CN108120855A - 用于支承基板的吸盘模块和包括该吸盘模块的探针台 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种吸盘模块。该吸盘模块包括:吸盘板,用于支承基板,该吸盘板包括位在其中央部的对位孔;连接板,设置在吸盘板下面,该连接板包括第一真空孔和第一对位销,第一真空孔用于真空吸附吸盘板,第一对位销被插入到对位孔中,用于使连接板对齐吸盘板;以及加热单元,设置在连接板下面并且与连接板相互连接,该加热单元配置成加热吸盘板。由于能够利用真空将该吸盘板固定地连接到连接板,因此能够容易地附装、拆卸、更换、以及组装吸盘板。
Description
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种用于支承基板的吸盘模块和包括该吸盘模块的探针台。更明确地说,本发明的示例性实施方式涉及一种用于支承基板以使用探针卡对基板进行电气检查的吸盘模块、以及具有该吸盘模块的探针台,其中,在基板上形成有半导体器件。
背景技术
一般来说,半导体器件,例如集成电路器件,能够通过在半导体晶片上反复执行一系列的半导体处理来形成。举例来说,能够通过反复执行沉积工序、蚀刻工序、离子注入工序或扩散工序、以及清洁和清洗工序在晶片上形成半导体器件,其中,沉积工序用于在晶片上形成薄膜,蚀刻工序用于使薄膜形成具有电气特性的图案,离子注入工序或扩散工序用于将杂质注入或扩散到图案中,清洁和清洗工序用于从晶片去除杂质。
在通过上述的一系列工序形成了半导体器件后,能够执行检验工序,其用于检验半导体器件的电气特性。检验工序可由探针台执行,探针台包括探针卡以及测试仪,探针卡具有多个探针,测试仪被连接到探针卡,以提供电信号到探针卡。
探针卡可被设置在检验室的上部以用于检验工序,并且用于支承晶片的基板支承组件可与探针卡对置设置。基板支承组件包括吸盘模块、旋转驱动单元、竖直驱动单元、以及水平驱动单元,其中,在吸盘模块的上表面安装有晶片,旋转驱动单元被设置在吸盘模块下面,以使吸盘模块旋转,竖直驱动单元被设置在旋转驱动单元下面,以使吸盘模块在上下方向上移动,且水平驱动单元用于使吸盘模块在水平方向上移动。
吸盘模块能够被制造成各种类型。吸盘模块包括DC吸盘模块、热吸盘模块、以及冷吸盘模块。探针台具有适用于在晶片上执行检验工序的类型的吸盘模块,其能够从各种类的吸盘模块中选出。每一个吸盘模块包括吸盘、加热器、以及隔离件,其中,在吸盘上能够置放晶片,加热器被设置在吸盘下面并对吸盘进行加热,隔离件被设置在加热器下面并用于阻止来自加热器的热向下传导。
吸盘可具有大体上圆盘形状,并且,可提供冷却气体到吸盘以防止吸盘通过加热器提供的热而被加热到超过适当的温度。冷却气体能够在沿着形成在吸盘中的冷却通道移动的同时冷却吸盘。加热器可具有环形,且隔离件可具有与吸盘相同的圆盘形状。在此吸盘和加热器和隔离件可通过螺栓连接方式相互联接。
多种类型的吸盘模块具有彼此不同的各种类型的吸盘,然而,一种类型的吸盘模块所具有的元件,包括被提供到吸盘下面的加热器和隔热件,与其它类型的吸盘模块所具有的相同。也就是说,吸盘模块可被分类为DC吸盘、具有内置的热丝的热吸盘、以及能够接受冷却水或冷却气体作为冷却剂的冷吸盘。
在常见的探针台中,吸盘与下层的组成元件,例如加热器和隔离件通过螺栓连接方式相互联接。因此,当所安装的吸盘的类型改变,或者为了修理吸盘或由于吸盘已经长期使用而更换吸盘时,必须更换整个模组。在这种情况下,为了使晶片对齐探针卡,有必要进行吸盘的再调整和矫平,并且需要较长时间来更换吸盘模块,因此将增加处理时间,降低效率,并且提高制造成本。
另外,吸盘模块与其下层的元件通过螺栓连接方式相互联接。因此,当来自吸盘内置的热丝或加热器的热使吸盘膨胀时,装配公差改变并且吸盘可能会弯折。其结果,吸盘的水平度可能会改变,因此在检验工序期间可能会造成探针卡与晶片接触不良。
发明内容
本发明的示例性实施方式提供了一种用于支承基板的吸盘模块和包括该吸盘模块的探针台,本发明的吸盘模块能够防止因受热膨胀导致吸盘模块翘曲变形并且容易更换。
根据本发明的一方案,提供了一种吸盘模块,其包括:吸盘板,用于支承基板,该吸盘板包括位在其中央部的对位孔;连接板,设置在吸盘板下方,该连接板包括第一真空孔和第一对位销,第一真空孔用于真空吸附吸盘板,第一对位销被插入到对位孔中,用于使连接板对齐吸盘板;以及加热单元,设置在连接板下方并且与连接板连接,该加热单元配置成加热吸盘板。
在一示例性实施方式中,吸盘板可进一步包括形成在其边缘部的对位狭缝,并且,连接板进一步包括被插入到对位狭缝中的第二对位销。
在一示例性实施方式中,连接板可进一步包括冷却通道,其配置成使冷却流体流动以用于冷却吸盘板,以使吸盘板的温度维持在预设温度范围内。
在一示例性实施方式中,连接板可进一步包括与第一真空孔相连通的第一真空腔室,以提供空间用来传递在第一真空孔中的真空。
在一示例性实施方式中,吸盘板可进一步包括第二真空孔,其用于真空吸附基板。
在一示例性实施方式中,吸盘模块可进一步包括:第一真空线,连接到连接板并且与第一真空孔相连通,其传递真空到第一真空孔,以用于真空吸附吸盘板;第一真空泵,连接到第一真空线;第二真空线,与第二真空孔相连通,并且传递真空以用于真空吸附基板;以及第二真空泵,连接到第二真空线。
在此吸盘板可进一步包括第二真空腔室,其与第二真空孔和第二真空线相连通,用于提供用来传递真空到第二真空孔的空间,且第二真空线连接到吸盘板。
而且,连接板可进一步包括:第三真空孔,形成在与第二真空孔相对应的位置,以与第二真空孔相连通;以及第二真空腔室,与第三真空孔和第二真空线相连通,用于提供用来传递真空到第三真空孔的空间,且第二真空线连接到连接板。
在一示例性实施方式中,加热单元可包括:加热器,设置在连接板下方,并且配置成产生用来加热吸盘板的热;以及隔离件,设置在加热器下方,并且设置成防止热从加热器向下传导。
根据本发明的一方案,提供了一种探针台,其包括:吸盘模块,用于支承具有半导体器件的基板;以及探针卡保持模块,用于保持探针卡以用于执行对半导体器件的电气检查;其中吸盘模块包括:吸盘板,与探针卡对置设置,用于支承基板,该吸盘板包括位在其中央部的对位孔;连接板,设置在吸盘板下方,该连接板包括第一真空孔和第一对位销,第一真空孔用于真空吸附吸盘板,第一对位销被插入到对位孔中,用于使连接板对齐吸盘板;以及加热单元,设置在连接板下方并且与连接板连接,该加热单元配置成加热吸盘板。
在一示例性实施方式中,吸盘板可进一步包括形成在其边缘部的对位狭缝,并且,连接板进一步包括被插入到对位狭缝中的第二对位销。
在一示例性实施方式中,连接板可进一步包括冷却通道,其配置成使冷却流体流动以用于冷却吸盘板,以使吸盘板的温度维持在预设温度范围内。
根据如上所述的本发明的实施方式,能够通过利用真空将吸盘板固定到连接板而容易地拆卸和组装吸盘模块。当需要改变吸盘模块的类型,或由于吸盘板已经长期使用而需要将吸盘板更换为新的吸盘板时,可容易地仅更换吸盘板,不必完整地更换吸盘模块。其结果,能够提高吸盘模块的可装配性并且能够缩短装配时间。
而且,由于利用真空将吸盘板联接到连接板,而不是通过螺栓连接,因此能够防止吸盘板翘曲变形,即使来自加热单元的热使吸盘板受热膨胀。其结果,本发明的吸盘模块能够防止吸盘模块的水平度在完成晶片和探针卡的对位后改变,并且能够防止探针卡与晶片接触不良。
而且,连接板和吸盘板通过第一和第二对位销、以及对位孔和对位狭缝双方而准确地相互对齐,可进一步提高吸盘模块的装配精度。
明确地说,由于吸盘板包括具有狭缝形状而不是圆孔形状的对位狭缝,且第二对位销被插入到对位狭缝中,因此能够防止第二对位销因吸盘板而变形。因此,本发明的吸盘模块能够防止发生吸盘板受热变形,即使来自加热单元的热使吸盘板膨胀。其结果,可防止吸盘模块的水平度在完成晶片和探针卡的对位后改变。
附图说明
通过结合附图对示例性实施方式进行的详细描述,将更清楚地理解本发明的上述以及其他特征和优点,其中:
图1是示出根据本发明的一示例性实施方式的探针台的剖视图;
图2是示出根据本发明的一示例性实施方式的吸盘模块的剖视图;
图3是示出图2中的吸盘模块的分解立体图;
图4是示出图2中的吸盘板和连接板的连接状态的俯视图;
图5是示出图2中的吸盘模块的剖视图,其中吸盘板被移除;
图6是示出根据本发明的一示例性实施方式的吸盘模块的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参考示出了本发明的实施方式的附图更充分地描述本发明。然而,本发明能够以多种不同的形式实施并且不应被解释为限于本文中所描述的实施方式。这些实施方式是为了使本公开完全和完整,并且将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员而提供。在附图中,为了清楚起见,可能夸大层和区域的大小和相对大小。
应当理解的是,当将一个元件或层称为在另一个元件或层“上”、“被连接到”或者“被联接到”另一个元件或层时,其可为直接在其它元件或层上、直接被连接到或者被联接到其它元件或层、或者存在居于其间的元件或层。与此相反,当将一个元件称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接被连接到”或者“直接被联接到”另一个元件或层时,这意味着并不存在居于其间的元件或层。全文中,相同的标记表示相同的元件。如在本文中使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和全部组合。
应当理解的是,尽管术语第一、第二、第三等在本文中可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此,以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分在不背离本发明的教导的情况下可被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
在本文中为便于说明可使用“在…的下方”、“在…下面”、“较低的”、“在…上方”、“较高的”等空间相对术语来描述如图所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。应当理解的是,空间相对术语旨在涵盖器件在使用或操作中除了图中所描绘的方位之外的不同方位。例如,如果图中的器件翻转,则描述成“在其他元件或特征下面”或“在其他元件或特征下方”的元件被定向成“在其他元件或特征上方”。因此,示例的术语“在…下面”能够涵盖在上方和在下方这两种方位。器件可以另外的方式定向(旋转90度或在其他方位上),并且可相应地解释在本文中使用的空间相对描述词语。
在本文中使用的术语仅用于说明特定实施方式,并非旨在对本发明进行限定。在本文中使用的单数形式“一”、“一个”、和“所述/该”旨在包括复数形式,除非在上下文中另外明确地指出。应当理解的是,当在说明书中使用术语“组成”和/或“包含/包括”时,其明确指定存在所声明的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件,但不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的情况。
在本文中参考本发明的理想实施方式(和中间结构)的示意图的剖视图来描述本发明的实施方式。如此,可预期由于例如制造技术和/或容差而导致的所图示的形状的变化。因此,本发明的实施方式不应被解释为限于本文中所图示区域的特定形状,而是包括由于例如制造而导致的形状偏差。例如,图示为矩形的注入区域在其边缘通常具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度梯度,而不是从注入区域到非注入区域的二元改变。同样地,通过注入而形成的埋藏区域可导致该埋藏区域与注入进行时所经过的表面之间的区域中的一些注入。因此,图中所示区域实质上是示意性的,并且它们的形状并非旨在示出器件的区域的实际形状,也并非旨在限制本发明的范围。
除非另外定义,在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域的技术人员的一般理解相同的意义。应当理解的是,术语,例如在常用词典中定义的那些,应被解释为具有与它们在相关领域的背景和/或上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过度正式的意义进行解释,除非在本文中清楚地如此定义。
图1是示出根据本发明的一示例性实施方式的探针台的剖视图。
参见图1,根据本发明的一示例性实施方式的探针台100可使用探针卡20对基板10实施电气特性测试,基板10例如是晶片,在晶片上形成有多个半导体器件。
具体来说,探针台100包括:测试室110,提供用于对晶片10执行电气特性测试的处理空间;基板支承组件200,被定位在处理空间中,用于支承晶片10;以及底部和上部对位相机120和130,用于使晶片10对齐探针卡20。
探针卡20被定位在基板支承组件200上方。在晶片10对齐探针卡20后,探针卡20的探针22与形成在晶片10上的焊盘接触,以施加测试信号到焊盘。在此探针台100可与测试仪30相互连接,测试仪30用于检查晶片10的电气特性。测试仪30可通过探针卡20施加测试信号到形成在晶片10上的半导体器件,并且利用从半导体器件送出的输出信号检查晶片10的电气特性。
基板支承组件200调整晶片10的位置,以使晶片10的测试焊盘与探针卡20的探针22相互对应。在晶片10对齐探针卡20后,使晶片10上下移动以使探针与晶片10的测试焊盘接触。在这种情况下,可利用从底部和上部对位相机120和130取得的图像执行晶片10和探针卡20之间的对位。
详细来说,底部对位相机120可与基板支承组件200一起移动,并且可取得探针卡20的探针的图像。上部对位相机130可被设置在基板支承组件200上方,并且可取得形成在晶片10上的图案的图像。虽然在图1中未详细示出,上部对位相机130可通过桥式驱动部(未图示)在水平方向上移动。
以下,参见附图对基板支承组件200的元件进行详细描述。
图2是示出根据本发明的一示例性实施方式的吸盘模块的剖视图。图3是示出图2中的吸盘模块的分解立体图。图4是示出图2中的吸盘板和连接板的连接状态的俯视图。
参见图1和图2,基板支承组件200包括:吸盘模块301,用于将晶片10支承在其上表面;旋转驱动单元210,设置在吸盘模块301下面,用于使吸盘模块301旋转,以使探针卡20的探针22对齐晶片10的焊盘;竖直驱动单元220,被提供到吸盘模块301下面,用于调整吸盘模块301的上下位置;吸盘台230,被定位在吸盘模块301下方,用于支承竖直驱动单元220;以及水平驱动单元240,用于调整吸盘模块301的水平位置。
吸盘模块301被定位成面向探针卡20并支承晶片10,并且控制晶片10的温度以使其维持在适合于检查晶片10的温度。
具体来说,吸盘模块301包括吸盘板310、连接板320、以及加热单元330。吸盘板310可将晶片支承在其上表面。连接板320可被设置在吸盘板310下方并且可真空吸附吸盘板310,以与吸盘板310相互连接。加热单元330被定位在连接板320下方,用于加热吸盘板310。特别地,吸盘模块301可利用真空固定吸盘板310,使得可容易地从连接板320释放吸盘板310并且可容易地更换吸盘板310。
参见图2至图4,吸盘板310可具有如图3所示的圆盘形状。吸盘板310包括形成在其中央部的对位孔312,用于使吸盘板310对齐连接板320。
如图3所示,连接板320可具有与吸盘板310相似的圆盘形状以及大小。具体来说,连接板320包括:多个第一真空孔321,用于真空吸附吸盘板310;以及第一对位销322,被插入到对位孔312中,用于使连接板320对齐吸盘板310。
第一真空孔321可形成在连接板320的上表面,并且用于提供真空以将吸盘板310固定到连接板320。吸盘板310的下表面通过经由第一真空孔321提供的真空力被吸引到连接板320的上表面,由此吸盘板310被连接到连接板320。
第一对位销322被提供到连接板320的上表面并且可被设置在连接板320的中央部。第一对位销322被插入到吸盘板310的对位孔312中,由此吸盘板310的中心点对齐连接板320的中心点。
连接板320可进一步包括第二对位销323,其用于与吸盘板310的对位。第二对位销323可被提供到连接板320的上表面的边缘部,并且吸盘板310可具有对位狭缝314,第二对位销323被插入到对位狭缝314中。如图4所示,对位狭缝314形成在吸盘板310的边缘部,并且第二对位销323能够被插入到对位狭缝314中。虽然未图示,据此,吸盘板310和连接板320能够更准确地相互对齐。
连接板320可进一步包括第一真空腔室324,其与第一真空孔321相连通。而且,吸盘模块301可进一步包括:第一真空线342,联接到连接板320,用于提供真空以用于吸附并固定吸盘板310;以及第一真空泵350,联接到第一真空线342。
如图2所示,第一真空腔室324可形成在连接板320中并且可与第一真空线342相连通。第一真空腔室324具有用于为第一真空孔321提供真空的空间。因此,第一真空泵350被驱动以在第一真空腔室324中形成真空状态。当在第一真空腔室324中形成真空时,与第一真空腔室324相连通的第一真空孔321为真空状态,由此吸盘板310的下表面可被吸附并固定到连接板320的上表面。
以下,参见附图对利用真空将吸盘板310附接到连接板320和从连接板320拆卸吸盘板310的过程进行详细描述。
图5是示出图2中的吸盘模块的剖视图,其中吸盘板被移除。
参见图2和图5,下面对利用真空将吸盘板310联接到连接板320的过程进行详细描述。首先,吸盘板310和连接板320相互对齐。具体来说,吸盘板310的对位孔312被定位成与连接板320的第一对位销322相互对应,且吸盘板310的对位狭缝314对齐连接板320的第二对位销323。然后,吸盘板310被置放在连接板320的上表面。第一对位销322被插入到对位孔312中,且第二对位销323被插入到对位狭缝314中,由此吸盘板310对齐连接板320。
然后,第一真空泵350被驱动以在第一真空腔室324中形成真空,由此,如图2所示,在第一真空孔321中形成真空,从而吸盘板310固定地联接到连接板320。因此,吸盘模块301装配有吸盘板310和连接板320。
同时,对将吸盘板310从吸盘模块301分离,以将吸盘板310更换为另一个吸盘板的过程进行描述。首先,在第一真空泵350的驱动停止后,真空孔321的真空被破坏。其结果,如图5所示,可容易地从连接板320分离吸盘板310。明确地说,由于本发明的连接板320和吸盘板310不通过使用螺栓的螺栓联结方式来联接而是利用真空来联接,因此容易将其中一方从另一方分离,并且容易相互组装,从而可显著地缩短分离或相互组装的时间。
如上所述,能够通过利用真空将吸盘板310固定到连接板320而容易地拆卸和组装吸盘模块301。当需要改变吸盘模块301的类型,或由于吸盘板310已经长期使用而需要将吸盘板310更换为新的吸盘板时,可容易地仅更换吸盘板310,不必完整地更换吸盘模块301。其结果,能够提高吸盘模块301的可装配性并且能够缩短装配时间。
而且,由于利用真空将吸盘板310联接到连接板320,而不是通过螺栓连接,因此能够防止吸盘板310翘曲变形,即使来自加热单元330的热使吸盘板310受热膨胀。其结果,吸盘模块301能够防止吸盘模块301的水平度在完成晶片10和探针卡20的对位后改变,并且能够防止探针卡20与晶片10接触不良。
而且,连接板320和吸盘板310通过第一和第二对位销322和323以及对位孔312和对位狭缝314而准确地相互对齐,可进一步提高吸盘模块301的装配精度。
明确地说,吸盘板310包括形成为狭缝形状而不是圆孔形状的对位狭缝314,用于将第二对位销323插入。因此,第二对位销323可被联接到吸盘板310并且不会受到由于吸盘板310受热变形而造成的影响。因此,吸盘模块301能够防止吸盘板310变形,也就是说,能够防止吸盘板310产生例如翘曲变形等瑕疵,即使来自加热单元330的热使吸盘板310受热膨胀。其结果,可防止吸盘模块301的水平度在晶片10对齐探针卡20后改变。
再次参见图2和图3,连接板320可进一步包括冷却通道325,冷却流体流经冷却通道325。冷却通道325形成在连接板320中。可将用于冷却吸盘板310的冷却流体引入到冷却通道325中以使吸盘板310维持在适合于检验工序的预设温度范围内。其结果,连接板320可利用冷却流体防止吸盘板310通过加热单元330被加热到超过预设温度范围。
在一示例性实施方式中,冷却通道325可被定位在第一真空腔室324下方或第一真空腔室324上方。
在一示例性实施方式中,吸盘板310可包括多个第二真空孔316,用于真空吸附晶片10。如图3所示,第二真空孔316形成在吸盘板310的上表面。第二真空孔316可在内部产生真空,以将晶片10吸附到吸盘板310的上表面。而且,吸盘模块301可进一步包括与第二真空孔316相连通的第二真空线344、以及与第二真空线344相互连接的第二真空泵360。
吸盘板310可进一步包括第二真空腔室318,其与第二真空孔316相连通。第二真空腔室318可形成在吸盘板310内部并且可与第二真空线344相连通。可通过驱动第二真空泵360使第二真空腔室318成为真空状态。由此,与第二真空腔室318相连通的第二真空孔316可变成真空状态,以真空吸附被定位在吸盘板310的上表面的晶片。其结果,吸盘板310可稳定地支承晶片10。
加热单元330被定位在连接板320下方。加热单元330可包括加热器332和隔离件334。加热器332被设置在连接板320下方并且配置成产生用来加热吸盘板310的热。隔离件334被设置在加热器下方,用于防止热从加热单元330向下分散。
在一示例性实施方式中,加热器332可以多种方式布置并且可具有环形。而且,隔离件334可包括在其上表面的凹入部,用于容纳加热器332。
由于用于冷却吸盘板310的冷却通道325形成在连接板320中而不是形成在吸盘板310中,因此能够简化吸盘模块301。据此,能够容易地更换吸盘板310。
图6是示出根据本发明的一示例性实施方式的吸盘模块的剖视图。
图6所示的吸盘板370可具有对位孔312和对位狭缝314,用于与连接板380对齐,如同图2所示的吸盘板310一样。但是,图6所示的吸盘板370具有比图2所示的吸盘板310更简单的结构。也就是说,吸盘板370可具有用于真空吸附晶片10的多个第二真空孔316,但与图2所示的吸盘板310不同,吸盘板370不具有与孔316相连通的第二真空腔室318(参见图2)。
连接板380可包括用于真空吸附吸盘板370的多个第一真空孔321、以及用于使连接板380对齐吸盘板370的第一和第二对位销322和323。而且,连接板380可包括与第一真空孔321相连通的第一真空腔室324。
具体来说,连接板380可进一步包括第三真空孔382和第二真空腔室384。第三真空孔382与第二真空孔316相连通,用于为第二真空孔316提供真空。第二真空腔室384提供与第三真空孔382相连通的空间以用于真空吸附晶片10。
图6所示的吸盘模块302与图2所示的吸盘模块301在以下方面不同:与第二真空孔316相连通的第二真空腔室384是形成在连接板380中,且第二真空线344被联接到连接板380而不是被联接到吸盘板370。第三真空孔382与第一真空孔321一起形成在连接板380的上表面,且第二真空腔室384与第二真空线344相连通。连接到第二真空线344的第二真空泵360被驱动以在第二真空腔室384中产生真空,以使第三真空孔382成为真空状态。其结果,能够将设置在吸盘板370上的晶片10吸引并固定到吸盘板370。
如图6所示,第二真空腔室384被定位在第一真空腔室324上方,但第二真空腔室384也可以被定位在第一真空腔室324下方。
再次参见图1,旋转驱动单元210被布置在吸盘模块301下面,用于使吸盘模块301旋转,以使晶片10的测试焊盘对齐探针卡20的探针22。而且,竖直驱动单元220可被设置在旋转驱动单元210下面。竖直驱动单元220使吸盘模块301上下移动以调整吸盘模块301的上下位置,且吸盘台230可被设置在竖直驱动单元220下面。吸盘台230可被设置在水平驱动单元240上并且水平驱动单元240可使吸盘台230平移,以调整吸盘模块301的水平位置。
前述内容是对本发明的说明,不应被解释为对本发明进行限定。虽然已描述了本发明的几个示例性实施方式,但本领域的技术人员将容易地理解,在不实质上背离本发明的新颖教导和优点的情况下,能够对示例性实施方式进行许多修改。相应地,所有这些修改都旨在被涵盖在由权利要求定义的本发明的范围内。在权利要求中,装置加功能条款旨在涵盖在本文中描述为执行所述功能的结构,不仅涵盖结构等价物,而且涵盖等价结构。因此,应当理解的是,前述内容是对本发明的说明,不应被解释为使本发明限于所公开的具体实施方式,并且对所公开的实施方式以及其他实施方式的修改旨在被涵盖在所附权利要求的范围内。本发明由所附权利要求和包括在本文中的权利要求的等价物定义。
Claims (12)
1.一种吸盘模块,用于支承基板,所述吸盘模块包括:
吸盘板,用于支承基板,所述吸盘板包括位在其中央部的对位孔;
连接板,设置在所述吸盘板下方,所述连接板包括第一真空孔和第一对位销,所述第一真空孔用于真空吸附所述吸盘板,所述第一对位销被插入到所述对位孔中,用于使所述连接板对齐所述吸盘板;以及
加热单元,设置在所述连接板下方并且与所述连接板连接,所述加热单元配置成加热所述吸盘板。
2.根据权利要求1所述的吸盘模块,其中,所述吸盘板进一步包括形成在其边缘部的对位狭缝,并且,所述连接板进一步包括被插入到所述对位狭缝中的第二对位销。
3.根据权利要求1所述的吸盘模块,其中,所述连接板进一步包括冷却通道,其配置成使冷却流体流动以用于冷却所述吸盘板,以使所述吸盘板的温度维持在预设温度范围内。
4.根据权利要求1所述的吸盘模块,其中,所述连接板进一步包括与所述第一真空孔相连通的第一真空腔室,以提供用来在所述第一真空孔中传递真空的空间。
5.根据权利要求1所述的吸盘模块,其中,所述吸盘板进一步包括第二真空孔,其用于真空吸附所述基板。
6.根据权利要求5所述的吸盘模块,其进一步包括:
第一真空线,连接到所述连接板,与所述第一真空孔相连通,并传递真空到所述第一真空孔,以用于真空吸附所述吸盘板;
第一真空泵,连接到所述第一真空线;
第二真空线,与所述第二真空孔相连通,并且传递真空以用于真空吸附所述基板;以及
第二真空泵,连接到所述第二真空线。
7.根据权利要求6所述的吸盘模块,其中,所述吸盘板进一步包括第二真空腔室,其与所述第二真空孔和所述第二真空线相连通,用于提供用来传递真空到所述第二真空孔的空间,且所述第二真空线连接到所述吸盘板。
8.根据权利要求6所述的吸盘模块,其中,所述连接板进一步包括:第三真空孔,形成在与所述第二真空孔相对应的位置,以与所述第二真空孔相连通;以及第二真空腔室,与所述第三真空孔和所述第二真空线相连通,用于提供用来传递真空到所述第三真空孔的空间,且所述第二真空线连接到所述连接板。
9.根据权利要求1所述的吸盘模块,其中,所述加热单元包括:
加热器,设置在所述连接板下方,并且配置成产生用来加热所述吸盘板的热;以及
隔离件,设置在所述加热器下方,并且配置成防止热从所述加热器向下传导。
10.一种探针台,其包括:
吸盘模块,用于支承具有半导体器件的基板;以及
探针卡保持模块,用于保持探针卡以用于对半导体器件执行电气检查;
其中所述吸盘模块包括:
吸盘板,与所述探针卡对置设置,用于支承所述基板,所述吸盘板包括位在其中央部的对位孔;
连接板,设置在所述吸盘板下方,所述连接板包括第一真空孔和第一对位销,所述第一真空孔用于真空吸附所述吸盘板,所述第一对位销被插入到所述对位孔中,用于使所述连接板对齐所述吸盘板;以及
加热单元,设置在所述连接板下方并且与所述连接板连接,所述加热单元配置成加热所述吸盘板。
11.根据权利要求10所述的探针台,其中,所述吸盘板进一步包括形成在其边缘部的对位狭缝,并且,所述连接板进一步包括被插入到所述对位狭缝中的第二对位销。
12.根据权利要求10所述的探针台,其中,所述连接板进一步包括冷却通道,其配置成使冷却流体流动以用于冷却所述吸盘板,以使所述吸盘板的温度维持在预设温度范围内。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109848897A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-07 | 深圳市优界科技有限公司 | 一种带加热功能的真空吸盘 |
CN112845115A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 华芯智造微电子(重庆)有限公司 | 一种高效自动分选方法 |
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102238999B1 (ko) * | 2019-07-18 | 2021-04-12 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션 |
US11493551B2 (en) | 2020-06-22 | 2022-11-08 | Advantest Test Solutions, Inc. | Integrated test cell using active thermal interposer (ATI) with parallel socket actuation |
US11549981B2 (en) | 2020-10-01 | 2023-01-10 | Advantest Test Solutions, Inc. | Thermal solution for massively parallel testing |
US11821913B2 (en) | 2020-11-02 | 2023-11-21 | Advantest Test Solutions, Inc. | Shielded socket and carrier for high-volume test of semiconductor devices |
US11808812B2 (en) | 2020-11-02 | 2023-11-07 | Advantest Test Solutions, Inc. | Passive carrier-based device delivery for slot-based high-volume semiconductor test system |
US20220155364A1 (en) | 2020-11-19 | 2022-05-19 | Advantest Test Solutions, Inc. | Wafer scale active thermal interposer for device testing |
US11567119B2 (en) | 2020-12-04 | 2023-01-31 | Advantest Test Solutions, Inc. | Testing system including active thermal interposer device |
US11573262B2 (en) | 2020-12-31 | 2023-02-07 | Advantest Test Solutions, Inc. | Multi-input multi-zone thermal control for device testing |
US11587640B2 (en) | 2021-03-08 | 2023-02-21 | Advantest Test Solutions, Inc. | Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures |
TWI793607B (zh) * | 2021-05-14 | 2023-02-21 | 中華精測科技股份有限公司 | 探針卡裝置及其拋棄式調整片 |
US11656273B1 (en) | 2021-11-05 | 2023-05-23 | Advantest Test Solutions, Inc. | High current device testing apparatus and systems |
KR102669503B1 (ko) * | 2022-02-10 | 2024-05-29 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 마운팅용 왁스 도포장치와 이를 포함하는 웨이퍼 마운팅 장치 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263437A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
JPH11239991A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-09-07 | Shipley Far East Kk | 物体の保持装置及びそれを用いる物体の保持方法 |
KR20010071838A (ko) * | 1999-05-20 | 2001-07-31 | 다나카 아키히로 | 레지스트 경화장치 |
CN1365518A (zh) * | 1999-05-25 | 2002-08-21 | 东陶机器株式会社 | 静电吸盘和处理装置 |
JP2003077964A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ用チャックトップ |
JP2006040754A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 熱板装置 |
KR101011152B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2011-01-26 | 한국생산기술연구원 | 기판받침대를 가지는 막 형성 장치 |
CN103308839A (zh) * | 2012-03-14 | 2013-09-18 | 东京毅力科创株式会社 | 晶片检查装置 |
KR101712538B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2017-03-06 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6367743A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-26 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 移動ステ−ジ機構 |
US6912915B2 (en) * | 2003-11-21 | 2005-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for shear testing bonds on silicon substrate |
KR101369437B1 (ko) * | 2007-08-20 | 2014-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 가열 장치 |
KR101166430B1 (ko) | 2010-12-20 | 2012-07-19 | 쿠어스텍아시아 유한회사 | 반도체 웨이퍼 진공 고정용 포러스 척 |
US9016675B2 (en) * | 2012-07-06 | 2015-04-28 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Apparatus and method for supporting a workpiece during processing |
WO2016080502A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
2016
- 2016-11-30 KR KR1020160161286A patent/KR101871067B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-11-20 TW TW106140018A patent/TWI663685B/zh active
- 2017-11-29 CN CN201711225186.0A patent/CN108120855B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263437A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
JPH11239991A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-09-07 | Shipley Far East Kk | 物体の保持装置及びそれを用いる物体の保持方法 |
KR20010071838A (ko) * | 1999-05-20 | 2001-07-31 | 다나카 아키히로 | 레지스트 경화장치 |
CN1365518A (zh) * | 1999-05-25 | 2002-08-21 | 东陶机器株式会社 | 静电吸盘和处理装置 |
JP2003077964A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ用チャックトップ |
JP2006040754A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 熱板装置 |
KR101011152B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2011-01-26 | 한국생산기술연구원 | 기판받침대를 가지는 막 형성 장치 |
KR101712538B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2017-03-06 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
CN103308839A (zh) * | 2012-03-14 | 2013-09-18 | 东京毅力科创株式会社 | 晶片检查装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109848897A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-07 | 深圳市优界科技有限公司 | 一种带加热功能的真空吸盘 |
CN112845115A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 华芯智造微电子(重庆)有限公司 | 一种高效自动分选方法 |
CN112845187A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 华芯智造微电子(重庆)有限公司 | 一种自动分选机 |
CN112845187B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-01-10 | 华芯智造微电子(重庆)有限公司 | 一种自动分选机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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