CN108039873A - 一种芯片级声表面波滤波器制作方法 - Google Patents

一种芯片级声表面波滤波器制作方法 Download PDF

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李善斌
张少华
刘绍侃
王宁
蒋燕港
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Abstract

本发明涉及芯片制作方法领域，一种芯片级声表面波滤波器制作方法，清洗工艺，压电材料的清洗；镀膜工艺，在压电材料表面镀金属膜；涂布工艺，在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶；S4、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应形成槽；显影工艺，在光刻胶上涂显影液，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；刻蚀工艺；保护层钝化；涂布工艺；显影工艺；刻蚀工艺；电镀工艺等工艺。通过增加保护层完成产品的钝化，解决了后续产品工艺划伤的隐患，大大提高了产品的防水防尘效果，并以此为基础，叠加光刻版版图的防静电条制作，应用电镀完成产品的凸焊点的制作，减少了传统的需要叠加剥离工艺与植金球的复杂程度。

Description

一种芯片级声表面波滤波器制作方法
技术领域
本发明涉及芯片制作方法领域，特别是一种芯片级声表面波滤波器制作方法。
背景技术
着通信时代的快速发展，小型化、高频化、高可靠性的声表面波滤波器 (SAWF)越来越受重视，芯片级声表面波滤波器工艺技术因而得到了飞速发展。
传统的芯片级声表面波滤波器制作工艺复杂，也限制产品的安全可靠性，设备的使用效率。传统的芯片级声表面波滤波器制作工艺仅是对芯片叉指的制作完成。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种芯片级声表面波滤波器制作方法，解决后续产品工艺划伤的隐患，大大提高了产品的防水防尘效果。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种芯片级声表面波滤波器制作方法，包括如下步骤：
S1、清洗工艺，压电材料的清洗；
S2、镀膜工艺，在压电材料表面镀金属膜；
S3、涂布工艺，在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶；
S4、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应形成槽；
S5、显影工艺，在光刻胶上涂显影液，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；
S6、刻蚀工艺，去除无光刻胶的保护的金属膜，剩余光刻胶剥离；
S7、保护层钝化，对整枚压电材料镀膜一层氮化硅，钝化保护，获得半成品芯片；
S8、涂布工艺，对半成品芯片表面均匀的涂正性光刻胶；
S9、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应；
S10、显影工艺，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；
S11、刻蚀工艺，无光刻胶的保护的SixNy被去除，将金属结构PAD层裸露出来，剩余光刻胶剥离；
S12、电镀工艺，电镀一层金完成对PAD层上金凸焊点的制作。
作为优选的，通过倒装成品芯片与底座的电性能导通，经划片切割完成单个产品的分离，完成整个产品的制作。
使用本发明的有益效果是：
通过增加保护层完成产品的钝化，解决了后续产品工艺划伤的隐患，大大提高了产品的防水防尘效果，并以此为基础，叠加光刻版版图的防静电条制作，应用电镀完成产品的凸焊点的制作，减少了传统的需要叠加剥离工艺与植金球的复杂程度。
附图说明
图1为本发明芯片级声表面波滤波器制作方法的工艺流程图。
附图标记包括：
100-压电材料 200-金属膜 300-第一层光刻胶
400-第一光刻板 500-第二层光刻胶 600-SixNy层
700-第二光刻板 800-电镀金
具体实施方式
以下结合附图对本发明进行详细的描述。
如图1所示，本实施提供一种芯片级声表面波滤波器制作方法，包括如下步骤：
S1、清洗工艺，压电材料100的清洗；
S2、镀膜工艺，在压电材料100表面镀金属膜200；
S3、涂布工艺，在金属膜200表面均匀的涂第一层正性光刻胶；
S4、光刻工艺，紫外光透过第一光刻板400照射到下方第一层光刻胶300，第一层光刻胶300发生化学反应形成槽；
S5、显影工艺，在第一层光刻胶300上涂显影液，接触到紫外光的第一层光刻胶300与显影液反应，被去除；
S6、刻蚀工艺，去除无第一层光刻胶300的保护的金属膜200，剩余第一层光刻胶300剥离；
S7、保护层钝化，对整枚压电材料100镀膜一层SixNy层600(氮化硅)，钝化保护，获得半成品芯片；
S8、涂布工艺，对半成品芯片表面均匀的涂第二层正性光刻胶；
S9、光刻工艺，紫外光透过第二光刻板700照射到下方第二层光刻胶500，第二层光刻胶500发生化学反应；
S10、显影工艺，接触到紫外光的第二层光刻胶500与显影液反应，被去除；
S11、刻蚀工艺，无第二层光刻胶500的保护的SixNy被去除，将金属结构PAD层裸露出来，剩余第二层光刻胶500剥离；
S12、电镀工艺，电镀一层金完成对PAD层上金凸焊点的制作。
通过倒装成品芯片与底座的电性能导通，经划片切割完成单个产品的分离，完成整个产品的制作。
传统的芯片级声表面波滤波器制作方法易划伤水防尘效果差，本发明利用SixNy(氮化硅)的保护钝化作用，完成产品的可靠性防护；又利用SixNy 的遮挡作用，以此完成仅对PAD的电镀。
首先，打破传统工艺的思维定式其次，解决了传统声表器件防水防尘可靠性差的问题。最后，可靠性和电镀工艺的导入完美的结合在一起，合理利用每一步工艺，提高生产效率。
1.本发明利用氮化硅的钝化与电镀的结合完成PAD的层的电镀金800凸焊点的制作。
2.本发明根据金的电阻率低的特性，适用于高性能、严要求产品的制作。
3.本工艺同样适用于对传统滤波器器件，尤其是一些叉指条窄，易短路器件的钝化保护。
以上内容仅为本发明的较位实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上可以作出许多变化，只耍这些变化未脱离本发明的构思，均属于本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种芯片级声表面波滤波器制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、清洗工艺，压电材料的清洗；
S2、镀膜工艺，在压电材料表面镀金属膜；
S3、涂布工艺，在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶；
S4、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应形成槽；
S5、显影工艺，在光刻胶上涂显影液，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；
S6、刻蚀工艺，去除无光刻胶的保护的金属膜，剩余光刻胶剥离；
S7、保护层钝化，对整枚压电材料镀膜一层氮化硅，钝化保护，获得半成品芯片；
S8、涂布工艺，对半成品芯片表面均匀的涂正性光刻胶；
S9、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应；
S10、显影工艺，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；
S11、刻蚀工艺，无光刻胶的保护的SixNy被去除，将金属结构PAD层裸露出来，剩余光刻胶剥离；
S12、电镀工艺，电镀一层金完成对PAD层上金凸焊点的制作，得到成品芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片级声表面波滤波器制作方法，其特征在于：通过倒装成品芯片与底座的电性能导通，经划片切割完成单个产品的分离，完成整个产品的制作。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108768334A (zh) * 2018-06-01 2018-11-06 厦门市三安集成电路有限公司 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法
CN108923763A (zh) * 2018-06-01 2018-11-30 厦门市三安集成电路有限公司 一种高频saw之idt铜工艺制造方法
CN109462384A (zh) * 2018-12-28 2019-03-12 河北时硕微芯科技有限公司 一种声表滤波器及制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101599749A (zh) * 2009-04-21 2009-12-09 中国科学院微电子研究所 一种声表面波换能器的制作方法
CN204206128U (zh) * 2014-10-15 2015-03-11 深圳华远微电科技有限公司 一种ltcc陶瓷封装的声表谐振器
CN105140354A (zh) * 2015-08-13 2015-12-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法
CN105789037A (zh) * 2016-03-18 2016-07-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法
CN107272098A (zh) * 2017-06-02 2017-10-20 中国科学技术大学 抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101599749A (zh) * 2009-04-21 2009-12-09 中国科学院微电子研究所 一种声表面波换能器的制作方法
CN204206128U (zh) * 2014-10-15 2015-03-11 深圳华远微电科技有限公司 一种ltcc陶瓷封装的声表谐振器
CN105140354A (zh) * 2015-08-13 2015-12-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法
CN105789037A (zh) * 2016-03-18 2016-07-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法
CN107272098A (zh) * 2017-06-02 2017-10-20 中国科学技术大学 抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108768334A (zh) * 2018-06-01 2018-11-06 厦门市三安集成电路有限公司 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法
CN108923763A (zh) * 2018-06-01 2018-11-30 厦门市三安集成电路有限公司 一种高频saw之idt铜工艺制造方法
CN108923763B (zh) * 2018-06-01 2022-06-14 厦门市三安集成电路有限公司 一种高频saw之idt铜工艺制造方法
CN108768334B (zh) * 2018-06-01 2022-06-28 厦门市三安集成电路有限公司 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法
CN109462384A (zh) * 2018-12-28 2019-03-12 河北时硕微芯科技有限公司 一种声表滤波器及制作方法

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