CN107958960B - 封装薄膜及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种封装薄膜及显示装置，封装薄膜包括：第一无机层，由第一氧化物组成；聚合层，设置在所述第一无机层上，所述聚合层由聚合物组成，所述聚合物和所述第一氧化物通过化学键键合；第二无机层，设置在所述聚合层上，所述第二无机层与所述聚合物通过化学键键合。本发明的封装薄膜及显示装置，通过设置由化学键键合的第一无机层、聚合层和第二无机层，阻止了外界水氧的侵蚀，提高了显示装置的耐弯折性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种封装薄膜及显示装置。
背景技术
由于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术可以实现柔性显示，因此其被广泛的应用于移动设备、可穿戴设备及大尺寸曲面电视等领域中。
然而，柔性OLED显示技术也面临着两项较大的挑战。第一是外界水氧侵蚀对OLED材料造成损失。第二是面板弯折过程中会引起膜层之间的断裂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种封装薄膜及显示装置，可以阻止外界水氧的侵蚀，提高显示装置的耐弯折性。
本发明实施例提供一种封装薄膜，包括：
第一无机层，由第一氧化物组成；
聚合层，设置在所述第一无机层上，所述聚合层由聚合物组成，所述聚合物和所述第一氧化物通过化学键键合；
第二无机层，设置在所述聚合层上，所述第二无机层与所述聚合物通过化学键键合。
在一些实施例中，所述聚合物由环氧类化合物单体聚合而成。
在一些实施例中，所述环氧类化合物单体包括所述R1和所述R2分别包括硼、氧、硫、硅、磷、氮、氟、氯和溴元素中的一个或多个，所述R1和所述R2物理吸附在所述第一无机层上。
在一些实施例中，所述聚合物包括羟基或羧基，所述第二无机层由第二氧化物组成，所述第二氧化物的前躯体与所述羟基或所述羧基通过离子键键合。
在一些实施例中，所述第一氧化物包括金属氧化物和/或非金属氧化物，所述第二氧化物包括金属氧化物和/或非金属氧化物，所述第一氧化物和所述第二氧化物相同或不同。
在一些实施例中，部分所述聚合物与所述第一氧化物通过氧离子键合。
在一些实施例中，所述第一无机层的厚度范围为10-1000纳米，所述聚合层的厚度范围为1-20微米，所述第二无机层的厚度范围为10-1000纳米。
本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括有机发光器件和设置在所述有机发光器件上的如上文任意一所述的封装薄膜。
在一些实施例中，所述显示装置还包括：
第三无机层，设置在所述有机发光器件和所述第一无机层之间，覆盖所述有机发光器件；
第四无机层，设置在所述第二无机层上。
在一些实施例中，所述第三无机层、所述第四无机层均由锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、氮硅化合物、碳氮化硅、氧化硅化合物、二氧化钛及类金刚中的一种或多种组成。
相较于现有的，本发明的封装薄膜及显示装置，通过设置由化学键键合的第一无机层、聚合层和第二无机层，阻止了外界水氧的侵蚀，提高了显示装置的耐弯折性。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的封装薄膜的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的封装薄膜形成过程化学反应的示意图。
图4为本发明实施例提供的显示装置的另一结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参照图1，图1为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。显示装置1000包括有机发光器件100和设置在所述有机发光器件100上的封装薄膜200。其中，有机发光器件100用于发光，封装薄膜200用于防止有机发光器件100受外界水氧的侵蚀，并提高显示装置1000的耐弯折性。
请参照图2，图2为本发明实施例提供的封装薄膜200的结构示意图。封装薄膜200包括第一无机层201、聚合层202和第二无机层203。
第一无机层201由第一氧化物组成，该第一氧化物包括金属氧化物和/或非金属氧化物，比如氧化铝Al2O3、二氧化锆ZrO2或二氧化硅SiO2中的一种或多种。同时，这些氧化物表面富含羟基。具体的，可以采用原子力沉积、脉冲激光沉积、溅射沉积、等离子增强型化学气相沉积等方法在有机发光器件上沉积氧化物，形成所述第一无机层201，以阻隔外界水氧的侵蚀。第一无机层201的厚度范围为10-1000纳米。
聚合层202设置在所述第一无机层201上。所述聚合层202由聚合物组成，该聚合物中包含羟基或羧基。该聚合物与上述第一氧化物通过化学键键合，提高了第一无机层201和聚合层202之间的粘接性。具体的可以通过氧离子键合。
在一些实施例中，可以采用喷墨打印、PECVD、狭缝旋涂、旋涂、注射等方式，在第一无机层201上涂布一层环氧类化合物单体所述R1和所述R2分别包括硼、氧、硫、硅、磷、氮、氟、氯和溴元素中的一个或多个，其中，所述R1和所述R2可以通过化学键与所述第一无机层201中的第一氧化物键合，也可以物理吸附在第一无机层201上，以增加第一无机层201和聚合层202的粘接性。然后在紫外线或者低温加热的条件下，使这些环氧类化合物单体聚合得到上述聚合物，形成聚合层202，以缓冲应力及阻隔颗粒污染物，提高显示装置1000的耐弯折性。在一些实施例中，聚合层202的厚度范围为1-20um。
第二无机层203设置在所述聚合层202上，所述第二无机层203由第二氧化物组成，该第二氧化物包括金属氧化物和/或非金属氧化物，比如氧化铝Al2O3、二氧化锆ZrO2或二氧化硅SiO2中的一种或多种。同时，这些氧化物表面富含羟基。该第二氧化物和部分聚合物通过化学键键合，提高了第二无机层203和聚合层202之间的粘接性。具体的，由于聚合物中包含羟基或羧基，第二氧化物的前躯体与该羧基或羟基反应后，通过离子键键合。需要说明的是，该第一氧化物和第二氧化物可以相同，也可以不同。
在一些实施例中，可以采用原子力沉积、脉冲激光沉积、溅射沉积、等离子增强型化学气相沉积等方法在有机发光器件上沉积氧化物，形成所述第二无机层203，以阻隔外界水氧的侵蚀。第二无机层203的厚度范围为10-1000纳米。由于聚合物中富含羟基或羧基，可以加速对第二氧化物前躯体的吸附，因此可以快速的在聚合层202上沉积第二无机层203。
请参照图3，图3为本发明实施例的封装薄膜形成过程化学反应示意图。如图2和图3所示，第一无机层201由富含羟基的氧化铝Al2O3组成，先在第一无机层201上涂布环氧类化合物单体其中R1，R2为含碳链的杂环或杂链基团，还包括硼B、氧O、硫S、硅Si、磷P、氮N、氟F、氯Cl和溴Br元素中的一个或多个。环氧类化合物单体聚合后得到聚合物，形成聚合层202，其中聚合物富含羟基。聚合层202上的一部分聚合物与第一氧化物通过氧离子键键合。然后在聚合层202上沉积氧化铝，氧化铝的前躯体与聚合物上的羟基反应，以离子键方式键合，得到第二无机层203。
在一些实施例中，如图4所示，所述显示装置1000还包括第三无机层300。该第三无机层300设置在所述有机发光器件100和第一无机层201之间，并覆盖所述有机发光器件100，以阻隔外界水氧的侵蚀。该第三无机层由锆铝酸盐ZrAlxOy、石墨烯Graphene、氧化铝Al2O3、二氧化锆ZrO2、氮硅化合物SiNx、碳氮化硅SiCN、氧化硅化合物SiOx、二氧化钛TiO2及类金刚DLC中的一种或多种组成。所述第三无机层300厚度范围为0.5-1微米。
在一些实施例中，如图4所示，所述显示装置1000还包括第四无机层400。该第四无机层400设置在所述封装薄膜200的第二无机层203上，以阻止外界水氧的侵蚀。所述第四无机层400由锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、氮硅化合物、碳氮化硅、氧化硅化合物、二氧化钛及类金刚中的一种或多种组成。所述第四无机层400的厚度范围为0.5-1微米。进一步的，由于第四无机层400具有较强的硬度，因此有利于下一步触摸屏制程或模组段制程。
本发明实施例的封装薄膜及显示装置，通过设置由化学键键合的第一无机层、聚合层和第二无机层，阻止了外界水氧的侵蚀，提高了显示装置的耐弯折性。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜包括：
第一无机层，由第一氧化物组成；
聚合层，设置在所述第一无机层上，所述聚合层由聚合物组成，所述聚合物和所述第一氧化物通过化学键键合；
第二无机层，设置在所述聚合层上，所述第二无机层与所述聚合物通过化学键键合；
所述聚合物由环氧类化合物单体聚合而成，所述环氧类化合物单体包括所述R1和所述R2分别包括硼、氧、硫、硅、磷、氮、氟、氯和溴元素中的一个或多个，所述R1和所述R2物理吸附在所述第一无机层上。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述聚合物包括羟基或羧基，所述第二无机层由第二氧化物组成，所述第二氧化物的前躯体与所述羟基或所述羧基通过离子键键合。
3.根据权利要求2所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一氧化物包括金属氧化物和/或非金属氧化物，所述第二氧化物包括金属氧化物和/或非金属氧化物，所述第一氧化物和所述第二氧化物相同或不同。
4.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，部分所述聚合物与所述第一氧化物通过氧离子键合。
5.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一无机层的厚度范围为10-1000纳米，所述聚合层的厚度范围为1-20微米，所述第二无机层的厚度范围为10-1000纳米。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括有机发光器件和设置在所述有机发光器件上的如权利要求1-5任意一项所述的封装薄膜。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
第三无机层，设置在所述有机发光器件和所述第一无机层之间，覆盖所述有机发光器件；
第四无机层，设置在所述第二无机层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第三无机层、所述第四无机层均由锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、氮硅化合物、碳氮化硅、氧化硅化合物、二氧化钛及类金刚中的一种或多种组成。
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