CN107919377A - 柔性显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

柔性显示装置及其制造方法，柔性显示装置包括基板、发光层、第一绝缘层和导电层。基板包括弯曲区域和非弯曲区域。发光层与非弯曲区域重叠。第一绝缘层设置在基板上。导电层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层的侧壁包括第一渐缓表面。第一渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面部分。

Description

柔性显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年10月6日提交的第10-2016-0129098号韩国专利申请的优先权和权益，如本文中完全阐述的，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及柔性显示装置及其制造方法。
背景技术
对便携式显示装置的需求以及对通过用户的外力可以弯曲、折叠或以其它方式变形的柔性显示装置的关注正在增加。柔性显示装置可以包括柔性基板、薄膜晶体管(TFT)和发光单元。当无机材料布置在柔性显示装置的弯曲区域中时，因弯曲柔性显示装置引起的应力可能继而导致该无机材料变形(例如，体积上变形)并损坏。当在该弯曲区域中设置台阶差并且在台阶差上布置金属材料时，金属材料可能由于台阶差而切断、断裂或以其它方式损坏。
本部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明构思背景的理解，并且因此其可以含有不形成本领域中的普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一个或多个示例性实施方式提供了柔性显示装置，该柔性显示装置包括位于弯曲表面上的金属布线线路以防止(或至少降低)金属布线线路短路的可能性。
一个或多个示例性实施方式提供了柔性显示装置，在该柔性显示装置中，布置在弯曲区域中的无机材料通过激光辐射被去除，以减少用于制造柔性显示装置的掩模的数目。
一个或多个示例性实施方式提供了制造柔性显示装置的方法，该柔性显示装置包括位于弯曲表面上的金属布线线路以防止(或至少降低)金属布线线路短路的可能性。
一个或多个示例性实施方式提供了制造柔性显示装置的方法，在该方法中，布置在弯曲区域中的无机材料通过激光辐射被去除，以减少用于制造柔性显示装置的掩模的数目。
另外的方面将在以下的详细描述中阐述，并且部分地将从本公开显而易见，或者可以通过实践本发明构思而习得。
根据一个或多个示例性实施方式，柔性显示装置包括基板、发光层、第一绝缘层和导电层。基板包括弯曲区域和非弯曲区域。发光层与非弯曲区域重叠。第一绝缘层设置在基板上。导电层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层的侧壁包括第一渐缓表面。第一渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面部分。
根据一个或多个示例性实施方式，制造柔性显示装置的方法包括：在基板的表面上形成第一绝缘层，该基板包括弯曲区域和非弯曲区域；通过激光辐射去除第一绝缘层的一部分，第一绝缘层的该一部分与弯曲区域重叠；在第一绝缘层上形成导电层；以及形成与非弯曲区域重叠的发光层。
根据一个或多个示例性实施方式，由于导电层的金属材料布置在弯曲表面上，因此可以提供其中导电层的金属材料不会被切断的柔性显示装置，以及可以提供制造该柔性显示装置的方法。此外，根据一个或多个示例性实施方式，由于布置在弯曲区域中的无机材料通过将激光辐射到该无机材料上而被去除，因此可以提供制造柔性显示装置的方法，该方法中减少了用于制造柔性显示装置的掩模的数目，也可以减少制造时间和成本。
上述一般描述和以下详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
所包括的用于提供对本发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与描述一起用来解释本发明构思。
图1是根据一个或多个示例性实施方式的柔性显示装置的视图。
图2是根据一个或多个示例性实施方式的处于弯曲状态的图1的柔性显示装置的剖视图。
图3A、图3B、图3C和图3D是根据一个或多个示例性实施方式沿着剖面线I-I’截取的图1的柔性显示装置的剖视图。
图4是根据一个或多个示例性实施方式沿着剖面线II-II’截取的图1的柔性显示装置的像素的一部分的剖视图。
图5A和图5B是根据一个或多个示例性实施方式的处于激光烧蚀的各阶段的柔性显示装置的剖视图。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G、图6H、图6I、图6J和图6K是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。
图7A和图7B是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。
图8A、图8B和图8C是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。
图9A、图9B和图9C是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以便提供对各种示例性实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者利用一个或多个等效布置来实践各种示例性实施方式。在其它情况中，熟知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地使各示例性实施方式模糊。
除非另外指明，否则所示出的示例性实施方式应被理解为提供各种示例性实施方式的各种细节的示例性特征。因此，除非另外指明，否则在不背离所公开的示例性实施方式的情况下，可以将各图示的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(以下统称为“元件”)组合、分开、互换和/或重新布置。此外，在附图中，出于清楚和/或描述目的，元件的大小和相对大小可能被夸大。当可以不同地实现示例性实施方式时，可以与所描述顺序不同地执行特定过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。同样，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件被称为在另一元件“上”，“连接到”或“联接到”另一元件时，其可以直接在该另一元件上，连接到或联接到另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被称为直接在另一元件“上”，直接“连接到”或直接“联接到”另一元件时，不存在中间元件。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以相互垂直，或者可以表示不互相垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z组成的组选择的至少一个”可以解释为仅X，仅Y，仅Z，或者X、Y和Z中的诸如两个或更多个的任意组合，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和所有组合。
尽管本文中术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，可以将以下讨论的第一元件称为第二元件。
出于描述目的，在本文中可以使用诸如“在……以下”、“在……下方”、“在……之下”、“低于……”、“在……上方”、“在……以上”、“高于……”等的空间相对术语，并且由此来描述如图中所述的一个元件与另一元件的关系。除了附图所绘示的取向之外，空间相对术语旨在还涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“以下”的元件将然后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括在……上方和在……下方两个取向。此外，设备可以以其它方式取向(例如，旋转90度或处于其它取向处)，并且因此，相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
本文中使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，而非旨在进行限制。，除非上下文另有明确指示，否则如本文所使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”指明所阐述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意的是，如本文所使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且因此被用来解释由本领域的普通技术人员将认识到的在测量、计算和/或所提供的值中的固有偏差。
本文参考作为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面图来描述各种示例性实施方式。因此，将预期到由例如制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，本文中公开的示例性实施方式不应被解释为限于区域的具体示出形状，而是包括由例如制造产生的形状偏差。以此方式，图中示出的区域本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不示出装置的区域的实际形状，并且因此不旨在进行限制。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如由与本公开是其一部分的领域中的普通技术人员通常理解的相同含义。除非本文明确定义，否则诸如常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式化的意义来解释。
图1是根据一个或多个示例性实施方式的柔性显示装置的视图。图2是根据一个或多个示例性实施方式的处于弯曲状态的图1的柔性显示装置的剖视图。
参照图1和图2，柔性显示装置具有包括第一非弯曲区域FA1、弯曲区域BA和第二非弯曲区域FA2的基板SUB。第一非弯曲区域FA1和第二非弯曲区域FA2可以制造成各种形状以实现各种功能。例如，显示图像的发光单元(或结构)DIS和驱动发光单元DIS的薄膜晶体管层TFT可以布置在第一非弯曲区域FA1中(例如，与第一非弯曲区域FA1重叠)。虽然示出为单层，但发光单元DIS和薄膜晶体管层TFT可以包括多层，如下文将变得更加显而易见。施加用于驱动薄膜晶体管层TFT和发光单元DIS中的至少一个的信号的电路图案SD可以布置在第二非弯曲区域FA2中(例如，与第二非弯曲区域FA2重叠)。导电层CL可以布置在弯曲区域BA中(例如，与弯曲区域BA重叠)。导电层CL可以用作将信号从电路图案SD传输到薄膜晶体管层TFT和发光单元DIS中的至少一个的布线(或信号)线路。
图3A、图3B、图3C和图3D是根据一个或多个示例性实施方式沿着剖面线I-I’截取的图1的柔性显示装置的剖视图。
参照图3A，在第一非弯曲区域FA1和第二非弯曲区域FA2中的至少一个中，阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2和导电层CL顺序地布置在基板SUB上。还可以预期的是，阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2和导电层CL中的至少一个的一个或多个部分(诸如，阻挡层BR的一个或多个部分)可以与弯曲区域BA重叠。
基板SUB可以由待弯曲、折叠或以其它方式变形的柔性材料形成。基板SUB可以具有单层结构或多层结构。例如，基板SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。形成基板SUB的材料可以变化并且可以包括玻璃纤维增强塑料。
阻挡层BR增加基板SUB的表面(例如，顶表面)的光滑度和/或防止来自基板SUB的杂质渗透至栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2和导电层CL中。阻挡层BR可以具有设置有连续布置的弯曲表面CS1、CS2和CS3的渐缓侧壁。根据一个或多个示例性实施方式，设置在阻挡层BR的渐缓侧壁上的弯曲表面的数量可以大于三个。
阻挡层BR可以具有多层结构。在该多层中，与基板SUB接触的层可以包括硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的至少一种，并且可以增加基板SUB的光滑度。在该多层中，不与基板SUB接触的层可以包括硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的至少一种，并且可以防止来自基板SUB的杂质渗透至栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2和导电层CL中。
栅极绝缘层GI可以包括被描述为包括在阻挡层BR中的材料中的至少一种。栅极绝缘层GI可以具有设置有连续布置的弯曲表面CS4、CS5和CS6的渐缓侧壁。根据一个或多个示例性实施方式，设置在栅极绝缘层GI的渐缓侧壁上的弯曲表面的数量可以大于三个。
第一层间绝缘层ILD1可以包括被描述为包括在阻挡层BR中的材料中的至少一种。第一层间绝缘层ILD1可以具有设置有连续布置的弯曲表面CS7、CS8和CS9的渐缓侧壁。根据一个或多个示例性实施方式，设置在第一层间绝缘层ILD1的渐缓侧壁上的弯曲表面的数量可以大于三个。
第二层间绝缘层ILD2可以包括被描述为包括在阻挡层BR中的材料中的至少一种。第二层间绝缘层ILD2可以具有设置有连续布置的弯曲表面CS10、CS11和CS12的渐缓侧壁。根据一个或多个示例性实施方式，设置在第二层间绝缘层ILD2的渐缓侧壁上的弯曲表面的数量可以大于三个。
导电层CL布置在第二层间绝缘层ILD2上，并且可以包括金属，例如铝(Al)、钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)和钼(Mo)中的至少一种。根据一个或多个示例性实施方式，导电层CL可以具有多层结构。例如，导电层CL可以具有Ti/Al/Ti的三层结构。
在与弯曲区域BA重叠的区域中，开口OPN形成在阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的每一个中。由于开口OPN在与弯曲区域BA重叠的区域中将阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的相对部分分开，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但是应力不施加至阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2(或者可以减小阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2中的应力)。此外，由于导电层CL布置在设置有平坦部分和/或弯曲表面CS1至CS12的渐缓表面上，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但是导电层CL不会被切断、断裂或以其它方式损坏。为此，设置有平坦部分和/或弯曲表面CS1至CS12的渐缓表面可以增大导电层CL与阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的至少一个接触的表面积。接触表面积的这种增大还可以防止(或至少降低)导电层CL从阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2剥离(例如从它们分层)的可能性。
根据一个或多个示例性实施方式，阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2可以分别为第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层。
参照图3B，在第一非弯曲区域FA1和第二非弯曲区域FA2中的至少一个中，阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’、第二层间绝缘层ILD2’和导电层CL’顺序地布置在基板SUB上。还可以预期的是，阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’、第二层间绝缘层ILD2’和导电层CL’中的至少一个的一个或多个部分(诸如，阻挡层BR的一个或多个部分)可以与弯曲区域BA重叠。为了方便起见，将省略对与参照图3A描述的元件相同(或相似)的元件的描述，以避免使示例性实施方式模糊。
与图3A中所示的栅极绝缘层GI不同，栅极绝缘层GI’具有没有弯曲表面的渐缓侧壁。与图3A中所示的第一层间绝缘层ILD1不同，第一层间绝缘层ILD1’具有没有弯曲表面的渐缓侧壁。与图3A中所示的第二层间绝缘层ILD2不同，第二层间绝缘层ILD2’具有没有弯曲表面的渐缓侧壁。
如在图3B中可以看出，台阶差(例如，横向间隔)设置在栅极绝缘层GI’与第一层间绝缘层ILD1’之间，这仅是示例性实施方式。根据一个或多个示例性实施方式，台阶差可以设置在第一层间绝缘层ILD1’与第二层间绝缘层ILD2’之间，或者在栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’中的至少一个中(或者至少两个之间)。
由于阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’具有由于设置在弯曲区域BA中的开口OPN而彼此分开的相对部分，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但应力不施加至阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’(或者可以减小阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’中的应力)。此外，由于导电层CL’布置在设置有平坦部分和/或弯曲表面CS1至CS3的渐缓表面上，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但是导电层CL’不会被切断。为此，设置有平坦部分和/或弯曲表面CS1至CS3的渐缓表面可以增大导电层CL’与阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’中的至少一个接触的表面积。接触表面积的这种增大还可以防止(或至少降低)导电层CL’从阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’剥离(例如，从它们分层)的可能性。
参照图3C，在第一非弯曲区域FA1和第二非弯曲区域FA2中的至少一个中，阻挡层BR’、栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”、第二层间绝缘层ILD2”、有机层OL和导电层CL”顺序地布置在基板SUB上。还可以预期的是，阻挡层BR’、栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”、第二层间绝缘层ILD2”、有机层OL和导电层CL”中的至少一个的一个或多个部分(诸如，有机层OL的一个或多个部分)可以与弯曲区域BA重叠。为了方便起见，将省略对与参照图3A和图3B描述的元件相同(或相似)的元件的描述，以避免使示例性实施方式模糊。
与图3A中所示的阻挡层BR不同，阻挡层BR’可以具有设置有弯曲表面的渐缓侧壁。根据一个或多个示例性实施方式，阻挡层BR’可以具有没有弯曲表面的渐缓侧壁，或者可以具有不同形状的侧壁。与图3A中所示的栅极绝缘层GI不同，栅极绝缘层GI”的侧壁可以不设置有弯曲表面，还可以不是渐缓的。第一层间绝缘层ILD1”的侧壁可以不设置有弯曲表面，还可以不是渐缓的。第二层间绝缘层ILD2”的侧壁可以不设置有弯曲表面，还可以不是渐缓的。
有机层OL可以布置成填充(或至少部分地填充)开口OPN。由于有机层OL，阻挡层BR’、栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”的侧壁和台阶差不暴露于外部。有机层OL的暴露部分可以是渐缓的。为此，有机层OL的与基板SUB的表面(例如，上表面)相对的表面(例如，上表面)可以是弯曲的。例如，有机层OL的该表面可以远离基板SUB的表面弧形地突出。导电层CL”布置在有机层OL上。
由于阻挡层BR’、栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”具有由于设置在弯曲区域BA中的开口OPN而彼此分开的相对部分，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但应力不施加至阻挡层BR’、栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”(或者可以减小阻挡层BR'、栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”中的应力)。此外，由于导电层CL”布置在第二层间绝缘层ILD2”的平坦部分或有机层OL的暴露渐缓表面上，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但导电层CL”不会被切断。为此，有机层OL的渐缓表面可以增大导电层CL”在弯曲区域BA中与有机层OL接触的表面积。接触表面积的这种增大还可以防止(或至少降低)导电层CL”从有机层OL剥离(例如，从其分层)的可能性。
参照图3D，在第一非弯曲区域FA1和第二非弯曲区域FA2中的至少一个中，阻挡层BR”、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’、第二层间绝缘层ILD2’、有机层OL’和导电层CL”’顺序地布置在基板SUB上。还可以预期的是，阻挡层BR”、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’、第二层间绝缘层ILD2’、有机层OL’和导电层CL”’中的至少一个的一个或多个部分(诸如，阻挡层BR”和有机层OL’的一个或多个部分)可以与弯曲区域BA重叠。为了方便起见，将省略对与参照图3A至图3C描述的元件相同(或相似)的元件的描述，以避免使示例性实施方式模糊。
阻挡层BR”具有与弯曲区域BA重叠的岛ISL。岛ISL不接触阻挡层BR”的除岛ISL之外的部分。根据一个或多个示例性实施方式，岛ISL的一个或多个表面(例如，侧壁表面)可以是渐缓的。
有机层OL’具有凹凸部分PD。凹凸部分PD的形状与岛ISL的形状对应。有机层OL’的一部分是渐缓的，并且有机层OL’的剩余部分是平坦的。例如，当岛ISL是渐缓的时，凹凸部分PD的形状可以是渐缓的。
由于阻挡层BR”、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’具有由于设置在弯曲区域BA中的开口OPN’而彼此分开的相对部分，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但应力不施加至阻挡层BR”、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’(或者可以减小阻挡层BR”、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’中的应力)。此外，由于导电层CL”’布置在第二层间绝缘层ILD2’的平坦部分或有机层OL’的平坦部分和渐缓表面上，因此虽然弯曲区域BA被弯曲，但导电层CL”’不会被切断。
此外，由于导电层CL”’布置在有机层OL’的凹凸部分PD上，因此导电层CL”’的一部分也可以是凹凸的。当导电层CL”’为凹凸的时，可以减小由于弯曲区域BA的弯曲而施加至导电层CL”’的应力。为此，有机层OL’的渐缓表面可以增大导电层CL”’在弯曲区域BA中与有机层OL’接触的表面积。接触表面积的这种增大还可以防止(或至少降低)导电层CL”’从有机层OL’剥离(例如，从其分层)的可能性。
图4是根据一个或多个示例性实施方式的沿着剖面线II-II’截取的图1的柔性显示装置的像素的一部分的剖视图。在第一非弯曲区域FA1中，薄膜晶体管层TFT和发光单元DIS顺序地布置在基板SUB上。
薄膜晶体管层TFT包括阻挡层BR、有源图案ACT、栅极绝缘层GI、栅电极GE、第一电容器电极CE1、第一层间绝缘层ILD1、第二电容器电极CE2、第二层间绝缘层ILD2、源电极SE、漏电极DE和钝化层PSL。为了方便起见，将结合图4仅描述结合图3A至图3D中的至少一个未描述的元件。换言之，由于结合图3A至3D中的至少一个描述了阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2，因此将省略重复的描述，以避免使示例性实施方式模糊。
有源图案ACT布置在阻挡层BR与栅极绝缘层GI之间。虽然未示出，但有源图案ACT可以包括沟道区域，沟道区域设置在源极区域或漏极区域中或者设置在源极区域与漏极区域之间。有源图案ACT包括半导体材料，并且可以包括多晶硅、非晶硅和半导体氧化物中的至少一种。然而，预期的是，结合示例性实施方式，可以使用任何其它合适的材料。作为半导体图案的沟道区域不掺杂有杂质，并且可以是本征半导体。源极区域和漏极区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。杂质可以是n型杂质、p型杂质和其它金属中的至少一种。
栅电极GE和第一电容器电极CE1布置在栅极绝缘层GI与第一层间绝缘层ILD1之间。也就是说，栅电极GE和第一电容器电极CE1布置在彼此相同的平面上或设置在彼此相同的层处。栅电极GE可以布置成与有源图案ACT的沟道区域重叠。栅电极GE和第一电容器电极CE1可以包括金属，例如Al、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Pt和Mo中的至少一种。根据一个或多个示例性实施方式，栅电极GE和第一电容器电极CE1可以具有单层结构或多层结构。例如，栅电极GE和第一电容器电极CE1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二电容器电极CE2布置在第一层间绝缘层ILD1与第二层间绝缘层ILD2之间。第二电容器电极CE2可以包括被描述为包括在第一电容器电极CE1中的材料中的一种，并且可以具有单层结构或多层结构。第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2可以形成电容器，且第一层间绝缘层ILD1设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间。
源电极SE和漏电极DE布置在第二层间绝缘层ILD2上。源电极SE可以布置成与有源图案ACT的源极区域重叠。漏电极DE可以布置成与有源图案ACT的漏极区域重叠。源电极SE和漏电极DE通过形成在栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2中的接触孔接触有源图案ACT。在一个或多个示例性实施方式中，源电极SE和漏电极DE可以布置在与图3A中所示的导电层CL相同的平面上(或者设置在与其相同的层上)，将参照图6I和图6J详细描述构造。
钝化层PSL可以布置在源电极SE和漏电极DE上。根据一个或多个示例性实施方式，钝化层PSL可以包括无机材料，并且还可以包括有机材料。无机材料可以包括硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的至少一种。有机材料可以包括光敏丙烯酰类(photoacryl)。
发光单元DIS包括第一电极ADE、像素限定层PDL、发射层EL和第二电极CTE。
第一电极ADE布置在钝化层PSL上，并通过钝化层PSL中的接触孔与漏电极DE接触。第一电极ADE可以包括金属和导电氧化物。例如，金属可以包括Ag、镁(Mg)、Al、Pt、钯(Pd)、Au、Ni、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)中的至少一种。导电氧化物可以包括氧化锌铝(AZO)、氧化锌镓(GZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。
像素限定层PDL布置在钝化层PSL和第一电极ADE上，并且暴露第一电极ADE的至少一部分。
发射层EL布置在第一电极ADE的由像素限定层PDL暴露的部分上。发射层EL可以包括低分子有机材料或高分子有机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，发射层EL可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
第二电极CTE布置在像素限定层PDL和发射层EL上。第二电极CTE可以包括被描述为包括在第一电极ADE中的材料中的至少一种。第二电极CTE可以具有单层结构或多层结构。
图5A和图5B是根据一个或多个示例性实施方式的处于激光烧蚀的各阶段的柔性显示装置的剖视图。
例如，图5A示出将激光辐射到设置在基板SUB’上的无机层IL上的激光发射器LE。图5B示出被激光辐射到其上的基板SUB’和无机层IL。无机层IL的一部分通过辐射到无机层IL上的激光而去除。以这种方式，在无机层IL中形成渐缓侧壁。渐缓侧壁具有弯曲表面CS。
通常，已经利用了通过光刻工艺、光刻胶涂覆工艺、使用掩模的选择性曝光工艺及显影工艺进行的图案化。为了降低制造成本和时间，一个或多个示例性实施方式减少了制造柔性显示装置的光刻工艺的数目。也就是说，当通过光刻工艺执行图案化以防止(或至少减小)布置在弯曲区域中的材料由于柔性显示装置的弯曲而变形和损坏时，制造成本和时间可能增加。根据一个或多个示例性实施方式，选择性地辐射激光来对布置在弯曲区域中的材料进行图案化，以防止(或至少减小)布置在弯曲区域中的材料由于柔性显示装置的弯曲而变形和损坏。以这种方式，可以省略光刻工艺，并且因此可以实现制造成本和时间的减少。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G、图6H、图6I、图6J和图6K是根据一个或多个示例性实施方式的处于各制造阶段的柔性显示装置的剖视图。为了方便起见，将结合图3A和图4的柔性显示装置来描述制造柔性显示装置的过程。此外，为了描述和说明的方便，将描述和提及与最终形成在柔性显示装置中的特征对应的各中间特征。
在图6A中，在基板SUB上形成阻挡层BR。阻挡层BR可以形成为与第一非弯曲区域FA1和弯曲区域BA重叠。还可以预期的是，阻挡层BR可以形成为与第二非弯曲区域FA2重叠。阻挡层BR可以通过化学气相沉积(CVD)方法(例如，等离子体增强CVD(PECVD)方法)形成。
在图6B中，在阻挡层BR上形成有源图案ACT。有源图案ACT可以形成为与第一非弯曲区域FA1重叠。
在图6C中，在阻挡层BR的暴露部分和有源图案ACT上形成栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以形成在第一非弯曲区域FA1和弯曲区域BA上。还可以预期的是，栅极绝缘层GI可以形成为与第二非弯曲区域FA2重叠。栅极绝缘层GI可以像阻挡层BR那样通过CVD方法形成。
在图6D中，在栅极绝缘层GI上形成栅电极GE和第一电容器电极CE1。栅电极GE和第一电容器电极CE1可以形成为与第一非弯曲区域FA1重叠。栅电极GE可以形成为与有源图案ACT的沟道区域对应(例如，重叠)。栅电极GE和第一电容器电极CE1可以通过物理气相沉积(PVD)方法形成。
在图6E中，在栅极绝缘层GI的暴露部分、栅电极GE以及第一电容器电极CE1上形成第一层间绝缘层ILD1。第一层间绝缘层ILD1可以形成为与第一非弯曲区域FA1和弯曲区域BA重叠。还可以预期的是，第一层间绝缘层ILD1可以形成为与第二非弯曲区域FA2重叠。第一层间绝缘层ILD1可以像阻挡层BR那样通过CVD方法形成。
在图6F中，在第一层间绝缘层ILD1上形成第二电容器电极CE2。第二电容器电极CE2可以形成为与第一电容器电极CE1重叠，并且因此形成为与第一非弯曲区域FA1重叠。
在图6G中，在第一层间绝缘层ILD1的暴露部分和第二电容器电极CE2上形成第二层间绝缘层ILD2。第二层间绝缘层ILD2可以形成为与第一非弯曲区域FA1和弯曲区域BA重叠。还可以预期的是，第二层间绝缘层ILD2可以形成为与第二非弯曲区域FA2重叠。
在图6H中，形成穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2。第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以通过干蚀刻方法形成。有源图案ACT的相应部分通过第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2暴露。
在图6I中，通过将激光辐射到阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的布置在弯曲区域BA中的部分上来去除阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的一部分。由于激光的辐射，如图3A和图6I中所示，阻挡层BR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2中形成了开口OPN。开口OPN具有设置有弯曲表面CS1至CS12的渐缓侧壁。
在图6J中，在第二层间绝缘层ILD2上形成源电极SE、漏电极DE和导电层CL。源电极SE、漏电极DE和导电层CL可以像栅电极GE和第一电容器电极CE1那样通过PVD方法形成。
在图6K中，在第二层间绝缘层ILD2的至少一些暴露部分、源电极SE以及漏电极DE上形成钝化层PSL。例如，钝化层PSL可以不形成为与第二非弯曲区域FA2和弯曲区域BA重叠。钝化层PSL也可以不形成在第二层间绝缘层ILD2的与弯曲区域BA相对紧邻设置的暴露部分(例如，第二层间绝缘层ILD2的包括弯曲表面C10至C12的暴露区域)上。
图7A和图7B是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。为了方便起见，将结合图7A和图7B以及参照图3B的柔性显示装置来描述制造柔性显示装置的过程。此外，将描述和提及与最终形成在柔性显示装置中的特征对应的各中间特征。还应注意，参照图7A和图7B描述的过程与参照图6A至图6K描述的过程相似。因此，将提供与参照图6A至图6K描述的过程的主要差异，以避免使示例性实施方式模糊。
在图7A中，与图6H中不同，在形成第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的同时，还通过蚀刻使栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’的布置在弯曲区域BA中的相应部分图案化。以这种方式，通过蚀刻工艺暴露阻挡层BR。当蚀刻栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’时，可以使用半色调掩模或狭缝掩模。半色调掩模或狭缝掩模的使用可以至少部分地致使栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’的侧壁为渐缓的。
在图7B中，与图6I中不同，通过将激光辐射到阻挡层BR的布置在弯曲区域BA中的部分上来去除阻挡层BR的一部分。激光的辐射至少部分地致使阻挡层BR的侧壁为渐缓的，并且因此设置有弯曲表面CS1至CS3。然而，栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’可以具有没有弯曲表面的渐缓侧壁。
在图7B之后，与图6J中类似，在阻挡层BR、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’上形成导电层，诸如图3B的导电层CL’。
图8A、图8B和图8C是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。为了方便起见，将结合图8A至图8C以及参照图3C的柔性显示装置来描述制造柔性显示装置的过程。将描述和提及与最终形成在柔性显示装置中的特征对应的各中间特征。还应注意，参照图8A至8C描述的过程与参照图6A至图6K以及图7A至图7B描述的过程相似。因此，将提供与参照图6A至图6K以及图7A和图7B描述的过程的主要差异，以避免使示例性实施方式模糊。
在图8A中，与图6H中不同，在形成第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的同时，还通过蚀刻使布置在弯曲区域BA中的栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”图案化。以这种方式，通过蚀刻工艺暴露阻挡层BR’。此外，在图8A中，与图7A中不同，由于当蚀刻栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”时未使用半色调掩模或狭缝掩模，因此栅极绝缘层GI”、第一层间绝缘层ILD1”和第二层间绝缘层ILD2”不具有渐缓侧壁。
在图8B中，将激光辐射到阻挡层BR’的布置在弯曲区域BA中的部分上。与图6I和图7B中不同，阻挡层BR’不设置有多个弯曲表面。
在图8C中，在弯曲区域BA中，在其中暴露基板SUB和阻挡层BR’中的至少一个的部分上形成有机层OL。可以通过用分配器选择性地涂覆有机材料来形成有机层OL而不进行光刻工艺。在图8C之后，与图6J中类似，可以在第二层间绝缘层ILD2”的暴露部分和有机层OL上形成导电层CL”。返回参照图3C，由于导电层CL”形成在有机层OL的渐缓暴露部分上，因此虽然阻挡层BR’不设置有多个弯曲表面以及虽然弯曲区域BA被弯曲，但导电层CL”不会被切断。此外，考虑到有机层OL的暴露部分的表面积增加，可以降低导电层CL”从有机层OL剥离的可能性。
图9A、图9B和图9C是根据一个或多个示例性实施方式的处于制造的各阶段的柔性显示装置的剖视图。为了方便起见，将结合图9A至图9C以及参照图3D的柔性显示装置来描述制造柔性显示装置的过程。将描述和提及与最终形成在柔性显示装置中的特征对应的各中间特征。此外，参照图9A至图9C描述的过程与参照图6A至图6K、图7A和图7B以及图8A至图8C描述的过程相似。因此，将提供与参照图6A至图6K、图7A和图7B以及图8A至图8C描述的过程的主要差异，以避免使示例性实施方式模糊。
在图9A中，与图7A中类似，在形成第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的同时，还通过蚀刻使布置在弯曲区域BA中的栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’图案化。以这种方式，通过蚀刻工艺暴露阻挡层BR”。如先前结合图7A中的栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’所提及的，使用狭缝掩模或半色调掩模蚀刻图9A中的栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’。
在图9B中，将激光辐射到阻挡层BR”上。与图6K中不同，由于激光的辐射，图9B中的阻挡层BR”形成为包括岛ISL。岛ISL不接触阻挡层BR”的除岛ISL之外的其它部分。此外，岛ISL可以包括渐缓侧壁。
在图9C中，在阻挡层BR”、栅极绝缘层GI’、第一层间绝缘层ILD1’和第二层间绝缘层ILD2’上形成有机层OL’。可以通过经由分配器选择性地涂覆有机材料来形成有机层OL’而不进行光刻工艺。有机层OL’可以具有凹凸部分PD。有机层OL’的形状可以与凹凸部分PD的形状对应。在图9C之后，与图6J中类似，可以在有机层OL’和第二层间绝缘层ILD2’上形成导电层CL”’。
虽然在本文中已经描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是其它实施方式和修改将从此描述显而易见。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是为所呈现的权利要求的更广泛范围及各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.柔性显示装置，包括：
基板，包括弯曲区域和非弯曲区域；
发光层，与所述非弯曲区域重叠；
第一绝缘层，设置在所述基板上；以及
导电层，设置在所述第一绝缘层上；
其中所述第一绝缘层的侧壁包括第一渐缓表面，以及
其中所述第一渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面部分。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置，还包括：
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上；以及
第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层上，
其中所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的至少一个的侧壁包括第二渐缓表面，以及
其中所述第二渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面部分。
3.根据权利要求2所述的柔性显示装置，还包括：
薄膜晶体管层，与所述非弯曲区域重叠，所述薄膜晶体管层设置在所述基板和所述发光层之间，
其中所述薄膜晶体管层包括：
有源图案，设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；
栅电极，设置在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间；
源电极，设置在所述第三绝缘层上；以及
漏电极，设置在所述第三绝缘层上，以及
其中所述源电极和所述漏电极通过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的接触孔接触所述有源图案。
4.根据权利要求3所述的柔性显示装置，还包括：
第四绝缘层，设置在所述第三绝缘层与所述源电极之间，
其中所述第四绝缘层的侧壁包括第三渐缓表面，以及
其中所述第三渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面部分。
5.根据权利要求4所述的柔性显示装置，其中，所述薄膜晶体管层还包括：
第一电容器电极，设置在与所述栅电极相同的层处；以及
第二电容器电极，设置在所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
6.根据权利要求3所述的柔性显示装置，其中：
所述薄膜晶体管层还包括设置在所述源电极与所述发光层之间的钝化层；以及
所述发光层包括：
第一电极，设置在所述钝化层上，所述第一电极通过所述钝化层中的接触孔与所述漏电极接触；
像素限定层，设置在所述钝化层和所述第一电极上，所述像素限定层暴露所述第一电极的一部分；
发射层，设置在所述第一电极的由所述像素限定层暴露的所述一部分上；以及
第二电极，设置在所述像素限定层和所述发射层上。
7.制造柔性显示装置的方法，所述方法包括：
在基板的表面上形成第一绝缘层，所述基板包括弯曲区域和非弯曲区域；
通过激光辐射去除所述第一绝缘层的一部分，所述第一绝缘层的所述一部分与所述弯曲区域重叠；
在所述第一绝缘层上形成导电层；以及
形成与所述非弯曲区域重叠的发光层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
去除所述第一绝缘层的所述一部分包括多次辐射激光以在所述第一绝缘层中形成侧壁；以及
所述第一绝缘层中的所述侧壁包括渐缓表面，所述渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面。
9.根据权利要求7所述的方法，还包括：
在所述基板的所述表面上形成所述第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；以及
在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
去除所述第一绝缘层的所述一部分包括多次辐射激光以在所述第二绝缘层中形成侧壁以及在所述第三绝缘层中形成侧壁；以及
所述第二绝缘层的所述侧壁和所述第三绝缘层的所述侧壁中的至少一个包括渐缓表面，所述渐缓表面包括彼此连续布置的至少三个弯曲表面。
11.根据权利要求9所述的方法，还包括：
在形成所述第一绝缘层之后并且在形成所述第二绝缘层之前，在所述第一绝缘层上形成与所述非弯曲区域重叠的有源图案；
在形成所述第二绝缘层之后并且在形成所述第三绝缘层之前，在所述第二绝缘层上形成与所述非弯曲区域重叠的栅电极；以及
在形成所述第三绝缘层之后，蚀刻所述第二绝缘层和所述第三绝缘层以暴露所述有源图案的相应部分，
其中，在形成所述导电层的步骤中，在所述有源图案的所暴露的所述相应部分上形成源电极和漏电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在暴露所述有源图案的所述相应部分的步骤中，蚀刻所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，从而形成开口，所述开口暴露所述第一绝缘层的与所述弯曲区域重叠的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在形成所述开口之后，形成至少部分地填充所述开口的有机层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述有机层通过经由分配器选择性地涂覆有机材料而形成。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，使用半色调掩模或狭缝掩模蚀刻所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中：
通过所述激光辐射去除所述第一绝缘层的所述一部分的步骤在所述第一绝缘层中形成岛；以及
所述岛与所述第一绝缘层的剩余部分间隔开。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在通过所述激光辐射去除所述第一绝缘层的所述一部分之后，形成至少部分地填充开口的有机层，所述开口在与所述弯曲区域重叠的区域中暴露所述基板和所述第一绝缘层中的至少一个，
其中所述有机层的表面远离所述基板突出，所述表面包括与所述岛的形状对应的凹凸形状。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述有机层通过经由分配器选择性地涂覆有机材料而形成。
19.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在所述第二绝缘层上形成所述第三绝缘层之后，在所述第三绝缘层上形成第二电容器电极；以及
在形成所述第二电容器电极之后，在所述第二电容器电极上形成第四绝缘层，
其中，在所述第二绝缘层上形成所述栅电极的步骤中，形成设置在与所述栅电极相同的层处的第一电容器电极。
20.根据权利要求19所述的方法，其中：
在去除所述第一绝缘层的所述一部分的步骤中，将所述激光辐射多次辐射到所述第四绝缘层的与所述弯曲区域重叠的一部分上；以及
其中将所述激光辐射多次辐射到所述第四绝缘层的所述一部分的步骤在所述第四绝缘层中形成侧壁，所述侧壁包括渐缓表面，所述渐缓表面具有彼此连续布置的至少三个弯曲表面。
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