CN107978521A - 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107978521A
CN107978521A CN201711175239.2A CN201711175239A CN107978521A CN 107978521 A CN107978521 A CN 107978521A CN 201711175239 A CN201711175239 A CN 201711175239A CN 107978521 A CN107978521 A CN 107978521A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cushion
interlayer insulating
insulating film
display panel
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711175239.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107978521B (zh
Inventor
高涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201711175239.2A priority Critical patent/CN107978521B/zh
Publication of CN107978521A publication Critical patent/CN107978521A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107978521B publication Critical patent/CN107978521B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/3115—Doping the insulating layers
    • H01L21/31155—Doping the insulating layers by ion implantation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置，该切割方法包括：在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，缓冲层和层间绝缘层都覆盖显示面板的边缘区域；去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分缓冲层；对暴露出的缓冲层进行离子注入处理；沿切割线进行切割。由于对暴露出的缓冲层进行了离子注入处理，使得经过离子注入处理后的缓冲层变为低应力膜层，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，能够提高产品良率。

Description

显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置。
背景技术
柔性显示是下一代显示技术的重要发展方向，该技术具有可弯曲、不易碎、超轻超薄、低功耗、便携等特点，在电子书、移动通信、笔记本、电视、公共信息等领域具有广阔的应用前景和良好的发展预期。目前柔性显示所用的基板材料为有机塑料、薄金属箔与薄玻璃等。
目前柔性显示的制备方法中，激光剥离后需要进行切割工艺，将大面板(柔性显示面板母板)分割成小面板(柔性显示面板)，以便进行后段模组组装工艺，而切割常用方法有刀具切割和激光切割。因柔性显示面板母板的切割位置处具有多层无机阻隔膜，因此不管是刀具切割还是激光切割，都会因为瞬间的高压力及高热量，造成薄膜破裂的问题，进而影响柔性元件的显示特性。
综上所述，现有技术对柔性显示面板母板进行切割时，切割外力会导致薄膜破裂的问题，从而使得柔性显示面板的良率较低。
发明内容
本发明的首要目的旨在提供一种显示面板母板的切割方法，用以解决切割外力导致的薄膜破裂问题，以及解决产品良率较低的问题。
本发明的另一目的旨在提供一种显示面板，用以解决产品良率较低的问题。
本发明的又一目的旨在提供一种显示装置，用于解决产品良率较低的问题。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种显示面板母板的切割方法，所述显示面板母板包括多个显示面板，且每个所述显示面板边缘区域设置有切割线；该切割方法包括：
在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，所述缓冲层和所述层间绝缘层都覆盖所述显示面板的边缘区域；
去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分所述缓冲层；
对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理；
沿所述切割线进行切割。
优选地，所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，包括：
去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成多个支撑壁，该多个支撑壁沿着从所述显示面板边缘到所述显示面板内部的方向间隔排列。
优选地，在所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理之后，且在所述沿所述切割线进行切割之前，还包括：
进行退火处理。
优选地，所述去除所述边缘区域对应位置处的部分所述层间绝缘层，形成多个支撑壁，包括：
在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影，去除需要进行离子注入位置处的光刻胶，暴露出所述需要进行离子注入位置处的层间绝缘层；
对暴露出的所述层间绝缘层进行刻蚀，形成多个间隔排列的支撑壁。
优选地，所述在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层之前，还包括：
在所述基板上制作阻挡层。
优选地，在所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案之后，且在所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理之前，还包括：
对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理。
优选地，所述离子注入处理包括：
获取离子参数，所述离子参数为根据暴露出的所述缓冲层，以及暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层的材料和厚度得到的参数；
根据所述离子参数进行离子注入。
优选地，所述对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理，包括：
将硼离子或磷离子注入到暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层中。
优选地，所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理，包括：
将硼离子或磷离子注入到暴露出的所述缓冲层中。
优选地，在所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案之后，且在所述对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理之前，还包括：
采用光刻胶遮挡所述层间绝缘层和所述支撑壁。
优选地，所述阻挡层的材料与所述缓冲层的材料相同；或
所述层间绝缘层的材料与所述缓冲层的材料相同。
优选地，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅中的任意之一或组合。
一种显示面板，包括显示区域和所述显示区域周围的边缘区域，在所述边缘区域设置有切割线，所述边缘区域包括依次位于基板上的缓冲层、和具有第一图案的层间绝缘层；
且在所述第一图案的层间绝缘层覆盖范围之外、暴露出的所述缓冲层包含注入的离子。
优选地，显示面板还包括：位于所述基板和所述缓冲层之间的阻挡层；
且位于所述暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层包含注入的离子。
一种显示装置，包括上述的显示面板。
相比于现有技术，本发明的方案具有以下有益效果：
本发明实施例提供的显示面板母板的切割方法，由于该方法采用构图工艺去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分缓冲层；由于本发明实施例对暴露出的缓冲层进行离子注入处理，而离子注入能够释放应力，使得经过离子注入处理后的缓冲层变为低应力膜层，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，进而能够提高产品良率。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是现有技术对激光剥离后的柔性显示面板母板进行切割时的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板母板的切割方法流程图；
图3-图7是本发明实施例提供的一种显示面板母板的切割方法在不同切割阶段时的结构示意图。
下面说明本发明实施例各附图标记表示的含义：
10-切割位置；1-柔性基板；2-阻挡层；3-缓冲层；4-层间绝缘层；5-支撑壁；6-低应力薄膜区；41-光刻胶；42-掩膜板。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面首先介绍一下本发明实施例中使用到的技术术语。
离子注入工艺，普遍应用在半导体显示器件的制备工艺中，其特点是：准直性好(即横向扩散小)，可通过调节注入离子的能量和剂量，精准控制掺杂离子的深度和浓度，达到高纯度掺杂的要求，避免有害物质进入半导体材料，提高半导体器件的性能，当前离子注入已成为大规模和超大规模集成电路中的一项重要掺杂技术。
本发明的发明人对现有技术柔性显示面板的切割方法进行研究，发现如下问题。
如图1所示，图1为现有技术对激光剥离后的柔性显示面板母板进行切割时的示意图，10表示切割位置，图1中仅示出了切割后形成的两个柔性显示面板，由于本发明的发明人对现有技术研究时不涉及柔性显示面板的显示区域，因此图1中仅示出了柔性显示面板的边缘区域，每一柔性显示面板的边缘区域包括依次位于柔性基板1上的阻挡层2、缓冲层3、层间绝缘层4和支撑壁5。
如图1所示，支撑壁5的设置能够有效的避免切割裂纹的产生，但这种设计方式存在一个缺点：如果切割时的切割裂纹发生在阻挡层2或缓冲层3时，则支撑壁5的设置将无法避免切割裂纹的产生。
在研究过程中，发明人发现，如果切割时的切割裂纹发生在阻挡层2或缓冲层3时，为了避免切割裂纹的产生，相邻的支撑壁5之间区域位置处的阻挡层2或缓冲层3需要被刻蚀去除。
图1中支撑壁5是对边缘区域对应位置处的部分层间绝缘层4刻蚀后形成的，而该刻蚀时的刻蚀时间不能太长，因为刻蚀时间太长，就会将柔性显示面板的显示区域中的栅极以及半导体有源层刻蚀掉，因此，该刻蚀步骤无法刻蚀掉缓冲层3以及阻挡层2。
现有技术为了刻蚀掉缓冲层3以及阻挡层2，需要额外增加一道掩膜工艺，增加了制作成本，浪费了工艺时间。
因此，发明人发现，现有技术对柔性显示面板母板进行切割时，不能很好的避免切割裂纹的产生；以及，现有技术为了避免切割裂纹的产生，增加了制作成本，浪费了工艺时间。
下面结合附图介绍本发明实施例的改进思路和原理。
本发明具体实施例中膜层的厚度、区域、形状均不反映膜层的真实比例，仅是用于说明本发明具体实施例。
本发明的发明人，鉴于现有技术存在的不足，提供一种显示面板母板的切割方法。
如图2所示，本发明具体实施例提供了一种显示面板母板的切割方法，该显示面板母板包括多个显示面板，且每个显示面板边缘区域设置有切割线；该切割方法包括：
S201、在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，缓冲层和层间绝缘层都覆盖显示面板的边缘区域；
S202、去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分缓冲层；
S203、对暴露出的缓冲层进行离子注入处理；
S204、沿切割线进行切割。
本发明具体实施例提供的显示面板母板的切割方法，由于该方法采用构图工艺去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分缓冲层；由于本发明具体实施例对暴露出的缓冲层进行离子注入处理，而离子注入能够释放应力，使得经过离子注入处理后的缓冲层变为低应力膜层，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，进而能够提高产品良率；与现有技术相比，本发明具体实施例在不需要增加掩膜工艺的基础上，能够有效的避免切割裂纹的产生，节约了生产成本，提高了产品良率。
优选地，本发明具体实施例中去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，包括：
去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成多个支撑壁，该多个支撑壁沿着从显示面板边缘到显示面板内部的方向排列。
采用本发明具体实施例提供的切割方法进行切割时，若切割裂纹发生在层间绝缘层所在的膜层，则形成的支撑壁能够有效的避免切割裂纹的产生，进而能够提高产品良率；若切割裂纹发生在缓冲层所在的膜层，由于对暴露出的缓冲层进行离子注入处理，而离子注入能够释放应力，使得经过离子注入处理后的缓冲层变为低应力膜层，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，进而能够提高产品良率；与现有技术相比，本发明具体实施例不管切割裂纹发生在层间绝缘层所在的膜层还是缓冲层所在的膜层，均能在不需要增加掩膜工艺的基础上，有效的避免切割裂纹的产生，节约了生产成本，提高了产品良率。
离子注入能够释放应力的原因是：离子注入工艺会造成薄膜中晶格损伤，从而能够释放高应力，使得薄膜的应力降低。离子注入工艺的深度主要靠离子注入的能量控制，能量越高注入的深度也越深。依靠离子注入来调节薄膜应力，离子注入的深度既不能太深，也不能太浅；若离子注入的深度太浅，则会使得薄膜的高应力不能完全释放，起不到应力释放的效果，而若离子注入的深度太深，则可能将薄膜击穿，进而对该薄膜下方的膜层造成影响。
具体地，相同离子注入剂量，不同离子注入能量的离子注入前后的氮化硅薄膜的应力如表1所示：
表1
表1中注入的离子种类分别以硼(B)离子或磷(P)离子为例进行介绍，从表1中可以看到：相同离子注入剂量，离子注入能量越高，注入后对薄膜应力的影响越大。
优选地，本发明具体实施例在对暴露出的缓冲层进行离子注入处理之后，且在沿切割线进行切割之前，还包括：进行退火处理，退火处理能够修复因离子注入而导致的薄膜损伤，退火处理时的具体工艺参数(如：退火时间、退火温度等)根据实际生产情况进行设定，退火处理的具体过程与现有技术类似，这里不再赘述。具体实施时，本发明具体实施例将经过离子注入处理后的缓冲层，以及经过构图工艺后的层间绝缘层步骤后的基板放入退火设备中进行退火处理。
下面详细介绍本发明具体实施例提供的上述显示面板母板的切割方法。
对于上述步骤S201、在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，缓冲层和层间绝缘层都覆盖显示面板的边缘区域；较佳地，本发明具体实施例中的基板为柔性基板，柔性基板制作形成的柔性显示面板具有可弯曲、不易碎、超轻超薄、低功耗、便携等特点，当然，本发明具体实施例中的基板不限于柔性基板，还可以为其它类型的基板，如：基板为玻璃基板。
优选地，本发明具体实施例中层间绝缘层的材料与缓冲层的材料相同，这样能够节约选材成本，进而能够降低生产成本，并且，能够采用相同的膜层制作设备制作缓冲层和层间绝缘层。
较佳地，缓冲层的材料可以为氧化硅或氮化硅的单层膜，也可以为氧化硅和氮化硅的复合膜，当然，还可以选择其它类型的绝缘材料，本发明具体实施例并不对缓冲层的具体材料做限定。
本发明具体实施例在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层的具体方法与现有技术类似，这里不再赘述。
对于上述步骤S202、去除边缘区域对应位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，包括：去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成多个支撑壁，该多个支撑壁沿着从显示面板边缘到显示面板内部的方向排列。
具体地，本发明具体实施例采用构图工艺去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，首先，在层间绝缘层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影，去除需要进行离子注入位置处的光刻胶，暴露出需要进行离子注入位置处的层间绝缘层；具体实施时，本发明具体实施例涂覆的光刻胶可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶，本发明具体实施例光刻胶的涂覆、曝光和显影的具体过程均与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，对暴露出的层间绝缘层进行刻蚀，形成多个间隔排列的支撑壁；具体实施时，采用干法刻蚀对暴露出的层间绝缘层进行刻蚀，通过控制干法刻蚀的工艺参数，使得刻蚀后仅去除暴露出的层间绝缘层，而不对该层间绝缘层下方的缓冲层进行刻蚀，干法刻蚀的具体过程与现有技术类似，这里不再赘述。
对于上述步骤S203、对暴露出的缓冲层进行离子注入处理；包括：
首先，获取离子参数，离子参数为根据暴露出的缓冲层的材料和厚度得到的参数；优选地，离子参数包括：离子种类、离子注入剂量和离子注入能量。优选地，缓冲层的材料为氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)中的任意之一或组合；缓冲层的厚度为200纳米(nm)到500nm。
接着，根据离子参数进行离子注入；优选地，将硼(B)离子或磷(P)离子注入到暴露出的缓冲层中。
具体实施时，由于离子注入工艺的深度主要靠离子注入的能量控制，能量越高注入的深度也越深，具体地，离子注入能量与离子注入深度的对应关系可通过查询现有技术的相应表格得到；因此，本发明具体实施例可以根据缓冲层的材料和厚度，查询现有技术的相应表格，进而确定离子注入能量的值。
对于上述步骤S204、沿切割线进行切割，该步骤与现有技术类似，具体可以采用刀具切割，也可以采用激光切割，还可以采用其它类型的切割方式，这里不再赘述。
优选地，本发明具体实施例在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层之前，还包括：在基板上制作阻挡层；较佳地，阻挡层的材料与缓冲层的材料相同，这样能够节约选材成本，进而能够降低生产成本，并且，能够采用相同的膜层制作设备制作缓冲层和阻挡层。
进一步地，本发明具体实施例在采用构图工艺去除边缘区域对应位置处的部分层间绝缘层，形成多个间隔排列的支撑壁之后，且在对暴露出的缓冲层进行离子注入处理之前，还包括：对暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层进行离子注入处理；这样，经过离子注入处理后的阻挡层也变为低应力膜层，当后续进行切割时，切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，从而进一步提高了产品良率。
优选地，本发明具体实施例对暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层进行离子注入处理的过程与对暴露出的缓冲层进行离子注入处理的过程类似，具体包括：首先，获取离子参数，离子参数为根据暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层的材料和厚度得到的参数；接着，根据离子参数进行离子注入。
优选地，本发明具体实施例对暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层进行离子注入处理，包括：将硼离子或磷离子注入到暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层中，由于硼离子或磷离子的离子注入工艺比较成熟，因此能够很好的保证离子注入后产品的良率。
进一步地，本发明具体实施例在采用构图工艺去除边缘区域对应位置处的部分层间绝缘层，形成多个间隔排列的支撑壁之后，且在对暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层进行离子注入处理之前，还包括：采用光刻胶遮挡层间绝缘层和支撑壁。这样，通过光刻胶进行遮挡，在离子注入后可以通过显影简单的将光刻胶去除，而不需要采用其它复杂的工艺，且光刻胶的涂覆工艺也较简单。
下面结合一个具体的实施例，详细说明本发明具体实施例提供的显示面板母板的切割方法。
如图3所示，首先，制备柔性基板1，柔性基板1的材料可以是PI(Polyimide，聚酰亚胺)，柔性基板1的厚度大约是5微米(μm)到20μm，可以是单层结构，也可以是双层结构。
接着，如图3所示，在柔性基板1上，利用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺，沉积一层阻挡层2，阻挡层2的材料可以为氧化硅或氮化硅的单层膜，也可以为氧化硅和氮化硅的复合膜，一般为氧化硅单层膜，阻挡层2的厚度约为200nm到500nm。
接着，如图3所示，在阻挡层2上利用PECVD工艺，沉积一层缓冲层3，缓冲层3的材料可以为氧化硅或氮化硅的单层膜，也可以为氧化硅和氮化硅的复合膜，一般为氧化硅和氮化硅的复合膜，缓冲层3的厚度约为200nm到500nm。
接着，如图3所示，在制作完成缓冲层3的基板上，采用构图工艺制作形成半导体有源层和栅极，由于本发明具体实施例不涉及显示面板显示区域的改进，因此图3中并未示出显示面板的显示区域，仅示出了显示面板的边缘区域，即图3中并未示出形成在显示区域的半导体有源层和栅极。本发明具体实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀、去除光刻胶的部分或全部过程，本发明具体实施例半导体有源层和栅极的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图3所示，在半导体有源层和栅极上，利用PECVD工艺，沉积一层层间绝缘层4，层间绝缘层4的材料可以为氧化硅或氮化硅的单层膜，也可以为氧化硅和氮化硅的复合膜，一般为氧化硅和氮化硅的复合膜，层间绝缘层4的厚度约为200nm到500nm。
接着，如图4所示，在层间绝缘层4上涂覆光刻胶41，并采用掩膜板42进行曝光，曝光后进行显影，去除后续需要进行离子注入位置处的光刻胶，以及去除需要形成过孔(该过孔位于显示区域，图中未示出)位置处的光刻胶，暴露出需要进行离子注入位置处的层间绝缘层4，以及暴露出需要形成过孔位置处的层间绝缘层4。
接着，如图5所示，对暴露出的层间绝缘层4进行刻蚀，优选采用干法刻蚀，形成多个间隔排列的支撑壁5，以及形成位于显示区域的过孔，过孔的形成能够使得后续制作形成的源漏极层与半导体有源层进行连接；支撑壁5的形成能够有效的避免切割裂纹的产生。本发明具体实施例的图5中仅示出了显示面板的边缘区域，而半导体有源层以及栅极均制作在显示面板的显示区域，因此图5中并未示出半导体有源层以及栅极。
如图5所示，该刻蚀步骤中的刻蚀时间不能太长，刻蚀时间太长，会将层间绝缘层4下方的半导体有源层也刻蚀掉，无法实现源漏极层与半导体有源层的连接，因此，该刻蚀过程不能刻蚀掉层间绝缘层4下方的缓冲层3。
接着，如图5所示，对暴露出的缓冲层3，以及对暴露出的缓冲层3下方的阻挡层2进行离子注入处理，图5中箭头方式表示离子注入的方向；具体实施时，将完成上述步骤的柔性基板1放入离子注入设备中进行离子注入；为了对不需要进行离子注入位置进行遮挡保护，优选不进行光刻胶41的剥离，这样不需要单独再设置保护膜层，能够节约生产时间，降低生产成本。
具体地，如图5所示，根据查询现有技术离子注入能量与离子注入深度的对应关系的表格，将B离子或P离子注入到暴露出的缓冲层3，以及暴露出的缓冲层3下方的阻挡层2中；具体实施时，可以分两次注入，第一次对暴露出的缓冲层3下方的阻挡层2进行注入，第二次对暴露出的缓冲层3进行注入；在注入过程中，因此有光刻胶41的保护，离子只能注入到暴露出的缓冲层3，以及暴露出的缓冲层3下方的阻挡层2，而其它位置(如支撑壁5的位置)上并无离子注入。
接着，如图6所示，去除光刻胶41，具体实施时可通过剥离的方法去除光刻胶，在缓冲层3以及阻挡层2中形成了由于离子注入产生的低应力薄膜区6。
接着，优选地，将完成上述步骤的柔性基板1放入退火处理设备中，进行退火处理，退火处理能够修改因离子注入而导致的薄膜损伤，并且能够避免显示区域源漏极层与半导体有源层的搭接电阻过大的问题。
最后，如图7所示，沿切割线进行切割，具体切割方法与现有技术相同，这里不再赘述；切割时，若切割裂纹发生在层间绝缘层所在的膜层，则形成的支撑壁5能够有效的避免切割裂纹的产生，进而能够提高产品良率；若切割裂纹发生在缓冲层3或阻挡层2所在的膜层，由于本发明具体实施例形成了低应力薄膜区6，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，进而能够提高产品良率。
本发明具体实施例只增加了一次离子注入工艺，在切割工艺时，切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，保证了产品良率，与现有技术相比，本发明具体实施例不需要增加掩膜工艺，能够节约生产成本，提高产品良率。
基于同一发明构思，本发明具体实施例还提供了一种显示面板，该显示面板是采用本发明具体实施例提供的上述显示面板母板的切割方法切割得到的，本发明具体实施例提供的显示面板的良率较高。
具体地，本发明具体实施例提供的显示面板包括显示区域和显示区域周围的边缘区域，在边缘区域设置有切割线，边缘区域包括依次位于基板上的缓冲层、和具有第一图案的层间绝缘层；
且在第一图案的层间绝缘层覆盖范围之外、暴露出的缓冲层包含注入的离子。
进一步地，本发明具体实施例提供的显示面板还包括：位于基板和缓冲层之间的阻挡层；
且位于暴露出的缓冲层下方位置处的阻挡层包含注入的离子。
具体实施时，如图7所示，本发明具体实施例提供的显示面板的边缘区域包括：依次位于柔性基板1上的阻挡层2、缓冲层3、层间绝缘层4和支撑壁5；其中：相邻的支撑壁5之间的区域形成了由于离子注入产生的低应力薄膜区6。
基于同一发明构思，本发明具体实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明具体实施例提供的上述显示面板，该显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。
综上所述，本发明具体实施例提供的一种显示面板母板的切割方法，该切割方法包括：在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，缓冲层和层间绝缘层都覆盖显示面板的边缘区域；去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成多个支撑壁；其中：该多个支撑壁沿着从显示面板边缘到显示面板内部的方向排列，且相邻的支撑壁之间的区域暴露出缓冲层；对暴露出的缓冲层进行离子注入处理；沿切割线进行切割。采用本发明具体实施例提供的切割方法进行切割时，若切割裂纹发生在层间绝缘层所在的膜层，则形成的支撑壁能够有效的避免切割裂纹的产生，进而能够提高产品良率；若切割裂纹发生在缓冲层所在的膜层，由于本发明具体实施例对暴露出的缓冲层进行离子注入处理，而离子注入能够释放应力，使得经过离子注入处理后的缓冲层变为低应力膜层，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，进而能够提高产品良率；与现有技术相比，本发明具体实施例不管切割裂纹发生在层间绝缘层所在的膜层还是缓冲层所在的膜层，均能在不需要增加掩膜工艺的基础上，有效的避免切割裂纹的产生，节约了生产成本，提高了产品良率。
以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示面板母板的切割方法，其特征在于，所述显示面板母板包括多个显示面板，且每个所述显示面板边缘区域设置有切割线；该切割方法包括：
在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，所述缓冲层和所述层间绝缘层都覆盖所述显示面板的边缘区域；
去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分所述缓冲层；
对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理；
沿所述切割线进行切割。
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，包括：
去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成多个支撑壁，该多个支撑壁沿着从所述显示面板边缘到所述显示面板内部的方向间隔排列。
3.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，在所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理之后，且在所述沿所述切割线进行切割之前，还包括：
进行退火处理。
4.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成多个支撑壁，包括：
在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影，去除需要进行离子注入位置处的光刻胶，暴露出所述需要进行离子注入位置处的层间绝缘层；
对暴露出的所述层间绝缘层进行刻蚀，形成多个间隔排列的支撑壁。
5.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，所述在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层之前，还包括：
在所述基板上制作阻挡层。
6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，在所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案之后，且在所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理之前，还包括：
对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理。
7.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，所述离子注入处理包括：
获取离子参数，所述离子参数为根据暴露出的所述缓冲层，以及暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层的材料和厚度得到的参数；
根据所述离子参数进行离子注入。
8.根据权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理，包括：
将硼离子或磷离子注入到暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层中。
9.根据权利要求1-8任一项所述的切割方法，其特征在于，所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理，包括：
将硼离子或磷离子注入到暴露出的所述缓冲层中。
10.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，在所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案之后，且在所述对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理之前，还包括：
采用光刻胶遮挡所述层间绝缘层和所述支撑壁。
11.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述阻挡层的材料与所述缓冲层的材料相同；或
所述层间绝缘层的材料与所述缓冲层的材料相同。
12.根据权利要求11所述的切割方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅中的任意之一或组合。
13.一种显示面板，包括显示区域和所述显示区域周围的边缘区域，在所述边缘区域设置有切割线，其特征在于，所述边缘区域包括依次位于基板上的缓冲层、和具有第一图案的层间绝缘层；
且在所述第一图案的层间绝缘层覆盖范围之外、暴露出的所述缓冲层包含注入的离子。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述基板和所述缓冲层之间的阻挡层；
且位于所述暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层包含注入的离子。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13或14所述的显示面板。
CN201711175239.2A 2017-11-22 2017-11-22 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置 Active CN107978521B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711175239.2A CN107978521B (zh) 2017-11-22 2017-11-22 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711175239.2A CN107978521B (zh) 2017-11-22 2017-11-22 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107978521A true CN107978521A (zh) 2018-05-01
CN107978521B CN107978521B (zh) 2020-03-17

Family

ID=62010954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711175239.2A Active CN107978521B (zh) 2017-11-22 2017-11-22 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107978521B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109164622A (zh) * 2018-09-17 2019-01-08 维沃移动通信有限公司 一种终端面板及移动终端
CN109300399A (zh) * 2018-06-29 2019-02-01 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制造方法
CN110277345A (zh) * 2019-05-15 2019-09-24 福建省福联集成电路有限公司 一种传感器的制造方法及传感器
CN111369896A (zh) * 2020-03-26 2020-07-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053370B2 (en) * 2001-10-05 2006-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus
US8283215B2 (en) * 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US20130236662A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-12 Ferro Corporation High Performance Organic, Inorganic Or Hybrid Seals
CN103779356A (zh) * 2014-01-21 2014-05-07 北京京东方光电科技有限公司 一种显示面板母板及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053370B2 (en) * 2001-10-05 2006-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, cross section evaluating method, and cross section working apparatus
US8283215B2 (en) * 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US20130236662A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-12 Ferro Corporation High Performance Organic, Inorganic Or Hybrid Seals
CN103779356A (zh) * 2014-01-21 2014-05-07 北京京东方光电科技有限公司 一种显示面板母板及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109300399A (zh) * 2018-06-29 2019-02-01 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制造方法
CN109164622A (zh) * 2018-09-17 2019-01-08 维沃移动通信有限公司 一种终端面板及移动终端
CN109164622B (zh) * 2018-09-17 2021-01-15 维沃移动通信有限公司 一种终端面板及移动终端
CN110277345A (zh) * 2019-05-15 2019-09-24 福建省福联集成电路有限公司 一种传感器的制造方法及传感器
CN110277345B (zh) * 2019-05-15 2021-11-19 福建省福联集成电路有限公司 一种传感器的制造方法及传感器
CN111369896A (zh) * 2020-03-26 2020-07-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN107978521B (zh) 2020-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107978521A (zh) 显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置
US9818813B2 (en) Method for producing array substrate and array substrate
CN102280445A (zh) 显示装置及其制造方法
CN108807480A (zh) 显示基板母板及其制作方法、和显示装置
CN103579115B (zh) 互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN102403313B (zh) 半导体元件及其制作方法
US9978876B2 (en) Thin film transistor comprising light shielding layers, array substrate and manufacturing processes of them
US20160315197A1 (en) Thin-film transistor, preparation method thereof, array substrate and display device
WO2015188594A1 (zh) 多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板
CN102651322A (zh) 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件
CN105428313A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
US9543539B2 (en) OLED device and manufacturing method thereof and display apparatus
CN107170759A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105185792A (zh) 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法
CN105448999B (zh) 多晶硅薄膜晶体管元件及其制作方法
CN110534666A (zh) 柔性显示基板、柔性显示面板及其制备方法、显示装置
JP2005142567A (ja) ポリシリコン膜の形成方法、その方法で形成されたポリシリコン膜を備える薄膜トランジスタおよびその製造方法
CN104465670B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103985716B (zh) 薄膜晶体管阵列基板制造方法及薄膜晶体管阵列基板
CN104952934A (zh) 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板
CN106952963B (zh) 一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
CN107634011A (zh) 一种阵列基板及其制造方法
CN107910351A (zh) Tft基板的制作方法
US20160020228A1 (en) Cmos transistor and method for fabricating the same, display panel and display device
CN105957814A (zh) 薄膜晶体管及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant