CN107964533B - 二硫化钼用于干细胞增殖和/或分化及干细胞增殖和/或分化用衬底及制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及生物材料领域，公开了二硫化钼用于干细胞增殖和/或分化及干细胞增殖和/或分化用衬底及制备方法和应用，具体的公开了二硫化钼在干细胞增殖和/或分化中的应用，用于干细胞增殖和/或分化的衬底及其制备方法，所述衬底包括基底和附着在该基底上的二硫化钼薄膜，以及如上所述的衬底在干细胞增殖和/或分化中的应用。通过上述技术方案，当将二硫化钼薄膜应用在干细胞的增殖和/或分化时，其不会降低干细胞的活力以及干细胞的干性，同时还能够与干细胞具有更好的生物相容性、促进干细胞的增殖和分化。因此，二硫化钼作为生物材料在干细胞的增殖和/或分化上具有广阔的实用前景。

Description

二硫化钼用于干细胞增殖和/或分化及干细胞增殖和/或分化 用衬底及制备方法和应用
技术领域
本发明涉及生物材料领域。具体地，涉及二硫化钼在干细胞增殖和/或分化中的应用，一种用于干细胞增殖和/或分化的衬底、该衬底的制备方法以及该基底在干细胞增殖和/或分化中的应用。
背景技术
实现干细胞的定向可控分化一直是组织工程和再生医学领域的核心和主要目标。许多研究表明生物材料介导的物理(例如材料硬度，表面形貌以及表面电荷)及化学因素(化学组成成分)能够影响干细胞分化的命运。许多天然的和人工合成的材料被用来作为生物支架，通过本身作为干细胞胞外基质调控干细胞分化的方式，最终决定干细胞的分化命运。其中二维材料因其独特的物化性质且易于修饰在各种形状的基底表面这一优势，被认为在调控干细胞分化这一领域有着广泛的应用前景。例如，二维石墨烯材料被证明有着良好的生物相容性，并且在调控干细胞分化方面有着促进作用。这证明了二维材料在干细胞研究领域有潜在的应用前景。
然而，石墨烯在与干细胞的生物相容性方便较差，导电性不可调节，且在对干细胞的增殖分化调节上还有所欠缺。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的以上缺陷，提供了一种与干细胞的生物相容性更好，导电性可调节，且可有效调节干细胞增殖分化的二硫化钼材料在干细胞增殖和/或分化中的应用，以及包括有该二硫化钼材料的衬底和该衬底在干细胞增殖和/或分化中的应用。
为了实现上述目的，一方面，本发明提供了二硫化钼在干细胞增殖和/或分化中的应用。
优选地，所述二硫化钼薄膜具有导电性，且具有层状和表面多孔的结构。
第二方面，本发明提供了一种用于干细胞增殖和/或分化的衬底，其中，所述衬底包括基底和附着在该基底上的二硫化钼薄膜。
优选的，所述基底为柔性高聚物膜基底，所述衬底在被所述干细胞附着后为管状结构。
第三方面，本发明提供了一种用于干细胞增殖和/或分化的衬底的制备方法，其中，该方法包括：将基底与钼酸钠和硫脲的水溶液在180℃-250℃的条件下接触，以使所述基底上附着二硫化钼薄膜。
优选的，所述衬底的制备方法还包括：将接触后形成的附着有二硫化钼薄膜的基底进行超声处理。
第四方面，本发明提供了如上所述的衬底在干细胞增殖和/或分化中的应用。
通过上述技术方案，当将二硫化钼薄膜应用在干细胞的增殖和/或分化时，其不会降低干细胞的活力以及干细胞的干性，同时还能够与干细胞具有更好的生物相容性、促进干细胞的增殖和分化。因此，二硫化钼作为生物材料在干细胞的增殖和/或分化上具有广阔的实用前景。
本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是实施例1所制备的衬底的扫描电镜图。
图2是实施例1所制备的二硫化钼薄膜的透射电镜图。
图3是实施例1所制备的衬底表面的拉曼光谱表征图谱。
图4是利用探针台测量实施例1所制备的衬底表面的电流-电压特征曲线。
图5是实验组(实施例1所制备的衬底)和对照组(玻璃细胞培养皿)培养的神经干细胞的细胞染色结果。
图6是实验组(实施例1所制备的衬底)和对照组(玻璃细胞培养皿)中表达神经干细胞特异蛋白巢蛋白的情况。
图7是实验组(实施例1所制备的衬底)和对照组(玻璃细胞培养皿)中培养的细胞的扫面电镜图。
图8是实验组(实施例1所制备的衬底)和对照组(玻璃细胞培养皿)对神经干细胞增殖状态的影响。
图9是实验组(实施例1所制备的衬底)和对照组(玻璃细胞培养皿)对神经干细胞向神经元与神经胶质细胞分化的影响。
图10实验组(实施例1所制备的衬底)和对照组(玻璃细胞培养皿)对神经干细胞分化后的基因(Nestin基因、Tuj1基因、MAP2基因和GFAP基因)表达的影响。
图11a是生长有神经干细胞的三维支架结构的形成示意图；图11b-d为管状结构切片的共聚焦显微镜图。
图12为实施例2所形成的衬底结构图。
图13是利用探针台测量实施例2所制备的衬底表面的电流-电压特征曲线。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
目前对二硫化钼材料的研究大部分集中在电学性质和电子器件方面，二硫化钼在生物学领域的研究目前仅限于生物分子的检测和对不同细胞系的生物相容性层面。本发明的发明人在研究的过程中发现，二硫化钼材料对干细胞具有更高的生物相容性，且能够促进干细胞增殖和分化。且相比于石墨烯的零带隙，二硫化钼有着可调带隙，这使得二硫化钼的有着可以调节的导电性(可调的导电性质在影响神经干细胞的分化方面有着重要意义)，从而填补了二维二硫化钼材料在干细胞方面研究的空白。
基于如上的发现，本发明提供了二硫化钼在干细胞增殖和/或分化中的应用。
其中，二硫化钼以二硫化钼薄膜的形式存在，本发明对所述二硫化钼薄膜的厚度并没有特别的限制，只要其能够为干细胞提供生长环境，从而促进干细胞的增殖和/或分化即可，优选的，所述二硫化钼薄膜的厚度为200-800nm。
尽管本发明的发明人发现，只要将二硫化钼薄膜应用到干细胞的培养中即可促进干细胞的增殖和/或分化，但本发明的发明人发现，具有导电性，且表面多孔的呈现层状结构的二硫化钼薄膜在促进干细胞的增殖和/或分化上更具有优势。其中，所述孔的孔径和深度以及层状结构的层数均没有特别的限定，只要具有如上的结构特性即可。
根据本发明，如上所述的二硫化钼薄膜优选采用水热合成的方法进行制备，水热合成法的条件可以为本领域常规的选择。优选的，将钼酸钠和硫脲的水溶液在180-250℃的条件下进行反应，以形成二硫化钼薄膜。所述反应的时间可以在较宽的范围内进行调整，例如，可以为12-40小时。进一步优选的，为了使形成的二硫化钼薄膜更加完整且易于获得，可以在如上的反应液中加入基底，以提供二硫化钼薄膜附着的载体，从而保持其完整性与均一性，进而得到用于干细胞增殖和/或分化的衬底。根据本发明，进一步优选的，在所述钼酸钠和硫脲的水溶液中，相对于100ml的水，所述钼酸钠的量为100-200mg，所述硫脲的量为250-350mg。
尽管按照如上所述的方法合成的二硫化钼薄膜在用于干细胞的培养时，即可与干细胞具有较高的生物相容性，且能够有效促进干细胞的增殖与分化，但本发明的发明人发现，将如上反应后获得的载有二硫化钼薄膜的基底进行适当的超声处理，能够进一步增强其如上的特性。所述超声的条件可以在较宽的范围内进行选择，优选的，超声的频率为56-60Hz，超声的温度为20-30℃，超声的时间为5-15min。
根据本发明，所述干细胞可以为各种干细胞，例如，包括但并不限于神经干细胞和/或间充质干细胞。优选的，所述干细胞为神经干细胞，同时在干细胞分化领域的研究中，调控神经干细胞的分化有助于治疗神经退行性疾病，促使神经干细胞高效分化出神经元是神经组织工程领域的重要目标。因此，本发明在神经组织工程领域具有特殊的意义。
第二方面，本发明还提供了一种用于干细胞增殖和/或分化的衬底，其中，所述衬底包括基底和附着在该基底上的二硫化钼薄膜。
如上已经对二硫化钼薄膜的制备方法、二硫化钼薄膜的特性以及干细胞的选择进行了具体的介绍，本发明在此不再重复赘述。
根据本发明，如上用于二硫化钼薄膜的基底可以为本领域公知的各种用于细胞培养的基底，例如，玻璃基底或高聚物膜基底。所述高聚物膜可以在较宽的范围内进行选择，只要所述选择的膜在不高于180℃的温度下不会分解，本身与细胞具有很好的生物相容性且对细胞无毒即可。所述高聚物膜的实例包括但并不限于聚偏氟乙烯膜。
本发明的发明人发现，当所述基底为柔性高聚物膜基底，用于干细胞的培养时，接种细胞且所述细胞生长贴壁后，将整个复合结构卷起为管状结构，能够有效地为干细胞的生长提供三维支架，从而能够进一步促进干细胞的增殖和/或分化。其中，所述管状结构的直径优选为100μm-5mm。对如上复合结构进行卷起的方式也没有特别的限定，例如，可以使用玻璃棒。
本发明经过超声处理后的衬底，二硫化钼能够牢固的附着于基底的表面上，当需要对所形成的二硫化钼薄膜的理化性质进行研究时，可以通过适当的工具将所述二硫化钼薄膜刮下，当用于干细胞的增殖和/或分化时，可以直接将干细胞接种于其上。
第三方面，本发明还提供了如上所述的用于干细胞增殖和/或分化的衬底的制备方法。
第四方面，本发明还提供了如上所述的衬底在干细胞增殖和/或分化中的应用。
所述干细胞的选择如上已经进行了具体的介绍，本发明在此不再详细赘述。
根据本发明，当所述衬底用于干细胞的增殖和/或分化时，在接种干细胞之前，还包括对所述衬底进行灭菌的步骤，所述灭菌的方法可以为本领域常规的选择，优选的，所述灭菌先后分别经过95％的乙醇和75％的乙醇浸泡，然后再进行紫外照射杀菌。所述灭菌的时间可以在较宽的范围内进行选择，只要能够将所述衬底充分灭菌即可，例如，所述衬底在95％的乙醇和75％的乙醇中的浸泡时间可以分别为5-15min，所述紫外照射的时间可以为30-90min。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。以下实施例中，
二硫化钼薄膜的厚度通过材料的SEM截面图进行测定：
二硫化钼薄膜的表面结构通过扫面电镜(购自Hitachi,Japan型号SU8020)进行观察；
二硫化钼薄膜层状结构通过透射电镜(购自JEOL，Japan型号JEM 2100)进行观察；
二硫化钼薄膜的化学组成成分通过拉曼光谱进行表征；
二硫化钼薄膜的导电性利用探针台测量衬底表面的电流-电压特征曲线进行表征。
实施例1
本实施例用于说明本发明提供的用于干细胞增殖和/或分化的衬底
(1)首先称取30mg钼酸钠粉末和60mg硫脲粉末，溶解在20ml去离子水中。两种粉末都充分溶解后，将混合液倒入25ml容量的特氟龙反应釜中。将玻璃切割成20mm x 30mm大小浸泡在反应釜中，180℃反应24小时。
(2)将步骤(1)合成出的附着有二硫化钼的玻璃在55Hz的频率25℃的温度下经过超声处理10min。处理后，二硫化钼薄膜层能够牢固附着于玻璃表面作为细胞培养的衬底。
所述二硫化钼薄膜的厚度为300nm。衬底通过扫描电镜表征后可以看出水热合成的二硫化钼薄膜具有多孔的表面结构(如图1所示)。将附着于玻璃基底表面的二硫化钼薄膜用手术刀刮下，透射电镜表征，可以看出水热合成的二硫化钼具有层状结构(如图2所示)。再将该衬底通过拉曼光谱表征，特征峰的位置说明了水热合成后的衬底表面的化学组成成分为二硫化钼(如图3所示)。最后，利用探针台测量样品表面的电流-电压特征曲线(如图4所示)，证明通过水热合成后的基底表面有着能够导电的特性。
实施例2
本实施例用于说明本发明提供的用于干细胞增殖和/或分化的衬底
(1)首先称取25mg钼酸钠粉末和50mg硫脲粉末，溶解在20ml去离子水中。两种粉末都充分溶解后，将混合液倒入25ml容量的特氟龙反应釜中。聚偏氟乙烯膜剪切成20mm x30mm大小浸泡在反应釜中，200℃反应24小时。
(2)将步骤(1)合成出的附着有二硫化钼的聚偏氟乙烯膜在50Hz的频率28℃的温度下经过超声处理10min。处理后，二硫化钼薄层能够牢固附着于聚偏氟乙烯膜表面作为细胞培养的衬底，衬底结构如图12所示。
所述二硫化钼薄膜的厚度为500nm，衬底通过扫描电镜表征后可以看出水热合成的二硫化钼薄膜具有多孔的表面结构。将附着于聚偏氟乙烯膜表面的二硫化钼用手术刀刮下，透射电镜表征，可以看出水热合成的二硫化钼具有层状结构。再将该衬底通过拉曼光谱表征，特征峰的位置说明了水热合成后的衬底表面的化学组成成分为二硫化钼。最后，利用探针台测量样品表面的电流-电压特征曲线(如图13所示)，证明通过水热合成后的基底表面有着能够导电的特性。
实施例3
本实施例用于说明本发明提供的用于干细胞增殖和/或分化的衬底
按照实施例1的方法进行衬底的制备，不同的是，所述衬底不经过超声处理。
所述二硫化钼薄膜的厚度为800nm。衬底通过扫描电镜表征后可以看出水热合成的二硫化钼薄膜具有多孔的表面结构。将附着于玻璃基底表面的二硫化钼用手术刀刮下，透射电镜表征，可以看出水热合成的二硫化钼具有层状结构。再将该衬底通过拉曼光谱表征，特征峰的位置说明了水热合成后的衬底表面的化学组成成分为二硫化钼。最后，利用探针台测量样品表面的电流-电压特征曲线，证明通过水热合成后的基底表面有着能够导电的特性。
实施例4
本实施例用于说明本发明提供的用于干细胞增殖和/或分化的衬底
将氧化硅/硅基底在水虎鱼溶液中浸泡超声10min，捞出后用超纯水冲洗烘干。将高纯度氧化钼粉末(MoO3，99％西格玛奥德里奇)和硫粉(99.5％，阿尔法)分别放在氧化铝坩埚中。将基底正面朝下放在氧化钼粉末上。将坩埚在氮气气氛(1sccm)中加热至650℃并保持15分钟，加热速率为每分钟15℃，制得二硫化钼薄膜。
通过扫描电镜表征后可以看出如上合成的二硫化钼薄膜具有多孔的表面结构。透射电镜表征，可以看出水热合成的二硫化钼薄膜为单层平面结构。再将该衬底通过拉曼光谱表征，特征峰的位置说明了如上合成后的二硫化钼薄膜的化学组成成分为二硫化钼。最后，利用探针台测量样品表面的电流-电压特征曲线，证明通过水热合成后的基底表面有着能够导电的特性。
对比例1
本对比例用于说明参比的用于干细胞增殖和/或分化的衬底
将1g石墨、23mL 98％的浓硫酸置于100mL烧杯中混合均匀并置于冰浴中，搅拌30min，使其充分混合，称4g KMnO4加入烧杯中继续搅拌1h后，移入40℃的温水浴中继续搅拌30min；向烧杯中加入蒸馏水，控制温度在100℃以下将反应液稀释至80-100mL后，加适量5％H2O2，趁热过滤，用5％HCl和蒸馏水充分洗涤至接近中性，过滤，60℃烘干，得到氧化石墨。在烧杯中配制pH为11的NaOH溶液，将氧化石墨研碎，加入烧杯中配制0.3g×L-1氧化石墨悬浮液100mL，置于超声波清洗器中在200W功率下超声30min，离心处理除去其中少量杂质，得到均质稳定的氧化石墨烯胶状悬浮液；向离心后的氧化石墨烯胶状悬浮液中加入0.5mL水合肼，90℃恒温反应10h，得到稳定的石墨烯胶状悬浮液。采用微孔滤膜(材料：混合纤维膜，规格：D100mm，孔径：0.22μm)过滤氧化石墨烯及石墨烯悬浮液，通过加入悬浮液的量控制薄膜厚度。过滤后将薄膜连同滤膜一起置于烘箱中于60℃烘干，然后将薄膜从滤膜揭下，得到氧化石墨烯和石墨烯薄膜样品。
测试例1
将如上实施例1-4和对比例1的衬底与玻璃衬底经过先后经过95％的乙醇和75％的乙醇浸泡10min后进行紫外照射杀菌1min，之后将神经干细胞(取自维通利华的Wistar大鼠)接种于如上的各衬底和玻璃衬底表面，密度为5000个细胞/平方厘米。当基底为玻璃衬底时，待细胞贴壁并生长(DMEM/F12+2％B27+1％N2+1％双抗(青霉素+链霉素)为培养基，另外补充20ng/L的表皮细胞生长因子(EGF)和20ng/mL的成纤维细胞生长因子(FGF)，并于37℃，5％CO2的细胞培养箱中培养)至覆盖基底60％时，开始诱导(更换新鲜培养基，同时不补充任何生长因子)神经干细胞的分化。
其中，当基底为高聚物膜基底时，待细胞贴壁并生长三天后，用玻璃棒将整个复合结构卷起成为管状结构并用医用胶水粘合，成为生长有神经干细胞的三维支架(如图11a所示)，并开始诱导(更换新鲜培养基，同时不补充任何生长因子)神经干细胞的分化。将管状结构切片通过共聚焦显微镜观察，结果如图11b-d所示，能够看到神经干细胞能够生长在管壁上，由此说明该支架能够作为神经干细胞的生长和分化支架。
(1)生物相容性的检测
1)二硫化钼薄膜对神经干细胞活力的影响
利用活死细胞染色实验(将LIVE/DEAD试剂盒(赛默飞)，用DMSO稀释50倍，取1μl稀释后的染料与1ml细胞混合，37℃孵育30min，在显微镜下观察拍照，活细胞被染成绿色，死细胞被染成红色)对实施例1-4和对比例1的衬底和玻璃细胞培养皿上接的神经干细胞进行细胞活力检测。数据统计显示在实施例1-4和对比例1的衬底上生长的神经干细胞与传统细胞培养皿相比细胞活力均没有区别(>95％)，其中，实施例1衬底和玻璃细胞培养皿上培养的神经干细胞的活力检测结构如图5所示，其中，MTF代表实施例1衬底(二硫化钼)；TCP代表玻璃细胞培养板，其中，图5最左列为两种基底上活细胞的荧光图像，中间列是两种基底上死细胞的荧光图像，第三列是活死细胞图像叠加，最右边的柱形图是利用计数法统计两种基底上活细胞和死细胞的比例)。
2)二硫化钼薄膜对神经干细胞干性的影响
将神经干细胞在实施例1-4和对比例1的衬底上培养至第三天，用荧光免疫染色的方法检测细胞有没有表达神经干细胞特异蛋白巢蛋白。具体步骤：将细胞用4％多聚甲醛浸泡15分钟以固定细胞，然后用PBS缓冲液洗3次，每次5分钟。然后用0.1％的曲拉通处理细胞5分钟。再用缓冲液洗三次，每次五分钟。再用1％的山羊血清封闭细胞的非特异性位点，室温封闭1.5小时。将有FITC修饰的巢蛋白抗体(Abcam)在牛血清白蛋白(BSA)中稀释至200倍，孵育细胞两小时。用PBS清洗三次，每次5分钟。最后用DAPI对细胞核进行复染，用PBS冲洗干净后荧光显微镜下观察。图6中能够看出，实施例1衬底和玻璃细胞培养皿上培养的细胞巢蛋白都表达，说明材料对细胞干性没有影响。
另外，通过对实施例1衬底和玻璃细胞培养皿上培养的细胞进行扫面电镜成像，可以清楚看出神经干细胞的细胞质边缘伸展形成丝状伪足并附着在二硫化钼薄膜的纳米片层上，说明二硫化钼基底有着纳米结构，细胞的边缘和伪足能够紧紧贴服在基底表面，证明二硫化钼的结构有利于细胞的附着(参见图7)。而在玻璃细胞培养皿上培养的细胞并没有观察到如上的状态。
3)二硫化钼薄膜对神经干细胞增殖状态的影响
在细胞贴壁后的第二天作为实验的第一天。将CCK-8反应液加到各组细胞中，孵育两小时，然后用酶标仪测定反应液在450nm处的吸光度，用同样的方法测定各组细胞在生长了3天和5天时的450nm的吸光度，并分别与第一天的吸光度对比，得出细胞的增殖速率。
统计结果(图8)说明，在细胞增殖实验期间(5天)，二硫化钼薄膜对神经干细胞的增殖没有抑制作用，并可以看出在第五天增殖数量超过了玻璃衬底。
以上实验都充分说明了二硫化钼薄膜有着良好的生物相容性。
(2)二硫化钼薄膜对神经干细胞向神经元与神经胶质细胞分化的影响
在两种衬底上的神经干细胞生长至60％覆盖度时，将维持神经干细胞干性的生长因子(表皮细胞生长因子(EGF)和成纤维细胞生长因子(FGF))去掉，更换新鲜培养基(DMEM/F12+2％B27+1％N2+1％双抗(青霉素+链霉素))并记作分化的第一天。分化两周后，对分化的神经元和神经胶质细胞进行免疫染色(将细胞用4％多聚甲醛浸泡15分钟以固定细胞，然后用PBS缓冲液洗3次，每次5分钟。然后用0.1％的曲拉通处理细胞5分钟。再用缓冲液洗三次，每次五分钟。再用1％的山羊血清封闭细胞的非特异性位点，室温封闭1.5小时。将鼠源的anti-Tuj1抗体(Abcam，用于标记神经元细胞)，兔源anti-GFAP抗体(Abcam，用于标记神经胶质细胞)分别在BSA中稀释1000倍和2000倍孵育细胞过夜。用PBS清洗三次，每次5分钟。再用488荧光修饰的山羊鼠二抗(北京翊圣)和Cy3荧光修饰的山羊抗兔二抗(北京翊圣)孵育细胞两小时。用PBS清洗三次，每次5分钟。最后用DAPI对细胞核进行复染，用PBS冲洗干净后荧光显微镜下观察。)结果如图9所示。
从图中可以看出，随着分化的天数增加，二硫化钼薄膜上分化的神经元与神经胶质细胞数量都高于对照组，说明二硫化钼薄膜能够促进神经干细胞向神经细胞和神经胶质细胞方向分化，同时促进了细胞的增殖。
(3)二硫化钼薄膜对神经干细胞分化后的基因表达的影响
在两种材料上分化的神经干细胞在分化两周后，细胞基因(RAN提取试剂盒：货号74134，购自QIAGEN；cDNA反转录试剂盒：货号RR047A，购自TaKaRa；RT-qPCR试剂盒：货号RR420A，购自TaKaRa)表达的差异通过荧光定量PCR实验检测(其中，各基因的表达水平均是以相对于GAPDH基因(引物序列如SEQ ID NO∶9和SEQ ID NO∶10)表达水平计算的)。通过数据处理，两种材料上分化的神经干细胞基因表达差异如图10所示。(a)Nestin基因(引物序列如SEQ ID NO∶1和SEQ ID NO∶2)是神经干细胞特异基因。神经干细胞的Nestin表达下调说明二硫化钼薄膜促进了神经干细胞向神经元方向的分化。(b)Tuj1基因(引物序列如SEQID NO∶3和SEQ ID NO∶4)是神经元早期表达的基因，二硫化钼薄膜基底促进了分化的神经元的成熟，由此导致了TUJ1基因的下调。于此相应地，神经元后期特异基因MAP2(引物序列如SEQ ID NO∶5和SEQ ID NO∶6)(d)上调。(c)GFAP基因(引物序列如SEQ ID NO∶7和SEQ IDNO∶8)的上调说明了二硫化钼薄膜能够促进神经干细胞向神经胶质细胞的分化，与免疫染色结果相一致。
通过上述技术方案，当将二硫化钼薄膜应用在干细胞的增殖和/或分化时，其不会降低干细胞的活力以及干细胞的干性，同时还能够与干细胞具有更好的生物相容性、促进干细胞的增殖和分化。因此，二硫化钼作为生物材料在干细胞的增殖和/或分化上具有广阔的实用前景。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
SEQUENCE LISTING
<110> 北京纳米能源与系统研究所
<120> 二硫化钼用于干细胞增殖和/或分化及干细胞增殖
和/或分化用衬底及制备方法和应用
<130> I40937NAN
<160> 10
<170> PatentIn version 3.3
<210> 1
<211> 20
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequence is synthesized.
<400> 1
agagtcagat cgctcagatc 20
<210> 2
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<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequence is synthesized.
<400> 2
gcagagtcct gtatgtagcc ac 22
<210> 3
<211> 20
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequence is synthesized.
<400> 3
tagaccccag cggcaactat 20
<210> 4
<211> 21
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> GTTCCAGGCTCCAGGTCCACC
<400> 4
gttccaggct ccaggtccac c 21
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<211> 20
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequece is synthesized.
<400> 5
gccagcatca gaacaaacag 20
<210> 6
<211> 21
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequece is synthesized.
<400> 6
aaggtcttgg gagggaagaa c 21
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<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequece is synthesized.
<400> 7
cggagacgta tcacctctg 19
<210> 8
<211> 21
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequece is synthesized.
<400> 8
tggaggcgtc attcgagaca a 21
<210> 9
<211> 21
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequece is synthesized.
<400> 9
aggtcggtgt gaacggattt g 21
<210> 10
<211> 23
<212> DNA
<213> Artificial
<220>
<223> The sequece is synthesized.
<400> 10
tgtagaccat gtagttgagg tca 23

Claims (12)

1.二硫化钼在神经干细胞增殖和/或分化中的应用，且所述应用为非疾病诊断和治疗目的中的应用；
其中，所述二硫化钼以二硫化钼薄膜的形式存在；
其中，所述二硫化钼薄膜附着在基底上，所述基底为玻璃板或聚偏氟乙烯膜。
2.根据权利要求1所述的应用，其中，所述二硫化钼薄膜的厚度为200-800nm。
3.根据权利要求1或2所述的应用，其中，所述二硫化钼薄膜具有导电性，且具有层状和表面多孔的结构。
4.一种用于神经干细胞增殖和/或分化的衬底，其特征在于，所述衬底包括基底和附着在该基底上的二硫化钼薄膜；
其中，所述基底为聚偏氟乙烯膜。
5.根据权利要求4所述的衬底，其中，所述基底为聚偏氟乙烯膜，所述衬底在被所述神经干细胞附着后为管状结构。
6.根据权利要求5所述的衬底，其中，所述管状结构的直径为100μm-5mm。
7.根据权利要求5或6所述的衬底，其中，所述二硫化钼薄膜的厚度为200-800nm。
8.根据权利要求7所述的衬底，其中，所述二硫化钼薄膜具有导电性，且具有层状且表面多孔的结构。
9.一种用于神经干细胞增殖和/或分化的衬底的制备方法，其中，该方法包括：将聚偏氟乙烯膜与钼酸钠和硫脲的水溶液在180℃-250℃的条件下接触，以使所述聚偏氟乙烯膜上附着二硫化钼薄膜。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，该方法还包括：将接触后形成的附着有二硫化钼薄膜的基底进行超声处理。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，超声的条件包括：超声的频率为50-60Hz，超声的温度为20-30℃，超声的时间为5-15min。
12.权利要求4-8中任意一项所述的衬底在神经干细胞增殖和/或分化中的应用，且所述应用为非疾病诊断和治疗目的中的应用。
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