CN108109795B - 电阻器制造方法及电阻器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电阻器制造方法,包括:获得电阻层与绝缘基板贴合形成的组合板体;对所述组合板体上的电阻层进行雕刻,以获得至少一电阻体;其中,所述电阻体的上表面包括电阻区域和两电极区域,所述电阻区域和两所述电极区域均不重叠;在所述电阻区域上印刷掩膜层;在每一所述电极区域上形成相应的上电极;在所述掩膜层的表面上覆盖保护层,获得电阻器。相应,本发明还提供一种电阻器。本发明能有效实现电阻器的阻值高精度和低TCR值。

Description

电阻器制造方法及电阻器
技术领域
本发明涉及电子器件技术领域,尤其涉及一种电阻器制造方法及电阻器。
背景技术
一种已知电阻元件,参见图1所示,采用材质为环氧树脂的散热胶片,将绝缘基板和合金电阻体粘合在一起,然后通过刻蚀、氧化、激光调阻、印刷、电镀或化学镀、保护采用印刷工艺成型的方式,在电阻体上分别形成内部电极层、保护层以及外部电极层,以制造出不同电阻值的电阻元件。该电阻的保护层与电极搭接位置较易产生渗浆现象,导致阻值精度较差、TCR值(temperature coefficient of resistance,电阻温度系数,用于反映材料的电阻受温度影响程度)易超差偏高。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种片式合金电流感应电阻制造方法,能有效实现电阻器的阻值高精度和低TCR值。
为实现上述目的,本发明实施例还提供一种电阻器制造方法,包括:
获得电阻层与绝缘基板贴合形成的组合板体;
对所述组合板体上的电阻层进行雕刻,以获得至少一电阻体;其中,所述电阻体的上表面包括电阻区域和两电极区域,所述电阻区域和两所述电极区域均不重叠;
在所述电阻区域上印刷掩膜层;
在每一所述电极区域上形成相应的上电极;
在所述掩膜层的表面上覆盖保护层,获得电阻器;其中,所述保护层为曝光油墨保护层;所述在所述掩膜层的表面上覆盖保护层具体包括:在所述掩膜层的上表面印刷曝光油墨,然后根据预设图形进行曝光显影以形成设于所述掩膜层上的曝光油墨保护层;其中,所述预设图形的边缘与所述掩膜层的边缘对齐。
与现有技术相比,本发明实施例公开的电阻器制造方法,通过在电阻体22的电阻区域上覆盖掩膜层3后再在掩膜层3上覆盖相应的保护层4,露出上电极5,从而避免了传统电阻体产品中出现的渗浆不良问题,确保修阻后的阻值精度不变,并可实现更低电阻温度系数(TCR)。
作为进一步方案,使用曝光油墨材料作为保护,既可降低产品TCR,又可进一步确保阻值高精度。曝光显影后保护层的图形边缘与掩膜层的边缘对齐,避免了传统印刷型保护的电阻由于保护层渗透上电极导致产品阻值不稳定,阻值散差过大、TCR值过高现象出现。
进一步的,所述对所述组合板体上的电阻层进行雕刻具体包括:
根据预设电阻体设计图形,采用机械雕刻技术对所述组合板体上的电阻体进行雕刻。
作为进一步方案,电阻体的图形采用机械雕刻方法成形,图形均匀好,便于实现超小型号的电阻器的生产。
进一步的,还包括:
在所述绝缘基板的下表面形成连接对应的端电极的内部电极;
在所述组合板体的两侧端面上形成连接对应的所述上电极的端电极;
在所述端电极的外侧形成外部电极,其中,所述外部电极的上下两端分别向所述上电极和所述内部电极延伸以连接对应的所述上电极和对应的所述内部电极。
进一步的,在所述掩膜层的表面上覆盖保护层前还包括:基于预设阻值,采用机械修阻技术在所述电阻体的可调区域上进行修阻。
作为进一步方案,采用机械修阻技术,修阻过程受热效应的影响甚微,即测量稳定性好,可实现如0.2mΩ~1mΩ的超低阻值。
进一步的,所述在每一所述电极区域上形成相应的上电极具体包括:
在每一所述电极区域上进行电镀铜,形成相应的所述上电极。
相应的,本发明实施例提供了一种电阻器,包括:绝缘基板、电阻体、两上电极、掩膜层和保护层;其中,
所述电阻体的下表面贴合所述绝缘基板,所述电阻体的上表面包括电阻区域和两电极区域,且所述电阻区域和所述电极区域不重叠;所述掩膜层覆盖于所述电阻区域上,每一所述上电极设于对应所述电极区域;
所述保护层设于所述掩膜层的上表面;其中,所述保护层为曝光油墨保护层。
进一步的,所述保护层的边缘与所述掩膜层的边缘对齐。
进一步的,还包括内部电极、端电极和外部电极;其中,
所述端电极设于所述绝缘基板和所述电阻体所构成的整体的两侧端面,且每一所述端电极连接对应的所述上电极;
所述内部电极设于所述绝缘基板的下表面,且每一所述内部电极的一端连接对应的所述端电极;
所述外部电极包覆所述端电极,且所述外部电极的上下两端分别向所述上电极和所述内部电极延伸以连接对应的所述上电极和对应的所述内部电极。
附图说明
图1是现有技术中一种电阻器的结构示意图;
图2是本发明实施例1提供的一种电阻器制造方法的流程示意图;
图3是本发明实施例1提供的一种电阻器制造方法的所制造的电阻器的结构示意图;
图4是电阻层与绝缘基板贴合形成的组合板体的结构示意图;
图5是对组合板体进行电阻层雕刻后得到电阻体的结构示意图;
图6是对印刷有掩膜层和形成有上电极的组合板体的结构示意图;
图7是切割断开各个电阻体之间的镀桥后的组合板体的结构示意图;
图8是电阻体经过修阻后的组合板体的结构示意图;
图9是印刷有曝光油墨浆料的组合板体的结构示意图;
图10是经过曝光显影所得到印刷有油墨保护层的组合板体的结构示意图;
图11是形成内部电极的组合板体的结构示意图;
图12是组合板体分割成条状和分割成粒状的示意图;
图13是本发明实施例2提供的一种电阻器制造方法的流程示意图;
其中,说明书附图中的附图标记如下:
1、绝缘基板;21、电阻层;22、电阻体;3、掩膜层;4、保护层;5、上电极;6、内部电极;7、端电极;8、外部电极;9、镀桥。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参见图2和图3,图2是本发明实施例1提供的电阻器制造方法的流程示意图,图3是本发明实施例所提供的电阻器制造方法所制造的一种电阻器的结构示意图;本实施例包括步骤:
S11、获得电阻层21与绝缘基板1贴合形成的组合板体;
S12、对所述组合板体上的电阻层21进行雕刻,以获得至少一电阻体22;其中,所述电阻体22的上表面包括电阻区域和两电极区域,所述电阻区域和两所述电极区域均不重叠;
S13、在所述电阻区域上印刷掩膜层3;
S14、在每一所述电极区域上形成相应的上电极5;
S15、基于预设阻值,采用机械修阻技术在所述电阻体22的可调区域上进行修阻;
S16、在所述掩膜层3的表面上覆盖保护层4。
相比现有技术,如图1所示的传统电阻体,采用传统的印刷型保护,在成形后会出现不同程度的渗浆现象,即保护覆盖了电阻体与铜电极搭接处的边缘,所以电阻体实际包含了小部分体积的铜电极,因铜的TCR值大于1000ppm/℃,对于超低阻电阻器来说,直接影响产品的阻值精度以及TCR水平,导致阻值精度较差,TCR值易超差偏高。而本实施例通过在电阻体22的电阻区域上覆盖掩膜层3后再在掩膜层3上覆盖相应的保护层4,露出上电极5,从而避免了传统电阻体产品中出现的渗浆不良问题,确保修阻后的阻值精度不变,并可实现更低电阻温度系数(TCR)。
进一步的,步骤S11可以具体包括:使用粘胶将绝缘基板1与电阻层21在预设温度条件下进行黏合,从而获得电阻层21与绝缘基板1贴合形成的组合板体;参见图4,图4为电阻层21与绝缘基板1贴合形成的组合板体的示意图,其中,图4(A)为俯视图,图4(B)为侧视图。
进一步的,绝缘基板1包括有划槽面和非划槽面,通常选择绝缘基板1的有划槽面与电阻层21的下表面贴合。具体,将粘胶使用贴膜机贴合在绝缘基板1(有划槽面),撕开粘胶上层膜后,将电阻层21平放在粘胶正中间再过一次贴膜机,设置温度为150-250℃。
进一步的,所述电阻层21可以选用由铜合金材料制成的一电阻层21,可以参见图4所示。所述的铜合金材料包括锰铜合金、镍铜合金、锰铜锡合金及具备同类属性的合金材料,铜合金材料的TCR值优选控制在±10ppm/℃。
通常,步骤S11的绝缘基板1要求有较好的绝缘性和热传导性,优选为氧化铝陶瓷基板。
进一步的,步骤S11所使用粘胶黏合所适合的温度范围优选为150-250℃,该粘胶材料在热处理后使电阻体22可以承受380℃高温不会从绝缘基板1脱落。
进一步的,步骤S12中所述对所述组合板体上的电阻层21进行雕刻具体包括:根据预设电阻体22设计图形,采用机械雕刻技术对所述组合板体上的电阻体22进行雕刻。具体,电阻体22可以使用AuToCAD软件制作出预设电阻体22设计图形,通过机械雕刻机直接使用铣刀雕刻电阻体22成型。经过步骤S12雕刻后的组合板体可以参见图5所示,图5所示的组合板体中包括了若干电阻体22。
步骤S12使用AuCAD软件精确制作电阻体设计图形,然后通过机械雕刻机直接使用铣刀雕刻电阻体成型,可保持每一个电阻体图形的一致性,电阻值最低可实现0.2-0.5mΩ,最小型号可以实现0402(1.00*0.50mm)。电阻体22成型后±1%的阻值合格率可达90-100%;±0.5%的阻值合格率可以达50-70%。
与现有技术相比,如图1所示的现有技术所提供的电阻体产品,通常采用湿法腐蚀工艺成形电阻体,由于刻蚀液浓度和均匀性,以及刻蚀机喷淋头喷淋均匀性较难控制,刻蚀后的图形一致性较差,阻值散差大;而本实施例的电阻体22的图形采用机械雕刻方法成形,图形均匀好,便于实现超小型号的电阻器的生产。
进一步的,步骤S13具体包括:在电阻体22表面的电阻区域上印刷光刻掩膜浆料,然后经150-250℃温度下固化形成掩膜层3,从而将电阻体22表面的电阻区域完全覆盖。通常掩膜层3的覆盖区域为覆盖组合板体的上表面上除电阻区域外的其它区域,保证露出电极即可;如图6所示在组合板体上印刷条状的掩膜层3,露出电极区域。
进一步的,步骤S14具体包括:在每一所述电极区域上进行高速电镀铜,形成相应的所述上电极5,得到的上电极5为铜电极。
通常,参见图6所示所述组合板体中不同电阻体22之间连接有镀桥9,则本实施例在步骤S14后进一步还包括步骤:将不同电阻体22之间的镀桥9切割断开,具体可以使用钻石刀切割机进行镀桥9切割。参见图7所示,图7为断开不同电阻体22之间的镀桥9后的组合板体的示意图。
进一步的,步骤S15可以采用机械修阻技术对电阻体22进行机械打磨修阻,具体可以为使用金刚石磨棒或砂轮将电阻体22的膜层磨成一个圆坑或其它形状,如图8所示的机械修阻口,以达到修阻的目的。修阻过程受热效应的影响甚微,即测量稳定性好,可实现如0.2mΩ~1mΩ的超低阻值。
现有技术中通常采用激光修阻方式修阻,激光修阻时由于散发热量高,电阻体22的切割口处容易产生火山口现象(即融溶金属粉末冷却后的堆积物),影响产品阻值的一致性。另激光修阻因速度较快且同时会产生热效应,即导致测量的稳定性差,如修调5mΩ±1%以下阻值,精度良率非常低。而且对于1mΩ及以下的阻值,激光修阻已无法实现阻值稳定的精确测量。
本实施例配合机械调阻机进行打磨微调阻,所制作得到的电阻器规格为≤3mΩ±0.5%的阻值合格率可达80%以上;所制作得到的电阻器规格为>3mΩ±0.5%的阻值合格率达95%以上。
本实施例步骤S12中电阻体图形化采用机械雕刻技术,部分阻值精度可达到±1%要求,因此步骤S15可以选择不进行阻值微调,跳过该步骤S15,减少流程,节省成本。
进一步的,步骤S16中的所述保护层4为曝光油墨保护层4;步骤S16在所述掩膜层3的表面上覆盖保护层4具体包括:
参见图9,在所述掩膜层的上表面印刷曝光油墨,然后,参见图10,根据预设图形进行曝光显影以形成设于所述掩膜层3上的曝光油墨保护层4;其中,所述预设图形的边缘与所述掩膜层3的边缘对齐。
步骤S15中使用曝光油墨材料作为保护,使产品TCR值可控在±50ppm/℃以内;≥5mΩ产品TCR值更可控制在±25ppm/℃以内。而使用印刷型保护的传统电阻器产品中,≤3mΩ产品TCR值甚至超过±100ppm/℃,大于3mΩ产品在±50ppm/℃以内。
作为进一步方案,使用曝光油墨材料作为保护,既可降低产品TCR,又可进一步确保阻值高精度。曝光显影后保护层4的图形边缘与掩膜层3的边缘对齐,避免了传统印刷型保护的电阻由于保护层4渗透上电极5导致产品阻值不稳定,阻值散差过大、TCR值过高现象出现。
下表1为通过本实施例提供传统印刷型保护与本发明实施例基于曝光油墨型保护TCR值对比表的对比表:
传统印刷型保护产品 本发明实施例产品
≤3mΩ ±150ppm/℃ ±50ppm/℃
3-5mΩ ±50ppm/℃ ±50ppm/℃
≥5mΩ ±50ppm/℃ ±25ppm/℃
表1
本发明实施例所制得的电阻器,在1000h的70℃耐久通电试验下,阻值变化率可控制在±0.5%以内。而现有技术的阻值变化率只能控制在±1%以内;在1000h的耐环境腐蚀试验条件下,阻值变化率可控制在±0.5%以内。而现有技术的保护设计,在1000h的耐环境腐蚀试验条件下,阻值变化率只能控制在±1%以内。
进一步的,本实施例还包括步骤:
S17、在绝缘基板1的下表面(即非划槽面)上印刷形成连接对应的所述端电极7的内部电极6及印刷标记浆料,然后经150-250℃固化;优选的,内部电极6为银电极;如图11所示,图11中所示的组合板体为由若干单体产品构成的组合板体,每一单体产品用于制成一电阻器;
S18、将组合板体沿着水平分割线X1由片状分割成条状,得到如图12(A)所示的条状的组合板体,条状的组合板体包括由若干排列于同一直线上的单体产品构成的组合板体;
S19、在条状的组合板体中两侧端面上形成连接对应的所述上电极5的端电极7;具体为通过在条状的组合板体上溅射导体金属,形成每一单体产品的两个端电极7;
S20、将条状的组合板体折粒沿着垂直分割线Y1由条状的组合板体分割成粒状的单体产品,得到如图12(B)所示粒状的单体产品;
S21、在粒状的单体产品的端电极7的外侧形成所述外部电极8,具体通过电镀形成所述外部电极8;其中,所述外部电极8的上下两端分别向所述上电极5和所述内部电极6延伸以连接对应的所述上电极5和对应的所述内部电极6;所述外部电极8起到可焊接作用。
进一步的,在形成上电极5、内部电极6、端电极7和外部电极8的过程中,还通过电镀技术在上电极5、内部电极6、端电极7和外部电极8上形成金属镀层,所述金属镀层包括镍层和锡层,其中,镍层为中间缓冲层,锡层用以与其他外部元件焊接。
相比于现有技术的电阻设计,如湿法刻蚀方案,其电阻值最低只能达到1mΩ,最小规格只能做到0603(1.60*0.80mm),阻值精度一般只能控制在±4%左右(电阻调阻前在-8%~0控制范围)。配合传统的激光调阻,≤3mΩ阻值段±1%的阻值合格率也只能达到60-80%左右,±0.5%的阻值合格率只能在30-40%;>3mΩ阻值段±1%的阻值合格率70%-90%,±0.5%的阻值合格率最高只能到70%。
下表2为通过本实施例提供的制造方法可以制造得到的电阻器产品与传统湿法成型电阻体产品的对比表:
表2
具体实施时,首先获得电阻层21与绝缘基板1贴合形成的组合板体;然后,对所述组合板体上的电阻层21进行雕刻,以获得至少一电阻体22;并,在电阻体22的上表面的电阻区域上印刷掩膜层3,以及在电阻体22的上表面的每一所述电极区域上形成相应的上电极5;接着,基于预设阻值,采用机械修阻技术在所述电阻体22的可调区域上进行修阻,在所述掩膜层3的表面上覆盖保护层4,最后形成相应的内部电极6、端电极7和外部电极8,获得电阻器。
本实施例通过铜合金材料的选型、粘胶黏合、雕刻电阻图形设计、曝光油墨保护设计、高速挂镀、镀桥9切割、钻石刀磨棒修阻等工艺的导入,使电阻体22本体阻值、温度系数得到最佳的提升。与现有技术的产品相比,其抗温漂能力和功率耐受能力更高,产品的长期稳定性和环境耐受性更好,即产品具备高精度。
参见图13,图13是本发明实施例2提供的一种电阻器制造方法的流程示意图,本实施例以得到0402(1.00*0.50mm)规格,目标阻值为1mΩ,额定功率:1/2W,阻值精度控制:±0.5%的电阻器为例进行说明,本实施例包括步骤:
S31、将粘胶使用贴膜机贴合在绝缘基板1,撕开粘胶上层膜后,将铜电阻层21平放在粘胶正中间再过一次贴膜机,设置温度为150-250℃,从而获得电阻层21与绝缘基板1贴合形成的组合板体;其中,电阻层21优选采用锰锡铜合金材料,绝缘基板1选用氧化铝陶瓷基板;参见图4,图4为电阻层21与绝缘基板1贴合形成的组合板体的示意图,其中,图4(A)为俯视图,图4(B)为侧视图;
S32、使用AuToCAD软件设计获得电阻体设计图形,阻值计算控制在目标阻值的-3%~-1%以内,然后将电阻体设计图形输入机械雕刻机直接使用铣刀对组合板体中的电阻层21雕刻,得到若干电阻体22;其中,不同电阻体22之间连接有镀桥9;经过雕刻后的组合板体可以参见图5所示,图5所示的组合板体中包括了若干电阻体22;
S33、在电阻体22表面的电阻区域上印刷光刻掩膜浆料,然后经150-250℃温度下固化形成掩膜层3;如图6所示在组合板体上印刷条状的掩膜层3,露出电极区域;
S34、在每一所述电极区域上进行镀铜,形成相应的上电极5;
S35、切割断开不同电阻体22之间所连接的镀桥9,具体可以使用钻石刀切割机进行镀桥9切割;参见图7所示,图7为断开不同电阻体22之间的镀桥9后的组合板体的示意图;
S36、将组合板体进行固化热处理,具体可以通过固化箱进行热处理,热处理曲线优选为:升温30-60分钟,150-250℃,恒温90-100分钟,60-90分钟降温;经过热处理后的粘胶,可以承受380℃的高温,使电阻体22和陶瓷基板的结合力更好,不脱落;
S37、采用机械修阻技术,通过金刚石磨棒或砂轮对电阻体22表面的可调区域进行打磨修阻,得到的电阻体22的阻值控制在1mΩ(±0.5%);
S38、参见图9,在整块组合板体上印刷曝光油墨浆料,用条形保护图形对曝光油墨进行曝光,曝光时间20~25s;
S39、参见图10,用碳酸钠溶液对曝光后的光刻掩膜层3进行显影,形成覆盖于掩膜层3上的保护层4;其中,碳酸钠溶液优选浓度为0.1%-5%;
S40、在绝缘基板1的下表面(即非划槽面)上印刷形成连接对应的所述端电极7的内部电极6及印刷标记浆料,然后经150-250℃固化;如图11所示,图11中所示的组合板体为由若干单体产品构成的组合板体,每一单体产品用于制成一电阻器;
S41、将组合板体沿着水平分割线X1由片状分割成条状,得到如图12(A)所示的条状的组合板体,条状的组合板体包括由若干排列于同一直线上的单体产品构成的组合板体;
S42、在条状的组合板体中两侧端面上形成连接对应的所述上电极5的端电极7;具体为通过在条状的组合板体上溅射导体金属,形成每一单体产品的两个端电极7;
S43、将条状的组合板体折粒沿着垂直分割线Y1由条状的组合板体分割成粒状的单体产品,得到如图12(B)所示粒状的单体产品;
S44、在粒状的单体产品的端电极7的外侧形成所述外部电极8,具体通过电镀形成所述外部电极8;其中,所述外部电极8的上下两端分别向所述上电极5和所述内部电极6延伸以连接对应的所述上电极5和对应的所述内部电极6;所述外部电极8起到可焊接作用。
进一步的,在形成上电极5、内部电极6、端电极7和外部电极8的过程中,还通过电镀技术在上电极5、内部电极6、端电极7和外部电极8上形成金属镀层,所述金属镀层包括镍层和锡层,其中,镍层为中间缓冲层,锡层用以与其他外部元件焊接。
本实施例基于上述步骤得到电阻器后,通过使用两台高精度超低阻测试仪编带测试成品(4000pcs)阻值,所得成品中93%的电阻器的阻值在目标阻值的±0.5%范围内。
将成品取样80pcs分四组(一组20pcs)安排TCR试验、1/2W功率试验、1000h的高温通电试验以及1000h的耐环境腐蚀试验,试验结果:TCR值为18-28ppm;1/2W功率试验后最大阻值变化率为0.06%;1000h的高温通电试验后最大阻值变化率为0.35%;1000h的耐环境腐蚀试验后最大阻值变化率为0.13%。
本实施例通过铜合金材料的选型、粘胶黏合、雕刻电阻图形设计、曝光油墨保护设计、高速挂镀、镀桥9切割、钻石刀磨棒修阻等工艺的导入,使电阻体22本体阻值、温度系数得到最佳的提升。与现有技术的产品相比,其抗温漂能力和功率耐受能力更高,产品的长期稳定性和环境耐受性更好,即产品具备高精度。
相应的,本发明实施例提供了一种电阻器,可以参见图3所示的电阻器结构示意图,本实施例包括:绝缘基板1、电阻体22、两上电极5、掩膜层3和保护层4;其中,
所述电阻体22的下表面贴合所述绝缘基板1,所述电阻体22的上表面包括电阻区域和两电极区域,且所述电阻区域和所述电极区域不重叠;所述掩膜层3覆盖于所述电阻区域上,每一所述上电极5设于对应所述电极区域;
所述保护层4设于所述掩膜层3的上表面。
进一步的,所述保护层4的边缘与所述掩膜层3的边缘对齐,以露出上电极5。相比于如图1所示的传统印刷型保护,保护层搭接到电极部分,其电阻体包含了两部分,一部分为合金膜,一部分为铜电极,而铜电极的TCR水平会达到1000ppm/℃,直接会影响整个电阻器的TCR水平,从而导致TCR值偏高,阻值精确度第。本实施例避免保护层4渗漏至电阻体22主体中,保证了低TCR值和高阻值精确度。
进一步的,所述保护层4为曝光油墨保护层4,通常通过在印刷有掩膜层3和电镀有上电极5后的组合板体的上表面上整体覆盖油墨材料,然后进行曝光显影得到覆盖于掩膜层3上的保护层4,且使上电极5露出。该曝光油墨保护层4与合金电阻体22有极佳的结合,避免如环氧树脂或亚克力等保护材料与合金电阻体22结合时容易出现空隙问题,故具有更高的耐湿性和耐腐蚀性。
进一步的,还包括内部电极6、端电极7和外部电极8;其中,
所述端电极7设于所述绝缘基板1和所述电阻体22所构成的整体的两侧端面,且每一所述端电极7连接对应的所述上电极5;
所述内部电极6设于所述绝缘基板1的下表面,且每一所述内部电极6的一端连接对应的所述端电极7;
所述外部电极8包覆所述端电极7,且所述外部电极8的上下两端分别向所述上电极5和所述内部电极6延伸以连接对应的所述上电极5和对应的所述内部电极6。
具体的,所述外部电极8完全覆盖所述第一电极并覆盖所述保护层4表面的部分区域。
进一步的,所述第一电极为铜电极,所述内部电极6为银电极,所述端电极7选用镍铬合金材料,所述外部电极8选用镍锡合金材料。
进一步的,所述第一电极、所述内部电极6、所述端电极7和所述外部电极8均在外表面上设有金属镀层。
进一步的,所述金属镀层依次包括内层的镍层和外层的锡层,所述镍层作为中间缓冲层,锡层作为可对外焊接的电连接层。
进一步的,所述电阻层21为铜合金电阻层21,所述铜合金电阻层21采用的铜合金材料包括锰铜合金材料、镍铜合金材料或锰铜锡合金材料。
进一步的,所述绝缘基板1为陶瓷基板,优选为氧化铝陶瓷基板。
进一步的,所述电阻层21的下表面通过粘胶贴合所述绝缘基板1。
进一步的,所述绝缘基板1的下表面(非划槽面)印刷有标记。
具体的,本实施例的电阻器的制造方法可以采用本发明实施例提供的任一实施例所提供的电阻器制造方法,此处不再赘述。
本实施例所提供的电阻器,避免了传统电阻体产品中出现的渗浆不良问题,确保修阻后的阻值精度不变,并可实现更低电阻温度系数(TCR);同时具有更高的耐湿性和耐腐蚀性。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种电阻器制造方法,其特征在于,包括:
获得电阻层与绝缘基板贴合形成的组合板体;
对所述组合板体上的电阻层进行雕刻,以获得至少一电阻体;其中,所述电阻体的上表面包括电阻区域和两电极区域,所述电阻区域和两所述电极区域均不重叠;
在所述电阻区域上印刷掩膜层;
在每一所述电极区域上形成相应的上电极;
在所述掩膜层的表面上覆盖保护层,获得电阻器;其中,所述保护层为曝光油墨保护层;所述在所述掩膜层的表面上覆盖保护层具体包括:在所述掩膜层的上表面印刷曝光油墨,然后根据预设图形进行曝光显影以形成设于所述掩膜层上的曝光油墨保护层;其中,所述预设图形的边缘与所述掩膜层的边缘对齐。
2.如权利要求1所述的一种电阻器制造方法,其特征在于,所述对所述组合板体上的电阻层进行雕刻具体包括:
根据预设电阻体设计图形,采用机械雕刻技术对所述组合板体上的电阻体进行雕刻。
3.如权利要求1所述的一种电阻器制造方法,其特征在于,还包括:
在所述绝缘基板的下表面形成连接对应的端电极的内部电极;
在所述组合板体的两侧端面上形成连接对应的所述上电极的端电极;
在所述端电极的外侧形成外部电极,其中,所述外部电极的上下两端分别向所述上电极和所述内部电极延伸以连接对应的所述上电极和对应的所述内部电极。
4.如权利要求1所述的一种电阻器制造方法,其特征在于,在所述掩膜层的表面上覆盖保护层前还包括:基于预设阻值,采用机械修阻技术在所述电阻体的可调区域上进行修阻。
5.如权利要求1所述的一种电阻器制造方法,其特征在于,所述在每一所述电极区域上形成相应的上电极具体包括:
在每一所述电极区域上进行电镀铜,形成相应的所述上电极。
6.一种基于权利要求1至权利要求5中任一项所述的电阻器制造方法制造得到的电阻器,其特征在于,包括:绝缘基板、电阻体、两上电极、掩膜层和保护层;其中,
所述电阻体的下表面贴合所述绝缘基板,所述电阻体的上表面包括电阻区域和两电极区域,且所述电阻区域和所述电极区域不重叠;所述掩膜层覆盖于所述电阻区域上,每一所述上电极设于对应所述电极区域;
所述保护层设于所述掩膜层的上表面;其中,所述保护层为曝光油墨保护层。
7.如权利要求6所述的一种电阻器,其特征在于,所述保护层的边缘与所述掩膜层的边缘对齐。
8.如权利要求6所述的一种电阻器,其特征在于,还包括内部电极、端电极和外部电极;其中,
所述端电极设于所述绝缘基板和所述电阻体所构成的整体的两侧端面,且每一所述端电极连接对应的所述上电极;
所述内部电极设于所述绝缘基板的下表面,且每一所述内部电极的一端连接对应的所述端电极;
所述外部电极包覆所述端电极,且所述外部电极的上下两端分别向所述上电极和所述内部电极延伸以连接对应的所述上电极和对应的所述内部电极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841366A (zh) * 2019-02-25 2019-06-04 广东风华高新科技股份有限公司 一种电阻器端电极薄膜化的制备方法
TW202137835A (zh) * 2020-03-25 2021-10-01 光頡科技股份有限公司 柱狀電阻元件及其製造方法
CN113628820B (zh) * 2021-08-11 2022-11-01 南京萨特科技发展有限公司 一种合金贴片电阻及其的制备方法
CN115206607B (zh) * 2022-07-26 2023-05-02 钧崴电子科技股份有限公司 电阻结构及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020033750A1 (en) * 2000-06-13 2002-03-21 Munenori Oizumi Production method of fine resistor thin film with very low TCR for inkjet printer
KR100463434B1 (ko) * 2001-12-04 2004-12-23 삼성전기주식회사 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법
WO2014199752A1 (ja) * 2013-06-13 2014-12-18 株式会社 村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
WO2015162858A1 (ja) * 2014-04-24 2015-10-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 チップ抵抗器およびその製造方法
CN106952702B (zh) * 2016-11-11 2019-01-18 苏州华德电子有限公司 一种金属板结构高功率高阻值精度贴片电阻制作工艺及贴片电阻
CN207909610U (zh) * 2017-12-08 2018-09-25 广东风华高新科技股份有限公司 一种电阻器

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