CN112614779A - 一种吸气剂图形化的掩膜方式 - Google Patents

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Abstract

一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：步骤一、材料准备；步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片，放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面凸起与掩膜片表面凹槽对应，利用掩膜片表面凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合；步骤四、平铺放置薄膜保护层；步骤五、放置铝制压块；步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；步骤七、放置铝制压块盖板。该掩膜方式，操作简单，利用掩膜片表面的凹槽，配合铝制压块以及强力磁铁，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且还能使掩膜片与硅片更加贴合，防止镀制的吸气剂衍出。

Description

一种吸气剂图形化的掩膜方式
技术领域
本发明涉及材料成型技术领域，特别涉及一种吸气剂图形化的掩膜方式。
背景技术
吸气剂可分为蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂两大类，蒸发型吸气剂主要依靠蒸发形成薄膜的过程吸附气体。在8英寸晶圆上镀制吸气剂，可以为晶圆创造良好的工作环境，稳定晶圆的特性参量，对晶圆的性能及使用寿命有重要的影响，但是晶圆上有凸起，用传统的平片掩膜片，会造成掩膜片与硅片不贴合，从而使镀制的吸气剂衍出，造成吸气剂尺寸不可控，功能不可控，影响很大，为此，我们提出一种吸气剂图形化的掩膜方式。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种吸气剂图形化的掩膜方式，可以有效解决背景技术中的问题。
一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：
步骤一、材料准备；
步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；
步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；
步骤四、平铺放置薄膜保护层；
步骤五、放置铝制压块；
步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；
步骤七、放置铝制压块盖板。
进一步的，步骤一中准备的材料有掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板，且掩膜片表面设有凹槽，硅片表面有凸起。
进一步的，步骤一中所述掩膜片的厚度为0.2mm，所述硅片表面的凸起厚度为100μm，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应。
进一步的，步骤三中在放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。
进一步的，步骤四中所述薄膜保护层用于保护硅片，防止硅片表面被划伤。
进一步的，步骤五中所述铝制压块表面开设有若干组圆孔，圆孔直径为20mm，且圆孔呈匀匀分布，圆孔用于放置强力磁铁，所述铝制压块表面开设有固定孔，用于固定铝制压块盖板。
进一步的，步骤六中所述强力磁铁用以吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，防止镀制的吸气剂衍出。
进一步的，步骤七中所述铝制压块盖板用于限制强力磁铁，防止强力磁铁从圆孔内滑出。
进一步的，所述铝制压块与铝制压块盖板均采用铝制，能够避免强力磁铁与压块以及盖板之间吸附，便于将强力磁铁取下。
本发明提供的吸气剂图形化的掩膜方式，与现有技术相比，具有如下有益效果：
1、利用掩膜片表面的凹槽，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。
2、采用0.2mm厚度的掩膜片，不会遮挡吸气剂镀制区域，配合具有多组均匀分布的圆孔的铝制压块，并在圆孔之中放置强力磁铁用以吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，可以防止镀制的吸气剂衍出，提高镀制吸气剂的效果。
附图说明
图1为本发明的操作流程图；
图2为本发明的组装示意图；
图3为本发明的掩膜片结构示意图；
图4为本发明的硅片结构示意图；
图5为本发明的铝制压块结构示意图；
图6为本发明的铝制压块盖板结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
请参阅图1至图6所示，一种吸气剂图形化的掩膜方式，该方式包括如下具体步骤：
步骤一、材料准备；
步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；
步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；
步骤四、平铺放置薄膜保护层；
步骤五、放置铝制压块；
步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；
步骤七、放置铝制压块盖板。
步骤一中准备的材料有掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板，且掩膜片表面设有凹槽，硅片表面有凸起。
步骤一中掩膜片的厚度为0.2mm，硅片表面的凸起厚度为100μm，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应。
步骤三中在放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。
步骤四中薄膜保护层用于保护硅片，防止硅片表面被划伤。
步骤五中铝制压块表面开设有若干组圆孔，圆孔直径为20mm，且圆孔呈匀匀分布，圆孔用于放置强力磁铁，铝制压块表面开设有固定孔，用于固定铝制压块盖板。
步骤六中强力磁铁用以吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，防止镀制的吸气剂衍出。
步骤七中铝制压块盖板用于限制强力磁铁，防止强力磁铁从圆孔内滑出。
铝制压块与铝制压块盖板均采用铝制，能够避免强力磁铁与压块以及盖板之间吸附，便于将强力磁铁取下。
本发明提供的吸气剂图形化的掩膜方式，首先准备所述的掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板等材料，再取带吸气剂图形的掩膜片作为底材，之后在掩膜片上端放置硅片，在放置硅片时，需要将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合，然后在硅片表面平铺薄膜保护层，保护硅片表面不被划伤，再在薄膜保护层上端放置铝制压块，继续在铝制压块表面的圆孔放置强力磁铁，利用强力磁铁吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，防止镀制的吸气剂衍出，最后在强力磁铁表面放置铝制压块盖板，使得铝制压块盖板的连接处嵌入铝制压块表面的固定孔内，将强力磁铁固定，防止强力磁铁从圆孔内滑出。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (9)

1.一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：所述该方式包括如下具体步骤：
步骤一、材料准备；
步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；
步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；
步骤四、平铺放置薄膜保护层；
步骤五、放置铝制压块；
步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；
步骤七、放置铝制压块盖板。
2.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤一中准备的材料有掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板，且掩膜片表面设有凹槽，硅片表面有凸起。
3.根据权利要求2所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤一中所述掩膜片的厚度为0.2mm，所述硅片表面的凸起厚度为100μm，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应。
4.根据权利要求2所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤三中在放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。
5.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤四中所述薄膜保护层用于保护硅片，防止硅片表面被划伤。
6.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤五中所述铝制压块表面开设有若干组圆孔，圆孔直径为20mm，且圆孔呈匀匀分布，圆孔用于放置强力磁铁，所述铝制压块表面开设有固定孔，用于固定铝制压块盖板。
7.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤六中所述强力磁铁用以吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，防止镀制的吸气剂衍出。
8.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤七中所述铝制压块盖板用于限制强力磁铁，防止强力磁铁从圆孔内滑出。
9.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：所述铝制压块与铝制压块盖板均采用铝制，能够避免强力磁铁与压块以及盖板之间吸附，便于将强力磁铁取下。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115747736A (zh) * 2022-10-31 2023-03-07 华东光电集成器件研究所 一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000246090A (ja) * 1999-02-26 2000-09-12 Canon Inc 非蒸発型ゲッタの製造方法及び配置方法
US20080293178A1 (en) * 2005-12-06 2008-11-27 Saes Getters S.P.A. Process For Manufacturing Micromechanical Devices Containing a Getter Material and Devices So Manufactured
US20130015568A1 (en) * 2011-07-11 2013-01-17 COMMISSARIAT A I'energie atomique et aux ene alt Getter structure with optimized pumping capacity
CN204946875U (zh) * 2015-09-06 2016-01-06 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 用于制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的磁性载片舟
CN106517082A (zh) * 2016-11-14 2017-03-22 北方电子研究院安徽有限公司 一种mems吸气剂图形化制备方法
CN107916397A (zh) * 2018-01-02 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000246090A (ja) * 1999-02-26 2000-09-12 Canon Inc 非蒸発型ゲッタの製造方法及び配置方法
US20080293178A1 (en) * 2005-12-06 2008-11-27 Saes Getters S.P.A. Process For Manufacturing Micromechanical Devices Containing a Getter Material and Devices So Manufactured
US20130015568A1 (en) * 2011-07-11 2013-01-17 COMMISSARIAT A I'energie atomique et aux ene alt Getter structure with optimized pumping capacity
CN204946875U (zh) * 2015-09-06 2016-01-06 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 用于制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的磁性载片舟
CN106517082A (zh) * 2016-11-14 2017-03-22 北方电子研究院安徽有限公司 一种mems吸气剂图形化制备方法
CN107916397A (zh) * 2018-01-02 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115747736A (zh) * 2022-10-31 2023-03-07 华东光电集成器件研究所 一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具

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