CN107971933B - 一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种成本较低且能够形成较好绒面的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法。本发明所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5‑25秒，所述压缩空气的气压为0.05‑0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50‑80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层，利用该方法得到的多晶硅片绒面均匀、反射率低，绒面质量较好，而且，该工艺流程简单，成本非常低，可以大大降低多晶硅片的生产成本。适合在硅片加工技术领域推广应用。

Description

一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，尤其是一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法。

背景技术

目前在光伏领域多晶硅硅片的切割主要采用砂浆多线切割技术，但是该技术存在切割效率低、加工成本高、废砂浆排放污染大等问题。相比之下，固体磨料金刚石线锯切割(简称金刚线切割)技术具有切割效率高、加工成本低和环境污染小等优点，受到了越来越多的关注，有望成为晶体硅等硬脆材料切片技术的未来发展方向。

由于金刚线切割的切割原理与砂浆多线切割的切割原理不同，两种切割工艺得到的硅片表面的形貌存在很大差异。砂浆多线切割的硅片表面主要以脆性破碎断裂形貌为主，酸制绒后硅片表面形成蠕虫状凹坑。而金刚线切割的硅片表面同时存在脆性破碎断裂区域(占比小)和塑性磨削区域(占比大)，即损伤层，酸制绒后原来的脆性破碎断裂区域形成蠕虫状凹坑，反射率较低；而塑性磨削区域却形成很浅的近似圆形的凹坑，反射率高，同时凹坑沿切割方向排列，肉眼可看到明显的切割纹。目前太阳能电池生产过程中，金刚线切割后的硅片表面形成的损伤层厚度为4-7um，采用酸碱腐蚀无法有效去除损伤层形成较好的绒面，如果采用金属催化化学腐蚀(MCCE)，工艺流程复杂，成本极高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种成本较低且能够形成较好绒面的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，包括以下步骤：

A、制备目数为80-1500目的砂料；

B、利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层。

进一步的是，所述砂料的目数为200目。

进一步的是，在步骤B中，所述压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面的持续时间为5-15秒。

进一步的是，所述砂料为石英砂、碳化硅、金刚砂、刚玉中任意一种或几种的混合物。

进一步的是，所述砂料为200目的碳化硅。

进一步的是，所述200目的碳化硅采用如下分选装置制备得到，所述分选装置包括依次设置的空气加热装置、第一级分离装置、第二级分离装置、第三级分离装置、第四级分离装置、粉尘回收装置；

所述空气加热装置包括托架，所述托架上设置有柱状壳体，所述柱状壳体水平设置，所述柱状壳体的左端通过盖板封闭，所述盖板上设置有进风口，所述柱状壳体的右端设置有锥形壳体，所述锥形壳体的大径端直径与柱状壳体的左端口直径相同且锥形壳体的大径端与柱状壳体的左端口密封连接，所述锥形壳体的小径端为出风口，所述柱状壳体内设置有多个加热管；

所述第一级分离装置包括第一支架，所述第一支架上设置有第一支撑板，所述第一支撑板水平设置，所述第一支撑板的上表面设置有第一筒体，所述第一筒体竖直设置，所述第一筒体的下端与第一支撑板的上表面密封连接，所述第一筒体的上端密封，所述第一筒体内设置有第一旋转轴和第二旋转轴，所述第一旋转轴的下端穿过第一支撑板，第一旋转轴的下端设置有驱动第一旋转轴转动的驱动轮，所述第一支架上设置有使驱动轮转动的驱动装置，所述第一旋转轴上套设有第一转盘，所述第一转盘位于第一筒体内，所述第一转盘的下表面围绕第一转盘的中心轴线设置有多个第一叶片，所述第一叶片与第一支撑板之间存在间隙，当第一转盘转动时，第一叶片吹动第一转盘下方的空气向下旋转运动，所述第一支撑板上设置有排料孔，所述排料孔的中心轴线与第一转盘下方的空气的旋转方向相切，第一旋转轴的上端与第二旋转轴的下端通过反向器相连，所述第一旋转轴的转动方向与第二旋转轴的转动方向相反，所述第二旋转轴上套设有第二转盘，所述第二转盘位于第一筒体内，所述第二转盘的上表面围绕第二转盘的中心轴线设置有多个第二叶片，当第二转盘转动时，第二叶片吹动第二转盘上方的空气向上旋转运动，所述第一筒体的侧壁上方设置有第一导料孔，所述第一筒体的侧壁下方设置有热风进口，所述热风进口位于第二转盘上方且热风进口的中心轴线与第二转盘上方的空气的旋转方向相切，所述第一筒体的侧壁中部设置有第一进料口，所述第一进料口上设置有进料管，所述进料管的一端为上料口，进料管的另外一端穿过第一进料口伸入第一筒体内且竖直向下延伸，所述进料管将第一进料口密封；

所述第二级分离装置包括第二支架，所述第二支架上设置有第二筒体，所述第二筒体竖直设置，所述第二筒体的上端密封，所述第二筒体的下端设置有第二锥形筒体，所述第二锥形筒体的大径端与第二筒体的下端密封连接，所述第二锥形筒体的小径端设置有第一可拆卸式堵头，所述第二锥形筒体的侧壁上开有第二进料口，所述第二进料口与第一导料孔之间通过第一连接管密封连接，所述第二筒体的上端设置有密闭的第一引风筒，所述第一引风筒的下端与第二筒体内部连通，所述第一引风筒内设置有第一引风机，所述第一引风筒的侧壁上设置有第二导料孔；

所述第三级分离装置包括第三支架，所述第三支架上设置有第三筒体，所述第三筒体竖直设置，所述第三筒体的上端密封，所述第三筒体的下端设置有第三锥形筒体，所述第三锥形筒体的大径端与第三筒体的下端密封连接，所述第三锥形筒体的小径端设置有第二可拆卸式堵头，所述第三锥形筒体的侧壁上开有第三进料口，所述第三进料口与第二导料孔之间通过第二连接管密封连接，所述第三筒体的上端设置有密闭的第二引风筒，所述第二引风筒的下端与第三筒体内部连通，所述第二引风筒内设置有第二引风机，所述第二引风筒的侧壁上设置有第三导料孔；

所述第四级分离装置包括第四支架，所述第四支架上设置有第四筒体，所述第四筒体竖直设置，所述第四筒体的上端密封，所述第四筒体的下端设置有第四锥形筒体，所述第四锥形筒体的大径端与第四筒体的下端密封连接，所述第四锥形筒体的小径端设置有第三可拆卸式堵头，所述第四锥形筒体的侧壁上开有第四进料口，所述第四进料口与第三导料孔之间通过第三连接管密封连接，所述第四筒体的上端设置有第四导料孔；

所述粉尘回收装置包括第五支架，所述第五支架上设置有第五筒体，所述第五筒体竖直设置，所述第五筒体的上端密封，所述第五筒体的下端设置有第五锥形筒体，所述第五锥形筒体的大径端与第五筒体的下端密封连接，所述第五锥形筒体的小径端设置有第四可拆卸式堵头，所述第五筒体的侧壁上开有第五进料口，所述第五进料口与第四导料孔之间通过第四连接管密封连接，所述第五筒体的上端设置有引风孔；所述引风孔上连接有引风管，所述引风管的末端连接有第三引风机。

进一步的是，所述驱动装置为驱动电机。

进一步的是，所述进料管倾斜设置，所述进料管内设置有螺旋送料器，所述进料管的上料口出设置有上料管。

进一步的是，所述第一筒体内设置有第一锥形筒体，所述第一锥形筒体位于第一筒体内部上方且位于第一导料孔下方，所述第一锥形筒体的大径端固定在第一筒体的内壁上，所述第一锥形筒体的小径端朝上。

进一步的是，所述第一引风机的电机、第二引风机的电机、第三引风机的电机均为无级变速电机。

本发明的有益效果是：本发明所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层，利用该方法得到的多晶硅片绒面均匀、反射率低，绒面质量较好，而且，该工艺流程简单，成本非常低，可以大大降低多晶硅片的生产成本。

附图说明

图1本发明所述分选装置的结构示意图；

图2是图1的A局部放大图；

图3是本发明所述第一级分离装置的侧视图；

图4是本发明所述第一转盘的结构示意图；

图5是本发明所述第二转盘的结构示意图；

图中标记说明：空气加热装置1、托架101、柱状壳体102、盖板103、锥形壳体104、加热管105、第一级分离装置2、第一支架201、第一支撑板202、第一筒体203、第一旋转轴204、第二旋转轴205、驱动轮206、第一转盘207、第一叶片208、排料孔209、反向器210、第二转盘211、第二叶片212、第一导料孔213、热风进口214、进料管215、螺旋送料器216、上料管217、第一锥形筒体218、第二级分离装置3、第二支架301、第二筒体302、第二锥形筒体303、第一可拆卸式堵头304、第二进料口305、第一连接管306、第一引风筒307、第一引风机308、第二导料孔309；第三级分离装置4、第三支架401、第三筒体402、第三锥形筒体403、第二可拆卸式堵头404、第三进料口405、第二连接管406、第二引风筒407、第二引风机408、第三导料孔409；第四级分离装置5、第四支架501、第四筒体502、第四锥形筒体503、第三可拆卸式堵头504、第四进料口505、第三连接管506、第四导料孔507；粉尘回收装置6、第五支架601、第五筒体602、第五锥形筒体603、第四可拆卸式堵头604、第五进料口605、第四连接管606、引风孔607、引风管608、第三引风机609。

具体实施方式

该多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，包括以下步骤：

A、制备目数为80-1500目的砂料；

B、利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层。

本发明所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层，利用该方法得到的多晶硅片绒面均匀、反射率低，绒面质量较好，而且，该工艺流程简单，成本非常低，可以大大降低多晶硅片的生产成本。

为了保证最后制得的绒面质量最佳，所述砂料的目数优选为200目。

进一步的是，在步骤B中，为了保证能够去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层，所述压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面的持续时间为5-15秒。

另外，所述砂料为石英砂、碳化硅、金刚砂、刚玉中任意一种或几种的混合物。为了进一步降低多晶硅片的生产成本，所述砂料为200目的碳化硅。由于碳化硅在多晶硅片生产过程中较多废料，只需将其进行回收利用即可得到所需的碳化硅，无需额外购买，降低了成本。

为了方便得到200目的碳化硅，所述200目的碳化硅采用如下分选装置制备得到，如图1至5所示，所述分选装置包括依次设置的空气加热装置1、第一级分离装置2、第二级分离装置3、第三级分离装置4、第四级分离装置5、粉尘回收装置6；

所述空气加热装置1包括托架101，所述托架101上设置有柱状壳体102，所述柱状壳体102水平设置，所述柱状壳体102的左端通过盖板103封闭，所述盖板103上设置有进风口，所述柱状壳体102的右端设置有锥形壳体104，所述锥形壳体104的大径端直径与柱状壳体102的左端口直径相同且锥形壳体104的大径端与柱状壳体102的左端口密封连接，所述锥形壳体104的小径端为出风口，所述柱状壳体102内设置有多个加热管105；

所述第一级分离装置2包括第一支架201，所述第一支架201上设置有第一支撑板202，所述第一支撑板202水平设置，所述第一支撑板202的上表面设置有第一筒体203，所述第一筒体203竖直设置，所述第一筒体203的下端与第一支撑板202的上表面密封连接，所述第一筒体203的上端密封，所述第一筒体203内设置有第一旋转轴204和第二旋转轴205，所述第一旋转轴204的下端穿过第一支撑板202，第一旋转轴204的下端设置有驱动第一旋转轴204转动的驱动轮206，所述第一支架201上设置有使驱动轮206转动的驱动装置，所述第一旋转轴204上套设有第一转盘207，所述第一转盘207位于第一筒体203内，所述第一转盘207的下表面围绕第一转盘207的中心轴线设置有多个第一叶片208，所述第一叶片208与第一支撑板202之间存在间隙，当第一转盘207转动时，第一叶片208吹动第一转盘207下方的空气向下旋转运动，所述第一支撑板202上设置有排料孔209，所述排料孔209的中心轴线与第一转盘207下方的空气的旋转方向相切，第一旋转轴204的上端与第二旋转轴205的下端通过反向器210相连，所述第一旋转轴204的转动方向与第二旋转轴205的转动方向相反，所述第二旋转轴205上套设有第二转盘211，所述第二转盘211位于第一筒体203内，所述第二转盘211的上表面围绕第二转盘211的中心轴线设置有多个第二叶片212，当第二转盘211转动时，第二叶片212吹动第二转盘211上方的空气向上旋转运动，所述第一筒体203的侧壁上方设置有第一导料孔213，所述第一筒体203的侧壁下方设置有热风进口214，所述热风进口214位于第二转盘211上方且热风进口214的中心轴线与第二转盘211上方的空气的旋转方向相切，所述第一筒体203的侧壁中部设置有第一进料口，所述第一进料口上设置有进料管215，所述进料管215的一端为上料口，进料管215的另外一端穿过第一进料口伸入第一筒体203内且竖直向下延伸，所述进料管215将第一进料口密封；

所述第二级分离装置3包括第二支架301，所述第二支架301上设置有第二筒体302，所述第二筒体302竖直设置，所述第二筒体302的上端密封，所述第二筒体302的下端设置有第二锥形筒体303，所述第二锥形筒体303的大径端与第二筒体302的下端密封连接，所述第二锥形筒体303的小径端设置有第一可拆卸式堵头304，所述第二锥形筒体303的侧壁上开有第二进料口305，所述第二进料口305与第一导料孔213之间通过第一连接管306密封连接，所述第二筒体302的上端设置有密闭的第一引风筒307，所述第一引风筒307的下端与第二筒体302内部连通，所述第一引风筒307内设置有第一引风机308，所述第一引风筒307的侧壁上设置有第二导料孔309；

所述第三级分离装置4包括第三支架401，所述第三支架401上设置有第三筒体402，所述第三筒体402竖直设置，所述第三筒体402的上端密封，所述第三筒体402的下端设置有第三锥形筒体403，所述第三锥形筒体403的大径端与第三筒体402的下端密封连接，所述第三锥形筒体403的小径端设置有第二可拆卸式堵头404，所述第三锥形筒体403的侧壁上开有第三进料口405，所述第三进料口405与第二导料孔309之间通过第二连接管406密封连接，所述第三筒体402的上端设置有密闭的第二引风筒407，所述第二引风筒407的下端与第三筒体402内部连通，所述第二引风筒407内设置有第二引风机408，所述第二引风筒407的侧壁上设置有第三导料孔409；

所述第四级分离装置5包括第四支架501，所述第四支架501上设置有第四筒体502，所述第四筒体502竖直设置，所述第四筒体502的上端密封，所述第四筒体502的下端设置有第四锥形筒体503，所述第四锥形筒体503的大径端与第四筒体502的下端密封连接，所述第四锥形筒体503的小径端设置有第三可拆卸式堵头504，所述第四锥形筒体503的侧壁上开有第四进料口505，所述第四进料口505与第三导料孔409之间通过第三连接管506密封连接，所述第四筒体502的上端设置有第四导料孔507；

所述粉尘回收装置6包括第五支架601，所述第五支架601上设置有第五筒体602，所述第五筒体602竖直设置，所述第五筒体602的上端密封，所述第五筒体602的下端设置有第五锥形筒体603，所述第五锥形筒体603的大径端与第五筒体602的下端密封连接，所述第五锥形筒体603的小径端设置有第四可拆卸式堵头604，所述第五筒体602的侧壁上开有第五进料口605，所述第五进料口605与第四导料孔507之间通过第四连接管606密封连接，所述第五筒体602的上端设置有引风孔607；所述引风孔607上连接有引风管608，所述引风管608的末端连接有第三引风机609。

该分选装置包括加热装置、第一级分离装置2、第二级分离装置3、第三级分离装置4、第四级分离装置5、粉尘回收装置6，在工作时，只需将需要进行分级的碳化硅粉放入上料口，然后沿进料管215进入第一筒体203内，此时，第三引风机609将外界的空气从进风口吸入柱状壳体102内，被吸入的空气在柱状壳体102内被加热管105加热变成热空气，热空气从出风口流出然后从热风进口214流入第一筒体203内，由于热风进口214位于第二转盘211上方且热风进口214的中心轴线与第二转盘211上方的空气的旋转方向相切，因此，热空气可以很容易的被吸入第一筒体203内，进入第一筒体203内的热空气对进入第一筒体203内的碳化硅进行加热出去碳化硅粉中的水分，使其干燥，被干燥后的碳化硅粉如果是成砣的则落到转动的第二转盘211上被打散进而在第二叶片212的带动下旋转向上运动，被打散的碳化硅粉在旋转向上移动的过程中，质量较重的碳化硅颗粒则沿第一筒体203的内壁落入第一筒体203底部，当第一转盘207转动时，第一叶片208吹动第一转盘207下方的空气向下旋转运动，落入第一筒体203底部的碳化硅颗粒在向下旋转运动的空气带动下，从排料孔209排出，由于排料孔209的中心轴线与第一转盘207下方的空气的旋转方向相切，因此，落入第一筒体203底部的碳化硅颗粒可以很容易的从排料孔209吹出，实现碳化硅粉的第一级分离，质量较轻的碳化硅颗粒则从第一导料孔213吹出，进而沿第一连接管306、第二进料口305进入第二筒体302内，进入第二筒体302内的碳化硅颗粒在第一引风机308的作用下，质量较轻的碳化硅颗粒被向上吸入第一引风筒307内，进入从第二导料孔309排出，进而沿第二连接管406、第三进料口405进入第三筒体402内，第二筒体302内质量较重的碳化硅颗粒则落入第二锥形筒体303内，实现第二级分离，进入第三筒体402内的碳化硅颗粒在第二引风机408的作用下，质量较轻的碳化硅颗粒被向上吸入第二引风筒407内，进入从第三导料孔409排出，进而沿第三连接管506、第四进料口505进入第四筒体502内，第三筒体402内质量较重的碳化硅颗粒则落入第三锥形筒体403内，实现第三级分离，进入第四筒体502内的碳化硅颗粒在第三引风机609的作用下，质量较轻的碳化硅粉尘颗粒被向上吸入，从第四导料孔507排出，进而沿第四连接管606、第五进料口605进入第五筒体602内进而落入第五锥形筒体603内，质量稍重一点的碳化硅颗粒则落入第四锥形筒体503内，实现第四级分离，通过上述四级分离，可以精确得到200目的碳化硅颗粒，同时得到的200目的碳化硅颗粒中目数均匀一致，基本没有其他目数过大或过小的碳化硅颗粒，同时，四级分级可以得到不同目数的碳化硅颗粒，其分级效果好，可以满足生产中不同的需求。

在上述实施方式中，所述驱动装置可以采用现有的各种驱动设备，作为优选的，所述驱动装置为驱动电机。

为了方便将回收的碳化硅投入到第一级分离装置2中，所述进料管215倾斜设置，所述进料管215内设置有螺旋送料器216，所述进料管215的上料口出设置有上料管217。操作人员在上料时，只需将回收的碳化硅倒入上料管217内即可，上料管217内的碳化硅会被进料管215内的螺旋送料器216送入第一分离装置中进行分离，大大方便了操作人员，降低了操作人员的劳动强度。

为了保证第一级分离装置2的分离效果，所述第一筒体203内设置有第一锥形筒体218，所述第一锥形筒体218位于第一筒体203内部上方且位于第一导料孔213下方，所述第一锥形筒体218的大径端固定在第一筒体203的内壁上，所述第一锥形筒体218的小径端朝上，这样进入第一筒体203内的碳化硅被旋转吹上去后遇到第一锥形筒体218，在沿第一锥形筒体218移动的过程中，质量较重的碳化硅颗粒会掉落下来，质量较轻的碳化硅颗粒沿第一锥形筒体218移动至小径端然后从第一导料孔213吹出，由于第一锥形筒体218的存在，可以有效避免质量较重的碳化硅颗粒在风力惯性下被吹入第二级分离装置3内，保证第一级分离装置2的分离效果。

为了能够根据需求调整所需碳化硅的目数，所述第一引风机308的电机、第二引风机408的电机、第三引风机609的电机均为无级变速电机。这样便可以实现精确调整，满足生产的不同需求。

Claims (6)

1.一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于包括以下步骤：

A、制备目数为80-1500目的砂料；所述砂料为200目的碳化硅；

所述200目的碳化硅采用如下分选装置制备得到，所述分选装置包括依次设置的空气加热装置(1)、第一级分离装置(2)、第二级分离装置(3)、第三级分离装置(4)、第四级分离装置(5)、粉尘回收装置(6)；

所述空气加热装置(1)包括托架(101)，所述托架(101)上设置有柱状壳体(102)，所述柱状壳体(102)水平设置，所述柱状壳体(102)的左端通过盖板(103)封闭，所述盖板(103)上设置有进风口，所述柱状壳体(102)的右端设置有锥形壳体(104)，所述锥形壳体(104)的大径端直径与柱状壳体(102)的左端口直径相同且锥形壳体(104)的大径端与柱状壳体(102)的左端口密封连接，所述锥形壳体(104)的小径端为出风口，所述柱状壳体(102)内设置有多个加热管(105)；

所述第一级分离装置(2)包括第一支架(201)，所述第一支架(201)上设置有第一支撑板(202)，所述第一支撑板(202)水平设置，所述第一支撑板(202)的上表面设置有第一筒体(203)，所述第一筒体(203)竖直设置，所述第一筒体(203)的下端与第一支撑板(202)的上表面密封连接，所述第一筒体(203)的上端密封，所述第一筒体(203)内设置有第一旋转轴(204)和第二旋转轴(205)，所述第一旋转轴(204)的下端穿过第一支撑板(202)，第一旋转轴(204)的下端设置有驱动第一旋转轴(204)转动的驱动轮(206)，所述第一支架(201)上设置有使驱动轮(206)转动的驱动装置，所述第一旋转轴(204)上套设有第一转盘(207)，所述第一转盘(207)位于第一筒体(203)内，所述第一转盘(207)的下表面围绕第一转盘(207)的中心轴线设置有多个第一叶片(208)，所述第一叶片(208)与第一支撑板(202)之间存在间隙，当第一转盘(207)转动时，第一叶片(208)吹动第一转盘(207)下方的空气向下旋转运动，所述第一支撑板(202)上设置有排料孔(209)，所述排料孔(209)的中心轴线与第一转盘(207)下方的空气的旋转方向相切，第一旋转轴(204)的上端与第二旋转轴(205)的下端通过反向器(210)相连，所述第一旋转轴(204)的转动方向与第二旋转轴(205)的转动方向相反，所述第二旋转轴(205)上套设有第二转盘(211)，所述第二转盘(211)位于第一筒体(203)内，所述第二转盘(211)的上表面围绕第二转盘(211)的中心轴线设置有多个第二叶片(212)，当第二转盘(211)转动时，第二叶片(212)吹动第二转盘(211)上方的空气向上旋转运动，所述第一筒体(203)的侧壁上方设置有第一导料孔(213)，所述第一筒体(203)的侧壁下方设置有热风进口(214)，所述热风进口(214)位于第二转盘(211)上方且热风进口(214)的中心轴线与第二转盘(211)上方的空气的旋转方向相切，所述第一筒体(203)的侧壁中部设置有第一进料口，所述第一进料口上设置有进料管(215)，所述进料管(215)的一端为上料口，进料管(215)的另外一端穿过第一进料口伸入第一筒体(203)内且竖直向下延伸，所述进料管(215)将第一进料口密封；

所述第二级分离装置(3)包括第二支架(301)，所述第二支架(301)上设置有第二筒体(302)，所述第二筒体(302)竖直设置，所述第二筒体(302)的上端密封，所述第二筒体(302)的下端设置有第二锥形筒体(303)，所述第二锥形筒体(303)的大径端与第二筒体(302)的下端密封连接，所述第二锥形筒体(303)的小径端设置有第一可拆卸式堵头(304)，所述第二锥形筒体(303)的侧壁上开有第二进料口(305)，所述第二进料口(305)与第一导料孔(213)之间通过第一连接管(306)密封连接，所述第二筒体(302)的上端设置有密闭的第一引风筒(307)，所述第一引风筒(307)的下端与第二筒体(302)内部连通，所述第一引风筒(307)内设置有第一引风机(308)，所述第一引风筒(307)的侧壁上设置有第二导料孔(309)；

所述第三级分离装置(4)包括第三支架(401)，所述第三支架(401)上设置有第三筒体(402)，所述第三筒体(402)竖直设置，所述第三筒体(402)的上端密封，所述第三筒体(402)的下端设置有第三锥形筒体(403)，所述第三锥形筒体(403)的大径端与第三筒体(402)的下端密封连接，所述第三锥形筒体(403)的小径端设置有第二可拆卸式堵头(404)，所述第三锥形筒体(403)的侧壁上开有第三进料口(405)，所述第三进料口(405)与第二导料孔(309)之间通过第二连接管(406)密封连接，所述第三筒体(402)的上端设置有密闭的第二引风筒(407)，所述第二引风筒(407)的下端与第三筒体(402)内部连通，所述第二引风筒(407)内设置有第二引风机(408)，所述第二引风筒(407)的侧壁上设置有第三导料孔(409)；

所述第四级分离装置(5)包括第四支架(501)，所述第四支架(501)上设置有第四筒体(502)，所述第四筒体(502)竖直设置，所述第四筒体(502)的上端密封，所述第四筒体(502)的下端设置有第四锥形筒体(503)，所述第四锥形筒体(503)的大径端与第四筒体(502)的下端密封连接，所述第四锥形筒体(503)的小径端设置有第三可拆卸式堵头(504)，所述第四锥形筒体(503)的侧壁上开有第四进料口(505)，所述第四进料口(505)与第三导料孔(409)之间通过第三连接管(506)密封连接，所述第四筒体(502)的上端设置有第四导料孔(507)；

所述粉尘回收装置(6)包括第五支架(601)，所述第五支架(601)上设置有第五筒体(602)，所述第五筒体(602)竖直设置，所述第五筒体(602)的上端密封，所述第五筒体(602)的下端设置有第五锥形筒体(603)，所述第五锥形筒体(603)的大径端与第五筒体(602)的下端密封连接，所述第五锥形筒体(603)的小径端设置有第四可拆卸式堵头(604)，所述第五筒体(602)的侧壁上开有第五进料口(605)，所述第五进料口(605)与第四导料孔(507)之间通过第四连接管(606)密封连接，所述第五筒体(602)的上端设置有引风孔(607)；所述引风孔(607)上连接有引风管(608)，所述引风管(608)的末端连接有第三引风机(609)；

B、利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层。

2.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：在步骤B中，所述压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面的持续时间为5-15秒。

3.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述驱动装置为驱动电机。

4.如权利要求3所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述进料管(215)倾斜设置，所述进料管(215)内设置有螺旋送料器(216)，所述进料管(215)的上料口出设置有上料管(217)。

5.如权利要求4所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述第一筒体(203)内设置有第一锥形筒体(218)，所述第一锥形筒体(218)位于第一筒体(203)内部上方且位于第一导料孔(213)下方，所述第一锥形筒体(218)的大径端固定在第一筒体(203)的内壁上，所述第一锥形筒体(218)的小径端朝上。

6.如权利要求5所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述第一引风机(308)的电机、第二引风机(408)的电机、第三引风机(609)的电机均为无级变速电机。

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