CN107884994B - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107884994B CN107884994B CN201711225953.8A CN201711225953A CN107884994B CN 107884994 B CN107884994 B CN 107884994B CN 201711225953 A CN201711225953 A CN 201711225953A CN 107884994 B CN107884994 B CN 107884994B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fan
- array substrate
- alignment film
- area
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 75
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 43
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 43
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 35
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 230000008384 membrane barrier Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
本申请公开一种阵列基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,阵列基板包括:显示区和围绕显示区设置的非显示区;绑定区,设置在非显示区,绑定区包括若干导电衬垫;扇出走线区,设置在显示区和绑定区之间,扇出走线区包括若干第一扇出走线、第二扇出走线和第三扇出走线,第一扇出走线和第二扇出走线沿第一方向延伸并沿第二方向排布,第一扇出走线、第二扇出走线和第三扇出走线分别位于不同膜层;显示区中的信号引线通过扇出走线与导电衬垫电连接;设置在扇出走线区的配向膜阻挡结构,配向膜阻挡结构与第三扇出走线同层设置,在第二方向上,相邻两个配向膜阻挡结构朝向第一方向的垂直投影连续。如此,能够有效阻挡配向膜扩散至绑定区。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransisitor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。液晶显示面板时液晶显示器中的重要部件,主要包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,其间填充液晶层。随着面板显示屏运用越来越广泛,宽屏技术成为其中的重要技术项,与此同时,显示面板窄下边框的技术也越来越受到重视。先进的电子产品,尤其是手携式电子产品,越来越趋向于小尺寸化。柔性芯片(chip on flexible,简称COF)技术是实现电子产品小尺寸化的重要技术。所谓COF技术是指将控制芯片IC固定在柔性电路板上,是运用软质附加电路板作封装芯片载体,将控制芯片与软性附加电路板的电路结合的技术。在实际应用中,会将柔性电路板与阵列基板上的绑定区进行绑定,然后将集成有控制芯片的柔性电路板反折到显示面板的背面,从而实现整个显示装置的小尺寸化。
为使液晶显示器中的液晶分子形成一定取向,需要在阵列基板的表面形成配向膜。现有技术中,在阵列基板上,通常利用转印版涂覆聚酰亚胺(Polymide Film,简称PI)作为配向膜,再以摩擦辊(roller)进行印刷形成取向层。但是,在形成配向膜的过程中,由于PI液的粘性低而不易控制,导致PI液很容易扩散至绑定区,从而影响阵列基板的绑定效果,还可能导致显示区部分的PI液太薄,使得显示面板出现显示不均的现象。
发明内容
有鉴于此,本申请所要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,在显示区和绑定区之间的扇出走线区设置了配向膜阻挡结构,能够有效阻挡配向膜扩散至绑定区,因此不会对阵列基板的绑定效果造成影响,同时也能避免配向膜扩散而导致显示区的配向膜减薄,进而避免阵列基板出现显示不均的现象,有利于提升阵列基板、显示面板及显示装置的绑定效果和显示效果。
为了解决上述技术问题,本申请有如下技术方案:
第一方面,本申请提供一种阵列基板,包括:显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述显示区包括若干信号引线;
绑定区,设置在所述非显示区,所述绑定区包括若干导电衬垫;
扇出走线区,设置在所述显示区和所述绑定区之间,所述扇出走线区包括若干第一扇出走线、若干第二扇出走线和若干第三扇出走线,所述第一扇出走线和所述第二扇出走线沿第一方向延伸并沿第二方向排布,所述第一扇出走线、所述第二扇出走线和所述第三扇出走线分别位于不同膜层;所述显示区中的信号引线分别通过所述第一扇出走线、第二扇出走线和第三扇出走线与所述导电衬垫电连接;
设置在所述扇出走线区的配向膜阻挡结构,所述配向膜阻挡结构与所述第三扇出走线同层设置,在所述第二方向上,相邻两个所述配向膜阻挡结构朝向所述第一方向的垂直投影连续。
第二方面,本申请提供一种显示面板,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板和所述彩膜之间填充有液晶,所述阵列基板为权利要求1至11之任一所述的阵列基板,该阵列基板为本申请实施例所提供的阵列基板。
第三方面,本申请提供一种显示装置,包括显示面板,该显示面板为本申请实施例所提供的显示面板。
与现有技术相比,本申请所述的阵列基板、显示面板及显示装置,达到了如下效果:
本申请实施例所提供的阵列基板、显示面板和显示装置中,在显示区和绑定区之间的扇出走线区设置了配向膜阻挡结构,在第二方向上,相邻两个配向膜阻挡结构朝向第一方向的垂直投影连续,此种配向膜阻挡结构能够有效阻挡配向膜扩散至绑定区,因此不会对显示面板的绑定效果造成影响,同时也能避免配向膜扩散而导致显示区的配向膜减薄,进而避免显示面板出现显示不均的现象,有利于提升阵列基板、显示面板及显示装置的绑定效果和显示效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1所示为本申请实施例所提供的阵列基板的一种俯视图;
图2所示为图1中显示板显示区的一种A-A截面图;
图3所示为本申请实施例所提供的阵列基板中触控电极的一种排布示意图;
图4所示为扇出走线区各扇出走线的一种布线结构图;
图5所示为图4所示阵列基板扇出走线区的B-B截面图;
图6所示为图4所示阵列基板扇出走线区的C-C截面图;
图7所示为本申请实施例所提供的阵列基板中位于扇出走线区的配向膜阻挡结构的一种构成示意图;
图8所示为本申请实施例所提供的阵列基板的再一种俯视图;
图9所示为图8中阵列基板的一种剖面图;
图10所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种截面图;
图11所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题,基本达到所述技术效果。此外,“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此,若文中描述一第一装置耦接于一第二装置,则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置,或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式,然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的,并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
图1所示为本申请实施例所提供的阵列基板的一种俯视图,图2所示为图1中阵列基板显示区的一种A-A截面图,以下结合图2对阵列基板100的基本构成做简要说明。参见图2,阵列基板100包括包括第一基底15,该第一基底15由任意合适的绝缘材料制成。在第一基底15上设置有缓冲层16,通常缓冲层16覆盖第一基底15的整个上表面。在缓冲层16的上表面设置有薄膜晶体管阵列层20。通常,薄膜晶体管阵列层20包括:
位于缓冲层16上的半导体有源层25,半导体有源层25包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域,在源极区域和漏极区域之间的区域是其中不掺杂离子的沟道区域,半导体有源层25可通过非晶硅的结晶使非晶硅改变为多晶硅而形成,为了使非晶硅结晶,可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法;
位于半导体有源层25上方的栅极绝缘层26,栅极绝缘层26包括诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层,并且可以包括单层或多层;
位于栅极绝缘层26上特定区域中的第一金属层21,作为薄膜晶体管的栅极,栅极可包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层,或者诸如铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金的合金;
位于第一金属层21上方的层间绝缘层24,层间绝缘层24可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成,也可以由绝缘有机层形成;
位于层间绝缘层24上的第二金属层22,作为薄膜晶体管的源电极27和漏电极28,源电极27和漏电极28分别通过接触孔29电连接到半导体有源层25的源极区域和漏极区域,接触孔是通过选择性地去除栅极绝缘层26和层间绝缘层24形成的;
位于第二金属层上的钝化层23,钝化层23可以由氧化硅或氮化硅等无机层形成,也可由有机层形成;
位于钝化层23之上的第三金属层31,阵列基板的触控电极引线通常位于该第三金属层31;以及,
位于第三金属层31之上的电极层40,该电极层包括由绝缘层隔离的第一电极41和第二电极42。
本申请实施例所提供的阵列基板100例如可以为自电容式触摸阵列基板100,图3所示为本申请实施例所提供的阵列基板中触控电极的一种排布示意图,在显示阶段,图2中的第一电极41体现为公共电极,第二电极42体现为像素电极,公共电极和像素电极之间的电压作为驱动液晶发生偏转的驱动电压,使阵列基板100正常显示;在触摸阶段,参见图3,第一电极41复用为触控电极,用以通过位于第三金属层31的触控电极引线83接收触摸检测信号,并通过触控电极引线83发送触摸感应信号。除此种方式外,本申请中的阵列基板100还可以是互电容式触摸阵列基板100,此时,在图2实施例所提供的第一电极(公共电极)的基础上还包括触控感应电极,而本申请中的第一电极41可复用为触控驱动电极,与上述触控感应电极形成互电容结构。在触摸阶段,本申请第一电极41复用为触控驱动电极,接收触控信号,在受到外界触摸时,触控感应电极将反馈触控检测信号。需要说明的是,触控感应电极可置于与本申请中的阵列基板相对设置的第二基板上。
图4所示为扇出走线区各扇出走线的一种布线结构图,图5所示为图4所示阵列基板扇出走线区的B-B截面图,图6所示为图4所示阵列基板扇出走线区的C-C截面图,请参见图1至图6,本申请实施例所提供的阵列基板100包括:
阵列基板,包括显示区11和围绕显示区11设置的非显示区12,显示区11包括若干信号引线80;
绑定区14,设置在非显示区12,绑定区14包括若干导电衬垫141;
扇出走线区13,设置在显示区11和绑定区14之间,扇出走线区13包括若干第一扇出走线51、若干第二扇出走线52和若干第三扇出走线53,第一扇出走线51和第二扇出走线52沿第一方向延伸并沿第二方向排布,第一扇出走线51、第二扇出走线52和第三扇出走线53分别位于不同膜层;显示区11中的信号引线80分别通过第一扇出走线51、第二扇出走线52和第三扇出走线53与导电衬垫141电连接;
设置在扇出走线区13的配向膜阻挡结构60,配向膜阻挡结构60与第三扇出走线53同层设置,在第二方向上,相邻两个配向膜阻挡结构60朝向第一方向的垂直投影连续。
具体地,请参见图1,在阵列基板100上依次设置有显示区11、扇出走线区13和绑定区14,扇出走线区13中的扇出走线用以将显示区11的信号引线80和绑定区14的导电衬垫141电连接。参见图5,扇出走线区13包括位于不同膜层的第一扇出走线51、第二扇出走线52和第三扇出走线53,第一扇出走线51位于最底层靠近第一基底15设置,位于图2所示实施例中的第一金属层;第二扇出走线52位于第一扇出走线51和第三扇出走线53之间,位于图2所示实施例中的第二金属层;第三扇出走线53位于最顶层远离第一基底15设置,位于图2所示实施例中的第三金属层。特别是,参见图4,在扇出走线区13还设置有配向膜阻挡结构60,该配向膜阻挡结构60与第三扇出走线53同层设置,在第二方向上,相邻两个配向膜阻挡结构60朝向第一方向的垂直投影连续,各配向膜阻挡结构60的投影将形成一连续线段66,需要说明的是,图4中的连续线段66仅是示意性地示出了在第二方向上相邻两个配向膜阻挡结构60朝第一方向垂直投影形成的线段,并非扇出走线区13实际存在的线段。如此,配向膜阻挡结构60即能够有效防止配向膜形成的过程中所使用的液体聚酰亚胺(Polymide Film,简称PI)液扩散至绑定区14,因此不会对阵列基板100的绑定效果造成影响,同时也能避免配向膜扩散而导致显示区11的配向膜减薄,进而避免阵列基板100出现显示不均的现象,有利于提升阵列基板100的绑定效果和显示效果。此外,相比第一扇出走线51和第二扇出走线52,第三扇出走线53位于远离第一基底15的一侧,更接近配向膜所在膜层,本申请将配向膜阻挡结构60与第三扇出走线53同层设置时,更有利于发挥阻挡PI液扩散的作用,提升对PI液的阻挡效果。另外,本申请将配向膜阻挡结构60和第三扇出走线53同层设置时,无需再为配向膜阻挡结构60单独设置另外的膜层结构,有利于简化阵列基板100的膜层结构。需要说明的是,本申请实施例中的信号引线80包括沿第二方向延伸并沿第一方向排布的若干栅极线81、沿第一方向延伸并沿第二方向排布的若干数据信号线82以及沿第一方向延伸并沿第二方向排布的若干触控电极引线83。
可选地,参见图2,阵列基板100还包括设置在显示区11的配向膜70,配向膜70位于第三扇出走线53(第三金属层31)所在膜层背离第二扇出走线52(第二金属层22)的一侧;配向膜70的厚度小于配向膜阻挡结构60的厚度。
具体地,请参见图2,本申请中的阵列基板100在远离第一基底15一侧的表面设置有配向膜70,以对液晶起到取向的作用。参见图4,本申请在扇出走线区13设置有配向膜阻挡结构60,而且扇出走线区13配向膜阻挡结构60的厚度要大于配向膜70的厚度,这样配向膜阻挡结构60才能在配向膜形成的过程中对形成配向膜的液体的扩散起到有效的阻挡作用。
可选地,请参见图4,各第三扇出走线53沿第一方向延伸并沿第二方向排布,任意两条第三扇出走线53彼此绝缘;
配向膜阻挡结构60包括若干条状阻挡物61和62,各条状阻挡物的延伸方向均为第二方向,任意两个条状阻挡物61和62彼此绝缘。
具体地,图4所示实施例中的第三扇出走线53之间是相互平行的直线状,沿第一方向延伸并沿第二方向排布,该实施例中的配向膜阻挡结构60包括若干沿第二方向延伸的条状阻挡物61和62,各条状阻挡物61和62均与第三扇出走线53同层设置,任意两个条状阻挡物彼此绝缘。从图4可看出,在第二方向上,各条状阻挡物61和62朝向第一方向的垂直投影连续,会共同形成一条连续的线段66,相邻的两个条状阻挡物是隔开设置的,二者之间包括一开口区域63或64,在形成配向膜的过程中,PI液到达扇出走线区13后,沿第二方向延伸的各条状阻挡物能够对PI液的延伸起到很好的阻挡作用,防止PI液进入绑定区影响阵列基板的绑定效果,同时也能避免配向膜扩散而导致显示区的配向膜减薄,进而避免阵列基板出现显示不均的现象,有利于提升阵列基板的绑定效果和显示效果。此外,由于相邻的两个条状阻挡物之间包括开口区域63或64,此种设计又能引导PI液流动,避免PI液在配向膜阻挡结构60附近聚集,有效防止PI液聚集导致的逆流扩散对显示区造成影响,有利于得到平坦度较高的配向膜,同样有利于提升阵列基板的显示效果。另外,图4所示实施例在第三扇出走线53所在膜层制作多个条状阻挡物作为配向膜阻挡结构60,无需再为配向膜阻挡结构60单独建立另外的膜层,因此有利于简化阵列基板的膜层结构。
可选地,请继续参见图4,条状阻挡物包括若干第一条状阻挡物61和若干第二条状阻挡物62,第一条状阻挡物61在阵列基板所在平面的正投影同时与相邻的第一扇出走线51和第二扇出走线52在阵列基板所在平面的正投影交叉,并与第三扇出走线53在阵列基板所在平面的正投影间隔,任意的两个第一条状阻挡物61彼此绝缘;
第二条状阻挡物62在阵列基板所在平面的正投影与第三扇出走线53以及与第三扇出走线53相邻的第一扇出走线51和/或第二扇出走线52在阵列基板所在平面的正投影交叉,任意两个第二条状阻挡物62彼此绝缘。
具体地,请继续参见图4,该实施例中第一扇出走线51和第二扇出走线52与第三扇出走线53交替排布,第一扇出走线51、第二扇出走线52和第三扇出走线53彼此平行且在阵列基板所在平面的正投影不交叠。条状阻挡物分为第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62,第一条状阻挡物61在阵列基板所在平面的正投影分别与第一扇出走线51和第二扇出走线52在阵列基板所在平面的正投影相交并且与第三扇出走线53不相交,而第二条状阻挡物62在阵列基板所在平面的正投影与第三扇出走线53相交并同时和与第三扇出走线53相邻的第一扇出走线51和第二扇出走线52中的一者或两者相交,通过此种方式,使得在第二方向上,相邻的第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62朝向第一方向的垂直投影连续,而且,各相邻的第一条状阻挡物之间均包括第一开口63,各相邻的第二条状阻挡物之间均包括第二开口64,而且第一开口63和第二开口64在投影到第二方向时互不交叠,通过第一开口63引流至第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62之间的PI液并不能直接从第二开口64的区域扩散至绑定区14中,而是会被第二条状阻挡物62进一步阻挡,因此第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62的组合能够对配向膜形成过程中的PI液起到有效的阻挡作用,避免PI液扩散至绑定区到导电衬垫部分,从而避免对阵列基板的绑定效果造成影响。此外,由于各第一开口63能引导PI液流动,这就有效避免了PI液在第一条状阻挡物附近聚集,防止PI液聚集导致的逆流扩散对显示区造成影响,有利于得到平坦度较高的配向膜,因此,同样有利于提升阵列基板的显示效果。
可选地,请继续参见图4,各第一条状阻挡物61位于同一条第一直线上,各第二条状阻挡物62位于同一条第二直线上,第一直线和第二直线平行。
具体地,图4所示实施例中,条状阻挡物分两行排布,各第一条状阻挡物61位于同一行,各第二条状阻挡物62位于另一行,两行条状阻挡物是平行的。在形成配向膜的过程中,PI液扩散到达扇出走线区13时,靠近显示区设置的各第一条状阻挡物61对PI液起到了首次阻挡作用,由于各第一条状阻挡物61之间设置有第一开口63,各第一开口63又能对PI液起到引流的作用,有效避免PI液在第一条状阻挡物61的一侧聚集而导致PI液向显示区逆流,从而使得显示区的PI液分布不均;若PI液从第一条状阻挡物61之间的第一开口63扩散至第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62之间的空间时,由于第一开口63和第二开口64均是错开设置的,PI液没有直接扩散至绑定区14的通道,而是会受到第二条状阻挡物62的阻挡,由于扇出走线区13表面的对PI液的扩散也能起到一定的阻挡作用,通过第一条状阻挡物61的阻挡作用后进入第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62之间的PI液已经很少,加上第二条状阻挡物62的进一步阻挡作用,大大减少了PI液扩散至绑定区的机会,因此有效避免了PI液与绑定区的导电衬垫接触,有利于提高阵列基板的绑定可靠性,而且能够保证显示区的配向膜的分布均匀性,有利于提升阵列基板的显示效果。
可选地,请继续参见图4,第三扇出走线53和与其间隔设置的第一条状阻挡物61之间的最短距离为D4,D4≥3um。
具体地,为使得相邻第一条状阻挡物61之间的第一开口63与相邻第二条状阻挡物62之间的第二开口64呈错开排布,第一条状阻挡物61在阵列基板所在平面的正投影是与相邻设置的第一扇出走线51和第二扇出走线52在阵列基板所在平面的正投影垂直相交的,而且第一条状阻挡物61与第三扇出走线53不相交(间隔设置),而第二条状阻挡物62分别与一条第三扇出走线53垂直相交,为避免第三扇出走线53之间发生短路现象,第三扇出走线53和与其间隔设置的第一条状阻挡物61之间的最短距离D4≥3um,以使得在阵列基板100的触摸检测阶段,第三扇出走线53能够准确有效的进行触摸信号的传输。
可选地,请继续参见图4,第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62之间的最短距离为D5,D5≥3um。类似地,为避免第一条状阻挡物61和第二条状阻挡物62电连接而使得第三扇出走线53之间发生短路现象,也需要将第一条状物61和第二条状阻挡物62之间的最短距离D5限定在不会发生电连接的距离范围内,即D5≥3um。
可选地,图7所示为本申请实施例所提供的阵列基板中位于扇出走线区的配向膜阻挡结构的一种构成示意图,参见图7,配向膜阻挡结构60由第三扇出走线53嵌套排布形成,任意两条第三扇出走线53彼此绝缘;
各第三扇出走线53分别包括多条沿第一方向延伸的第一线段71和多条沿第二方向延伸的第二线段72,构成同一第三扇出走线53的各第一线段71和第二线段72电连接。
具体地,图7所示实施例中,各第三扇出走线53呈现弯折状且彼此绝缘,并且各第三扇出走线53嵌套排布于扇出走线区13。每条第三扇出走线53分别由多条沿第一方向延伸的第一线段71和沿第二方向延伸的第二线段72构成,沿第二方向延伸的第二线段72对PI液的扩散能够起到阻挡的作用,而且各第三扇出走线53中的各第二线段72朝向第一方向的垂直投影连续,在形成配向膜的过程中,PI液到达扇出走线区13后,各第二线段72能够对PI液起到可靠的阻挡作用,防止PI液进入绑定区影响阵列基板的绑定效果,同时也能避免配向膜扩散而导致显示区的配向膜减薄,进而避免阵列基板出现显示不均的现象,有利于提升阵列基板的绑定效果和显示效果。此外,由于各第二线段72并非连续的,相邻的第三扇出走线53之间具有多个开口区域65,当PI液到达扇出走线区13后,该开口区域65能够为PI液的流动提供通道,能引导PI液流动,避免PI液在第一线段71和第二线段72的交叉区域聚集,有效防止PI液聚集导致的逆流扩散对显示区造成影响,有利于在显示区得到平坦度较高的配向膜,因此同样有利于提升阵列基板的显示效果。另外,本申请的该实施例中直接将嵌套排布的第三扇出走线53作为配向膜阻挡结构60,在制作第三扇出走线53的同时也就完成了配向膜阻挡结构60的制作,无需单独制作配向膜阻挡结构60,因此还有利于节约生产流程,提高阵列基板的生产效率。
可选地,请继续参见图7,相邻设置的两条第一线段71之间的最短距离为D1,相邻设置的两条第二线段72之间的最短距离为D2,相邻设置的第一线段71和第二线段72之间的最短距离为D3,其中,D1≥3um,D2≥3um,D3≥3um。
具体地,图7所示实施例中,第三扇出走线53除要发挥配向膜阻挡结构60的作用,各条第三扇出走线53又是一个独立的个体,还作为触控电极引线的延伸在阵列基板的触控过程中发挥信号传递的作用,各第三扇出走线53之间需要彼此绝缘,因此,这就需要使得相邻的第一线段71和第一线段71之间、相邻的第二线段72和第二线段72之间、以及相邻的第一线段71和第二线段72之间需要保持一定的距离,本申请将相邻的两条线段之间的最小距离取为大于等于3um,这样能够保证两条线段之间彼此绝缘,从而保证相邻的第三扇出走线53之间彼此绝缘,使得第三扇出走线53能够可靠发挥在触控过程中传递信号的作用。
当然,当采用第三扇出走线53作为配向膜阻挡结构60时,第三扇出走线53之间的嵌套方式并不仅限于图7所体现的形式,还可采用其他的嵌套结构,只要保证将各条沿第二方向延伸的第二线段72朝向第一方向的垂直投影连续即可,这样便能够发挥阻挡配向膜形成过程中PI液扩散的作用。
可选地,图8所示为本申请实施例所提供的阵列基板的再一种俯视图,图9所示为图8中阵列基板的一种剖面图,阵列基板100还包括柔性电路板90,柔性电路板90与绑定区中的导电衬垫绑定。
具体地,参见图1和图8,在本申请阵列基板100的绑定区14上绑定柔性电路板90,使柔性电路板90与绑定区14的导电衬垫141电连接,进而通过第一扇出走线51、第二扇出走线52和第三扇出走线53分别实现与显示区11的栅极线81、数据信号线82和触控电极引线83的电连接,如此柔性电路板90就能通过栅极线81向显示区11发送栅极信号,通过数据信号线82向显示区11发送数据信号,对显示区11进行显示控制,还能通过触控电极引线83向触控电极发送控制信号,以实现对阵列基板100的触摸控制。在实际应用过程中,第一基底15设置有弯折特定区域,通过弯折特定区域,可将柔性电路板90反折到阵列基板100的背面,参见图9,通过此种方式能够缩小阵列基板100的边框宽度,实现阵列基板100的窄边框设计,同时还能实现阵列基板100的小尺寸化设计。从图9可看出,本申请阵列基板100的背面还设置有保护膜86,以对本申请的阵列基板进行保护。
需要说明的是,由于柔性电路板90的柔韧性较好,即使第一基地15没有设置弯折特定区域,也可以直接将柔性电路板90弯折到阵列基板100的背面。
可选地,参见图8,阵列基板100还包括控制芯片91,控制芯片91集成在柔性电路板90上。
具体地,请继续参见图8,本申请中的阵列基板100还包括控制芯片91,控制芯片91集成在柔性电路板90上,与柔性电路板90电连接。考虑到本申请中的柔性电路板90依次通过绑定区和扇出走线区13与显示区11中的栅极线81、数据信号线82和触控电极引线83电连接,因此,控制芯片91可依次通过柔性电路板90、绑定区和扇出走线区13向显示区11发送信号,例如可通过第一扇出走线51线向显示区11发送栅极信号,通过第二扇出走线52向显示区11发送数据信号,以实现对显示区11的显示控制,还可通过第三扇出走线53向触控电极发送触控信号,以实现对显示区11的触摸控制。在实际应用的过程中,图8所示实施例中集成有控制芯片91的柔性电路板90会通过弯折区反折到阵列基板100背面,参见图9,如此有利于缩小阵列基板100的下边框,实现阵列基板100的窄边框设计。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示面板,图10所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种截面图,该显示面板300包括相对设置的阵列基板100和彩膜基板200,以及填充于阵列基板100和彩膜基板200之间的液晶301,该阵列基板200为本申请上述实施例所提供的阵列基板。本申请中显示面板300的实施例可参见上述阵列基板100的实施例,重复之处此处不再赘述。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示装置。图11所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构示意图,参见图11,本申请中的显示装置400还包括显示面板300,该显示面板300为本申请上述实施例中的显示面板300。本申请实施例所提供的显示装置400可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。本申请中显示装置400的实施例可参见上述显示面板300的实施例,重复之处此处不再赘述。
通过以上各实施例可知,本申请存在的有益效果是:
本申请实施例所提供的阵列基板、显示面板和显示装置中,在显示区和绑定区之间的扇出走线区设置了配向膜阻挡结构,在第二方向上,相邻两个配向膜阻挡结构朝向第一方向的垂直投影连续,此种配向膜阻挡结构能够有效阻挡配向膜扩散至绑定区,因此不会对显示面板的绑定效果造成影响,同时也能避免配向膜扩散而导致显示区的配向膜减薄,进而避免显示面板出现显示不均的现象,有利于提升显示面板及显示装置的绑定效果和显示效果。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例,但如前所述,应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围,则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (7)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述显示区包括若干信号引线;
绑定区,设置在所述非显示区,所述绑定区包括若干导电衬垫;
扇出走线区,设置在所述显示区和所述绑定区之间,所述扇出走线区包括若干第一扇出走线、若干第二扇出走线和若干第三扇出走线,所述第一扇出走线和所述第二扇出走线沿第一方向延伸并沿第二方向排布,所述第一扇出走线、所述第二扇出走线和所述第三扇出走线分别位于不同膜层;所述显示区中的信号引线分别通过所述第一扇出走线、第二扇出走线和第三扇出走线与所述导电衬垫电连接;
设置在所述扇出走线区的配向膜阻挡结构,所述配向膜阻挡结构与所述第三扇出走线同层设置,在所述第二方向上,相邻两个所述配向膜阻挡结构朝向所述第一方向的垂直投影连续;
所述配向膜阻挡结构由所述第三扇出走线嵌套排布形成,任意两条所述第三扇出走线彼此绝缘;
各所述第三扇出走线分别包括多条沿第一方向延伸的第一线段和多条沿第二方向延伸的第二线段,构成同一所述第三扇出走线的各所述第一线段和所述第二线段电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻设置的两条所述第一线段之间的最短距离为D1,相邻设置的两条所述第二线段之间的最短距离为D2,相邻设置的所述第一线段和所述第二线段之间的最短距离为D3,其中,D1≥3um,D2≥3um,D3≥3um。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述显示区的配向膜,所述配向膜位于所述第三扇出走线所在膜层背离所述第二扇出走线所在膜层的一侧;所述配向膜的厚度小于所述配向膜阻挡结构的厚度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括柔性电路板,所述柔性电路板与所述绑定区中的所述导电衬垫绑定。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括控制芯片,所述控制芯片集成在所述柔性电路板上。
6.一种显示面板,其特征在于,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶,所述阵列基板为权利要求1至5之任一所述的阵列基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板,所述显示面板为权利要求6所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711225953.8A CN107884994B (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711225953.8A CN107884994B (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107884994A CN107884994A (zh) | 2018-04-06 |
CN107884994B true CN107884994B (zh) | 2021-04-16 |
Family
ID=61775975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711225953.8A Active CN107884994B (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107884994B (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109118966B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-01-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN208999726U (zh) * | 2018-09-30 | 2019-06-18 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN109212845B (zh) * | 2018-10-25 | 2021-09-17 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN109407427B (zh) * | 2018-11-05 | 2021-01-08 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN209496223U (zh) | 2018-11-09 | 2019-10-15 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN109449169B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN110147018B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-01-18 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法 |
CN110379841B (zh) * | 2019-07-25 | 2021-08-13 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110931515B (zh) * | 2019-12-06 | 2022-08-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 |
CN111142288B (zh) * | 2020-02-25 | 2021-06-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置 |
CN111367437B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其检测维护方法、显示装置 |
WO2021253156A1 (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111653603B (zh) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN112051691B (zh) * | 2020-09-11 | 2022-04-19 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN115244455B (zh) * | 2021-02-25 | 2023-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN115220272A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-10-21 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
TWI815644B (zh) * | 2022-09-06 | 2023-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN116679492A (zh) * | 2023-06-27 | 2023-09-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5520614B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-06-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
CN102236208A (zh) * | 2010-04-22 | 2011-11-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器 |
CN106501983B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-08-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN107037646A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
-
2017
- 2017-11-29 CN CN201711225953.8A patent/CN107884994B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107884994A (zh) | 2018-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107884994B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN107331294B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US11195470B2 (en) | Display device | |
KR101771562B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101290709B1 (ko) | 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
KR101476276B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US9750140B2 (en) | Display device | |
US11735597B2 (en) | Array substrate, display panel, display device and method of manufacturing an array substrate | |
KR102007833B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 | |
JP6388298B2 (ja) | 薄膜トランジスター表示板 | |
EP3088951B1 (en) | Array substrate, preparation method thereof, motherboard comprising array substrate and display apparatus | |
US10606388B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and touch display panel | |
JP2006178368A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 | |
CN112071206B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR101593099B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
WO2015096340A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN215067646U (zh) | 显示基板、显示模组和显示装置 | |
US8390769B2 (en) | Liquid crystal display | |
CN112904632A (zh) | 显示基板、显示模组和显示装置 | |
KR101509111B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
CN110993677A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
TW202022826A (zh) | 畫素陣列基板及其驅動方法 | |
WO2024087117A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
JP2008233417A (ja) | マトリクスアレイ基板、及びこれを用いた平面表示装置 | |
CN113778262A (zh) | 一种触控基板及触控显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |