CN108133687A - 像素和具有该像素的有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种像素和具有该像素的有机发光显示装置。所述像素包括多个晶体管、存储电容器和有机发光二极管。第一晶体管基于数据电压控制从第一驱动电源到有机发光二极管的电流的量。第二晶体管连接到数据线并基于扫描信号而导通。第三晶体管结合到第一晶体管并基于扫描信号而导通。第一稳定化晶体管结合到第三晶体管或者位于第一晶体管与第三晶体管之间，并在第三晶体管截止时而截止。

Description

像素和具有该像素的有机发光显示装置
于2016年12月1日提交的第10-2016-0162995号、名称为“像素和具有该像素的有机发光显示装置(Pixel and Organic Light Emitting Display Device Having thePixel)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
在此描述的一个或更多个实施例涉及有机发光显示装置和在这样的装置中的像素。
背景技术
已经开发了各种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光显示器。有机发光显示器基于从包括有机发光二极管的像素发射的光产生图像。有机发光显示器具有高响应速度和低功耗。
在有机发光显示器中，数据线和扫描线运载用于驱动像素的信号。像素具有控制流经相应的有机发光二极管的电流的量的驱动晶体管。具体地，每个驱动晶体管基于数据信号控制从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量。发射与来自驱动晶体管的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
已经提出在有机发光显示器中控制亮度的各种方法。一种方法涉及将第二驱动电源设定为低电压。另一方法涉及通过以低频率驱动显示器来减少功耗。然而，这些方法具有缺点，例如，会从像素驱动晶体管的栅电极产生预定的漏电流。因此，在一个帧时间段期间不保持数据信号的电压，反过来，这不利地影响亮度。
发明内容
根据一个或更多个实施例，一种像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，结合在结合到第一节点的第一驱动电源与有机发光二极管的阳极电极之间，第一晶体管基于第二节点的电压控制从第一驱动电源到有机发光二极管的电流的量；第二晶体管，结合在数据线与第一节点之间，当第一扫描信号供应到第i(i是自然数)第一扫描线时，第二晶体管导通；第三晶体管，结合在第一晶体管的第二电极与第二节点之间，当供应第一扫描信号时，第三晶体管导通；存储电容器，结合在第一驱动电源与第二节点之间；以及第一稳定化晶体管，结合在第三晶体管与第二节点之间或者第一晶体管的第二电极与第三晶体管之间，在第三晶体管截止的时间段的一部分期间，第一稳定化晶体管被设定为截止状态。第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管可以是P型多晶硅半导体晶体管。第一稳定化晶体管可以是N型氧化物半导体晶体管。
第一稳定化晶体管的栅电极可结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源可被设定为栅极截止电压。当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。
像素可包括：第六晶体管，结合在第一节点与第一驱动电源之间，当发光控制信号供应到第i发光控制线时，第六晶体管截止，当发光控制信号不供应到第i发光控制线时，第六晶体管导通；以及第七晶体管，结合在第一晶体管的第二电极与有机发光二极管的阳极电极之间，第七晶体管与第六晶体管同时地导通或截止，其中，供应到第i发光控制线的发光控制信号被设定为比第一扫描信号更宽的宽度，并被供应为与第一扫描信号重叠。第一稳定化晶体管的栅电极可结合到第i发光控制线。
像素可包括：第四晶体管，结合在第二节点与第一电源之间，当第二扫描信号供应到第i第二扫描线时，第四晶体管导通；以及第二稳定化晶体管，结合在第二节点与第四晶体管之间或者第四晶体管与第一电源之间，在第四晶体管截止的时间段的一部分期间，第二稳定化晶体管被设定为截止状态。第一电源可被设定为比供应到数据线的数据信号低的电压。第二稳定化晶体管可以是N型氧化物半导体晶体管。
第二稳定化晶体管的栅电极可结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源被设定为栅极截止电压。当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。
像素可包括：第六晶体管，结合在第一节点与第一驱动电源之间，当发光控制信号供应到第i发光控制线时，第六晶体管截止，反之，第六晶体管则导通；以及第七晶体管，结合在第一晶体管的第二电极与有机发光二极管的阳极电极之间，第七晶体管与第六晶体管同时地导通或截止，其中，供应到第i发光控制线的发光控制信号被设定为比第一扫描信号更宽的宽度，并被供应为与第一扫描信号重叠。第二稳定化晶体管的栅电极可结合到第i发光控制线。第i第二扫描线可被设定为第i-1第一扫描线。
像素可包括：第五晶体管，结合在有机发光二极管的阳极电极与第一电源之间，当第三扫描信号供应到第i第三扫描线时，第五晶体管导通；以及第三稳定化晶体管，结合在有机发光二极管的阳极电极与第五晶体管之间或者第五晶体管与第一电源之间，在第五晶体管截止的时间段的一部分期间，第三稳定化晶体管被设定为截止状态。第三稳定化晶体管可以是N型氧化物半导体晶体管。
第三稳定化晶体管的栅电极可结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源可被设定为栅极截止电压。当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。
像素可包括：第六晶体管，结合在第一节点与第一驱动电源之间，当发光控制信号供应到第i发光控制线时，第六晶体管截止，反之，第六晶体管则导通；以及第七晶体管，结合在第一晶体管的第二电极与有机发光二极管的阳极电极之间，第七晶体管与第六晶体管同时地导通或截止，其中，供应到第i发光控制线的发光控制信号被设定为比第一扫描信号更宽的宽度，并被供应为与第一扫描信号重叠。第三稳定化晶体管的栅电极可结合到第i发光控制线。第i第三扫描线可被设定为第i第一扫描线。
根据一个或更多个其它实施例，一种像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，基于第一节点的电压，控制从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量；第二晶体管，结合在数据线与第一节点之间，当扫描信号供应到扫描线时，第二晶体管导通；存储电容器，结合在第一节点与第一晶体管的第二电极之间；以及稳定化晶体管，结合在数据线与第二晶体管之间或者第二晶体管与第一节点之间，其中，第一晶体管和第二晶体管是N型多晶硅半导体晶体管，稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
稳定化晶体管的栅电极可结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源可被设定为栅极截止电压。
当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。稳定化晶体管的栅电极可结合到扫描线。像素可包括：第三晶体管，结合在第一驱动电源与第一晶体管的第一电极之间，第三晶体管具有不与第二晶体管重叠的导通时间段。
根据一个或更多个其它实施例，一种像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，基于第一节点的电压，控制从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量；第二晶体管，结合在数据线与第二节点之间，当扫描信号供应到扫描线时，第二晶体管导通；第三晶体管，结合在第二节点与第一晶体管的第二电极之间，当发光控制信号供应到第i-1发光控制线时，第三晶体管截止；第四晶体管，结合在第一节点与第一晶体管的第一电极之间，当供应扫描信号时，第四晶体管导通；存储电容器，结合在第一节点与第二节点之间；以及第一稳定化晶体管，结合在第一节点与第四晶体管之间或者第四晶体管与第一晶体管的第一电极之间，其中，第一晶体管至第四晶体管是N型多晶硅半导体晶体管，第一稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
第一稳定化晶体管的栅电极可结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源可被设定为栅极截止电压。
当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。第一稳定化晶体管的栅电极可结合到扫描线。像素可包括：第二稳定化晶体管，结合在数据线与第二晶体管之间或者第二晶体管与第二节点之间。第二稳定化晶体管可以是N型氧化物半导体晶体管。
第二稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源被设定为栅极截止电压。当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。第二稳定化晶体管的栅电极可结合到扫描线。
像素可包括：第五晶体管，结合在第一电源与有机发光二极管的阳极电极之间，第五晶体管具有结合到扫描线的栅电极；以及第六晶体管，结合在第一驱动电源与第一晶体管的第一电极之间，第六晶体管具有结合到第i发光控制线的栅电极。
根据一个或更多个其它实施例，一种像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，基于第一节点的电压，控制从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量；第二晶体管，结合在第一电源与有机发光二极管的阳极电极之间，当第二扫描信号供应到第二扫描线时，第二晶体管导通；第三晶体管，结合在第一节点与第一晶体管的第二电极之间，当第一扫描信号供应到第一扫描线时，第三晶体管导通；存储电容器，结合在第一电源与第一节点之间；以及第一稳定化晶体管，结合在第一节点与第三晶体管之间或者第三晶体管与第一晶体管的第二电极之间，其中，第一晶体管至第三晶体管是N型多晶硅半导体晶体管，第一稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
第一稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源可被设定为栅极截止电压。
当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。第一稳定化晶体管的栅电极可结合到第一扫描线。像素可包括：第二稳定化晶体管，结合在第二晶体管与有机发光二极管的阳极电极之间或者第一电源与第二晶体管之间。第二稳定化晶体管可以是N型氧化物半导体晶体管。
第二稳定化晶体管的栅电极可结合到控制电源，在以第一驱动频率驱动像素的时间段期间，控制电源可被设定为栅极导通电压，在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动像素的时间段的一部分期间，控制电源可被设定为栅极截止电压。
当以第二驱动频率驱动像素时，在数据信号的电压存储在存储电容器中之后，控制电源可被设定为栅极截止电压。第二稳定化晶体管的栅电极可结合到第二扫描线。像素可包括结合在数据线与第一晶体管的第二电极之间的第一电容器。
根据一个或更多个其它实施例，一种像素包括：至少一个第一晶体管，位于电流路径上，电流沿电流路径从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源；以及两个或更多个第二晶体管，位于除了电流路径之外的电流泄漏路径上，其中，所述两个或更多个第二晶体管中的每个包括多晶硅半导体晶体管和氧化物半导体晶体管，多晶硅半导体晶体管结合到预定的信号线，多晶硅半导体晶体管基于信号线的信号导通或截止，氧化物半导体晶体管结合到多晶硅半导体晶体管。在多晶硅半导体晶体管导通的时间段期间，氧化物半导体晶体管可被设定为导通状态。在多晶硅半导体晶体管截止时的时间段的一部分期间，氧化物半导体晶体管可被设定为截止状态。多晶硅半导体晶体管可以是P型晶体管或N型晶体管，氧化物半导体晶体管可以是N型晶体管。
根据一个或更多个其它实施例，一种有机发光显示装置包括结合到扫描线和数据线的多个像素，其中，多个像素中的每个包括：至少一个第一晶体管，位于电流路径上，电流沿电流路径从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源；以及两个或更多个第二晶体管，位于除了电流路径之外的电流泄漏路径上，其中，所述两个或更多个第二晶体管中的每个包括多晶硅半导体晶体管和氧化物半导体晶体管，多晶硅半导体晶体管结合到预定的信号线，多晶硅半导体晶体管根据信号线的信号导通或截止，氧化物半导体晶体管结合到多晶硅半导体晶体管。在多晶硅半导体晶体管导通的时间段期间，氧化物半导体晶体管可被设定为导通状态。
在多晶硅半导体晶体管截止的时间段的一部分期间，氧化物半导体晶体管可被设定为截止状态。多晶硅半导体晶体管可以是P型晶体管型或N型晶体管。氧化物半导体晶体管可以是N型晶体管。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：
图1示出有机发光显示装置的实施例；
图2A和图2B示出晶体管之间的结合的示例；
图3A和图3B示出像素的实施例；
图4示出用于驱动像素的方法的实施例；
图5示出像素以第二驱动频率被驱动的实施例；
图6A和图6B示出像素的额外的实施例；
图7A和图7B示出像素的额外的实施例；
图8A和图8B示出像素的额外的实施例；
图9A和图9B示出像素的额外的实施例；
图10A和图10B示出像素的额外的实施例；
图11A至图11D示出像素的额外的实施例；
图12A和图12B示出像素的额外的实施例；
图13示出用于驱动像素的方法的另一实施例；
图14A和图14B示出像素的额外的实施例；
图15A和图15B示出像素的额外的实施例；
图16示出用于驱动像素的方法的另一实施例；
图17A和图17B示出像素的额外的实施例；
图18A和图18B示出像素的额外的实施例；
图19A和图19B示出像素的额外的实施例；
图20A至图20D示出像素的额外的实施例；
图21A和图21B示出像素的额外的实施例；
图22示出用于驱动像素的方法的另一实施例；
图23A和图23B示出像素的额外的实施例；
图24A和图24B示出像素的额外的实施例；
图25A和图25B示出像素的额外的实施例；以及
图26A至图26D示出像素的额外的实施例。
具体实施方式
参照附图描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来体现，并且不应理解为局限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员传达示例性实施方式。可结合实施例(或其部分)以形成额外的实施例。
在附图中，为了图示的清楚，可夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层或元件可直接在另一层或基底上，或者还可存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为“在”另一层“下”时，所述层可直接在另一层下，或者还可存在一个或更多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，所述层可以是在此两个层之间的唯一层，或者还可存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终指的是同样的元件。
当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，所述元件可直接连接或直接结合到另一元件，或者以一个或更多个中间元件置于它们之间的方式间接连接或间接结合到另一元件。另外，当元件被称为“包括(包含)”组件时，除非有不同的公开，否则这表示所述元件还可包括另一组件，而不是不包括另一组件。
图1示出有机发光显示装置的实施例，所述有机发光显示装置包括像素单元100、扫描驱动器110、数据驱动器120、发光驱动器130、时序控制器140和主系统150。主系统150通过预定的接口将图像数据RGB供应到时序控制器140，并可将时序信号Vsync、Hsync、DE和CLK供应到时序控制器140。
时序控制器140基于从主系统150供应的图像数据RGB和诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和时钟信号CLK的时序信号产生扫描驱动控制信号SCS、数据驱动控制信号DCS和发光驱动控制信号ECS。由时序控制器140产生的扫描驱动控制信号SCS被供应到扫描驱动器110，由时序控制器140产生的数据驱动控制信号DCS被供应到数据驱动器120，由时序控制器140产生的发光驱动控制信号ECS被供应到发光驱动器130。另外，时序控制器140重新排列从外部源供应的图像数据RGB，并将重新排列的图像数据RGB供应到数据驱动器120。
扫描驱动控制信号SCS包括扫描起始脉冲和时钟信号。扫描起始脉冲控制扫描信号的第一时序。时钟信号用于移位扫描起始脉冲。
数据驱动控制信号DCS包括源起始脉冲和时钟信号。源起始脉冲控制数据的取样起始时间。时钟信号用于控制取样操作。
发光驱动控制信号ECS包括发光起始脉冲和时钟信号。发光起始脉冲控制发光控制信号的第一时序。时钟信号用于移位发光起始脉冲。
扫描驱动器110基于扫描驱动控制信号SCS将扫描信号供应到扫描线S。例如，扫描驱动器110可将扫描信号顺序地供应到扫描线S。如果扫描信号被顺序地供应到扫描线S，那么以水平行为单元选择像素PXL。扫描信号被设定为栅极导通电压，使得像素PXL中的晶体管可导通。
数据驱动器120基于数据驱动控制信号DCS将数据信号供应到数据线D。供应到数据线D的数据信号被供应到通过扫描线选择的像素PXL。数据驱动器120可将数据信号供应到数据线D，以与扫描信号同步。
发光驱动器130基于发光驱动控制信号ECS将发光控制信号供应到发光控制线E。例如，发光驱动器130可将发光控制信号顺序地供应到发光控制线E。如果发光控制信号被顺序地供应到发光控制线E，那么像素PXL不以水平行为单元发光。发光控制信号被设定为栅极截止电压，使得像素PXL中的晶体管可截止。
此外，供应到第i(i是自然数)发光控制线Ei的发光控制信号可与供应到第i扫描线Si的扫描信号重叠。然后，第i水平行上的像素PXL在数据信号被供应到第i水平行上的像素PXL的时间段期间被设定为非发光状态。因此，可防止不期望的光从像素PXL发射。
在图1中，扫描驱动器110和发光驱动器130被示出为单独的驱动器。在一个实施例中，扫描驱动器110和发光驱动器130可位于一个驱动器中。另外，扫描驱动器110和/或发光驱动器130可位于不同侧处，并且像素单元100位于它们之间。
像素单元100包括结合到数据线D、扫描线S和发光控制线E的像素PXL。像素PXL供应有来自外部的第一驱动电源ELVDD和第二驱动电源ELVSS。
当扫描信号被供应到结合到像素PXL的扫描线S时，各个像素PXL被选择，从而从数据线D接收数据信号。供应有数据信号的像素PXL基于数据信号控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。在此时，有机发光二极管产生与电流的量对应的具有预定的亮度的光。
在图1中，每个像素PXL结合到一条扫描线S、一条数据线D和一条发光控制线E。在一个实施例中，结合到像素PXL的信号线S、D和E可对应于像素PXL的像素结构不同地设定。
图2A和图2B示出用于减小漏电流或者使漏电流最小化的晶体管之间的结合关系的实施例。图2A和图2B中的晶体管位于像素PXL中，并表示位于泄漏路径上的晶体管。
参照图2A，根据实施例，氧化物半导体晶体管M(O)和多晶硅半导体晶体管M(PP)形成在像素PXL的电流泄漏路径上。氧化物半导体晶体管M(O)包括栅电极、源电极和漏电极，并具有由氧化物半导体形成的有源层。氧化物半导体可被设定为非晶半导体或晶体半导体。氧化物半导体晶体管M(O)可形成为N型晶体管。氧化物半导体晶体管M(O)可通过低温工艺来形成，并具有比多晶硅半导体晶体管M(PP)的电荷迁移率低的电荷迁移率。氧化物半导体晶体管M(O)具有优异的截止电流特性。
多晶硅半导体晶体管M(PP)包括栅电极、源电极和漏电极，并具有由多晶硅形成的有源层。例如，多晶硅半导体晶体管M(PP)可被设定为低温多晶硅(LTPS)晶体管。多晶硅半导体晶体管M(PP)可以是P型晶体管。多晶硅半导体晶体管M(PP)具有高电子迁移率，因此具有快的驱动特性。
多晶硅半导体晶体管M(PP)是像素PXL的泄漏路径中的一条泄漏路径。另外，多晶硅半导体晶体管M(PP)的栅电极可连接到供应到像素PXL的信号线中的任意一条信号线，例如，扫描线S。当扫描信号供应到扫描线S时，多晶硅半导体晶体管M(PP)导通并执行与其结合位置对应的预定的功能。
氧化物半导体晶体管M(O)结合到多晶硅半导体晶体管M(PP)。另外，氧化物半导体晶体管M(O)的栅电极结合到控制电源VC。氧化物半导体晶体管M(O)在多晶硅半导体晶体管M(PP)被驱动的时间段(即，导通时间段)期间保持导通状态。如果氧化物半导体晶体管M(O)在多晶硅半导体晶体管M(PP)被驱动的时间段期间保持导通状态，那么能够确保多晶硅半导体晶体管M(PP)的快的驱动特性。
此外，氧化物半导体晶体管M(O)可在多晶硅半导体晶体管M(PP)截止的时间段的至少一部分期间被设定为截止状态。如果氧化物半导体晶体管M(O)截止，那么能够减小在泄漏路径中流动的漏电流或者使漏电流最小化。
在一个实施例中，氧化物半导体晶体管M(O)和多晶硅半导体晶体管M(PP)可位于像素PXL的泄漏路径上，通过氧化物半导体晶体管M(O)，减小了泄漏路径上流动的漏电流或使之最小化。当减小了泄漏路径上流动的漏电流或使之最小化时，可在像素PXL中显示具有期望的亮度的图像。在图2A中示出的氧化物半导体晶体管M(O)和多晶硅半导体晶体管M(PP)可应用到包括P型晶体管的各种像素PXL。
参照图2B，根据实施例，氧化物半导体晶体管M(O)和多晶硅半导体晶体管M(PN)位于像素PXL的电流泄漏路径上。氧化物半导体晶体管M(O)包括栅电极、源电极和漏电极，并具有氧化物半导体的有源层。氧化物半导体可被设定为非晶半导体或晶体半导体。氧化物半导体晶体管M(O)可以是N型晶体管。
氧化物半导体晶体管M(O)可通过低温工艺来形成，并具有比多晶硅半导体晶体管M(PN)的电荷迁移率低的电荷迁移率。氧化物半导体晶体管M(O)具有优异的截止电流特性。
多晶硅半导体晶体管M(PN)包括栅电极、源电极和漏电极，并具有由多晶硅形成的有源层。例如，多晶硅半导体晶体管M(PN)可被设定为LTPS晶体管。多晶硅半导体晶体管M(PN)可形成为N型晶体管。多晶硅半导体晶体管M(PN)具有高的电子迁移率，因此具有快的驱动特性。
多晶硅半导体晶体管M(PN)位于像素PXL的泄漏路径中的任意一条泄漏路径上。另外，多晶硅半导体晶体管M(PN)的栅电极可连接到供应到像素PXL的信号线中的任意一条信号线，例如，扫描线S。当扫描信号供应到扫描线S时，多晶硅半导体晶体管M(PN)导通，并执行与其结合位置对应的预定的功能。
氧化物半导体晶体管M(O)结合到多晶硅半导体晶体管M(PN)。另外，氧化物半导体晶体管M(O)的栅电极结合到控制电源VC。氧化物半导体晶体管M(O)在多晶硅半导体晶体管M(PN)被驱动的时间段(即，导通时间段)期间保持导通状态。如果氧化物半导体晶体管M(O)在多晶硅半导体晶体管M(PN)被驱动的时间段期间保持导通状态，那么能够确保多晶硅半导体晶体管M(PN)的快的驱动特性。
氧化物半导体晶体管M(O)可在多晶硅半导体晶体管M(PN)截止的时间段的至少一部分期间被设定为截止状态。如果氧化物半导体晶体管M(O)截止，那么能够减小泄漏路径中流动的漏电流或者使漏电流最小化。
在一个实施例中，氧化物半导体晶体管M(O)和多晶硅半导体晶体管M(PN)可位于像素PXL的泄漏路径上，利用氧化物半导体晶体管M(O)，减小了泄漏路径上流动的漏电流或使之最小化。当减小了泄漏路径上流动的漏电流或使之最小化时，可在像素PXL中显示具有期望的亮度的图像。在图2B中示出的氧化物半导体晶体管M(O)和多晶硅半导体晶体管M(PN)可应用到包括N型晶体管的各种像素PXL。
图3A和图3B示出位于第i水平行上并结合到第m数据线Dm的像素PXL的实施例。参照图3A，像素PXL包括有机发光二极管OLED以及用于控制供应到有机发光二极管OLED的电流的量的像素电路2001。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2001，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2001供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2001控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。为此，像素电路2001包括第一晶体管M1至第七晶体管M7、第一稳定化晶体管MS1和存储电容器Cst。
第一晶体管(或驱动晶体管)M1的第一电极结合到第一节点N1，第一晶体管M1的第二电极经由第七晶体管M7结合到有机发光二极管OLED的阳极电极。另外，第一晶体管M1的栅电极结合到第二节点N2。第一晶体管M1与第二节点N2的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。为此，第一驱动电源ELVDD被设定为比第二驱动电源ELVSS的电压高的电压。
第二晶体管M2结合在数据线Dm与第一节点N1之间。此外，第二晶体管M2的栅电极结合到第i第一扫描线S1i。当第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i时，第二晶体管M2导通，以允许数据线Dm和第一节点N1彼此电结合。
第三晶体管M3结合在第一晶体管M1的第二电极与第二节点N2之间。另外，第三晶体管M3的栅电极结合到第i第一扫描线S1i并在第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i时导通。
第一稳定化晶体管MS1结合在第三晶体管M3与第二节点N2之间。另外，第一稳定化晶体管MS1的栅电极结合到控制电源VC。第一稳定化晶体管MS1与控制电源VC的电压对应地导通或截止。第一稳定化晶体管MS1是氧化物半导体晶体管。
控制电源VC被设定为栅极导通电压，使得当以第一驱动频率(例如，正常驱动频率)驱动像素PXL时第一稳定化晶体管MS1导通。当以第一驱动频率驱动像素PXL时，第一稳定化晶体管MS1保持导通状态。
在以比第一驱动频率低的第二驱动频率驱动(即，低频率驱动)像素PXL的时间段期间，控制电源VC被设定为栅极截止电压。在以第二驱动频率驱动像素PXL的时间段期间，第一稳定化晶体管MS1保持截止状态。如果第一稳定化晶体管MS1截止，那么来自第二节点N2的漏电流最小化，因此，可在以第二驱动频率驱动像素PXL的时间段期间在像素PXL中实施具有期望的亮度的图像。
在图3A中，第一稳定化晶体管MS1结合在第三晶体管M3与第二节点N2之间。在一个实施例中，如图3B中所示，第一稳定化晶体管MS1可结合在第一晶体管M1的第二电极与第三晶体管M3之间。
第四晶体管M4结合在第二节点N2与第一电源Vint之间。第四晶体管M4的栅电极结合到第i第二扫描线S2i。当第二扫描信号供应到第i第二扫描线S2i时，第四晶体管M4导通，以将第一电源Vint的电压供应到第二节点N2。第一电源Vint被设定为比供应到数据线Dm的数据信号低的电压。与供应到第i第一扫描线S1i的第一扫描信号相比，更早地供应供应到第i第二扫描线S2i的第二扫描信号。因此，第i第二扫描线S2i可被设定为第i-1第一扫描线S1i-1。
第五晶体管M5结合在有机发光二极管OLED的阳极电极与第一电源Vint之间。第五晶体管M5的栅电极结合到第i第三扫描线S3i。当第三扫描信号供应到第i第三扫描线S3i时，第五晶体管M5导通，以将第一电源Vint的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。供应到第i第三扫描线S3i的第三扫描信号与供应到发光控制线Ei的发光控制信号重叠。因此，第i第三扫描线S3i可被设定为第i第一扫描线S1i或第i第二扫描线S2i。
如果第一电源Vint的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极，那么有机发光二极管OLED的寄生电容器(有机电容器Coled)被放电。如果有机电容器Coled被放电，那么改善像素PXL的黑色表现能力(black expression ability)。
例如，在前一帧时间段期间，在有机电容器Coled中充入了与从像素电路2001供应的电流对应的预定的电压。如果有机电容器Coled被充电，那么即使在低电流下有机发光二极管OLED也会容易地发光。
在当前帧时间段中，可将黑色数据信号(black data signal)供应到像素电路2001。当供应黑色数据信号时，像素电路2001将不向有机发光二极管OLED理想地供应电流。然而，即使供应黑色数据信号时，形成有晶体管的像素电路2001也向有机发光二极管OLED供应预定的漏电流。在此时，如果有机电容器Coled处于充电状态，那么有机发光二极管OLED会微弱地发光。因此，劣化了像素PXL的黑色表现能力。
另一方面，如果通过第一电源Vint使有机电容器Coled放电，那么有机发光二极管OLED因漏电流被设定为非发光状态。即，在一个实施例中，使用第一电源Vint使有机电容器Coled放电。因此，可改善像素PXL的黑色表现能力。
第六晶体管M6结合在第一驱动电源ELVDD与第一节点N1之间。另外，第六晶体管M6的栅电极结合到第i发光控制线Ei。当发光控制信号供应到第i发光控制线Ei时，第六晶体管M6截止，当不供应发光控制信号时，第六晶体管M6导通。
第七晶体管M7结合在第一晶体管M1与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。另外，第七晶体管M7的栅电极结合到第i发光控制线Ei。当发光控制信号供应到第i发光控制线Ei时，第七晶体管M7截止，当不供应发光控制信号时，第七晶体管M7导通。
存储电容器Cst结合在第一驱动电源ELVDD与第二节点N2之间。存储电容器Cst充入与数据信号以及第一晶体管M1的阈值电压对应的电压。
在本实施例的像素PXL中，第一晶体管M1至第七晶体管M7是P型多晶硅半导体晶体管。具体地，位于用于将电流供应到有机发光二极管OLED的电流供应路径上的晶体管M1、M6和M7是P型多晶硅半导体晶体管。如果晶体管M1至M7是多晶硅半导体晶体管，那么可确保快的驱动特性。
另外，第一稳定化晶体管MS1是N型氧化物半导体晶体管。如果第一稳定化晶体管MS1是氧化物半导体晶体管，那么可减小来自第二节点N2的漏电流或者使之最小化。因此，可在像素单元100中显示具有期望的亮度的图像。
图4示出用于驱动图3A和图3B中的像素PXL的方法的实施例。在图4中，假定将第i第二扫描线S2i设定为第i-1第一扫描线S1i-1，将第i第三扫描线S3i设定为第i第一扫描线S1i。另外，图4的驱动方法对应于第一驱动频率，并假定将第一稳定化晶体管MS1设定为导通状态。
参照图4，在第一时间段T1期间，将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei，将第二扫描信号供应到第i第二扫描线S2i。如果将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei，那么第六晶体管M6和第七晶体管M7截止。
如果第六晶体管M6截止，那么第一驱动电源ELVDD和第一节点N1电中断。如果第七晶体管M7截止，那么第一晶体管M1和有机发光二极管OLED电中断。因此，像素PXL在将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei的时间段(即，第一时间段T1和第二时间段T2)期间被设定为非发光状态。
如果将第二扫描信号供应到第i第二扫描线S2i，那么第四晶体管M4导通。如果第四晶体管M4导通，那么第一电源Vint的电压供应到第二节点N2。
在第二时间段T2期间，将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i。如果将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，那么第二晶体管M2、第三晶体管M3和第五晶体管M5导通。
如果第五晶体管M5导通，那么第一电源Vint的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。如果第一电源Vint的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极，那么有机电容器Coled被放电。因此，改善了像素PXL的黑色表现能力。
如果第三晶体管M3导通，那么第一晶体管M1的第二电极和第二节点N2彼此电结合。例如，第一晶体管M1二极管结合。这里，在第二时间段T2期间，将第一稳定化晶体管MS1设定为导通状态。因此，与第三晶体管M3的导通和截止对应地来控制第一晶体管M1的第二电极与第二节点N2之间的电结合。
如果第二晶体管M2导通，那么来自数据线Dm的数据信号供应到第一节点N1。在此时，由于第二节点N2被初始化为比数据信号低的第一电源Vint的电压，因此第一晶体管M1导通。
如果第一晶体管M1导通，那么供应到第一节点N1的数据信号经由二极管结合的第一晶体管M1被供应到第二节点N2。在此时，与数据信号和第一晶体管M1的阈值电压对应的电压被施加到第二节点N2。在第二时间段T2期间，存储电容器Cst存储第二节点N2的电压。
在第三时间段T3期间，停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号。如果停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号，那么第六晶体管M6和第七晶体管M7导通。
如果第六晶体管M6导通，那么第一驱动电源ELVDD和第一节点N1彼此电结合。如果第七晶体管M7导通，那么第一晶体管M1的第二电极与有机发光二极管OLED的阳极电极彼此电结合。在此时，第一晶体管M1基于施加到第二节点N2的电压控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
如上所述，在以第一驱动频率驱动像素PXL的时间段期间，像素PXL在重复第一时间段T1至第三时间段T3的同时产生具有预定的亮度的光。另外，在以第一驱动频率驱动像素PXL的时间段期间，第一稳定化晶体管MS1保持导通状态。因此，可稳定地驱动像素PXL。
图5示出在以第二驱动频率驱动图3A和图3B的像素PXL时的实施例。参照图5，低频率驱动意味着在将数据信号供应到像素PXL之后，在将数据信号的电压保持预定时间的同时保持像素PXL的发光的驱动方法。例如，当在像素单元100中显示静态图像时，有机发光显示装置的驱动频率可从第一驱动频率改变成第二驱动频率。如果以第二驱动频率来驱动有机发光显示装置，那么减少供应数据信号的次数。因此，功耗减小。
将描述像素PXL的操作过程。在将数据信号供应到像素PXL的第一时间段T1和第二时间段T2期间，将控制电源VC的电压设定为使得第一稳定化晶体管MS1导通。然后，将数据信号的电压正常地供应到各个像素PXL。
在将数据信号供应到各个像素PXL之后，将控制电源VC的电压设定为使得第一稳定化晶体管MS1截止。因此，第一稳定化晶体管MS1截止。
如果第一稳定化晶体管MS1截止，那么在像素PXL发光的时间段期间可减小来自第二节点N2的漏电流或使之最小化。因此，可从像素PXL产生具有期望的亮度的光。具体地，第一稳定化晶体管MS1形成为具有优异的截止电流特性的氧化物半导体晶体管。因此，可减小来自第二节点N2的漏电流或者使之最小化。
图6A和图6B示出根据本公开的另一实施例的包括像素电路2001'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2001'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2001'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2001'基于数据信号控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。像素电路2001'包括位于第二节点N2与第一晶体管M1之间的电流路径上的第一稳定化晶体管MS1'。第一稳定化晶体管MS1'可位于第三晶体管M3与第二节点N2之间或者第一晶体管M1的第二电极与第三晶体管M3之间。
第一稳定化晶体管MS1'的栅电极结合到第i发光控制线Ei。当发光控制信号供应到第i发光控制线Ei时，第一稳定化晶体管MS1'导通，当不供应发光控制信号时，第一稳定化晶体管MS1'截止。
将参照图4、图6A和图6B描述像素PXL的操作过程。在第一时间段T1期间，将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei，将第二扫描信号供应到第i第二扫描线S2i。
如果将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei，那么第六晶体管M6和第七晶体管M7截止。因此，像素PXL被设定为非发光状态。如果将第二扫描信号供应到第i第二扫描线S2i，那么第四晶体管M4导通。因此，第二节点N2被初始化为第一电源Vint的电压。另外，如果将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei，那么第一稳定化晶体管MS1'导通。
在第二时间段T2期间，将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i。如果将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，那么第二晶体管M2、第三晶体管M3和第五晶体管M5导通。
如果第五晶体管M5导通，那么第一电源Vint的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。因此，有机电容器Coled被放电。
如果第三晶体管M3导通，那么第一晶体管M1的第二电极和第二节点N2彼此电结合。即，第一晶体管M1二极管结合。第一稳定化晶体管MS1'在第二时间段T2期间被设定为导通状态。因此，与第三晶体管M3的导通和截止对应地来控制第一晶体管M1的第二电极与第二节点N2之间的电结合。
如果第二晶体管M2导通，那么来自数据线Dm的数据信号被供应到第一节点N1。然后，供应到第一节点N1的数据信号经由二极管连接的第一晶体管M1供应到第二节点N2。在此时，与数据信号和第一晶体管M1的阈值电压对应的电压被施加到第二节点N2。在第二时间段T2期间，第二节点N2的电压存储在存储电容器Cst中。
在第三时间段T3期间，停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号。如果停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号，那么第六晶体管M6和第七晶体管M7导通。如果停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号，那么第一稳定化晶体管MS1'截止。
如果第六晶体管M6和第七晶体管M7导通，那么形成电流从第一驱动电源ELVDD经由第六晶体管M6、第一晶体管M1、第七晶体管M7和有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS所沿的电流路径。在此时，第一晶体管M1与施加到第二节点N2的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
同时，在像素PXL发光的第三时间段T3期间，第一稳定化晶体管MS1'保持截止状态。如果第一稳定化晶体管MS1'截止，那么在像素PXL发光的时间段期间可减小来自第二节点N2的漏电流或使之最小化，因此，可从像素PXL产生具有期望的亮度的光。
图7A和图7B示出包括像素电路2002和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2002，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2002供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2002与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2002包括位于第二节点N2与第一电源Vint之间的电流路径上的第二稳定化晶体管MS2。例如，第二稳定化晶体管MS2可位于第二节点N2与第四晶体管M4之间或者第四晶体管M4与第一电源Vint之间。
第二稳定化晶体管MS2的栅电极结合到控制电源VC。当以第一驱动频率驱动有机发光显示装置时，第二稳定化晶体管MS2保持导通状态。像素PXL的操作过程可与参照图3A至图4描述的操作过程相同。
同时，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段(即，以低频率驱动有机发光显示装置的时间段)期间，第二稳定化晶体管MS2截止。在此时，在如图5中示出的将数据信号供应到像素PXL的第一时间段T1和第二时间段T2期间，将控制电源VC的电压设定为使得第二稳定化晶体管MS2导通。然后，将数据信号的电压正常地供应到各个像素PXL。
在将数据信号供应到各个像素PXL之后，将控制电源VC的电压设定为使得第二稳定化晶体管MS2截止。因此，第二稳定化晶体管MS2截止。
如果第二稳定化晶体管MS2截止，那么减小了第二节点N2与第一电源Vint之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本公开的实施例中，第二稳定化晶体管MS2形成为氧化物半导体晶体管。因此，可减小漏电流或者使之最小化。
同时，在图7A和图7B中，与图3A、图3B、图6A和图6B相比，已经示出去除了第一稳定化晶体管MS1或MS1'，但是本公开不限于此。例如，第一稳定化晶体管MS1或MS1'可被添加到图7A和图7B的像素PXL。
图8A和图8B示出包括像素电路2002'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2002'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2002'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2002'与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2002'包括位于第二节点N2与第一电源Vint之间的电流路径上的第二稳定化晶体管MS2'。例如，第二稳定化晶体管MS2'可位于第二节点N2与第四晶体管M4之间或者第四晶体管M4与第一电源Vint之间。
第二稳定化晶体管MS2'的栅电极结合到第i发光控制线Ei。当发光控制信号供应到第i发光控制线Ei时，第二稳定化晶体管MS2'导通，当不供应发光控制信号时，第二稳定化晶体管MS2'截止。像素PXL的操作过程可与参照图4、图6A和图6B描述的操作过程相同。
如果第二稳定化晶体管MS2'截止，那么减小了第二节点N2与第一电源Vint之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本实施例中，第二稳定化晶体管MS2'是氧化物半导体晶体管，因此，可使漏电流最小化。
同时，在图8A和图8B中，与图3A、图3B、图6A和图6B相比，已经示出去除了第一稳定化晶体管MS1或MS1'，但是本公开不限于此。例如，第一稳定化晶体管MS1或MS1'可添加到图8A和图8B的像素PXL。
图9A和图9B示出包括像素电路2003和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极连接到像素电路2003，有机发光二极管OLED的阴极电极连接到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2003供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2003与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2003包括位于有机发光二极管OLED的阳极电极与第一电源Vint之间的电流路径上的第三稳定化晶体管MS3。例如，第三稳定化晶体管MS3可位于有机发光二极管OLED的阳极电极与第五晶体管M5之间或者第五晶体管M5与第一电源Vint之间。
第三稳定化晶体管MS3的栅电极结合到控制电源VC。当以第一驱动频率驱动有机发光显示装置时，第三稳定化晶体管MS3保持导通状态。像素PXL的操作过程可与参照图3A至图4描述的操作过程相同。
同时，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段(即，以低频率驱动有机发光显示装置的时间段)期间，第三稳定化晶体管MS3截止。在此时，在将数据信号供应到像素PXL的第一时间段T1和第二时间段T2期间，将控制电源VC的电压设定为使得第三稳定化晶体管MS3导通。然后，将数据信号的电压正常地供应到各个像素PXL。
在将数据信号供应到各个像素PXL之后，将控制电源VC的电压设定为使得第三稳定化晶体管MS3截止。因此，第三稳定化晶体管MS3截止。
如果第三稳定化晶体管MS3截止，那么减小了有机发光二极管OLED的阳极电极与第一电源Vint之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本实施例中，第三稳定化晶体管MS3是氧化物半导体晶体管。因此，可减小漏电流或者使之最小化。
在图9A和图9B中，与图3A、图3B、图6A和图6B相比，已经示出去除了第一稳定化晶体管MS1或MS1'，但是本公开不限于此。例如，第一稳定化晶体管MS1或MS1'可被添加到图9A和图9B的像素PXL。
图10A和图10B示出包括像素电路2003'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2003'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2003'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2003'包括位于有机发光二极管OLED的阳极电极与第一电源Vint之间的电流路径上的第三稳定化晶体管MS3'。例如，第三稳定化晶体管MS3'可位于有机发光二极管OLED的阳极电极与第五晶体管M5之间或者第五晶体管M5与第一电源Vint之间。
第三稳定化晶体管MS3'的栅电极结合到第i发光控制线Ei。当发光控制信号供应到第i发光控制线Ei时，第三稳定化晶体管MS3'导通，当不供应发光控制信号时，第三稳定化晶体管MS3'截止。像素PXL的操作过程与参照图4、图6A和图6B描述的操作过程相同。
如果第三稳定化晶体管MS3'截止，那么减小了有机发光二极管OLED的阳极电极与第一电源Vint之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本实施例中，第三稳定化晶体管MS3'是氧化物半导体晶体管。因此，可减小漏电流或者使之最小化。
同时，在图10A和图10B中，与图3A、图3B、图6A和图6B相比，已经示出去除了第一稳定化晶体管MS1或MS1'，但是本公开不限于此。例如，第一稳定化晶体管MS1或MS1'可被添加到图10A和图10B的像素PXL。
在本实施例中，第一稳定化晶体管MS1或MS1'、第二稳定化晶体管MS2或MS2'以及第三稳定化晶体管MS3或MS3'中的至少一个晶体管可形成在像素PXL中。例如，如图11A至图11D中示出的，第一稳定化晶体管MS1或MS1'、第二稳定化晶体管MS2或MS2'以及第三稳定化晶体管MS3或MS3'可形成在像素PXL中。
如果第一稳定化晶体管MS1或MS1'、第二稳定化晶体管MS2或MS2'以及第三稳定化晶体管MS3或MS3'形成在像素PXL中，那么在有机发光二极管OLED发光的第三时间段T3期间，减小了漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。具体地，第一稳定化晶体管MS1或MS1'、第二稳定化晶体管MS2或MS2'以及第三稳定化晶体管MS3或MS3'形成为氧化物半导体晶体管，即使当以低频率驱动像素PXL时，也可稳定地显示具有期望的亮度的图像。
图12A和图12B示出包括有机发光二极管OLED以及用于控制供应到有机发光二极管OLED的电流的量的像素电路2004的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2004，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2004供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2004与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。为此，像素电路2004包括第十一晶体管M11至第十三晶体管M13、第四稳定化晶体管MS4和存储电容器Cst。
第十一晶体管(或驱动晶体管)M11的第一电极经由第十三晶体管M13结合到第一驱动电源ELVDD，第十一晶体管M11的第二电极结合到有机发光二极管OLED的阳极电极。另外，第十一晶体管M11的栅电极结合到第十一节点N11。第十一晶体管M11与第十一节点N11的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
第十二晶体管M12结合在数据线D与第十一节点N11之间。另外，第十二晶体管M12的栅电极结合到扫描线S。当扫描信号供应到扫描线S时，第十二晶体管M12导通。
第十三晶体管M13结合在第一驱动电源ELVDD与第十一晶体管M11的第一电极之间。另外，第十三晶体管M13的栅电极结合到发光控制线E。当发光控制信号供应到发光控制线E时，第十三晶体管M13截止，当不供应发光控制信号时，第十三晶体管M13导通。
第四稳定化晶体管MS4位于数据线D与第十一节点N11之间的电流路径上。例如，第四稳定化晶体管MS4可位于第十二晶体管M12与第十一节点N11之间或者数据线D与第十二晶体管M12之间。
第四稳定化晶体管MS4的栅电极结合到控制电源VC。当以第一驱动频率驱动有机发光显示装置时，第四稳定化晶体管MS4保持导通状态。另外，第四稳定化晶体管MS4在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置之后截止，并且与数据信号对应的电压充入存储电容器Cst中。
同时，第四稳定化晶体管MS4是氧化物半导体晶体管。因此，如果第四稳定化晶体管MS4截止，那么减小了数据线D与第十一节点N11之间的漏电流或使之最小化。因此，可在像素PXL中实施具有期望的亮度的图像。
存储电容器Cst结合在第十一节点N11与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。存储电容器Cst存储与数据信号对应的电压。
同时，在根据本实施例的上述像素PXL中，第十一晶体管M11至第十三晶体管M13是N型多晶硅半导体晶体管。如上所述，如果晶体管M11至M13形成为多晶硅半导体晶体管，那么可确保快的驱动特性。
图13示出用于驱动像素(例如可以是图12A和图12B中示出的像素PXL)的方法的另一实施例。参照图13，首先，将发光控制信号供应到发光控制线E，使得第十三晶体管M13截止。如果第十三晶体管M13截止，那么第一驱动电源ELVDD和第十一晶体管M11电中断，因此，像素PXL被设定为非发光状态。
在那之后，将扫描信号供应到扫描线S，使得第十二晶体管M12导通。如果第十二晶体管M12导通，那么数据线D和第十一节点N11彼此电结合。然后，将来自数据线D的数据信号供应到第十一节点N11。因此，与数据信号对应的电压存储在存储电容器Cst中。
在与数据信号对应的电压存储在存储电容器Cst中之后，停止向发光控制线E供应发光控制信号。如果停止向发光控制线E供应发光控制信号，那么第十三晶体管M13导通。如果第十三晶体管M13导通，那么第一驱动电源ELVDD和第十一晶体管M11彼此电结合。
在此时，第十一晶体管M11基于第十一节点N11的电压控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
如上所述，在以第一驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，本实施例的像素PXL在重复上述过程的同时产生具有预定的亮度的光。另外，在以第一驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，第四稳定化晶体管MS4保持导通状态。因此，可稳定地驱动像素PXL。
此外，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的期间，与数据信号对应的电压充入各个像素PXL的存储电容器Cst中，将控制电源VC设定为栅极截止电压。然后，各个像素PXL中的第四稳定化晶体管MS4截止。因此，可减小数据线D与第十一节点N11之间的漏电流或使之最小化。因此，即使当以第二驱动频率驱动有机发光显示装置时，像素PXL也可稳定地产生具有期望的亮度的光。
同时，在本实施例中，图12A和图12B的像素PXL的驱动方法不限于图13的驱动方法。例如，可使用当前已被本领域知晓的各种类型的驱动波形来驱动图12A和图12B的像素PXL。
图14A和图14B示出包括像素电路2004'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2004'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2004'供应的电流对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2004'基于数据信号控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2004'包括位于数据线D与第十一节点N11之间的电流路径上的第四稳定化晶体管MS4'。例如，第四稳定化晶体管MS4'可位于第十二晶体管M12与第十一节点N11之间或者数据线D与第十二晶体管M12之间。
第四稳定化晶体管MS4'的栅电极结合到扫描线S。当扫描信号供应到扫描线S时，第四稳定化晶体管MS4'导通，当不供应扫描信号时，第四稳定化晶体管MS4'截止。即，第四稳定化晶体管MS4'与第十二晶体管M12同时地导通或截止。
将参照图13、图14A和图14B描述像素PXL的操作过程。首先，将发光控制信号供应到发光控制线E，使得第十三晶体管M13截止。如果第十三晶体管M13截止，那么像素PXL被设定为非发光状态。
在那之后，将扫描信号供应到扫描线S，使得第十二晶体管M12和第四稳定化晶体管MS4'导通。如果第十二晶体管M12和第四稳定化晶体管MS4'导通，那么数据线D和第十一节点N11彼此电结合。然后，将来自数据线D的数据信号供应到第十一节点N11。因此，与数据信号对应的电压存储在存储电容器Cst中。
在与数据信号对应的电压存储在存储电容器Cst中之后，停止向发光控制线E供应发光控制信号。如果停止向发光控制线E供应发光控制信号，那么第十三晶体管M13导通。如果第十三晶体管M13导通，那么第一驱动电源ELVDD和第十一晶体管M11彼此电结合。
在此时，第十一晶体管M11与第十一节点N11的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
同时，第四稳定化晶体管MS4'在像素PXL发光的时间段期间保持截止状态。如果第四稳定化晶体管MS4'截止，那么在像素PXL发光的时间段期间，可减小数据线D与第十一节点N11之间的漏电流或使之最小化。因此，可从像素PXL产生具有期望的亮度的光。
图15A和图15B示出位于第i水平行上并结合到第m数据线Dm的像素PXL的额外的实施例。参照图15A和图15B，像素PXL包括有机发光二极管OLED以及用于控制供应到有机发光二极管OLED的电流的量的像素电路2005。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2005，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2005供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2005与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。为此，像素电路2005包括第二十一晶体管M21至第二十六晶体管M26、第五稳定化晶体管MS5和存储电容器Cst。
第二十一晶体管(驱动晶体管)M21的第一电极经由第二十六晶体管M26结合到第一驱动电源ELVDD，第二十一晶体管M21的第二电极结合到有机发光二极管OLED的阳极电极。另外，第二十一晶体管M21的栅电极结合到第二十一节点N21。第二十一晶体管M21与第二十一节点N21的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
第二十二晶体管M22结合在数据线Dm与第二十二节点N22之间。另外，第二十二晶体管M22的栅电极结合到第i扫描线Si。当扫描信号供应到第i扫描线Si时，第二十二晶体管M22导通。
第二十三晶体管M23结合在第二十二节点N22与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。另外，第二十三晶体管M23的栅电极结合到第i-1发光控制线Ei-1。当发光控制信号供应到第i-1发光控制线Ei-1时，第二十三晶体管M23截止，当不供应发光控制信号时，第二十三晶体管M23导通。
第二十四晶体管M24结合在第二十一节点N21与第二十一晶体管M21的第一电极之间。另外，第二十四晶体管M24的栅电极结合到第i扫描线Si。当扫描信号供应到第i扫描线Si时，第二十四晶体管M24导通。
第五稳定化晶体管MS5位于第二十一节点N21与第二十一晶体管M21的第一电极之间的电流路径上。例如，第五稳定化晶体管MS5可位于第二十四晶体管M24与第二十一晶体管M21的第一电极之间或者第二十一节点N21与第二十四晶体管M24之间。
第五稳定化晶体管MS5形成为氧化物半导体晶体管。因此，如果第五稳定化晶体管MS5截止，那么减小了第二十一节点N21与第二十一晶体管M21的第一电极之间的漏电流或使之最小化。因此，可在像素PXL中实施具有期望的亮度的图像。
第二十五晶体管M25结合在第一电源Vint'与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。另外，当扫描信号供应到第i扫描线Si时，第二十五晶体管M25的栅电极导通。另外，第一电源Vint'的电压被设定为使得有机发光二极管OLED截止。
第二十六晶体管M26结合在第一驱动电源ELVDD与第二十一晶体管M21的第一电极之间。另外，第二十六晶体管M26的栅电极结合到第i发光控制线Ei。当发光控制信号供应到第i发光控制线Ei时，第二十六晶体管M26截止，当不供应发光控制信号时，第二十六晶体管M26导通。
存储电容器Cst结合在第二十一节点N21与第二十二节点N22之间，第二十二节点N22为第二十二晶体管M22与第二十三晶体管M23之间的公共节点。存储电容器Cst存储与数据信号和第二十一晶体管M21的阈值电压对应的电压。
同时，在本实施例的像素PXL中，第二十一晶体管M21至第二十六晶体管M26是N型多晶硅半导体晶体管。如上所述，如果第二十一晶体管M21至第二十六晶体管M26是N型多晶硅半导体晶体管，那么可确保快的驱动特性。
图16示出用于驱动像素PXL(例如，如图15A和图15B中示出的像素)的方法的另一实施例。参照图16，在第一时间段T1'期间，将发光控制信号供应到第i-1发光控制线Ei-1，将扫描信号供应到第i扫描线Si。
如果将发光控制信号供应到第i-1发光控制线Ei-1，那么第二十三晶体管M23截止。如果第二十三晶体管M23截止，那么第二十二节点N22和有机发光二极管OLED的阳极电极电中断。
如果将扫描信号供应到第i扫描线Si，那么第二十二晶体管M22、第二十四晶体管M24和第二十五晶体管M25导通。如果第二十二晶体管M22导通，那么数据线Dm和第二十二节点N22彼此电结合。然后，来自数据线Dm的数据信号供应到第二十二节点N22。
如果第二十四晶体管M24导通，那么第二十一节点N21和第二十一晶体管M21的第一电极彼此电结合。在此时，第二十一节点N21被初始化为第一驱动电源ELVDD的电压。另外，如果第二十四晶体管M24导通，那么第二十一晶体管M21二极管连接。
如果第二十五晶体管M25导通，那么第一电源Vint'的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。因此，有机发光二极管OLED的阳极电极被初始化为第一电源Vint'的电压。在此时，有机发光二极管OLED被设定为非发光状态。
在第二时间段T2'期间，将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei，因此，第二十六晶体管M26截止。如果第二十六晶体管M26截止，那么第一驱动电源ELVDD和第二十一晶体管M21的第一电极电中断。
在此时，由于第二十一晶体管M21的第二电极被设定为第一电源Vint'的电压，因此第二十一节点N21被设定为通过将第二十一晶体管M21的阈值电压加到第一电源Vint'的电压而获得的电压。另外，在第二时间段T2'期间，第二十二节点N22被设定为数据信号的电压。因此，在第二时间段T2'期间，存储电容器Cst存储与数据信号和第二十一晶体管M21的阈值电压对应的电压。
在第三时间段T3'期间，停止向第i-1发光控制线Ei-1和第i发光控制线Ei供应发光控制信号。如果停止向第i-1发光控制线Ei-1供应发光控制信号，那么第二十三晶体管M23导通。如果第二十三晶体管M23导通，那么第二十二节点N22和有机发光二极管OLED的阳极电极彼此电结合。
如果停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号，那么第二十六晶体管M26导通。如果第二十六晶体管M26导通，那么第一驱动电源ELVDD和第二十一晶体管M21的第一电极彼此电结合。
在此时，第二十一晶体管M21与第二十一节点N21的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
如上所述，在以第一驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，本实施例的像素PXL在重复上述过程的同时产生具有预定的亮度的光。另外，在以第一驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，第五稳定化晶体管MS5保持导通状态，因此，可稳定地驱动像素PXL。
此外，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，与数据信号对应的电压充入各个像素的存储电容器Cst中，然后将控制电源VC设定为栅极截止电压。然后，各个像素PXL中的第五稳定化晶体管MS5截止。因此，可减小第二十一节点N21与第二十一晶体管M21的第一电极之间的漏电流或使之最小化。即，即使当以第二驱动频率驱动有机发光显示装置时，本实施例的像素PXL也可稳定地产生具有期望的亮度的光。
图17A和图17B示出包括像素电路2005'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2005'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2005'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2005'与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2005'包括位于第二十一节点N21与第二十一晶体管M21的第一电极之间的电流路径上的第五稳定化晶体管MS5'。例如，第五稳定化晶体管MS5'可位于第二十四晶体管M24与第二十一晶体管M21的第一电极之间或者第二十一节点N21与第二十四晶体管M24之间。
第五稳定化晶体管MS5'的栅电极结合到第i扫描线Si。当扫描信号供应到第i扫描线Si时，第五稳定化晶体管MS5'导通，当不供应扫描信号时，第五稳定化晶体管MS5'截止。即，第五稳定化晶体管MS5'与第二十四晶体管M24同时地导通或截止。
将参照图16、图17A和图17B描述像素PXL的操作过程。在第一时间段T1'期间，将发光控制信号供应到第i-1发光控制线Ei-1，将扫描信号供应到第i扫描线Si。
如果将发光控制信号供应到第i-1发光控制线Ei-1，那么第二十三晶体管M23截止，因此，第二十二节点N22和有机发光二极管OLED的阳极电极电中断。
如果将扫描信号供应到第i扫描线Si，那么第二十二晶体管M22、第二十四晶体管M24、第五稳定化晶体管MS5'和第二十五晶体管M25导通。
如果第二十二晶体管M22导通，那么数据线Dm和第二十二节点N22彼此电结合，因此，来自数据线Dm的数据信号供应到第二十二节点N22。
如果第二十五晶体管M25导通，那么第一电源Vint'的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极，因此，有机发光二极管OLED的阳极电极被初始化为第一电源Vint'的电压。
如果第二十四晶体管M24和第五稳定化晶体管MS5'导通，那么第二十一节点N21和第二十一晶体管M21的第一电极彼此电结合。在此时，第二十一节点N21被初始化为第一驱动电源ELVDD的电压。
在第二时间段T2'期间，将发光控制信号供应到第i发光控制线Ei。因此，第二十六晶体管M26截止。如果第二十六晶体管M26截止，那么第一驱动电源ELVDD和第二十一晶体管M21的第一电极电中断。
在此时，由于第二十一晶体管M21的第二电极被设定为第一电源Vint'的电压，因此第二十一节点N21被设定为通过将第二十一晶体管M21的阈值电压加到第一电源Vint'的电压而获得的电压。另外，在第二时间段T2'期间，第二十二节点N22被设定为数据信号的电压。因此，在第二时间段T2'期间，存储电容器Cst存储与数据信号和第二十一晶体管M21的阈值电压对应的电压。
在第三时间段T3'期间，停止向第i-1发光控制线Ei-1和第i发光控制线Ei供应发光控制信号。如果停止向第i-1发光控制线Ei-1供应发光控制信号，那么第二十三晶体管M23导通。如果第二十三晶体管M23导通，那么第二十二节点N22和有机发光二极管OLED的阳极电极彼此电结合。
如果停止向第i发光控制线Ei供应发光控制信号，那么第二十六晶体管M26导通。如果第二十六晶体管M26导通，那么第一驱动电源ELVDD和第二十一晶体管M21的第一电极彼此电结合。
在此时，第二十一晶体管M21与第二十一节点N21的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
同时，在像素PXL发光的时间段期间，第五稳定化晶体管MS5'保持截止状态。如果第五稳定化晶体管MS5'截止，那么在像素PXL发光的时间段期间，减小了第二十一节点N21与第二十一晶体管M21的第一电极之间的漏电流或使之最小化。因此，可从像素PXL产生具有期望的亮度的光。
图18A和图18B示出包括像素电路2006和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2006，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2006供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2006包括位于数据线Dm与第二十二节点N22之间的电流路径上的第六稳定化晶体管MS6。例如，第六稳定化晶体管MS6可位于第二十二晶体管M22与第二十二节点N22之间或者数据线Dm与第二十二晶体管M22之间。
第六稳定化晶体管MS6的栅电极结合到控制电源VC。当以第一驱动频率驱动有机发光显示装置时，第六稳定化晶体管MS6保持导通状态。在此时，像素PXL的操作过程与参照图15A至图16描述的操作过程相同。
同时，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段(即，以低频率驱动有机发光显示装置的时间段)期间，第六稳定化晶体管MS6截止。在当将数据信号供应到各个像素PXL时的时间段期间，将控制电源VC的电压设定为栅极导通电压。因此，数据信号的电压正常地供应到各个像素PXL。
在数据信号供应到各个像素PXL之后，将控制电源VC的电压设定为栅极截止电压。因此，第六稳定化晶体管MS6截止。
如果第六稳定化晶体管MS6截止，那么减小了数据线Dm与第二十二节点N22之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本公开的实施例中，第六稳定化晶体管MS6形成为氧化物半导体晶体管，因此，可减小漏电流或者使之最小化。
同时，在图18A和图18B中，与图15A和图15B相比，已经示出去除了第五稳定化晶体管MS5，但是本公开不限于此。例如，如图20A和图20B中示出的，第五稳定化晶体管MS5和第六稳定化晶体管MS6可包括在像素PXL中。
图19A和图19B示出包括像素电路2006'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2006'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2006'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2006'与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2006'包括位于数据线Dm与第二十二节点N22之间的电流路径上的第六稳定化晶体管MS6'。例如，第六稳定化晶体管MS6'可位于第二十二晶体管M22与第二十二节点N22之间或者数据线Dm与第二十二晶体管M22之间。
第六稳定化晶体管MS6'的栅电极结合到第i扫描线Si。当扫描信号供应到第i扫描线Si时，第六稳定化晶体管MS6'导通，当不供应扫描信号时，第六稳定化晶体管MS6'截止。像素PXL的操作过程与针对图16、图17A和图17B描述的操作过程相同。
如果第六稳定化晶体管MS6'截止，那么减小了数据线Dm与第二十二节点N22之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本实施例中，第六稳定化晶体管MS6'形成为氧化物半导体晶体管，因此，可减小漏电流或者使之最小化。
同时，在图19A和图19B中，与图17A和图17B相比，已经示出去除了第五稳定化晶体管MS5'。在一个实施例中，如图20C和图20D中示出的，第五稳定化晶体管MS5'和第六稳定化晶体管MS6'可位于像素PXL中。
图21A和图21B示出位于第i水平行上并连接到第m数据线Dm的像素PXL的额外的实施例。参照图21A和图21B，像素PXL包括有机发光二极管OLED以及用于控制供应到有机发光二极管OLED的电流的量的像素电路2007。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2007，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2007供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2007与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。为此，像素电路2007包括第三十一晶体管M31至第三十三晶体管M33、第七稳定化晶体管MS7、存储电容器Cst和第一电容器C1。
第三十一晶体管(或驱动晶体管)M31的第一电极结合到第一驱动电源ELVDD，第三十一晶体管M31的第二电极结合到有机发光二极管OLED的阳极电极。另外，第三十一晶体管M31的栅电极结合到第三十一节点N31。第三十一晶体管M31与第三十一节点N31的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
第三十二晶体管M32结合在第一电源Vint"与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。另外，第三十二晶体管M32的栅电极结合到第二扫描线S2。当第二扫描信号供应到第二扫描线S2时，第三十二晶体管M32导通。
这里，第一电源Vint"在一个帧时间段期间重复低电压和高电压。第一电源Vint"的低电压被设定为使得有机发光二极管OLED可截止的电压值。另外，第一电源Vint"的低电压被设定为比第一驱动电源ELVDD的低电压高的电压。另外，第二扫描线S2公共地结合到所有的像素PXL。即，在一个实施例中，可以以同时的发光方式来驱动像素PXL。
第三十三晶体管M33结合在第三十一节点N31与第三十一晶体管M31的第二电极之间。第三十三晶体管M33的栅电极结合到第i第一扫描线S1i。当第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i时，第三十三晶体管M33导通。
第七稳定化晶体管MS7位于第三十一节点N31与第三十一晶体管M31的第二电极之间的电流路径上。例如，第七稳定化晶体管MS7可位于第三十三晶体管M33与第三十一晶体管M31的第二电极之间或者第三十一节点N31与第三十三晶体管M33之间。
第七稳定化晶体管MS7的栅电极结合到控制电源VC。第七稳定化晶体管MS7与控制电源VC的电压对应地导通或截止。
第七稳定化晶体管MS7形成为氧化物半导体晶体管。因此，如果第七稳定化晶体管MS7截止，那么减小了第三十一节点N31与第三十一晶体管M31的第二电极之间的漏电流或使之最小化。因此，可在像素PXL中实施具有期望的亮度的图像。
存储电容器Cst结合在第一电源Vint"与第三十一节点N31之间。存储电容器Cst存储与数据信号和第三十一晶体管M31的阈值电压对应的电压。
第一电容器C1结合在数据线Dm与第三十一晶体管M31的第二电极之间。第一电容器C1基于数据线Dm的电压控制第三十一晶体管M31的第二电极的电压。
同时，在本实施例的像素PXL中，第三十一晶体管M31至第三十三晶体管M33是N型多晶硅半导体晶体管。如上所述，如果第三十一晶体管M31至第三十三晶体管M33形成为多晶硅半导体晶体管，那么可确保快的驱动特性。
图22示出用于驱动图21A和图21B中的像素的方法的另一实施例。参照图22，在第十一时间段T11期间，将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，将第二扫描信号供应到第二扫描线S2。如果将第二扫描信号供应到第二扫描线S2，那么第三十二晶体管M32导通。如果第三十二晶体管M32导通，那么第一电源Vint"的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。在此时，有机发光二极管OLED被设定为非发光状态。
如果将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，那么第三十三晶体管M33导通。如果第三十三晶体管M33导通，那么第三十一节点N31和第三十一晶体管M31的第二电极彼此电结合。在此时，第三十一节点N31被初始化为第一电源Vint"的电压。
在第十二时间段T12期间，第一驱动电源ELVDD下降为低电压，同时，停止向第二扫描线S2供应第二扫描信号。如果停止向第二扫描线S2供应第二扫描信号，那么第三十二晶体管M32截止。
如果第一驱动电源ELVDD下降为低电压，那么电流从有机发光二极管OLED的阳极电极(即，第一电源Vint"的电压)通过二极管结合的第三十一晶体管M31供应到第一驱动电源ELVDD。因此，第三十一节点N31最终被设定为通过将第三十一晶体管M31的阈值电压加到第一驱动电源ELVDD的低电压而获得的电压。即，在第十二时间段T12期间，补偿第三十一晶体管M31的阈值电压。在第十二时间段T12期间，存储电容器Cst存储第三十一节点N31的电压。
在第十三时间段T13期间，第一驱动电源ELVDD被设定为高电压。另外，在第十三时间段T13期间，将第一扫描信号顺序地供应到第i第一扫描线S1i。如果将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，那么第三十三晶体管M33导通。如果第三十三晶体管M33导通，那么第三十一节点N31的电压与供应到数据线Dm的数据信号的电压对应地改变。即，在第十三时间段T13期间，第三十一节点N31的电压与数据信号的电压对应地改变。在这种情况下，与第三十一晶体管M31的阈值电压和数据信号对应的电压存储在存储电容器Cst中。
在第十四时间段T14期间，第一电源Vint"被设定为高电压。如果第一电源Vint"被设定为高电压，那么第三十一节点N31的电压通过存储电容器Cst的耦合而增大。第三十一晶体管M31与第三十一节点N31的电压对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
如上所述，在以第一驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，本实施例的像素PXL在重复上述过程的同时产生具有预定的亮度的光。另外，在以第一驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，第七稳定化晶体管MS7保持导通状态。因此，可稳定地驱动像素PXL。
此外，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段期间，与数据信号对应的电压充入各个像素PXL的存储电容器Cst中，然后将控制电源VC设定为栅极截止电压。然后，包括在各个像素PXL中的第七稳定化晶体管MS7截止。因此，可减小第三十一节点N31与第三十一晶体管M31的第二电极之间的漏电流或使之最小化。即，即使当以第二驱动频率驱动有机发光显示装置时，本实施例的像素PXL也可稳定地产生具有期望的亮度的光。
图23A和图23B示出包括像素电路2007'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2007'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2007'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2007'与数据信号对应地来控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2007'包括位于第三十一节点N31与第三十一晶体管M31的第二电极之间的电流路径上的第七稳定化晶体管MS7'。例如，第七稳定化晶体管MS7'可位于第三十三晶体管M33与第三十一晶体管M31的第二电极之间或者第三十一节点N31与第三十三晶体管M33之间。
第七稳定化晶体管MS7'的栅电极结合到第i第一扫描线S1i。当第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i时，第七稳定化晶体管MS7'导通，当不供应第一扫描信号时，第七稳定化晶体管MS7'截止。即，第七稳定化晶体管MS7'与第三十三晶体管M33同时地导通或截止。
参照图22、图23A和图23B描述像素PXL的操作过程。首先，在第十一时间段T11期间，将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，将第二扫描信号供应到第二扫描线S2。
如果将第二扫描信号供应到第二扫描线S2，那么第三十二晶体管M32导通，因此，第一电源Vint"的电压供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。
如果将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，那么第三十三晶体管M33和第七稳定化晶体管MS7'导通。如果第三十三晶体管M33和第七稳定化晶体管MS7'导通，那么第三十一节点N31和第三十一晶体管M31的第二电极彼此电结合。在此时，第三十一节点N31被初始化为第一电源Vint"的电压。
在第十二时间段T12期间，第一驱动电源ELVDD下降为低电压，同时，停止向第二扫描线S2供应第二扫描信号。如果停止向第二扫描线S2供应第二扫描信号，那么第三十二晶体管M32截止。
如果第一驱动电源ELVDD下降为低电压，那么电流从有机发光二极管OLED的阳极电极(即，第一电源Vint"的电压)通过二极管结合的第三十一晶体管M31供应到第一驱动电源ELVDD。因此，第三十一节点N31最终被设定为通过将第三十一晶体管M31的阈值电压加到第一驱动电源ELVDD的低电压而获得的电压。在第十二时间段T12期间，存储电容器Cst存储第三十一节点N31的电压。
在第十三时间段T13期间，第一驱动电源ELVDD被设定为高电压。另外，在第十三时间段T13期间，将第一扫描信号顺序地供应到第i第一扫描线S1i。如果将第一扫描信号供应到第i第一扫描线S1i，那么第三十三晶体管M33和第七稳定化晶体管MS7'导通。
如果第三十三晶体管M33和第七稳定化晶体管MS7'导通，那么第三十一节点N31的电压与供应到数据线Dm的数据信号的电压对应地改变。即，第三十一节点N31的电压在第十三时间段T13期间与数据信号的电压对应地改变。在这种情况下，与第三十一晶体管M31的阈值电压和数据信号对应的电压存储在存储电容器Cst中。
在第十四时间段T14期间，第一电源Vint"被设定为高电压。如果第一电源Vint"被设定为高电压，那么第三十一节点N31的电压通过存储电容器Cst的耦合而增大。在此时，第三十一晶体管M31基于第三十一节点N31的电压控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
同时，在像素PXL发光的时间段期间，第七稳定化晶体管MS7'保持截止状态。如果第七稳定化晶体管MS7'截止，那么在像素PXL发光的时间段期间，减小了第三十一节点N31与第三十一晶体管M31的第二电极之间的漏电流或使之最小化。因此，可从像素PXL产生具有期望的亮度的光。
图24A和图24B示出包括像素电路2008和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2008，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2008供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2008基于数据信号控制从第一驱动电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流动到第二驱动电源ELVSS的电流的量。
像素电路2008包括位于第一电源Vint"与有机发光二极管OLED的阳极电极之间的电流路径上的第八稳定化晶体管MS8。例如，第八稳定化晶体管MS8可位于第一电源Vint"与第三十二晶体管M32之间或者第三十二晶体管M32与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。
第八稳定化晶体管MS8的栅电极结合到控制电源VC。当以第一驱动频率驱动有机发光显示装置时，第八稳定化晶体管MS8保持导通状态。在此时，像素PXL的操作过程与参照图21A至图22描述的操作过程相同。
同时，在以第二驱动频率驱动有机发光显示装置的时间段(即，以低频率驱动有机发光显示装置的时间段)期间，第八稳定化晶体管MS8截止。在此时，在将数据信号供应到各个像素PXL的时间段期间，将控制电源VC的电压设定为栅极导通电压。因此，数据信号的电压正常地供应到各个像素PXL。
在数据信号供应到各个像素PXL之后，将控制电源VC的电压设定为栅极截止电压。因此，第八稳定化晶体管MS8截止。如果第八稳定化晶体管MS8截止，那么减小了第一电源Vint"与有机发光二极管OLED的阳极电极之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本实施例中，第八稳定化晶体管MS8为氧化物半导体晶体管。因此，可减小漏电流或者使之最小化。
同时，在图24A和图24B中，与图21A和图21B相比，已经示出去除了第七稳定化晶体管MS7，但是本公开不限于此。例如，如图26A和图26B中示出的，第七稳定化晶体管MS7和第八稳定化晶体管MS8可包括在像素PXL中。
图25A和图25B示出包括像素电路2008'和有机发光二极管OLED的像素PXL的额外的实施例。有机发光二极管OLED的阳极电极结合到像素电路2008'，有机发光二极管OLED的阴极电极结合到第二驱动电源ELVSS。有机发光二极管OLED产生与从像素电路2008'供应的电流的量对应的具有预定的亮度的光。
像素电路2008'包括位于第一电源Vint"与有机发光二极管OLED的阳极电极之间的电流路径上的第八稳定化晶体管MS8'。例如，第八稳定化晶体管MS8'可位于第一电源Vint"与第三十二晶体管M32之间或者第三十二晶体管M32与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。
第八稳定化晶体管MS8'的栅电极结合到第二扫描线S2。当第二扫描信号供应到第二扫描线S2时，第八稳定化晶体管MS8'导通，当不供应第二扫描信号时，第八稳定化晶体管MS8'截止。像素PXL的操作过程可与参照图22、图23A和图23B描述的操作过程相同。
如果第八稳定化晶体管MS8'截止，那么减小了第一电源Vint"与有机发光二极管OLED的阳极电极之间的漏电流或使之最小化。因此，可显示具有期望的亮度的图像。在本实施例中，第八稳定化晶体管MS8'为氧化物半导体晶体管。因此，可减小漏电流或者使之最小化。
同时，在图25A和图25B中，与图23A和图23B相比，已经示出去除了第七稳定化晶体管MS7'，但是本公开不限于此。例如，如图26C和图26D中示出的，第七稳定化晶体管MS7'和第八稳定化晶体管MS8'可包括在像素PXL中。
在此描述的方法、过程和/或操作可通过将由计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置执行的代码或指令来执行。计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置可以是在此描述的或者是除了在此描述的元件之外的元件。因为详细地描述了形成此方法(或计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置的操作)的基础的算法，所以用于执行方法实施例的操作的代码或指令可将计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置改造为用于执行在此描述的方法的专用处理器。
公开的实施例的驱动器、控制器、处理器以及其它信号产生特征和信号处理特征可以以逻辑执行，逻辑例如可包括硬件、软件或它们两者。当至少部分地以硬件执行时，驱动器、控制器、处理器以及其它信号产生特征和信号处理特征可以是例如包括但不限于专用集成电路、现场可编程门阵列、逻辑门的组合、片上系统、微处理器或其它类型的处理或控制电路的各种集成电路中的任何一种。
当至少部分地以软件实施时，驱动器、控制器、处理器以及其它信号产生特征和信号处理特征可包括例如，存储器或者用于存储将被例如计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理装置执行的代码或指令的其它存储装置。所述计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理装置可以是在此描述的或者是除了在此描述的元件之外的元件。因为详细地描述了形成此方法(或计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理装置的操作)的基础的算法，所以用于执行方法实施例的操作的代码或指令可将计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置改造为用于执行在此描述的方法的专用处理器。
根据一个或更多个前述实施例，在漏电流路径上的至少一个晶体管是氧化物半导体晶体管的情况下提供像素和有机发光显示装置。因此，可通过减小漏电流或者使之最小化来显示具有期望的亮度的图像。
根据一个或更多个前述实施例，至少一个晶体管设置在漏电流路径上，其中，所述至少一个晶体管在以低频率驱动的至少部分时间段期间截止，并在其它情况下保持导通状态。因此，可在低频率驱动下减小漏电流或者使之最小化，并且可显示具有期望的亮度的图像。
已经在此公开了示例实施例，尽管采用了具体术语，但仅以一般的和描述性的含义而非限制性的目的来使用和解释这些术语。在一些情况下，如对于到提交本申请时为止的本领域普通技术人员而言将明显的是，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用，或者可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有说明。因此，在不脱离权利要求书中阐述的实施例的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种变化。

Claims (57)

1.一种像素，所述像素包括：
有机发光二极管；
第一晶体管，结合在结合到第一节点的第一驱动电源与所述有机发光二极管的阳极电极之间，所述第一晶体管基于第二节点的电压控制从所述第一驱动电源到所述有机发光二极管的电流的量；
第二晶体管，结合在数据线与所述第一节点之间，当第一扫描信号供应到第i第一扫描线时，所述第二晶体管导通，其中，i是自然数；
第三晶体管，结合在所述第一晶体管的第二电极与所述第二节点之间，当供应所述第一扫描信号时，所述第三晶体管导通；
存储电容器，结合在所述第一驱动电源与所述第二节点之间；以及
第一稳定化晶体管，结合在所述第三晶体管与所述第二节点之间或者所述第一晶体管的所述第二电极与所述第三晶体管之间，在所述第三晶体管截止的时间段的一部分期间，所述第一稳定化晶体管被设定为截止状态。
2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管是P型多晶硅半导体晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求1所述的像素，其中：
所述第一稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
5.根据权利要求4所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
6.根据权利要求1所述的像素，所述像素还包括：
第六晶体管，结合在所述第一节点与所述第一驱动电源之间，当发光控制信号供应到第i发光控制线时，所述第六晶体管截止，当所述发光控制信号不供应到所述第i发光控制线时，所述第六晶体管导通；以及
第七晶体管，结合在所述第一晶体管的所述第二电极与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间，所述第七晶体管与所述第六晶体管同时地导通或截止，其中，供应到所述第i发光控制线的所述发光控制信号被设定为比所述第一扫描信号更宽的宽度，并被供应为与所述第一扫描信号重叠。
7.根据权利要求6所述的像素，其中，所述第一稳定化晶体管的栅电极结合到所述第i发光控制线。
8.根据权利要求1所述的像素，所述像素还包括：
第四晶体管，结合在所述第二节点与第一电源之间，当第二扫描信号供应到第i第二扫描线时，所述第四晶体管导通；以及
第二稳定化晶体管，结合在所述第二节点与所述第四晶体管之间或者所述第四晶体管与所述第一电源之间，在所述第四晶体管截止的时间段的一部分期间，所述第二稳定化晶体管被设定为截止状态。
9.根据权利要求8所述的像素，其中，所述第一电源被设定为比供应到所述数据线的数据信号低的电压。
10.根据权利要求8所述的像素，其中，所述第二稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
11.根据权利要求8所述的像素，其中：
所述第二稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，并且
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
12.根据权利要求11所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
13.根据权利要求8所述的像素，所述像素还包括：
第六晶体管，结合在所述第一节点与所述第一驱动电源之间，当发光控制信号供应到第i发光控制线时，所述第六晶体管截止，反之，所述第六晶体管则导通；以及
第七晶体管，结合在所述第一晶体管的所述第二电极与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间，所述第七晶体管与所述第六晶体管同时地导通或截止，其中，供应到所述第i发光控制线的所述发光控制信号被设定为比所述第一扫描信号更宽的宽度，并被供应为与所述第一扫描信号重叠。
14.根据权利要求13所述的像素，其中，所述第二稳定化晶体管的栅电极结合到所述第i发光控制线。
15.根据权利要求8所述的像素，其中，所述第i第二扫描线被设定为第i-1第一扫描线。
16.根据权利要求1所述的像素，所述像素还包括：
第五晶体管，结合在所述有机发光二极管的所述阳极电极与第一电源之间，当第三扫描信号供应到第i第三扫描线时，所述第五晶体管导通；以及
第三稳定化晶体管，结合在所述有机发光二极管的所述阳极电极与所述第五晶体管之间或者所述第五晶体管与所述第一电源之间，在所述第五晶体管截止的时间段的一部分期间，所述第三稳定化晶体管被设定为截止状态。
17.根据权利要求16所述的像素，其中，所述第三稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
18.根据权利要求16所述的像素，其中：
所述第三稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
19.根据权利要求18所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
20.根据权利要求16所述的像素，所述像素还包括：
第六晶体管，结合在所述第一节点与所述第一驱动电源之间，当发光控制信号供应到第i发光控制线时，所述第六晶体管截止，反之，第六晶体管则导通；以及
第七晶体管，结合在所述第一晶体管的所述第二电极与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间，所述第七晶体管与所述第六晶体管同时地导通或截止，其中，供应到所述第i发光控制线的所述发光控制信号被设定为比所述第一扫描信号更宽的宽度，并被供应为与所述第一扫描信号重叠。
21.根据权利要求20所述的像素，其中，所述第三稳定化晶体管的栅电极结合到所述第i发光控制线。
22.根据权利要求16所述的像素，其中，所述第i第三扫描线被设定为所述第i第一扫描线。
23.一种像素，所述像素包括：
有机发光二极管；
第一晶体管，基于第一节点的电压，控制从第一驱动电源经由所述有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量；
第二晶体管，结合在数据线与所述第一节点之间，当扫描信号供应到扫描线时，所述第二晶体管导通；
存储电容器，结合在所述第一节点与所述第一晶体管的第二电极之间；以及
稳定化晶体管，结合在所述数据线与所述第二晶体管之间或者所述第二晶体管与所述第一节点之间，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型多晶硅半导体晶体管，所述稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
24.根据权利要求23所述的像素，其中：
所述稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，并且
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
25.根据权利要求24所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
26.根据权利要求23所述的像素，其中，所述稳定化晶体管的栅电极结合到所述扫描线。
27.根据权利要求23所述的像素，所述像素还包括：
第三晶体管，结合在所述第一驱动电源与所述第一晶体管的第一电极之间，所述第三晶体管具有不与所述第二晶体管重叠的导通时间段。
28.一种像素，所述像素包括：
有机发光二极管；
第一晶体管，基于第一节点的电压，控制从第一驱动电源经由所述有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量；
第二晶体管，结合在数据线与第二节点之间，当扫描信号供应到扫描线时，所述第二晶体管导通；
第三晶体管，结合在所述第二节点与所述第一晶体管的第二电极之间，当发光控制信号供应到第i-1发光控制线时，所述第三晶体管截止；
第四晶体管，结合在所述第一节点与所述第一晶体管的第一电极之间，当供应所述扫描信号时，所述第四晶体管导通；
存储电容器，结合在所述第一节点与所述第二节点之间；以及
第一稳定化晶体管，结合在所述第一节点与所述第四晶体管之间或者所述第四晶体管与所述第一晶体管的所述第一电极之间，其中，所述第一晶体管至所述第四晶体管是N型多晶硅半导体晶体管，所述第一稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
29.根据权利要求28所述的像素，其中：
所述第一稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，并且
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
30.根据权利要求29所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
31.根据权利要求28所述的像素，其中，所述第一稳定化晶体管的栅电极结合到所述扫描线。
32.根据权利要求28所述的像素，所述像素还包括：
第二稳定化晶体管，结合在所述数据线与所述第二晶体管之间或者所述第二晶体管与所述第二节点之间。
33.根据权利要求32所述的像素，其中，所述第二稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
34.根据权利要求32所述的像素，其中：
所述第二稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分的期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
35.根据权利要求34所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
36.根据权利要求32所述的像素，其中，所述第二稳定化晶体管的栅电极结合到所述扫描线。
37.根据权利要求28所述的像素，所述像素还包括：
第五晶体管，结合在第一电源与所述有机发光二极管的阳极电极之间，所述第五晶体管具有结合到所述扫描线的栅电极；以及
第六晶体管，结合在所述第一驱动电源与所述第一晶体管的所述第一电极之间，所述第六晶体管具有结合到第i发光控制线的栅电极。
38.一种像素，所述像素包括：
有机发光二极管；
第一晶体管，基于第一节点的电压，控制从第一驱动电源经由所述有机发光二极管流动到第二驱动电源的电流的量；
第二晶体管，结合在第一电源与所述有机发光二极管的阳极电极之间，当第二扫描信号供应到第二扫描线时，所述第二晶体管导通；
第三晶体管，结合在所述第一节点与所述第一晶体管的第二电极之间，当第一扫描信号供应到第一扫描线时，所述第三晶体管导通；
存储电容器，结合在所述第一电源与所述第一节点之间；以及
第一稳定化晶体管，结合在所述第一节点与所述第三晶体管之间或者所述第三晶体管与所述第一晶体管的所述第二电极之间，
其中，所述第一晶体管至所述第三晶体管是N型多晶硅半导体晶体管，所述第一稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
39.根据权利要求38所述的像素，其中：
所述第一稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，并且
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
40.根据权利要求39所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
41.根据权利要求38所述的像素，其中，所述第一稳定化晶体管的栅电极结合到所述第一扫描线。
42.根据权利要求38所述的像素，所述像素还包括：
第二稳定化晶体管，结合在所述第二晶体管与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间或者所述第一电源与所述第二晶体管之间。
43.根据权利要求42所述的像素，其中，所述第二稳定化晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
44.根据权利要求42所述的像素，其中：
所述第二稳定化晶体管的栅电极结合到控制电源，
在以第一驱动频率驱动所述像素的时间段期间，所述控制电源被设定为栅极导通电压，在以比所述第一驱动频率低的第二驱动频率驱动所述像素的时间段的一部分期间，所述控制电源被设定为栅极截止电压。
45.根据权利要求44所述的像素，其中：
当以所述第二驱动频率驱动所述像素时，在数据信号的电压存储在所述存储电容器中之后，所述控制电源被设定为所述栅极截止电压。
46.根据权利要求42所述的像素，其中，所述第二稳定化晶体管的栅电极结合到所述第二扫描线。
47.根据权利要求38所述的像素，所述像素还包括：
第一电容器，结合在数据线与所述第一晶体管的所述第二电极之间。
48.一种像素，所述像素包括：
至少一个第一晶体管，位于电流路径上，电流沿所述电流路径从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源；以及
两个或更多个第二晶体管，位于除了所述电流路径之外的电流泄漏路径上，其中，所述两个或更多个第二晶体管中的每个包括：多晶硅半导体晶体管，结合到预定的信号线，所述多晶硅半导体晶体管基于所述信号线的信号导通或截止；以及氧化物半导体晶体管，结合到所述多晶硅半导体晶体管。
49.根据权利要求48所述的像素，其中，在所述多晶硅半导体晶体管导通的时间段期间，所述氧化物半导体晶体管被设定为导通状态。
50.根据权利要求48所述的像素，其中，在所述多晶硅半导体晶体管截止的时间段的一部分期间，所述氧化物半导体晶体管被设定为截止状态。
51.根据权利要求48所述的像素，其中，所述多晶硅半导体晶体管是P型晶体管或N型晶体管。
52.根据权利要求48所述的像素，其中，所述氧化物半导体晶体管是N型晶体管。
53.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
结合到扫描线和数据线的多个像素，
其中，所述多个像素中的每个包括：
至少一个第一晶体管，位于电流路径上，电流沿所述电流路径从第一驱动电源经由有机发光二极管流动到第二驱动电源；以及
两个或更多个第二晶体管，位于除了所述电流路径之外的电流泄漏路径上，其中，所述两个或更多个第二晶体管中的每个包括：多晶硅半导体晶体管，结合到预定的信号线，所述多晶硅半导体晶体管根据所述信号线的信号导通或截止；以及氧化物半导体晶体管，结合到所述多晶硅半导体晶体管。
54.根据权利要求53所述的有机发光显示装置，其中，在所述多晶硅半导体晶体管导通的时间段期间，所述氧化物半导体晶体管被设定为导通状态。
55.根据权利要求53所述的有机发光显示装置，其中，在所述多晶硅半导体晶体管截止的时间段的一部分期间，所述氧化物半导体晶体管被设定为截止状态。
56.根据权利要求53所述的有机发光显示装置，其中，所述多晶硅半导体晶体管是P型晶体管型或N型晶体管。
57.根据权利要求53所述的有机发光显示装置，其中，所述氧化物半导体晶体管是N型晶体管。
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