CN115044865A - 一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法 - Google Patents
一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115044865A CN115044865A CN202210653510.3A CN202210653510A CN115044865A CN 115044865 A CN115044865 A CN 115044865A CN 202210653510 A CN202210653510 A CN 202210653510A CN 115044865 A CN115044865 A CN 115044865A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- hole
- carrier plate
- assembly
- positioning substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 26
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) fluoride Chemical compound F[Yb](F)F XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
本申请公开了一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法，涉及图形化镀膜设备领域，用于待镀部件镀制中。该组件包括掩膜片、具有第一通孔的掩膜片载板、具有第二通孔的定位基板，掩膜片载板与定位基板固定连接，掩膜片与掩膜片载板固定连接，第一通孔与第二通孔对应；第二通孔用于放置待镀部件，掩膜片的图形化处理区域对应第一通孔，定位基板和掩膜片位于掩膜片载板的同一侧。本申请具有第二通孔的定位基板和掩膜片分别与具有第一通孔的掩膜片载板固定连接，镀制时直接将待镀部件放置在第二通孔处，无需取放掩膜片，简化工艺流程，提升镀制效率，且可以避免在取放掩膜片时对掩膜片以及对待镀部件造成的损伤，降低镀制成本，提升待镀部件的良率。
Description
技术领域
本申请涉及图形化镀膜设备领域，特别是涉及一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法。
背景技术
目前对红外等光学窗口进行图形化镀制时，需要借助掩膜组件，掩膜组件包括窗口定位板和图形化的掩膜片，窗口定位板上刻蚀有凹槽，在镀制时，先将划片后的光学窗口放置在凹槽中，再将图形化的掩膜片放入凹槽，覆盖在光学窗口上，然后进行镀制。现有的掩膜组件存在以下缺陷：第一，需要镀制多少光学窗口，就需要放置多少次掩膜片，使得镀制过程工艺流程复杂，工艺时间长，导致生产效率低；第二，利用吸嘴或者镊子放置和取出掩膜片时，容易造成掩膜片损坏，由于掩膜片成本高，使得镀制成本增加；第三，放置掩膜片过程易造成光学窗口划伤、缺陷，使得光学窗口的良率下降；第四，每次掩膜片定位都在凹槽中有一定活动余量，掩膜片和光学窗口均是可以活动的，定位精度差，造成产品稳定性较低。
因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
发明内容
本申请的目的是提供一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法，以提升待镀部件的镀制效率，降低生产成本，同时提升待镀部件的良率。
为解决上述技术问题，本申请提供一种用于镀制膜层的掩膜组件，包括：
掩膜片、具有第一通孔的掩膜片载板、具有第二通孔的定位基板，所述掩膜片载板与所述定位基板固定连接，所述掩膜片与所述掩膜片载板固定连接，所述第一通孔与所述第二通孔对应；
所述第二通孔用于放置待镀部件，所述掩膜片的图形化处理区域对应所述第一通孔，所述定位基板和所述掩膜片位于所述掩膜片载板的同一侧。
可选的，所述掩膜片载板与所述定位基板之间共晶连接。
可选的，所述掩膜片与所述掩膜片载板之间共晶连接。
可选的，所述第一通孔和所述第二通孔均呈阵列分布。
可选的，还包括：
覆盖于所述掩膜片中心遮挡区的保护层。
可选的，还包括：
设于所述定位基板远离所述掩膜片载板一侧的基板，用于承托所述待镀部件。
可选的，所述基板与所述掩膜片载板、所述定位基板之间可拆卸连接。
可选的，所述基板与所述掩膜片载板、所述定位基板之间通过螺栓连接。
本申请还提供一种用于镀制膜层的掩膜组件的制作方法，包括：
获得具有第一通孔的掩膜片载板；
获得具有第二通孔的定位基板；所述第二通孔用于放置待镀部件，且所述第二通孔与所述第一通孔对应；
将所述掩膜片载板和所述定位基板固定连接；
将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接，得到用于镀制膜层的掩膜组件，所述定位基板和所述掩膜片位于所述掩膜片载板的同一侧，所述掩膜片的图形化处理区域对应所述第一通孔。
可选的，所述将所述掩膜片载板和所述定位基板固定连接包括：
在所述掩膜片载板上放置第一钎焊焊料，并在所述第一钎焊焊料上放置定位基板，得到第一叠合组件；
将所述第一叠合组件放入共晶炉中进行共晶焊接，使所述掩膜片载板与所述定位基板共晶连接。
可选的，所述将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接包括：
在所述掩膜片载板的空槽处放置第二钎焊焊料，并在所述第二钎焊焊料上放置所述掩膜片，得到第二叠合组件；
将所述第二叠合组件放入共晶炉中进行共晶焊接，使所述掩膜片与所述述掩膜片载板共晶连接。
可选的，所述将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接之后，还包括：
在所述定位基板远离所述掩膜片载板一侧设置基板。
本申请所提供的一种用于镀制膜层的掩膜组件，包括：掩膜片、具有第一通孔的掩膜片载板、具有第二通孔的定位基板，所述掩膜片载板与所述定位基板固定连接，所述第一通孔与所述第二通孔对应，所述掩膜片与所述掩膜片载板固定连接；所述第二通孔用于放置待镀部件，所述掩膜片的图形化处理区域对应所述第一通孔，所述定位基板和所述掩膜片位于所述掩膜片载板的同一侧。
可见，本申请掩膜组件中定位基板和掩膜片分别与掩膜片载板固定连接，掩膜片载板上具有第一通孔，定位基板上具有第二通孔，掩膜片的图形化处理区域与第一通孔对应，在对待镀部件进行镀制时，直接将待镀部件放置在第二通孔处，由于掩膜片已经固定连接在压膜片载板上，在镀制过程中无需放置和取出掩膜片，减少了放置和取出掩膜片的步骤，简化工艺流程，提升待镀部件镀制效率，并且可以避免在放置和取出掩膜片的过程中对掩膜片的损伤，减少掩膜片的用量，降低待镀部件镀制成本，同时还可以避免放置和取出掩膜片过程对待镀部件造成的损伤，提升待镀部件的良率。另外，本申请中将掩膜片固定连接在掩膜片载板上，位置固定，只有待镀部件是活动的，相对位置精度即为蚀刻工艺精度，相较于现有技术机械定位的精度以及尺寸精度重复性大幅度提高，提升产品稳定性。
此外，本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的掩膜组件示意图；
图2为本申请实施例所提供的一种掩膜组件的爆炸图；
图3为本申请实施例所提供的一种掩膜组件的局部放大图；
图4为本申请实施例所提供的一种掩膜组件正视图；
图5为本申请实施例所提供的一种掩膜片的示意图；
图6为本申请实施例所提供的另一种掩膜组件的爆炸图；
图7为图6所示掩膜组件的侧视图；
图8为本申请实施例提供的一种基板的示意图；
图9为本申请实施例所提供的一种掩膜组件的制作方法流程图；
图10为利用本申请中的掩膜组件进行镀制的制程示意图；
图11为利用本申请中的掩膜组件对整张八寸晶圆进行图形化处理的示意图；
图中：1.基板，2.待镀部件，3.掩膜片，4.第二钎焊焊料，5.第一钎焊焊料，6.掩膜片载板，7.定位基板，8.图形化处理区域，9.螺栓，10.螺纹孔，101.边缘连接区，102.中心遮挡区，201.射频磁控溅射设备，202.磁控平台，203.靶材，204.入射离子路径区，205.薄膜，401.图形化的掩膜片，402.红外窗口，403.凹槽，404.窗口定位板。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
现有的掩膜组件如图1所示，包括窗口定位板404和图形化的掩膜片401，窗口定位板404上刻蚀有凹槽403，在镀制时，先将划片后的红外窗口402放置在凹槽403中，再将图形化的掩膜片401放入凹槽403，覆盖在红外窗口402上，然后进行镀制。
正如背景技术部分所述，现有的掩膜组件存在以下缺陷：第一，需要镀制多少光学窗口，就需要放置多少次掩膜片，使得镀制过程工艺流程复杂，工艺时间长，导致生产效率低；第二，利用吸嘴或者镊子放置和取出掩膜片时，容易造成掩膜片损坏，由于掩膜片成本高，使得镀制成本增加；第三，放置掩膜片过程易造成光学窗口划伤、缺陷，使得光学窗口的良率下降；第四，每次掩膜片定位都在凹槽中有一定活动余量，掩膜片和光学窗口均是可以活动的，造成产品稳定性较低。
有鉴于此，本申请提供了一种用于镀制膜层的掩膜组件，请参考图2至图4，包括：
掩膜片3、具有第一通孔的掩膜片载板6、具有第二通孔的定位基板7，所述掩膜片载板6与所述定位基板7固定连接，所述掩膜片3与所述掩膜片载板6固定连接，所述第一通孔与所述第二通孔对应；
所述第二通孔用于放置待镀部件2，所述掩膜片3的图形化处理区域8对应所述第一通孔，所述定位基板7和所述掩膜片3位于所述掩膜片载板6的同一侧。
可以理解的是，第一通孔与第二通孔对应，以实现对待镀部件2的镀制。
掩膜片3的材料包括但不限于铜、铝、银、钛合金、石墨、不锈钢，厚度可以在0～1mm之间，其结构示意图如图5所示，包括中心遮挡区102、边缘连接区101、图形化处理区域8，其中，中心遮挡区102作用是对不需要进行图形化处理的区域进行遮蔽，避免这些区域受到被镀制材料的影响；边缘连接区101与中心遮挡区102连接，起到结构固定作用，避免中心遮挡区102发生变形从掩膜组件中凸出；经过蒸镀或者磁控溅射处理后的镀制膜层材料穿过掩膜组件之后最终落在图形化处理区域8上，是进行图形化处理后形成的图形，采用线切割或者蚀刻技术等方式形成。需要说明的是，掩膜片3的结构并不局限于图5所示结构，可以具体情况进行设置。
可选的，掩膜组件还可以包括：覆盖于所述掩膜片3中心遮挡区102的保护层，保护层材料可以为特氟龙、镍、铬、镉等，以对镀制材料进行保护。
掩膜片载板6的作用主要是承载掩膜片3以及复用掩膜片3，掩膜片载板6的材料包括但不限于铜、铝、银、钛合金、石墨、不锈钢，厚度可以在0～1mm之间。
将掩膜片3固连到掩膜片载板6上，对掩膜片3提前定位，作为本申请掩膜组件的掩膜功能区，将传统的掩膜片单个掩膜模式变为了统一的掩膜模式。
定位基板7上分布有第二通孔，主要起精密定位待镀部件2的作用，定位基板7的材料包括但不限于铜、铝、银、钛合金、石墨、不锈钢。定位基板7厚度可以在0～1mm。
采用蚀刻金属工艺形成的高精度的定位基板7对待镀部件2的定位，作为本申请掩膜组件的定位功能区，比传统的机加定位版提高了定位精度。
需要指出的是，本申请中对掩膜片载板6与定位基板7的连接方式不做限定，只要两者固定连接即可。例如，作为一种可实施方式，所述掩膜片载板6与所述定位基板7之间共晶连接，此时，在掩膜片载板6与定位基板7之间包括第一钎焊焊料5，第一钎焊焊料5可以为锡基、铟基、银基、金基等焊料，第一钎焊焊料5的厚度可以在0～0.1mm之间。作为另一种可实施方式，掩膜片载板6与定位基板7之间还可以通过激光焊接的方式连接。
还需要指出的是，本申请中对掩膜片3与掩膜片载板6之间的连接方式不做限定，只要两者固定连接即可。例如，作为一种可实施方式，所述掩膜片3与所述掩膜片载板6之间共晶连接，此时，在掩膜片3与掩膜片载板6之间包括第二钎焊焊料4，第二钎焊焊料4可以为锡基、铟基、银基、金基等焊料，第二钎焊焊料4的厚度可以在0～0.1mm之间。作为另一种可实施方式，掩膜片3与掩膜片载板6之间还可以通过激光焊接的方式连接。
当掩膜片3与掩膜片载板6之间共晶连接时，掩膜片3的边缘连接区101还作为共晶焊接区，镀制第二钎焊焊料4(例如金层)，与掩膜片载板6进行钎焊。
第一通孔和第二通孔的数量相等，第一通孔和第二通孔的数量既可以为一个，也可以为多个。为了提升待镀部件2的镀制效率，第一通孔和第二通孔的数量为多个，所述第一通孔和所述第二通孔均呈阵列分布。即，有多少个第二通孔，一次性便可以对多少个待镀部件2进行镀制。
本申请中的掩膜组件可以适用于对待镀部件2的表面吸气剂镀制、纳米压印微结构、光学膜层制备、封装金属化区域镀制等处理工艺。本申请中掩膜组件适用的待镀部件2可以为红外窗口或者其他窗口，其中，红外窗口的材料包括但不限于锗、硅、硫系玻璃、氟化钇、氟化镱、蓝宝石，红外窗口的厚度可以为0～1mm。
在对待镀部件2进行镀制时，可充分利用磁控溅射或者蒸镀设备，通过调整掩膜片3位置，使得掩膜片3的密度达到最大，可以使设备利用率达到最大化。
需要指出的是，本申请中的掩膜组件适用的待镀部件2不仅可以为光学窗口，也可以为晶圆，晶圆可以为硅、锗、碳化硅、氮化镓晶圆，本申请中的掩膜组件弥补了传统图形化处理工艺无法兼容晶圆级平台的缺陷，拓展了图形化镀制处理的晶圆级应用。图2中以待镀部件2为光学窗口示出，当待镀部件2为晶圆时，利用下述实施例的掩膜组件示出。
本申请掩膜组件中定位基板7和掩膜片3分别与掩膜片载板6固定连接，掩膜片载板6上具有第一通孔，定位基板7上具有第二通孔，掩膜片3的图形化处理区域8与第一通孔对应，在对待镀部件2进行镀制时，直接将待镀部件2放置在第二通孔处，由于掩膜片3已经固定连接在掩膜片载板6上，在镀制过程中无需放置和取出掩膜片3，减少了放置和取出掩膜片3的步骤，简化工艺流程，提升待镀部件2镀制效率，并且可以避免在放置和取出掩膜片3的过程中对掩膜片3的损伤，减少掩膜片3的用量，降低待镀部件2镀制成本，同时还可以避免放置和取出掩膜片3过程对待镀部件2造成的损伤，提升待镀部件2的良率。另外，现有技术中的掩膜组件的材料一般为不锈钢，密度较大，使得现有的掩膜组件重量比较重，而镀制设备对掩膜组件的重量要求比较高，现有的掩膜组件可能无法上镀制设备，而本申请中的掩膜组件重量轻，可以更好的满足镀制设备的要求，并且本申请掩膜组件整体厚度低，设备夹持结构变形量小，镀制均匀性能够得到有效提升。另外，本申请中将掩膜片固定连接在掩膜片载板上，位置固定，只有待镀部件是活动的，相对位置精度即为蚀刻工艺精度，相较于现有技术机械定位的精度以及尺寸精度重复性大幅度提高，提升产品稳定性。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，请参考图6，用于待镀部件2镀制的掩膜组件还包括：
设于所述定位基板7远离所述掩膜片载板6一侧的基板1，用于承托所述待镀部件2。
基板1主要起承托待镀部件2的作用，作为本申请掩膜组件的承托功能区。
基板1优选平面度较高的基板，不易划伤待镀部件2，另一方面，还可以使得待镀部件2镀制平面到掩膜片3所在平面距离一致，提升镀制均匀性。基板1不透光。
基板1的材料可以为石英、硅等，基板1厚度可以在0～1mm之间。
基板1与掩膜片载板6、定位基板7连接，本申请中掩膜组件在反复利用过程中，为了便于基板1与掩膜片载板6、定位基板7之间进行拆合，优选地，所述基板1与所述掩膜片载板6、所述定位基板7之间可拆卸连接。
可选的，作为一种可实施方式，所述基板1与所述掩膜片载板6、所述定位基板7之间通过螺栓9连接，此时掩膜组件的侧视图如图7所示，基板1上设有螺纹孔10，如图8所示。但是本申请对此并不做具体限定，在本申请的其他实施方式中，还可以利用销头将基板1与掩膜片载板6、定位基板7连接，或者利用夹具将基板1与掩膜片载板6、定位基板7连接，等。
对于图6所示掩膜组件，在使用时，先将基板1与掩膜片3、掩膜片载板6、所述定位基板7形成的局部组件分开，放入待镀部件2，在整个掩膜组件放满待镀部件2后，放入基板1通过四周半圆定位弧调整各部件位置，通过螺栓9将基板1与掩膜片载板6、定位基板7连接在一起，之后将掩膜组件翻面，放入图形处理设备(例如磁控溅射或者蒸镀设备)中进行镀制。本申请图6所示掩膜组件相较同一产品的传统形式质量降低100g以上。
当待镀部件2为晶圆时，本申请中的掩膜组件对整张八寸晶圆进行图形化处理的示意图如图11所示，晶圆放置在基板1上，由定位基板7进行定位，此时，定位基板7上的第二通孔的数量为一个，为与晶圆匹配的圆形。
本申请中的掩膜组件具有下述优点：
第一，将掩膜片3固定连接在掩膜片载板6上，在镀制过程中无需放置和取出掩膜片3，减少了放置和取出掩膜片3的步骤，简化工艺流程，提升待镀部件2镀制效率；
第二，在镀制过程中无需放置和取出掩膜片3，可以避免在放置和取出掩膜片3的过程中对掩膜片3的损伤，减少掩膜片3的用量，从而降低待镀部件2镀制成本；
第三，由于在镀制过程中无需放置和取出掩膜片3，可以避免放置和取出掩膜片3过程对待镀部件2造成的损伤，提升待镀部件2的良率；
第四，使用平整度胶的基板1，使得待镀部件2镀制平面到掩膜片3所在平面距离一致，提升镀制均匀性。
本申请还提供一种用于镀制膜层的掩膜组件的制作方法，请参考图9，包括：
步骤S101：获得具有第一通孔的掩膜片载板6。
可以采用蚀刻技术在待处理掩膜板载板上蚀刻出第一通孔，得到掩膜片载板6。
步骤S102：获得具有第二通孔的定位基板7；所述第二通孔用于放置待镀部件2，且所述第二通孔与所述第一通孔对应。
可以采用蚀刻技术在待处理定位板上蚀刻出第二通孔，得到定位基板7。
步骤S103：将所述掩膜片载板6和所述定位基板7固定连接。
本申请中对掩膜片载板6和定位基板7连接方式不做限定，可视情况而定。可选的，所述将所述掩膜片载板6和所述定位基板7固定连接包括：
步骤S1031：在所述掩膜片载板6上放置第一钎焊焊料5，并在所述第一钎焊焊料5上放置定位基板7，得到第一叠合组件；
进一步的，为了提升定位精度，在放置第一钎焊焊料5后，利用利用四角半圆进行重复叠合，叠合后通过镊子调整第一钎焊焊料5位置，再进行共晶焊接。
步骤S1032：将所述第一叠合组件放入共晶炉中进行共晶焊接，使所述掩膜片载6板与所述定位基板7共晶连接。
或者，采用激光焊接方式将掩膜片载板6和定位基板7进行焊接。
步骤S104：将掩膜片3与所述掩膜片载板6固定连接，得到用于镀制膜层的掩膜组件，所述定位基板7和所述掩膜片3位于所述掩膜片载板6的同一侧，所述掩膜片3的图形化处理区域8对应所述第一通孔。
本申请中对掩膜片与掩膜片载板连接方式不做限定，可视情况而定。可选的，所述将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接包括：
步骤S1041：在所述掩膜片载板6的空槽处放置第二钎焊焊料4，并在所述第二钎焊焊料4上放置所述掩膜片3，得到第二叠合组件。
掩膜片载板6和定位基板7固定连接后，掩膜片载板6上会有空槽，在空槽处放置第二钎焊焊料4。
步骤S1042：将所述第二叠合组件放入共晶炉中进行共晶焊接，使所述掩膜片3与所述述掩膜片载板6共晶连接。
本实施例制得的用于镀制膜层的掩膜组件，定位基板和掩膜片分别与掩膜片载板固定连接，掩膜片载板上具有第一通孔，定位基板上具有第二通孔，掩膜片的图形化处理区域与第一通孔对应，在对待镀部件进行镀制时，直接将待镀部件放置在第二通孔处，由于掩膜片已经固定连接在压膜片载板上，在镀制过程中无需放置和取出掩膜片，减少了放置和取出掩膜片的步骤，简化工艺流程，提升待镀部件镀制效率，并且可以避免在放置和取出掩膜片的过程中对掩膜片的损伤，减少掩膜片的用量，降低待镀部件镀制成本，同时还可以避免放置和取出掩膜片过程对待镀部件造成的损伤，提升待镀部件的良率。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接之后，还包括：
在所述定位基板远离所述掩膜片载板一侧设置基板。
基板与掩膜片载板、定位基板连接，可选的，可以利用螺栓将基板设置在定位基板远离掩膜片载板一侧，或者，利用夹具将将基板与掩膜片载板、定位基板夹在一起进行连接。
利用本申请中的掩膜组件进行镀制的制程示意图如图10所示，镀制设备为射频磁控溅射设备201，为平面型磁控溅射设备，射频磁控溅射设备201包括磁控平台202和靶材203，本申请中的掩膜组件206与射频磁控溅射设备201相对设置，利用异常辉光放电区的入射离子经过入射离子路径区204轰击靶材203，进行一系列能量交换并产生溅射原子，溅射原子最终到达待镀部件表面形成薄膜205，可在低工作压强下获得较高的沉积速率。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本申请所提供的用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
Claims (12)
1.一种用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，包括：
掩膜片、具有第一通孔的掩膜片载板、具有第二通孔的定位基板，所述掩膜片载板与所述定位基板固定连接，所述掩膜片与所述掩膜片载板固定连接，所述第一通孔与所述第二通孔对应；
所述第二通孔用于放置待镀部件，所述掩膜片的图形化处理区域对应所述第一通孔，所述定位基板和所述掩膜片位于所述掩膜片载板的同一侧。
2.如权利要求1所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，所述掩膜片载板与所述定位基板之间共晶连接。
3.如权利要求1所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，所述掩膜片与所述掩膜片载板之间共晶连接。
4.如权利要求1所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔均呈阵列分布。
5.如权利要求1所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，还包括：
覆盖于所述掩膜片中心遮挡区的保护层。
6.如权利要求1至5任一项所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，还包括：
设于所述定位基板远离所述掩膜片载板一侧的基板，用于承托所述待镀部件。
7.如权利要求6所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，所述基板与所述掩膜片载板、所述定位基板之间可拆卸连接。
8.如权利要求7所述的用于镀制膜层的掩膜组件，其特征在于，所述基板与所述掩膜片载板、所述定位基板之间通过螺栓连接。
9.一种用于镀制膜层的掩膜组件的制作方法，其特征在于，包括：
获得具有第一通孔的掩膜片载板；
获得具有第二通孔的定位基板；所述第二通孔用于放置待镀部件，且所述第二通孔与所述第一通孔对应；
将所述掩膜片载板和所述定位基板固定连接；
将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接，得到用于镀制膜层的掩膜组件，所述定位基板和所述掩膜片位于所述掩膜片载板的同一侧，所述掩膜片的图形化处理区域对应所述第一通孔。
10.如权利要求9所述的用于镀制膜层的掩膜组件的制作方法，其特征在于，所述将所述掩膜片载板和所述定位基板固定连接包括：
在所述掩膜片载板上放置第一钎焊焊料，并在所述第一钎焊焊料上放置定位基板，得到第一叠合组件；
将所述第一叠合组件放入共晶炉中进行共晶焊接，使所述掩膜片载板与所述定位基板共晶连接。
11.如权利要求10所述的用于镀制膜层的掩膜组件的制作方法，其特征在于，所述将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接包括：
在所述掩膜片载板的空槽处放置第二钎焊焊料，并在所述第二钎焊焊料上放置所述掩膜片，得到第二叠合组件；
将所述第二叠合组件放入共晶炉中进行共晶焊接，使所述掩膜片与所述述掩膜片载板共晶连接。
12.如权利要求9至11任一项所述的用于镀制膜层的掩膜组件的制作方法，其特征在于，所述将掩膜片与所述掩膜片载板固定连接之后，还包括：
在所述定位基板远离所述掩膜片载板一侧设置基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210653510.3A CN115044865A (zh) | 2022-06-09 | 2022-06-09 | 一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210653510.3A CN115044865A (zh) | 2022-06-09 | 2022-06-09 | 一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115044865A true CN115044865A (zh) | 2022-09-13 |
Family
ID=83162224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210653510.3A Pending CN115044865A (zh) | 2022-06-09 | 2022-06-09 | 一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115044865A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115747715A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-03-07 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 支撑板、吸引体、掩膜块和掩膜版组件 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201919178U (zh) * | 2010-01-07 | 2011-08-03 | 张鸿鸣 | 金属基板玻璃陶瓷电加热器和电加热器具 |
| CN103293849A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-09-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于胶料涂布的掩膜板及其制作方法 |
| CN103682046A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-03-26 | 中山市秉一电子科技有限公司 | 一种led用陶瓷基板 |
| CN106544638A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-03-29 | 中国科学院半导体研究所 | 一种拼装型的掩模板装置 |
| CN107245693A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜组件、真空镀膜装置及其使用方法 |
| CN107916397A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置 |
| CN107919425A (zh) * | 2011-09-29 | 2018-04-17 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管装置 |
| CN111088474A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
-
2022
- 2022-06-09 CN CN202210653510.3A patent/CN115044865A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201919178U (zh) * | 2010-01-07 | 2011-08-03 | 张鸿鸣 | 金属基板玻璃陶瓷电加热器和电加热器具 |
| CN107919425A (zh) * | 2011-09-29 | 2018-04-17 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管装置 |
| CN103293849A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-09-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于胶料涂布的掩膜板及其制作方法 |
| CN103682046A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-03-26 | 中山市秉一电子科技有限公司 | 一种led用陶瓷基板 |
| CN106544638A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-03-29 | 中国科学院半导体研究所 | 一种拼装型的掩模板装置 |
| CN107245693A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜组件、真空镀膜装置及其使用方法 |
| CN107916397A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板、定位基板、掩膜板组件及蒸镀装置 |
| CN111088474A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 高宏伟等: "《电子封装工艺与装备技术基础教程》", 西安电子科技大学出版社, pages: 45 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115747715A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-03-07 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 支撑板、吸引体、掩膜块和掩膜版组件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI684653B (zh) | 蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩裝置，蒸鍍遮罩的製造方法及蒸鍍遮罩裝置的製造方法 | |
| EP2721689B1 (en) | Thin film battery fabrication with mask-less electrolyte deposition | |
| EP0054641B1 (en) | Thermally compensated shadow mask | |
| KR101896701B1 (ko) | 원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 | |
| EP2248625B1 (en) | Room-temperature bonding method and room-temperature bonding apparatus | |
| CN109423604B (zh) | 蒸镀掩模装置的制造方法和蒸镀掩模装置的制造装置 | |
| CN115044865A (zh) | 一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法 | |
| CN110382731B (zh) | 蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法 | |
| CN104347789A (zh) | 垂直型薄膜热电器件的热电臂阵列的制作方法和制作装置 | |
| JP2010278052A (ja) | 切削装置のチャックテーブル | |
| JP2010090415A (ja) | 蒸着マスク | |
| KR102138801B1 (ko) | 마스크 지지 템플릿의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| JP2010537439A (ja) | 半導体構成要素、特にソーラーセルの金属裏側コンタクトの製造方法 | |
| JP3109309B2 (ja) | イオンビ―ムプロセス装置のプラズマ引出し用グリッド | |
| KR102202531B1 (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 | |
| US4584688A (en) | Base for a semiconductor laser | |
| WO2023059634A1 (en) | Window cavity wafers | |
| CN116830000A (zh) | 用于处理工具的主动夹持载体组件 | |
| WO2022183816A1 (zh) | 扫描振镜的扭力结构、扫描振镜及其制作方法 | |
| US20240136162A1 (en) | Substrate processing device and method for manufacturing same | |
| KR102591352B1 (ko) | 패턴 위치 변경이 자유로운 선 패턴 후 가공이 가능한 oled 파인마스크 보조용 마스크와 그 조립체 | |
| JP2015132781A (ja) | エタロンフィルタ及びその製造方法 | |
| RU2764017C1 (ru) | Способ изготовления самонесущих металлических сеточных структур для селекции электромагнитного излучения | |
| JPH11150059A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置並びに投影露光装置 | |
| JP3071635B2 (ja) | 両面パターニング方法およびその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |