CN107916397B - 一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置，涉及显示技术领域，可改善因掩膜片的流动性导致产品良率下降的问题。所述掩膜板，包括具有开口的框架和跨越所述开口且固定在所述框架上的多个掩膜片，所述掩膜片包括有效掩膜区和包围所述有效掩膜区的无效掩膜区，还包括设置在所述无效掩膜区、且位于所述掩膜片垂直于其厚度方向的表面上的第一定位结构，所述第一定位结构用于避免所述掩膜片在第一方向上发生位置移动；其中，所述第一方向与所述掩膜片的延伸方向相交。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、耗能小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
现有技术中，在采用蒸镀装置制作OLED显示装置时，蒸镀装置中的结构如图1所示，包括蒸镀源10、在沿远离蒸镀源10的方向上依次设置的金属掩膜板20、背板玻璃30、冷却板40、磁隔板50。如图2所示，金属掩膜板20包括框架(Frame)和固定在框架上的金属掩膜片21。在重力作用下，金属掩膜片21的下垂量大于背板玻璃30的下垂量，导致金属掩膜片21与背板玻璃30之间存在缝隙，影响蒸镀效果。因此，需要利用磁隔板50对金属掩膜片21的吸附作用，使金属掩膜片21与背板玻璃30紧密贴合。
然而，下垂的掩膜片21被磁隔板50吸附的过程中，由于掩膜片21存在流动性，使得掩膜片21与背板玻璃30贴合后，掩膜片21上的有效掩膜区与背板玻璃30的实际对应位置与预设对应位置存在偏差。而蒸镀时，有机蒸镀材料从蒸发源10中通过高温挥发，透过掩膜片21上的有效掩膜区，蒸镀到背板玻璃30的对应位置。这样一来，由于掩膜片21流动性的存在，使得蒸镀材料透过掩膜片21上的有效掩膜区蒸镀到背板玻璃30上的实际位置与预设位置会存在偏移，从而导致产品良率下降。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置，可改善因掩膜片的流动性导致产品良率下降的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种掩膜板，包括具有开口的框架和跨越所述开口且固定在所述框架上的多个掩膜片，所述掩膜片包括有效掩膜区和包围所述有效掩膜区的无效掩膜区，还包括设置在所述无效掩膜区、且位于所述掩膜片垂直于其厚度方向的表面上的第一定位结构，所述第一定位结构用于避免所述掩膜片在第一方向上发生位置移动；其中，所述第一方向与所述掩膜片的延伸方向相交。
可选的，所述第一定位结构为凹槽。
可选的，所述第一定位结构为凸起。
可选的，所述第一定位结构设置在所述掩膜片背离所述框架的表面上。
可选的，所述第一定位结构设置在所述开口限定的范围以内。
可选的，沿所述掩膜片的延伸方向，所述第一定位结构与所述有效掩膜区交替排布，设置在相邻所述有效掩膜区之间的所述第一定位结构沿所述掩膜片的宽度方向上排成一排。
第二方面，提供一种定位基板，用于与第一方面所述的掩膜板配合连接，所述定位基板包括：基板本体，所述基板本体上开设有多个间隔分布的镂空区，所述基板本体在垂直于其厚度方向的表面上设置有第二定位结构；
在所述定位基板设置有第二定位结构的表面与所述掩膜板设置有第一定位结构的表面相对放置的情况下，所述第二定位结构可与所述掩膜板的第一定位结构配合连接，以避免所述掩膜片在第一方向上发生位置移动，多个所述镂空区与所述掩膜板的多个有效掩膜区位置对应，且所述有效掩膜区的边界位于所述有效掩膜区位置对应的所述镂空区所限定的范围以内；其中，所述第一方向与所述掩膜片的延伸方向相交。
可选的，所述第一定位结构为凹槽的情况下，所述第二定位结构为能与所述凹槽匹配的凸起。
可选的，所述第一定位结构为凸起的情况下，所述第二定位结构为能与所述凸起匹配的凹槽。
可选的，所述凹槽的深度大于等于所述凸起的高度。
可选的，所述凸起的材料为光刻胶。
可选的，所述基板本体由有机高分子材料制成。
可选的，所述基板本体的材质为玻璃。
第三方面，提供一种掩膜板组件，包括第一方面所述的掩膜板和第二方面所述的定位基板；所述掩膜板上的第一定位结构与所述定位基板上的第二定位结构配合连接。
第四方面，提供一种蒸镀装置，包括第三方面所述的掩膜板组件。
本发明的实施例提供一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置，当掩膜板上的第一定位结构与定位基板上的第二定位结构配合连接后，在磁隔板吸合掩膜板的过程中，在第一定位结构和第二定位结构的配合下，可以阻止掩膜片在第一方向(与掩膜片的延伸方向相交的方向)上发生位置移动，即，可以改善掩膜片的流动性，从而使得蒸镀材料透过掩膜片上的有效掩膜区蒸镀到背板玻璃上的实际位置与预设位置的偏移量减小，大幅度降低混色不良，从而提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种蒸镀装置的结构示意图；
图2为现有技术提供的一种掩膜板的结构示意图；
图3为本发明提供的一种掩膜板的结构示意图一；
图4(a)为本发明提供的一种掩膜片的结构示意图一；
图4(b)为本发明提供的一种掩膜片的结构示意图二；
图5(a)为图4(a)沿A-A向的截面图一；
图5(b)为图4(a)沿A-A向的截面图二；
图6为本发明提供的一种掩膜板的结构示意图二；
图7为本发明提供的一种定位基板的结构示意图；
图8为本发明提供的一种掩膜板组件的结构示意图；
图9为本发明提供的一种蒸镀装置的结构示意图。
附图标记
10-蒸镀源；20-金属掩膜板；21-金属掩膜片；30-背板玻璃；40-冷却板；50-磁隔板；100-框架；200-掩膜片；210-有效掩膜区；220-无效掩膜区；300-第一定位结构；1000-基板本体；1100-镂空区；2000-第二定位结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有技术中的精细掩膜板(Fine Metal Mask，简称FMM)有两种叫法，本发明中各部分的叫法为：一种掩膜板(一种掩膜集成框架)，包括框架，掩膜片(掩膜板)，掩膜片包括有效蒸镀区(掩膜板包括构图图案区)。
本发明提供的掩膜板，如图3所示，包括具有开口的框架100和跨越开口且固定在框架100上的多个掩膜片200，掩膜片200包括有效掩膜区210和包围有效掩膜区210的无效掩膜区220，还包括设置在无效掩膜区220、且位于掩膜片200垂直于其厚度方向的表面上的第一定位结构300，第一定位结构300用于避免掩膜片200在第一方向上发生位置移动；其中，第一方向与掩膜片200的延伸方向相交。
需要说明的是，第一，上述掩膜片200的有效掩膜区210是指，当掩膜板放置在蒸镀装置中后，蒸镀材料能够透过该区域，并蒸镀至位于掩膜板上方的背板玻璃上；无效掩膜区220用于遮挡蒸镀材料，以使得该蒸镀材料无法透过该区域蒸镀至背板玻璃上。
另外，单个掩膜片200上可以设置多列有效掩膜区210，例如，如图4(a)所示设置有三列有效掩膜区210，或者也可以如图4(b)所示设置有一列的有效掩膜区210。本发明对有效掩膜区210的个数和排列方式不做限定，在实际的生产过程中可以根据生产需求进行选择。
在此基础上，上述掩膜片200也可以为如图4(a)所示小孔形态的掩膜片200；或者为如图4(b)所示的长条形态的掩膜片200；当然还可以是其他形态。
第二，不对第一定位结构300的材料、结构进行限定，能够避免掩膜片200在第一方向上发生位置移动即可。
其中，第一方向与掩膜片200的延伸方向相交，此处相交并不限定为垂直相交。
此外，不对第一定位结构300在无效掩膜区220的排布方式进行限定，根据结构合理设置即可。
再者，一个掩膜片200上可以只设置一个第一定位结构300，也可以设置多个第一定位结构300，当掩膜片200上设置多个第一定位结构300时，多个第一定位结构300可以相同，也可以不同。
第三，掩膜板还可以包括设置在相邻掩膜片200之间的遮挡条(图3中未示意)等结构。
第四，掩膜片200的两端分别固定在框架100上，从掩膜片200与框架100接触的一端到掩膜片200与框架100接触的另一端即为掩膜片200的延伸方向。
本发明实施例提供的掩膜板通过在掩膜片200垂直于其厚度方向的表面设置第一定位结构300，当第一定位结构300与定位基板上的第二定位结构配合后，可以阻止掩膜片200在第一方向上发生位置移动，即，可以改善掩膜片200的流动性，从而使得蒸镀材料透过掩膜片200上的有效掩膜区蒸镀到背板玻璃上的实际位置与预设位置的偏移量减小，大幅度降低混色不良，从而提高产品良率。
可选的，如图5(a)所示，第一定位结构300为凹槽。
其中，不对凹槽的具体形状进行限定，例如可以是矩形槽，也可以是倒梯形凹槽，或者其他形态的凹槽。
可选的，如图5(b)所示，第一定位结构300为凸起。
其中，不对凸起的形状进行限定，例如可以是柱状凸起。本发明实施例优选的，沿远离掩膜片200表面的方向，凸起的横截面积逐渐减小或者保持不变。
通过在掩膜片200的表面设置凸起或者凹槽，结构简单，制备方便，降低制备成本。
可选的，第一定位结构300设置在掩膜片200背离框架100的表面上。
即，掩膜片200垂直于其厚度方向的表面有两个，一个表面与框架100接触，另一个表面上设置有第一定位结构300。
将第一定位结构300设置在掩膜片200背离框架100的表面上，掩膜片200在重力作用下下垂，而下垂的掩膜片200被磁隔板向上吸附时，第一定位结构300与第二定位结构之间的间隙逐渐减小，使第一定位始结构300与第二定位结构终保持配合的状态，而不会逐渐远离，进一步提高第一定位结构300的定位效果，降低掩膜片200的流动性。
可选的，如图3所示，第一定位结构300设置在框架100的开口限定的范围以内。
即，掩膜片200与框架100接触的区域内不设置第一定位结构300。
由于掩膜片200在重力作用下下垂时，与框架100固定的位置处基本不会出现下垂，而在框架100的开口限定的区域内会容易出现下垂，因此将第一定位结构300设置在开口限定的范围内，可以提高第一定位结构300的定位效果，降低掩膜片200的流动性。
为了进一步降低掩膜片200的流动性，本发明实施例优选的，如图4(a)和图6所示，沿掩膜片200的延伸方向，第一定位结构300与有效掩膜区210交替排布，设置在相邻有效掩膜区210之间的第一定位结构300沿掩膜片200的宽度方向上(图6中示意的第二方向)排成一排。
本发明实施例还提供一种定位基板，用于与上述掩膜板配合连接，如图7所示，定位基板包括：基板本体1000，基板本体1000上开设有多个间隔分布的镂空区1100，基板本体1000在垂直于其厚度方向的表面上设置有第二定位结构2000；如图8所示，在定位基板设置有第二定位结构2000的表面与掩膜板设置有第一定位结构300的表面相对放置的情况下，第二定位结构2000可与掩膜板的第一定位结构300配合连接，以避免掩膜片200在第一方向上发生位置移动，多个镂空区1100与掩膜板的多个有效掩膜区210位置对应，且有效掩膜区210的边界位于有效掩膜区210位置对应的镂空区1100所限定的范围以内；其中，第一方向与掩膜片200的延伸方向相交。
需要说明的是，第一，定位基板与掩膜片200可以是多对一的关系，也可以是一对一的关系，即一个定位基板可以仅与一个掩膜片200配合连接，这样一来，一个掩膜板需要与多个本发明所述的定位基板配合；一个定位基板也可以与掩膜板上的所有掩膜片200配合连接。
第二，第一定位结构300与第二定位结构2000配合连接是指，两者在结构上恰好对应。类似于杯盖与杯体的配合连接、笔帽与笔杆的配合连接、插头与插孔的配合连接等等。
当然，本发明中第一定位结构300与第二定位结构2000配合连接时，第一定位结构300与第二定位结构2000可以是各边均贴合，也可以是部分边贴合，部分边不贴合。本发明实施例优选的，配合连接后，第一定位结构300与第二定位结构2000与第一方向相交的边贴合。
第三，本领域技术人员应该明白，第二定位结构2000不可能设置在基板本体1000的镂空区1100，必然设置在镂空区1100以外的部分。
第二定位结构2000与第一定位结构300是对应设置的关系，两者在位置、结构上均配合对应。
第四，有效掩膜区210的边界位于有效掩膜区210位置对应的镂空区1100所限定的范围以内，有效掩膜区210限定的边界小于等于镂空区1100所限定的边界。
本发明提供的定位基板与掩膜板相配合，当第一定位结构300与定位基板上的第二定位结构2000配合后，可以阻止掩膜片200在第一方向上发生位置移动，即，可以改善掩膜片200的流动性，从而使得蒸镀材料透过掩膜片200上的有效掩膜区蒸镀到背板玻璃上的实际位置与预设位置的偏移量减小，从而提高产品良率。
此外，当掩膜板与定位基板配合后，效掩膜区210的边界位于有效掩膜区210位置对应的镂空区1100所限定的范围以内，可以避免蒸镀时形成的蒸镀图案边缘产生变形。
可选的，第一定位结构300为凹槽，第二定位结构2000为与凹槽匹配的凸起。
可选的，第一定位结构300为凸起，第二定位结构2000为与凹槽匹配的凹槽。
即，凸起能够放入凹槽中，凹槽的横截面积大于等于凸起的横截面积。为了保证定位效果，凸起和凹槽配合后，应尽可能避免凸起在凹槽内晃动。
可选的，如图8所示，凹槽的深度大于等于凸起的高度。
本发明实施例通过将凹槽的深度设置为大于等于凸起的高度，当掩膜板与定位基板配合后，两者之间不留有缝隙，提高蒸镀效果。
为了降低成本，本发明实施例优选的，定位基板上的凸起的材料为光刻胶。
当然，定位基板上的凸起的材料也可以与基板本体1000的材料相同。
其中，掩膜条200上凸起的材料可以为光刻胶，也可以与掩膜条200的材料相同。
由于蒸镀是在高温下进行的，因此本发明实施例可选的，基板本体1000由有机高分子材料制成。
其中，有机高分子材料例如可以是聚酰亚胺材质等耐高温材料。
玻璃为常用的耐高温产品，因此可选的，基板本体1000的材质为玻璃。
本发明实施例还提供一种掩膜板组件01，如图8所示，包括上述掩膜板和上述定位基板。
本发明实施例提供的掩膜板组件01，当掩膜板上的第一定位结构300与定位基板上的第二定位结构2000配合连接后，在磁隔板吸合掩膜板的过程中，在第一定位结构300和第二定位结构2000的配合下，可以阻止掩膜片200在第一方向(与掩膜片200的延伸方向相交的方向)上发生位置移动，即，可以改善掩膜片200的流动性，从而使得蒸镀材料透过掩膜片200上的有效掩膜区蒸镀到背板玻璃上的实际位置与预设位置的偏移量减小，从而提高产品良率。
本发明实施例还提供一种蒸镀装置，如图9所示，包括上述掩膜板组件01。
其中，如图9所示，在蒸镀过程中，掩膜板组件01靠近蒸镀源10设置，沿远离蒸镀源10的方向依次放置背板玻璃30、冷却板40、磁隔板50。当然，上述结构可以根据需要增减。
优选的，掩膜板组件01中的定位基板设置在掩膜板远离蒸镀源10一侧。
需要说明的是，在放置掩膜板组件01时，可以是在蒸镀腔室外先将定位基板和掩膜板组装好，然后将掩膜板组件整体放入蒸镀腔室中；也可以是将定位基板和掩膜板分开，分两次放入蒸镀腔室中，根据具体情况进行选择即可。
对于掩膜板组件01的方式，采用现有技术中放置掩膜板的方式即可。
本发明提供的蒸镀装置包含上述掩膜板组件，其有益效果与掩膜板组件的有益效果相同，此处不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种定位基板，用于与掩膜板配合连接，其特征在于，所述掩膜板包括具有开口的框架和跨越所述开口且固定在所述框架上的多个掩膜片，所述掩膜片包括有效掩膜区和包围所述有效掩膜区的无效掩膜区，
所述掩膜板还包括设置在所述无效掩膜区、且位于所述掩膜片垂直于其厚度方向的表面上的第一定位结构，所述第一定位结构用于避免所述掩膜片在第一方向上发生位置移动；
所述定位基板包括：基板本体，所述基板本体上开设有多个间隔分布的镂空区，所述基板本体在垂直于其厚度方向的表面上设置有第二定位结构；
在所述定位基板设置有第二定位结构的表面与所述掩膜板设置有第一定位结构的表面相对放置的情况下，所述第二定位结构可与所述掩膜板的第一定位结构配合连接，以避免所述掩膜片在第一方向上发生位置移动，多个所述镂空区与所述掩膜板的多个有效掩膜区位置对应，且所述有效掩膜区的边界位于所述有效掩膜区位置对应的所述镂空区所限定的范围以内；
其中，所述第一方向与所述掩膜片的延伸方向相交。
2.根据权利要求1所述的定位基板，其特征在于，所述第一定位结构为凹槽；或者，
所述第一定位结构为凸起。
3.根据权利要求1或2所述的定位基板，其特征在于，所述第一定位结构设置在所述掩膜片背离所述框架的表面上；或者，
所述第一定位结构设置在所述开口限定的范围以内。
4.根据权利要求1或2所述的定位基板，其特征在于，沿所述掩膜片的延伸方向，所述第一定位结构与所述有效掩膜区交替排布，设置在相邻所述有效掩膜区之间的所述第一定位结构沿所述掩膜片的宽度方向上排成一排。
5.根据权利要求1所述的定位基板，其特征在于，所述第一定位结构为凹槽的情况下，所述第二定位结构为能与所述凹槽匹配的凸起；
所述第一定位结构为凸起的情况下，所述第二定位结构为能与所述凸起匹配的凹槽。
6.根据权利要求5所述的定位基板，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于所述凸起的高度；
所述凸起的材料为光刻胶。
7.根据权利要求1所述的定位基板，其特征在于，所述基板本体由有机高分子材料制成；或者；
所述基板本体的材质为玻璃。
8.一种掩膜板组件，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的定位基板；
所述掩膜板上的第一定位结构与所述定位基板上的第二定位结构配合连接。
9.一种蒸镀装置，其特征在于，包括权利要求8所述的掩膜板组件。
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