CN107910035A - Otp存储器 - Google Patents

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武建宏
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Shanghai Huali Microelectronics Corp
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Abstract

本发明公开了一种OTP存储器，采用一个MOS场效应晶体管，使其源极与漏极分别连接不同的位线，栅极连接字线。本发明能够提升OTP存储容量，并且能减小存储面积。

Description

OTP存储器
技术领域
本发明涉及半导体集成电路的存储器制造领域，特别是涉及一种OTP(One TimeProgrammable一次性可编程)存储器。
背景技术
目前随着移动设备的发展，对系统中程序区的需求要求越来越大，一方面希望嵌入的代码区的存储空间不断增大，另一方面则希望存储面积不断缩小。代码区应用较多的是OTP存储器，从传统的两个管子1个数据位发展到了1个管子1个数据位。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OTP存储器，能够用一个MOS(金属-氧化物-半导体)场效应晶体管存储2个数据位，既能提升OTP存储容量，又能减小存储面积。
为解决上述技术问题，本发明的OTP存储器是采用如下技术方案实现的：采用一个MOS场效应晶体管，使其源极与漏极分别连接不同的位线，栅极连接字线。
通过位线接地G端接高压实现栅极对源极或漏极上的击穿。
对源极端位线悬空，对漏极端位线加读电压，栅极端加0V,检测漏极端电流来判断数据。
对漏极端位线悬空，对源极端位线加读电压，检测源极端电流来判断数据。
采用本发明的OTP存储器，可以实现在1个存储管中存储2个数据位的效果，显著提升OTP存储容量，大大地缩减芯片面积。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是单元结构示意图；
图2是所述OTP存储器阵列图。
具体实施方式
参见图1所示，制作单管的1T–熔丝管(即单个熔丝管)1，在WL(字线)与BL(位线)间产生压差实现击穿现象，以此实现1个熔丝的功能。
在1T-熔丝管1另一端用相同方法进行烧写，实现第二个位熔丝的烧写功能。
图1中标号2为程序区，3为通道，4为LDD结构(轻掺杂漏区结构)，5为N+区，6位字线，7为位线。
结合图2所示，一条字线与对应的漏极位线BL_D可以选中固定的某个熔丝管。当WL设置高电平，漏极位线设置低电平，其他所有WL、BL都处在悬空状态。当前管的漏极端发生击穿烧写，发生阻值的变化。当WL与源极位线BL_S选中其他WL、BL处于悬空状态，在栅源间加上高压差，也能发生编程效果，导致电阻变化。通过选中栅级加0电平，BL加读电压，通过不同电阻反映的读电流，可以区分出数据位的0、1变化。
图2中，G为栅极，D为漏极，S为源极。
当接触孔钨塞与栅级较近时，栅与源漏级间非常容易发生击穿现象。因此将接触孔向栅级靠拢，在栅级尖端非常容易出现击穿。
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种OTP存储器，其特征在于：采用一个MOS场效应晶体管，使其源极与漏极分别连接不同的位线，栅极连接字线。
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：通过位线接地G端接高压实现栅极对源极或漏极上的击穿。
3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于：源极位线悬空，漏极端位线加读电压，栅极端加0V,检测漏极端电流来判断数据。
4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于：漏极端悬空，源极端加读电压，检测源极端电流来判断数据。
5.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于：对漏极端悬空，对源极端加读电压，检测源极端电流来判断数据。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102456412A (zh) * 2010-10-27 2012-05-16 上海华虹Nec电子有限公司 多晶硅熔丝构成的otp器件及其操作方法
US20120212992A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-23 Sony Corporation Semiconductor device and operation method thereof
CN106910733A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 爱思开海力士有限公司 反熔丝型非易失性存储单元、其阵列及其操作方法

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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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Application publication date: 20180413

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