CN106392895A - 一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法 - Google Patents
一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106392895A CN106392895A CN201610844815.7A CN201610844815A CN106392895A CN 106392895 A CN106392895 A CN 106392895A CN 201610844815 A CN201610844815 A CN 201610844815A CN 106392895 A CN106392895 A CN 106392895A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polysilicon chip
- polycrystalline silicon
- chip surface
- roughening method
- blasting roughening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000007788 roughening Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 63
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001573 adamantine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 2
- SUBDBMMJDZJVOS-UHFFFAOYSA-N 5-methoxy-2-{[(4-methoxy-3,5-dimethylpyridin-2-yl)methyl]sulfinyl}-1H-benzimidazole Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1S(=O)CC1=NC=C(C)C(OC)=C1C SUBDBMMJDZJVOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/10—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for compacting surfaces, e.g. shot-peening
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/08—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially adapted for abrasive blasting of travelling stock or travelling workpieces
- B24C3/083—Transfer or feeding devices; Accessories therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C9/00—Appurtenances of abrasive blasting machines or devices, e.g. working chambers, arrangements for handling used abrasive material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其方法如下：(1)通过金刚线切片机将多晶硅锭切割成多晶硅片；（2）预清，清除多晶硅片表面残留物，随后烘干；（3）将多晶硅片至于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；（4）化学清洗清除多晶硅片表面金属离子残留；（5）由自动分选机筛选；本发明利于提高金刚线多晶硅片光电转换效率，降低电池制造端的投入成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，属于属于太阳能光伏发电材料领域。
背景技术
多晶硅由于其晶体各向异性的属性，金刚线多晶切片表面形成的损伤层低，在电池制造时，表面腐蚀后，无法形成均匀性的绒面导色差硅片，反光率高达20~24%，而导致-光电效率低。
传统的多晶制绒工艺通过硝酸和氢氟酸的混酸进行金刚线多晶制绒，但仍存在以下问题：
1、金刚线表面粗糙度低，无法形成均匀的绒面，导致反光，影响效率；
2、金刚线多晶硅片制绒添加剂使用，引入了新的金属离子，导致效率波动，同时绒面效果不均匀；
3“等离子蚀刻黑硅技术”的运用，电池端解决了制绒问题，但设备造价昂贵，投入太高，同时需要报废现有有电池生产线，重新添置设备。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，利于提高金刚线多晶硅片光电转换效率，降低电池制造端的投入成本。
本发明是通过如下的技术方案予以实现的：
一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其方法如下：
(1) 将多晶硅锭通过金刚线切片机，切割成多晶硅片；
（2）将多晶硅片预清洗，清除多晶硅片表面残留物，随后将多晶硅片烘干；
（3）将烘干后的多晶硅片至于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；
（4）对喷砂粗糙处理后的多晶硅片进行化学清洗，清除多晶硅片表面金属离子残留，随后将多晶硅片烘干；
（5）将经步骤（4）的多晶硅片至于自动分选机上进行自动检测硅片表面质量，将表面无穿孔、边缘和表面无破损的多晶硅筛选出进行储存。
上述一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其中，所述烘干温度为100~120℃，烘干时间为30~40min。
上述一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其中，所述喷砂流水线包括转盘工作台、喷砂机构和精密过滤器，所述转盘工作台上设有若干漏孔，所述转盘工作台底部设有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室与精密过滤器之间设有导料管，所述传送带顶部设有负压吸附装置，所述喷砂机构包括若干喷砂管和输料管，所述输料管分别与若干喷砂管和精密过滤器相连，所述输料管上设有气砂混合器，若干喷砂管上均设有若干导管，所述导管上设有喷头和偏心轮机构，所述喷头与转盘工作台垂直，且距离多晶硅片表面20mm，所述喷砂机构外设有护罩，所述护罩与碳化硅回收室位置对应设置。
上述一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其中，所述漏孔直径为3mm。
上述一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其中，所述负压吸附装置包括真空吸盘、吸气管和吸风机，所述吸气管一端穿过转盘工作台与真空吸盘相连，另一端与吸风机相连。
上述一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其中，所述偏心轮机构包括偏心轮、连杆和往复轨道，所述偏心轮上设有转轴，所述转轴连接电动机，电动机带动转轴使偏心轮以150r/min速度旋转，所述往复轨道两端与护罩相连，所述往复轨道上设有支架，所述支架与导管相连，所述所述连杆分别与偏心轮和支架相连。
上述一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其中，所述碳化硅粒径为6.7um ~10.2um，碳化硅颗粒整体离散系数<23%。
本发明的有益效果为：
本发明利用多晶硅片表面喷砂粗糙处理，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面，有效的降低金刚线多晶表面绒面不均匀而导致色差及反射率高的问题，将硅片光电转换效率提升由18.1~18.2%至18.3~18.5%，反射率由20~24%降低至16~19%，从而利于降低电池制造端的投入成本，且运行自动化程度高，利于大规模生产。
附图说明
图1为本发明喷砂流水线示意图。
（图中，转盘工作台1、喷砂机构2，精密过滤器3，漏孔4，碳化硅回收室5,导料管6，负压吸附装置7，真空吸盘8、吸气管9和吸风机10，护罩11,喷砂管12和输料管13，气砂混合器14，导管15，喷头16,偏心轮机构17，偏心轮18、连杆19和往复轨道20，转轴21，电动机22，支架23，多晶硅片24）。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。
一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其方法如下：
(1) 将多晶硅锭通过金刚线切片机，切割成尺寸为156*156mm的正方形多晶硅片；
（2）将多晶硅片预清洗，清洗过程中每清洗1000片多晶硅片加入2000mL柠檬酸，清洗水温为40℃，清除多晶硅片表面残留物，随后将多晶硅片至于120℃下烘干40min；
（3）将烘干后的多晶硅片至于喷砂流水线，所述喷砂流水线包括转盘工作台、喷砂机构和精密过滤器，所述转盘工作台上设有若干漏孔，所述漏孔直径为3mm，所述转盘工作台底部设有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室与精密过滤器之间设有导料管，所述传送带顶部设有负压吸附装置，所述负压吸附装置包括真空吸盘、吸气管和吸风机，所述吸气管一端穿过转盘工作台与真空吸盘相连，另一端与吸风机相连；
所述喷砂机构外设有护罩，所述护罩与碳化硅回收室位置对应设置，所述喷砂机构包括若干喷砂管和输料管，所述输料管分别与若干喷砂管和精密过滤器相连，所述输料管上设有气砂混合器，若干喷砂管上均设有若干导管，所述导管上设有喷头和偏心轮机构，所述偏心轮机构包括偏心轮、连杆和往复轨道，所述偏心轮上设有转轴，所述转轴连接电动机，所述往复轨道两端与护罩相连，所述往复轨道上设有支架，所述支架与导管相连，所述所述连杆分别与偏心轮和支架相连，所述喷头与转盘工作台垂直，；
利用吸风机抽真空将多晶硅片吸附于真空吸盘上，由转盘工作台将多晶硅片转至喷头下方，控制喷头距离多晶硅片表面20mm，电动机带动转轴使偏心轮以150r/min速度旋转，带动支架上的导管在往复轨道上往复直线运动，进行喷砂粗糙处理，由喷头将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，多余碳化硅由漏孔进入碳化硅回收室，由导料管经精密过滤器过滤后送入输料管回用，所述碳化硅粒径为6.7 um ~10.2um，碳化硅颗粒整体离散系数<23%，使多晶硅片表面形成厚度为4um的单面粗糙面；
（4）对喷砂粗糙处理后的多晶硅片放入药洗槽，加入碱性清洗剂所述碱性清洗剂购自于三达奥克化学股份有限公司，每清洗1200片多晶硅片加入2300mL碱性清洗剂，清洗水温为40℃，进行化学清洗，清除多晶硅片表面金属离子残留，随后将多晶硅片烘干；
（5）将经步骤（4）的多晶硅片至于自动分选机上进行自动检测硅片表面质量，将表面无穿孔、边缘和表面无破损的多晶硅筛选出进行储存。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，其方法如下：
(1) 将多晶硅锭通过金刚线切片机，切割成多晶硅片；
（2）将多晶硅片预清洗，清除多晶硅片表面残留物，随后将多晶硅片烘干；
（3）将烘干后的多晶硅片至于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；
（4）对喷砂粗糙处理后的多晶硅片进行化学清洗，清除多晶硅片表面金属离子残留，随后将多晶硅片烘干；
（5）将经步骤（4）的多晶硅片至于自动分选机上进行自动检测硅片表面质量，将表面无穿孔、边缘和表面无破损的多晶硅筛选出进行储存。
2.如权利要求1所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述烘干温度为100~120℃，烘干时间为30~40min。
3.如权利要求1所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述喷砂流水线包括转盘工作台、喷砂机构和精密过滤器，所述转盘工作台上设有若干漏孔，所述转盘工作台底部设有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室与精密过滤器之间设有导料管，所述传送带顶部设有负压吸附装置，所述喷砂机构包括若干喷砂管和输料管，所述输料管分别与若干喷砂管和精密过滤器相连，所述输料管上设有气砂混合器，若干喷砂管上均设有若干导管，所述导管上设有喷头和偏心轮机构，所述喷头与转盘工作台垂直，且距离多晶硅片表面20mm，所述喷砂机构外设有护罩，所述护罩与碳化硅回收室位置对应设置。
4.如权利要求3所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述漏孔直径为3mm。
5.如权利要求3所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述负压吸附装置包括真空吸盘、吸气管和吸风机，所述吸气管一端穿过转盘工作台与真空吸盘相连，另一端与吸风机相连。
6.如权利要求3所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述偏心轮机构包括偏心轮、连杆和往复轨道，所述偏心轮上设有转轴，所述转轴连接电动机，电动机带动转轴使偏心轮以150r/min速度旋转，所述往复轨道两端与护罩相连，所述往复轨道上设有支架，所述支架与导管相连，所述所述连杆分别与偏心轮和支架相连。
7.如权利要求1所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述碳化硅粒径为6.7 um ~10.2um，碳化硅颗粒整体离散系数<23%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610844815.7A CN106392895B (zh) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610844815.7A CN106392895B (zh) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106392895A true CN106392895A (zh) | 2017-02-15 |
| CN106392895B CN106392895B (zh) | 2019-06-18 |
Family
ID=57997894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610844815.7A Active CN106392895B (zh) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106392895B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107932340A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-04-20 | 福建晶安光电有限公司 | 一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法 |
| CN109748189A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-05-14 | 江苏美科硅能源有限公司 | 定柱式自动悬臂翻棒机 |
| CN111146313A (zh) * | 2019-03-08 | 2020-05-12 | 欧浦登（顺昌）光学有限公司 | 晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用 |
| CN111843836A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-10-30 | 苏州澳京光伏科技有限公司 | 一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法 |
| CN112059921A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-12-11 | 马鞍山久特新材料科技有限公司 | 一种高分子耐磨承载轮喷丸、清洗装置 |
| CN113211216A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-06 | 科莱思半导体智造(浙江)有限公司 | 一种半导体硅晶片的抛光设备 |
| CN115122245A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-30 | 广州大学 | 一种柔性轴承内圈加工自适应喷嘴调节装置 |
-
2016
- 2016-09-23 CN CN201610844815.7A patent/CN106392895B/zh active Active
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107932340A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-04-20 | 福建晶安光电有限公司 | 一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法 |
| CN109748189A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-05-14 | 江苏美科硅能源有限公司 | 定柱式自动悬臂翻棒机 |
| CN111146313A (zh) * | 2019-03-08 | 2020-05-12 | 欧浦登（顺昌）光学有限公司 | 晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用 |
| CN111843836A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-10-30 | 苏州澳京光伏科技有限公司 | 一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法 |
| CN112059921A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-12-11 | 马鞍山久特新材料科技有限公司 | 一种高分子耐磨承载轮喷丸、清洗装置 |
| CN113211216A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-06 | 科莱思半导体智造(浙江)有限公司 | 一种半导体硅晶片的抛光设备 |
| CN115122245A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-30 | 广州大学 | 一种柔性轴承内圈加工自适应喷嘴调节装置 |
| CN115122245B (zh) * | 2022-06-14 | 2023-05-05 | 广州大学 | 一种柔性轴承内圈加工自适应喷嘴调节装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106392895B (zh) | 2019-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106392895A (zh) | 一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法 | |
| CN102832101B (zh) | 晶体硅清洗方法 | |
| CN103757707B (zh) | 一种蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺 | |
| US20120003779A1 (en) | Abrasion-etch texturing of glass | |
| CN1882714A (zh) | 硅酸盐材料的洁净工艺及其设备 | |
| CN108155118A (zh) | 一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法 | |
| WO2011039972A1 (ja) | 清掃ノズル及びそれを備えた塵埃除去装置 | |
| CN103495928A (zh) | 一种提高蓝宝石衬底片表面质量和产品良率的加工方法 | |
| CN108787541A (zh) | 一种机械加工用钻孔清污装置 | |
| CN104392899A (zh) | 整流单晶硅片免喷砂扩散镀镍工艺 | |
| CN102942836B (zh) | 光固化涂料，由其制得的光固化线锯及其制备方法和装置 | |
| CN101474774B (zh) | 一种破碎镀膜外延硅片表面及边缘的处理方法 | |
| CN109295427B (zh) | 一种溅射靶材的清洁方法及装置 | |
| CN2700050Y (zh) | 环保喷砂机 | |
| CN204748351U (zh) | 一种带有照明灯的可移动喷砂设备 | |
| CN212351560U (zh) | 一种铝合金生产用抛光打磨装置 | |
| CN110690097B (zh) | 一种等离子刻蚀机用尘埃消除装置 | |
| CN212760186U (zh) | 一种坩埚及保温层的清洁处理装置 | |
| CN210880360U (zh) | 一种晶片加工机台的基座 | |
| CN204772135U (zh) | 一种自动控制喷砂机用的除尘装置 | |
| CN210385206U (zh) | 一种用于氮氢分离的空分设备 | |
| CN216369432U (zh) | 一种工业硅加工用高效除尘设备 | |
| CN219650014U (zh) | 半导体芯片切割废料收集装置 | |
| CN207325491U (zh) | 滚针、滚子生产线用除尘滑道 | |
| CN218397656U (zh) | 一种钢板磨砂除尘装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Novel diamond wire polycrystalline silicon sheet surface sand blasting roughening method Effective date of registration: 20191113 Granted publication date: 20190618 Pledgee: China Everbright Bank, Limited by Share Ltd, Nanjing branch Pledgor: Jiangsu Meike Silicon Energy Co., Ltd. Registration number: Y2019320000280 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20210127 Granted publication date: 20190618 Pledgee: China Everbright Bank Limited by Share Ltd. Nanjing branch Pledgor: JIANGSU MEIKE SILICON ENERGY Co.,Ltd. Registration number: Y2019320000280 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210207 Address after: No.198 Guangming Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Meike Solar Energy Technology Co.,Ltd. Address before: GANGLONG Road, Yanjiang Industrial Park, Yangzhong City, Zhenjiang City, Jiangsu Province Patentee before: JIANGSU MEIKE SILICON ENERGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: No.198 Guangming Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Meike Solar Energy Technology Co.,Ltd. Address before: No.198 Guangming Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province Patentee before: Jiangsu Meike Solar Energy Technology Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |