电力转换装置200(图2)，与第一实施方式一样，包括：半导体元件Z、热敏电阻元TH、电流检测用电阻RI、温度检测用电阻RT、第一电压检测部VC1、温度检测部TDC、控制部CON、以及基板X。
这里，温度检测部TDC处被输入有检测节点ND的第三电位V3并且被输入有第一检测信号。在该第二实施方式中，在温度检测部TDC处被输入有第一检测信号这一点上不同于第一实施方式。
而且，温度检测部TDC基于第三电位V3和已述的第一电位差(第一电位V1与第二电位V2之间的电位差，即，电流检测用电阻RI中的电位差)来获取热敏电阻元TH的电阻值。并且，温度检测部TDC检测出对应热敏电阻元TH的电阻值的温度。
更加具体地来讲，例如，温度检测部TDC获取：将第三电位V3与接地电位之间的电位差(热敏电阻元TH与电流检测用电阻RI中的电位差)减去第一电位差(电流检测用电阻RI中的电位差)后的第二电位差(热敏电阻元TH中的电位差)。
而且，温度检测部TDC在将基准电位Vcc与第三电位V3之间的电位差(温度检测用电阻RT中的电位差)除以温度检测用电阻RT的电阻值后获取热敏电阻元件TH处流通的电流的电流值。并且，温度检测部TDC将第二电位差(热敏电阻元件TH中的电位差)除以获得的电流值之后的值，作为热敏电阻元件TH的电阻来获取。
该电力转换装置200的其他构成与图1所示的电力转换装置100相同。
并且，具有上述构成的电力转换装置200的其他运行特性也与第一实施方式相同。
即，根据本第二实施方式涉及的电力转换装置，与第一实施方式一样，能够削减用于检测热敏电阻元件电压的基板的节点数量。
因此，本发明涉及的电力转换装置，能够通过削减基板上的节点数量，来降低制造成本。
特别是，如已述般，温度检测部处被输入有第三电位并且被输入有第一检测信号，并且基于第三电位和第一电位差(电流检测用电阻中的电位差)来获取热敏电阻元件的电阻值，从而检测出对应热敏电阻元件的电阻值的温度。
像这样，通过使用用于检测半导体元件处流通的电流的电流检测用电阻的第一电位差来对热敏电阻元件的检测电压进行补正，从而正确地获取热敏电阻元件的电阻值，就能够在削减基板的节点数量的同时，提高温度检测的精度。
【第三实施方式】
在本第三实施方式中，将对电力转换装置的构成的其他例子进行说明。图3是展示第三实施方式涉及的电力转换装置300构成的一例电路图。在该图3中，与图1相同的符号表示与第一实施方式相同的构成，并且会省略其说明。
该第三实施方式涉及的电力转换装置300(图3)与第一实施方式中的电力转换装置100相比，还进一步包括第二电压检测部VC2。
该第二电压检测部VC2对接地侧节点NG的第二电位V2以及检测节点ND的第三电位V3进行检测。
这里，温度检测部TDC被输入来自第二电压检测部VC2的包含有第二以及第三电位V2、V3信息的信号。并且，温度检测部TDC基于第三电位V3和第二电位V2来获取热敏电阻元件TH的电阻值。再有，温度检测部TDC会检测出对应获取的热敏电阻元件TH的电阻值的温度。
更加具体地来将，例如，温度检测部TDC基于包含有第二以及第三电位V2、V3信息的信号，来获取第三电位V3与第二电位V2之间的第二电位差(热敏电阻元件TH中的电位差)。
而且，温度检测部TDC在将基准电位Vcc与第三电位V3之间的电位差(温度检测用电阻RT中的电位差)除以温度检测用电阻RT的电阻值后获取热敏电阻元件TH处流通的电流的电流值。并且，温度检测部TDC将第二电位差除以热敏电阻元件TH处流通的电流的电流值之后的值，作为热敏电阻元件TH的电阻来获取。
该电力转换装置300的其他构成与图1所示的电力转换装置100相同。
并且，具有上述构成的电力转换装置300的其他运行特性也与第一实施方式相同。
即，根据本第三实施方式涉及的电力转换装置，与第一实施方式一样，能够削减用于检测热敏电阻元件电压的基板的节点数量。
因此，本发明涉及的电力转换装置，能够通过削减基板上的节点数量，来降低制造成本。
【第四实施方式】
在本第四实施方式中，将对电力转换装置的构成的其他例子进行说明。图4是展示第四实施方式涉及的电力转换装置400构成的一例电路图。在该图4中，与图3相同的符号表示与第三实施方式相同的构成，并且会省略其说明。
该第四实施方式涉及的电力转换装置400(图4)，与第三实施方式一样，包括：半导体元件Z、热敏电阻元TH、电流检测用电阻RI、温度检测用电阻RT、第一电压检测部VC1、第二电压检测部VC2、温度检测部TDC、控制部CON、以及基板X。
在本实施方式中，第二电压检测部VC2对电流检测用电阻RI的另一端的第一电位V1以及检测节点ND的第三电位V3进行检测。该第四实施方式在第二电压检测部VC2对电流检测用电阻RI的另一端的第一电位V1进行检测这一点上不同于第三实施方式。
这里，温度检测部TDC被输入来自第二电压检测部VC2的包含有第一以及第三电位V1、V3信息的信号。
再有，温度检测部TDC根据包含有第一以及第三电位V1、V3信息的信号，基于第一电位V1和第三电位V3来获取热敏电阻元件TH的电阻值，并检测出对应获取的热敏电阻元件TH的电阻值的温度。
具体来说，例如，温度检测部TDC根据包含有第一以及第三电位V1、V3信息的信号，来获取第三电位V3与第一电位V1之间的电位差(热敏电阻元件TH和电流检测用电阻RI中的电位差)。
并且，温度检测部TDC在将基准电位Vcc与第三电位V3之间的电位差除以温度检测用电阻RT的电阻值后获取热敏电阻元件TH处流通的电流的电流值。
并且，温度检测部TDC将第三电位V3与第一电位V1之间的电位差除以获取的电流值之后的值，作为热敏电阻元件TH的电阻来获取。
该电力转换装置400的其他构成与图3所示的电力转换装置300相同。
并且，具有上述构成的电力转换装置400的其他运行特性也与第三实施方式相同。
即，根据本第四实施方式涉及的电力转换装置，与第三实施方式一样，能够削减用于检测热敏电阻元件电压的基板的节点数量。
因此，本发明涉及的电力转换装置，能够通过削减基板上的节点数量，来降低制造成本。
【第五实施方式】
在本第五实施方式中，将对电力转换装置的构成的其他例子进行说明。图5是展示第五实施方式涉及的电力转换装置500构成的一例电路图。在该图5中，与图4相同的符号表示与第四实施方式相同的构成，并且会省略其说明。
该第五实施方式涉及的电力转换装置500(图5)，与第四实施方式一样，包括：半导体元件Z、热敏电阻元TH、电流检测用电阻RI、温度检测用电阻RT、第一电压检测部VC1、第二电压检测部VC2、温度检测部TDC、控制部CON、以及基板X。
在本实施方式中，与第四实施方式一样，第二电压检测部VC2对电流检测用电阻RI的另一端的第一电位V1以及检测节点ND的第三电位V3进行检测。
这里，温度检测部TDC被输入来自第二电压检测部VC2的包含有第一以及第三电位V1、V3信息的信号，并且，还被输入来自第一电压检测部VC1的第一检测信号。该第五实施方式在温度检测部TDC被输入来自第一电压检测部VC1的第一检测信号这一点上不同于第四实施方式。
而且，温度检测部TDC基于第一电位V1、第三电位V3、以及第一电位差，来获取热敏电阻元件TH的电阻值，并检测出对应热敏电阻元件TH的电阻值的温度。
更加具体地来说，例如，温度检测部TDC获取将第三电位V3与第一电位V1之间的电位差(热敏电阻元件TH和电流检测用电阻RI中的电位差)减去第一电位差(电流检测用电阻RI中的电位差)后的第二电位差(热敏电阻元件TH中的电位差)。
并且，温度检测部TDC在将基准电位Vcc与第三电位V3之间的电位差(温度检测用电阻RT中的电位差)除以温度检测用电阻RT的电阻值后获取热敏电阻元件TH处流通的电流的电流值。
并且，温度检测部TDC将第二电位V2除以获取的电流值之后的值，作为热敏电阻元件TH的电阻来获取。
该电力转换装置500的其他构成与图4所示的电力转换装置400相同。
并且，具有上述构成的电力转换装置500的其他运行特性也与第四实施方式相同。
即，根据本第五实施方式涉及的电力转换装置，与第四实施方式一样，能够削减用于检测热敏电阻元件电压的基板的节点数量。
因此，本发明涉及的电力转换装置，能够通过削减基板上的节点数量，来降低制造成本。
特别是，如已述般，温度检测部处被输入有检测节点的第三电位并且被输入有第一检测信号，并且基于第三电位和第一电位差(电流检测用电阻中的电位差)来获取热敏电阻元件的电阻值，从而检测出对应热敏电阻元件的电阻值的温度。
像这样，通过使用用于检测半导体元件处流通的电流的电流检测用电阻的第一电位差来对热敏电阻元件的检测电压进行补正，从而正确地获取热敏电阻元件的电阻值，就能够在削减基板的节点数量的同时，提高温度检测的精度。
以上，就本发明的几个实施方式进行了说明，这些实施方式是作为举例而提示的，并没有限定发明范围的意图。这些实施方式可以被其他的各种形态所实施，并且可以在不脱离发明要旨的范围内进行种种的省略、替换、以及更改。这些实施方式或是其变形例是包含于发明范围或要旨中的，同时，也是包含于与权利要求书所记载的发明相均等的范围中的。

Claims (15)

1.一种电力转换装置，其特征在于，包括：
配置在基板上的半导体元件，具有：与所述基板的输出节点相连接的输出部、与所述基板的第一控制节点相连接的第一输入部、与所述基板的第二控制节点相连接的第二输入部、与所述基板的电源侧节点相连接的第一驱动电流节点、以及与所述基板的接地侧节点相连接的第二驱动电流节点；
热敏电阻元件，配置在所述基板上，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端与所述基板的检测节点相连接，用于检测所述基板的温度；
电流检测用电阻，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端接地；
第一电压检测部，对所述电流检测用电阻的另一端的第一电位以及所述接地侧节点的第二电位进行检测，并且输出对应所述第一电位与所述第二电位之间的第一电位差的第一检测信号；
控制部，基于所述第一检测信号，将第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一输入部，并且，将第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二输入部，从而对所述半导体元件进行控制；
温度检测用电阻，其一端与基准电位相连接，其另一端与所述检测节点相连接；以及
温度检测部，基于所述检测节点的第三电位对温度进行检测，并且输出包含检测出的温度信息的温度信息信号。
2.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述半导体元件包括：
第一晶体管，具有：作为所述第一驱动电流节点的一端、与所述输出部相连接的另一端、以及作为所述第一输入部的栅极；以及
第二晶体管，具有：与所述输出部相连接的一端、作为所述第二驱动电流节点的另一端、以及作为所述第二输入部的栅极，
所述控制部基于所述第一检测信号，将第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一晶体管的栅极，从而控制所述第一晶体管，并且，将第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二晶体管的栅极，从而控制所述第二晶体管。
3.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述温度检测部
被输入所述检测节点的所述第三电位并且被输入所述第一检测信号，
并且基于所述第三电位和所述第一电位差获取所述热敏电阻元件的电阻值，从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
4.根据权利要求3所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述温度检测部
获取将所述第三电位与接地电位之间的电位差减去所述第一电位差后的第二电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第二电位差除以所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
5.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，进一步包括：对所述接地侧节点的所述第二电位以及所述检测节点的所述第三电位进行检测的第二电压检测部，
所述温度检测部
被输入来自所述第二电压检测部的包含有所述第二以及第三电位信息的信号，
并且基于所述第三电位和所述第二电位来获取所述热敏电阻元件的电阻值，
从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
6.根据权利要求5所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述温度检测部
获取所述第三电位与所述第二电位之间的第二电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第二电位差除以所述热敏电阻元件处流通的电流的所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
7.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，进一步包括：对所述电流检测用电阻的另一端的所述第一电位以及所述检测节点的所述第三电位进行检测的第二电压检测部，
所述温度检测部
被输入来自所述第二电压检测部的包含有所述第一以及第三电位信息的信号，
并且基于所述第一电位和所述第三电位来获取所述热敏电阻元件的电阻值，从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
8.根据权利要求7所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述温度检测部
获取所述第三电位与所述第一电位之间的电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第三电位与所述第一电位之间的所述电位差除以所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
9.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，进一步包括：对所述电流检测用电阻的另一端的所述第一电位以及所述检测节点的所述第三电位进行检测的第二电压检测部，
所述温度检测部
被输入来自所述第二电压检测部的包含有所述第一以及第三电位信息的信号并且被输入所述第一检测信号，
并且基于所述第一电位、所述第三电位、以及所述第一电位差来获取所述热敏电阻元件的电阻值，
从而检测出对应所述热敏电阻元件的电阻值的温度。
10.根据权利要求9所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述温度检测部
获取将所述第三电位与所述第一电位之间的电位差减去所述第一电位差后的第二电位差，
并且在将所述基准电位与所述第三电位之间的电位差除以所述温度检测用电阻的电阻值之后获取所述热敏电阻元件处流通的电流的电流值，
并且将所述第二电位差除以所述电流值后的值作为所述热敏电阻元件的电阻值来获取。
11.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述温度检测用电阻的电阻值比所述电流检测用电阻的电阻值更大，常温下所述热敏电阻元件的电阻值比所述温度检测用电阻的电阻值更大。
12.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述控制部
基于所述第一检测信号来获取所述电流检测用电阻处流通的第一电流，并且基于该第一电流，将所述第一控制信号经由所述第一控制节点输出至所述第一晶体管的栅极，从而对所述第一晶体管进行控制，并且，将所述第二控制信号经由所述第二控制节点输出至所述第二晶体管的栅极，从而对所述第二晶体管进行控制。
13.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述第一晶体管为：作为所述第一晶体管的一端的漏极与所述电源侧节点相连接的，并且作为所述第一晶体管的另一端的源极与所述输出节点相连接的第一nMOS晶体管，
所述第二晶体管为：作为所述第二晶体管的一端的漏极与所述输出节点相连接的，并且作为所述第二晶体管的另一端的源极与所述接地侧节点相连接的第二nMOS晶体管。
14.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：
其中，所述电源节点与电源电位相连接。
15.一种半导体装置，其特征在于，包括：
配置在基板上的半导体元件，具有：与所述基板的输出节点相连接的输出部、与所述基板的第一控制节点相连接的第一输入部、与所述基板的第二控制节点相连接的第二输入部、与所述基板的电源侧节点相连接的第一驱动电流节点、以及与所述基板的接地侧节点相连接的第二驱动电流节点；以及
热敏电阻元件，配置在所述基板上，其一端与所述接地侧节点相连接，其另一端与所述基板的检测节点相连接，用于检测所述基板的温度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109923667A (zh) * 2017-10-10 2019-06-21 新电元工业株式会社 半导体装置、以及电力转换装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10700216B2 (en) * 2013-02-07 2020-06-30 John Wood Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry
US11101372B2 (en) 2013-02-07 2021-08-24 John Wood Double-sided vertical power transistor structure
JP7391720B2 (ja) * 2020-03-05 2023-12-05 株式会社東芝 半導体集積回路装置および電流検出回路
JPWO2021192035A1 (zh) * 2020-03-24 2021-09-30
WO2021210402A1 (ja) 2020-04-17 2021-10-21 ローム株式会社 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006311682A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Toshiba Schneider Inverter Corp 充放電制御装置
JP2013026010A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Sony Computer Entertainment Inc 電気機器
EP2843383A1 (en) * 2013-09-02 2015-03-04 LSIS Co., Ltd. Temperature measurement apparatus using negative temperature coefficient thermistor
CN104753383A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 株式会社东芝 开关控制装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432579B2 (ja) * 2004-03-31 2010-03-17 Ｔｄｋ株式会社 電力変換装置
WO2016097730A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 John Wood A power coupler
JP4969204B2 (ja) 2006-10-31 2012-07-04 Ｔｄｋラムダ株式会社 過電流保護回路
JP5622658B2 (ja) * 2011-05-31 2014-11-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP2015015348A (ja) * 2013-07-04 2015-01-22 株式会社ジェイテクト 半導体装置および電気回路
WO2016076029A1 (ja) * 2014-11-11 2016-05-19 住友電気工業株式会社 温度検出装置
WO2017175326A1 (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 新電元工業株式会社 パワーモジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006311682A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Toshiba Schneider Inverter Corp 充放電制御装置
JP2013026010A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Sony Computer Entertainment Inc 電気機器
EP2843383A1 (en) * 2013-09-02 2015-03-04 LSIS Co., Ltd. Temperature measurement apparatus using negative temperature coefficient thermistor
CN104753383A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 株式会社东芝 开关控制装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109923667A (zh) * 2017-10-10 2019-06-21 新电元工业株式会社 半导体装置、以及电力转换装置
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