CN108768334A - 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVLDJSZFKQJMKD-UHFFFAOYSA-N [Li].[Si] Chemical compound [Li].[Si] ZVLDJSZFKQJMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
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Abstract
本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波滤波器制造技术领域，尤其涉及一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法。
背景技术
声表面波(SAW)滤波器广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器。SAW滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身，可实现宽带宽和小体积。习知的SAW滤波器，电输入信号通过间插的金属叉指换能器(IDT)转换为声波，这种IDT是在压电基板上形成的。其中，温度补偿型滤波器(TC-SAW)不易受温度变化影响，性能更为稳定，应用更为广泛。
现有的TC-SAW滤波器的IDT结构制作时，一般采用剥离工艺(LIFT-OFF)，即在衬底上采用负性光刻胶通过曝光、显影制成图形，然后在其上淀积金属膜，再用不侵蚀金属膜的溶剂除去光刻胶，随着光刻胶的去除，胶上的金属被剥离，从而留下预设图形的金属结构。TC-SAW滤波器的调整频率主要依靠IDT电极线宽来调整，即频率越高线宽越小，如1.9G的一般线宽在0.5μm，而3.5G的一般在0.25μm。随着技术发展，TC-SAW滤波器在高频尤其是未来5G时代的应用频率会越来越高，对线宽要求更为苛刻。然而，由于负胶及剥离工艺的局限，在IDT电极线宽小于0.35μm时，曝光及剥离工艺基本上无法完成，且电极的形貌较难控制，这限制了TC-SAW产品在高频领域的应用。
在高频应用上目前主要采用BAW(体声波)工艺，而BAW工艺需要十几道光刻工艺，繁琐复杂，成本高。因而，寻求一种可制作小线宽Cu金属电极的TC-SAW产品的新工艺十分重要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法。
为了实现以上目的，本发明的技术方案为：
一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法包括以下步骤：
1)提供压电材料衬底；
2)于衬底上沉积介质材料形成第一介质层；
3)涂覆正性光刻胶，曝光、显影后定义出IDT图形，采用干法蚀刻工艺刻蚀所述第一介质层以形成与IDT图形相应的膜层形貌，去除正性光刻胶；
4)沉积金属形成IDT金属层，所述IDT金属层至少顶层为Cu；
5)采用CMP工艺研磨所述IDT金属层至与所述第一介质层平齐，形成与IDT图形相应的IDT金属结构；
6)于步骤5)形成的结构表面沉积介质材料形成第二介质层；
7)对预设区域的第二介质层开连接孔。
可选的，步骤2)和步骤6)中，所述介质材料为SiO2或SixNy。
可选的，所述第一介质层的厚度为100～500nm。
可选的，步骤4)中，所述IDT金属层是Ti/Al/Cu或Ta/TaN/Cu的组合层。
可选的，步骤5)中，所述IDT金属结构的电极线宽为200-500nm。
可选的，所述第二介质层的厚度为0.1λ-0.4λ，其中λ是0.8-2μm。
可选的，所述压电材料是钽酸锂或铌酸锂。
本发明的有益效果为：
(1)通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成；
(2)具有更小的插入损耗和适用更高的功率的场景；
(3)工艺简单，可控性强，极大的降低了成本；
(4)可以根据需要调整IDT金属的顶部的介质层膜厚而不需要增加额外成本，对产品的性能提升及现有的高频制造工艺具有极大的帮助。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图，其中图1a-1g分别为各步骤得到的结构示意图。
具体实施方式
以下结合图1所示本发明的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法的工艺流程图对本发明做具体的说明。
参考1a，提供压电材料衬底1，所述压电材料衬底1可以是例如钽酸锂或硅上钽酸锂晶元等。
参考图1b，于衬底1上沉积介质材料形成第一介质层2。介质材料包括SiO2、Si3N4、SixNy等，通过CVD/PVD等方法沉积。第一介质层2厚度范围在100～500nm，例如参考在200nm。第一介质层2的厚度会定义出IDT金属厚度，可根据产品设计需求进行调整。
参考图1c，涂覆正性光刻胶，曝光、显影后定义出IDT图形，采用干法蚀刻工艺刻蚀所述第一介质层2以形成与IDT图形相应的膜层形貌，去除正性光刻胶；IDT图形电极线宽可根据实际产品需要定义，范围为200～500nm，例如参考在250nm。
参考图1d，进行IDT金属层3的沉积，金属层的沉积方式可采用E-GUN/PVD/电镀等方式进行。IDT金属层3是Cu或顶层为Cu的金属膜组合，如Ti/Al/Cu,Ti/Al/Cu/AL/Cu等。IDT金属层3的厚度大于第一介质层2的厚度以便于最终IDT电极结构厚度的精确控制。
参考图1e，采用CMP(化学机械研磨)工艺研磨所述IDT金属层3，停止在第一介质层2，形成与IDT图形相应的彼此分立的IDT金属结构3a，从而IDT金属结构3a厚度与第一介质层2相同。CMP的主要工艺原理是化学物质与晶圆表面的物质反应，形成新的化合物，再由桨料中的微粒子机械式的研磨，加以去除。本实施例的桨料包含酸性水溶液、双氧水、乙醇、硝酸及氢氧化铵等，其研磨颗料为氧化铝，PH值在3-5之间。更具体的参数：流量50-100ml/min,氧化铝研磨颗料直径为180-280nm，桨料浓渡为3-7％，PH值控制在4.1-4.4之间,研磨转移控制在25-40RPM，压力控制在41-48kpa之间，研磨速率100-200nm/min。
参考图1f，进行上述介质材料的二次沉积，形成第二介质层4，第二介质层4覆盖IDT金属结构3a的表面以用于调整频率。第二介质层4的厚度参考为0.1λ-0.4λ，其中λ是该TC-SAW应用频率电磁波于器件内部传播的波长。优选的，波长为0.8-4μm。以3.5GHz频率举例，在LT WAFER衬底上波的传波速度3500m/s，则λ约为1μm，计算其厚度应为100nm-400nm。
参考图1g，对预设区域(例如部分IDT金属结构顶部)的第二介质层4开连接孔5，从而形成最终图形。
上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。
Claims (7)
1.一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于包括以下步骤：
1)提供压电材料衬底；
2)于衬底上沉积介质材料形成第一介质层；
3)涂覆正性光刻胶，曝光、显影后定义出IDT图形，采用干法蚀刻工艺刻蚀所述第一介质层以形成与IDT图形相应的膜层形貌，去除正性光刻胶；
4)沉积金属形成IDT金属层，所述IDT金属层至少顶层为Cu；
5)采用CMP工艺研磨所述IDT金属层至与所述第一介质层平齐，形成与IDT图形相应的IDT金属结构；
6)于步骤5)形成的结构表面沉积介质材料形成第二介质层；
7)对预设区域的第二介质层开连接孔。
2.根据权利要求1所述的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于：步骤2)和步骤6)中，所述介质材料为SiO2或SixNy。
3.根据权利要求1所述的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于：所述第一介质层的厚度为100～500nm。
4.根据权利要求1所述的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于：步骤4)中，所述IDT金属层是Ti/Al/Cu或Ta/TaN/Cu的组合层。
5.根据权利要求1所述的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于：步骤5)中，所述IDT金属结构的电极线宽为200-500nm。
6.根据权利要求1所述的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于：所述第二介质层的厚度为0.1λ-0.4λ，其中λ为0.8-4μm。
7.根据权利要求1所述的TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于：所述压电材料是钽酸锂或铌酸锂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810558981.XA CN108768334B (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法 |
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|---|---|---|---|
| CN201810558981.XA CN108768334B (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108768334A true CN108768334A (zh) | 2018-11-06 |
| CN108768334B CN108768334B (zh) | 2022-06-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810558981.XA Active CN108768334B (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN108768334B (zh) |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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