CN107884960A - 光调制器及光发送装置 - Google Patents
光调制器及光发送装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107884960A CN107884960A CN201710895741.4A CN201710895741A CN107884960A CN 107884960 A CN107884960 A CN 107884960A CN 201710895741 A CN201710895741 A CN 201710895741A CN 107884960 A CN107884960 A CN 107884960A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive pattern
- optical modulator
- resonant frequency
- different
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0316—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0327—Operation of the cell; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/50—Phase-only modulation
Abstract
本发明提供一种光调制器及光发送装置。光调制器具备对高频信号输入用的引脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板,降低形成在该中继基板上的多个导体图案间的以谐振为起因的干扰的影响,防止高频特性的恶化。具备:具备多个信号电极(112a等)的光调制元件(102);用于输入高频信号的多个引脚(116a等);及形成有将所述引脚与所述信号电极电连接的导体图案(202a等)的中继基板(118),至少一个所述导体图案以该至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个所述导体图案具有的至少一个谐振频率不同的方式构成。
Description
技术领域
本发明涉及光调制器,尤其是涉及具备对设置于外壳的高频信号输入用的导体(例如引脚)与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器及使用了该光调制器的光发送装置。
背景技术
在高速/大容量光纤通信系统中,多使用装入有波导型的光调制元件的光调制器。其中,将具有电光效应的LiNbO3(以下,也称为LN)使用于基板的光调制元件由于光的损失少且能实现宽带的光调制特性,因此广泛地使用于高速/大容量光纤通信系统。
在使用了该LN基板的光调制元件中,设置有马赫-曾德尔型光波导、用于向该光波导施加作为调制信号的高频信号的RF电极、以及为了良好地保持该波导的调制特性而用于进行各种调整的偏压电极。并且,设置于光调制元件的这些电极经由在收容该光调制元件的光调制器的外壳上设置的引脚或连接器而与搭载有用于使光调制器进行调制动作的电路的电路基板连接。
光纤通信系统的调制方式受到近年来的传送容量的增大化的潮流的影响,QPSK(Quadrature Phase Shift Keying:正交相移键控)或DP-QPSK(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying:双极化正交相移键控)等多值调制、或者在多值调制中引入了极化复用的传送格式成为主流,在主干光传送网络中使用,但是也正在向城域网络导入。
进行QPSK调制的光调制器(QPSK光调制器)或进行DP-QPSK调制的光调制器(DP-QPSK光调制器)具备被称为所谓嵌套式的成为套匣构造的多个马赫-曾德尔型光波导,并且具备多个高频信号电极及多个偏压电极(例如,参照专利文献1),因此光调制器的外壳的尺寸存在大型化的倾向。然而,最近,与之相反,对于该调制器的小型化的要求不断升高。
作为应对该小型化的要求的一个对策,以往,提出了如下的光调制器:将作为RF电极的接口而设置于光调制器的外壳上的插入式的同轴连接器置换为与偏压电极用的接口同样的引脚及与这些引脚电连接的FPC(柔性配线板(FPC:Flexible Printed Circuits),由此能够与外部的电路基板进行电连接(例如,参照专利文献1)。
例如,在DP-QPSK光调制器中,使用由分别具有RF电极的4个马赫-曾德尔型光波导构成的光调制元件。这种情况下,在光调制器的外壳设置有4个插入式同轴连接器的话,外壳的大型化不可避免,但是如果取代同轴连接器而使用引脚和FPC,则能够实现小型化。
另外,光调制器的外壳的引脚与搭载有用于使该光调制器进行调制动作的电路(驱动电路)的电路基板之间经由上述FPC而连接,因此不需要进行以往使用的同轴线缆的冗长处理,能够缩小光发送装置内的光调制器的安装空间。
在这样的外壳具备高频电信号输入用的引脚的光调制器中,通常,该引脚与收容于外壳内的光调制元件的电极之间经由配设在该外壳内的中继基板来连接(例如,参照专利文献1)。
图13A、13B、13C是表示这样的现有的光调制器的结构的一例的图。在此,图13A是表示搭载在电路基板1330上的现有的光调制器1300的结构的俯视图,图13B是该现有的光调制器1300的侧视图,图13C是该现有的光调制器1300的仰视图。本光调制器1300具备光调制元件1302、收容光调制元件1302的外壳1304、柔性配线板(FPC)1306、用于使光向光调制元件1302入射的光纤1308、将从光调制元件1302输出的光向外壳1304的外部引导的光纤1310。
光调制元件1302是DP―QPSK光调制器,具备设置在例如LN基板上的4个马赫-曾德尔型光波导、以及分别设置在该马赫-曾德尔型光波导上而调制在光波导内传播的光波的4个高频电极(RF电极)1312a、1312b、1312c、1312d。
外壳1304由将光调制元件1302固定的壳体1314a和罩1314b构成。需要说明的是,为了便于理解外壳1304内部的结构,在图13A中,在图示左方仅示出罩1314b的一部分。
在壳体1304a设置有4个引脚1316a、1316b、1316c、1316d。这些引脚1316a、1316b、1316c、1316d由玻璃密封部1400a、1400b、1400c、1400d(后述)密封,从外壳1304的底面(图13C所示的面)向外部延伸,通过形成在FPC1306上的通孔和钎料等来连接。
引脚1316a、1316b、1316c、1316d经由中继基板1318而与光调制元件1302的RF电极1312a、1312b、1312c、1312d的一端分别电连接。
RF电极1312a、1312b、1312c、1312d的另一端分别通过终端器1320而电气性地形成终端。
图14A是图13A所示的光调制器1300的F部的局部详情图,图14B是图13A所示的光调制器1300的GG剖视向视图。引脚1316a、1316b、1316c、1316d经由设置于壳体1314a的玻璃密封部1400a、1400b、1400c、1400d分别从外壳1304内部向外壳1304外部延伸,从该外壳1304的下表面(图13C所示的面)突出而被钎料固定于FPC1306的通孔。
引脚1316a、1316b、1316c、1316d配设在图14A中的中继基板1318的图示下侧(图14B中的中继基板1318的图示左侧)的边(引脚侧边缘1410)的附近,分别通过钎料1404a、1404b、1404c、1404d而与设置在该中继基板1318上的导体图案1402a、1402b、1402c、1402d电连接。
另外,导体图案1402a、1402b、1402c、1402d分别通过例如金丝1406a、1406b、1406c、1406d而与配设在图14A中的中继基板1318的图示上侧(图14B中的中继基板1318的图示右侧)的边(调制器侧边缘1412)的附近的、光调制元件1302的图示下端部(图14B中的光调制元件1302的图示左端部)的RF电极1312a、1312b、1312c、1312d电连接。
形成在中继基板1318上的导体图案1402a、1402b、1402c、1402d通常构成为相互平行的直线图案,以使从各引脚1316a、1316b、1316c、1316d至与该各引脚1316a、1316b、1316c、1316d对应的各RF电极1312a、1312b、1312c、1312d的高频信号的传播距离最短,使信号传播损失和时滞(传播延迟时间差)最小。因此,光调制器1300使各引脚1316a、1316b、1316c、1316d间的间隔与各RF电极1312a、1312b、1312c、1312d间的间隔相同。
另外,通常,从通过上述玻璃密封部1400a等密封的引脚1316a等输入的电信号为几十GHz的高频信号(微波信号)。因此,通过使引脚1316a等的设计阻抗、形成在中继基板1318上的导体图案1402a等的设计阻抗、及光调制元件1302的RF电极1312a等的设计阻抗为例如相互相同的值(例如50Ω)来实现阻抗匹配。由此,能抑制从引脚1316a等经由中继基板1318上的导体图案1402a等而直至光调制元件1302的RF电极1312a等的高频传送路的高频信号的反射。
通过上述结构,在光调制器1300中,从形成在电路基板1330上的导体图案1332a、1332b、1332c、1332d(图1A)经由FPC1306向引脚1316a、1316b、1316c、1316d输入的高频电信号经由中继基板1318向光调制元件1302的RF电极1312a、1312b、1312c、1312d输入。
然而,即使在如上所述实现了阻抗匹配的光调制器1300中,噪声信号成分也会与光调制器元件1302的各RF电极1312a等重叠,有时会产生光调制器1300的眼图消光比或抖动等的高频特性恶化,光发送装置的传送特性恶化等问题。
本发明的发明人针对此问题进行了仔细研讨的结果是得到了如下的见解:此问题的一个原因是在一个导体图案(1402a等)中传播的高频在中继基板的两端部反复反射而谐振,该谐振的高频与另一个导体图案(1402b等)产生谐振,由此该高频波的功率的一部分向该另一个导体图案迁移的现象(以后,称为谐振迁移(resonant transition))。
即,中继基板1318的一个端部的与引脚1316a等连接的连接部是在该引脚1316a等中传播的高频波的传播方向朝向中继基板1318上的导体图案1402a等弯折90度的部分(图14B),即使在引脚1316a等与导体图案1402a等之间使设计阻抗一致,也无法充分地抑制上述一个端部处的高频波的反射。
另外,在中继基板1318的另一个端部的与光调制元件1302的RF电极1312a等连接的连接部中,也是由于在中继基板1318(例如陶瓷)与光调制元件1302的基板(例如铌酸锂)这样具有不同的介电常数的两个基板上分别形成的图案(导体图案1402a等和RF电极1312a等)隔着空间例如经由丝线来连接,因此即使这些图案的设计阻抗相同,也难以完全抑制上述另一个端部处的高频波的反射。
其结果是,通过在中继基板1318的两端部产生的高频波的反射,从而在导体图案1402a等中传播的高频波在以作为分布常数线路的该导体图案1402a等的电长度来确定的固有的谐振频率下具有极大功率。并且,具有该极大功率的谐振频率成分作为反射波向电信号源侧返回而使外部电路(例如,输出各RF电极1312a等用的高频电信号的驱动电路)的动作不稳定,或者作为行波(或透射波)而到达RF电极1312a等成为噪声。
尤其是在现有的光调制器1300的中继基板1318中,如上所述,为了使信号传播损失和时滞最小而导体图案1402a、1402b、1402c、1402d构成为相互平行的直线图案,因此这些导体图案各自的谐振频率大致相同。其结果是,如果在一个导体图案产生谐振,则具有极大功率的该谐振频率的高频成分由另一个导体图案接收而产生上述谐振迁移。
并且,在产生这样的谐振迁移的情况下,在一个导体图案产生的高功率的谐振频率成分不仅给对应的一个RF电极的动作造成影响,而且经由上述谐振迁移也会给另一个RF电极的动作造成影响,因此尤其是如DP-QPSK调制器那样4个RF电极协作而进行光调制动作的器件的情况下,在上述一个导体图案产生的高功率的谐振频率成分成为在4个RF电极分别产生的4个噪声的协同效应而出现,使调制光的眼图消光比或抖动等高频特性恶化。
另外,多个高频信号在狭窄的区域内并行地传播时容易产生这样的谐振迁移,且输入的高频信号的功率(例如高频信号的振幅)越大,则越容易产生这样的谐振迁移。例如,在具有4个高频信号输入的DP-QPSK调制器中,由于向各个电极输入具有半波电压的2倍的振幅的高频信号,因此在如上所述使用FPC而缩窄引脚间隔的结构中,高功率的高频信号输入集中于狭窄的区域,成为谐振迁移更容易发生的环境。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2016-109941号
发明内容
【发明的概要】
【发明要解决的课题】
出于上述背景,在具备对高频信号输入用的引脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器中,希望降低形成在该中继基板上的多个导体图案间的上述谐振迁移的影响,防止光调制特性(例如,眼图消光比或抖动等高频特性)的恶化。
【用于解决课题的方案】
本发明的一方式涉及一种光调制器,具备:光调制元件,具备多个信号电极;多个引脚,用于输入高频信号;及中继基板,形成有将所述引脚与所述信号电极电连接的导体图案。并且,该光调制器中的至少一个所述导体图案构成为,该至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个所述导体图案具有的至少一个谐振频率不同。
根据本发明的另一方式,所述至少一个所述导体图案构成为,该至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与和该至少一个导体图案相邻的所述导体图案具有的至少一个谐振频率不同。
根据本发明的另一方式,所述至少一个导体图案构成为,通过具有与其他的至少一个所述导体图案不同的电长度,而该至少一个所述导体图案具有的至少一个谐振频率与所述其他的至少一个所述导体图案具有的谐振频率不同。
根据本发明的另一方式,所述至少一个导体图案构成为,通过具有与其他的至少一个所述导体图案不同的物理长度,而具有与所述其他的至少一个所述导体图案不同的电长度。
根据本发明的另一方式,所述至少一个导体图案构成为,通过包括具有与其他的至少一个所述导体图案不同的宽度的部分,而具有与所述其他的至少一个所述导体图案不同的电长度。
根据本发明的另一方式,所述至少一个导体图案构成为,通过该至少一个导体图案的宽度构成为以与其他的至少一个所述导体图案不同的方式变化,而具有与该其他的一个导体图案不同的电长度。
根据本发明的另一方式,所述至少一个导体图案构成为,包括由一个或多个弯曲部分划分的部分,且该划分的部分的至少一个部分的谐振频率与其他的一个所述导体图案的至少一个谐振频率不同。
根据本发明的另一方式,所述至少一个导体图案构成为,包括经由电气部件而连接的部分,经由该电气部件而连接的部分的至少一方的谐振频率与其他的一个所述导体图案的至少一个谐振频率不同。
根据本发明的另一方式,所述引脚的至少一个引脚在所述中继基板的外周的一部分处与一个所述导体图案电连接,并且,所述中继基板具有至少一个贯通孔,所述引脚的其他的至少一个引脚插通于所述贯通孔而与所述导体图案的其他的一个导体图案电连接。
根据本发明的另一方式,所述中继基板具有供所述引脚的各个引脚分别插通的多个贯通孔,所述引脚的各个引脚分别插通于所述贯通孔的各个贯通孔而与所述导体图案的各个导体图案分别电连接,并且,所述光调制元件的所述信号电极在所述中继基板的一条边处与所述导体图案的各个导体图案分别电连接,从至少一个所述贯通孔至所述一条边的距离与从其他的所述贯通孔至所述一条边的距离不同。
根据本发明的另一方式,所述至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率所对应的该导体图案的部分的电长度、及所述其他的至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率所对应的该导体图案的部分的电长度不是一者的电长度为另一者的电长度的整数倍的关系,或者,所述至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率、及所述其他的至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率不是一者的谐振频率为另一者的谐振频率的整数倍的关系。
本发明的另一方式涉及一种光发送装置,具备:上述的任一个光调制器;及输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号的电路。
附图说明
图1A是表示本发明的第一实施方式的光调制器的结构的该光调制器的俯视图。
图1B是本发明的第一实施方式的光调制器的侧视图。
图1C是本发明的第一实施方式的光调制器的仰视图。
图2A是图1A所示的光调制器的A部的局部详情图。
图2B是图1A所示的光调制器的BB剖视向视图。
图3是表示图2A所示的第一实施方式的光调制器的中继基板的第一变形例的图。
图4是表示图2A所示的第一实施方式的光调制器的中继基板的第二变形例的图。
图5是表示本发明的第二实施方式的光调制器的结构的俯视图。
图6是图5所示的光调制器的C部的局部详情图。
图7是表示图6所示的第二实施方式的光调制器的中继基板的变形例的图。
图8是表示本发明的第三实施方式的光调制器的结构的俯视图。
图9是图8所示的光调制器的D部的局部详情图。
图10是表示本发明的第四实施方式的光调制器的结构的俯视图。
图11是图10所示的光调制器的E部的局部详情图。
图12是表示本发明的第五实施方式的光发送装置的结构的图。
图13A是表示现有的光调制器的结构的该光调制器的俯视图。
图13B是现有的光调制器的侧视图。
图13C是现有的光调制器的仰视图。
图14A是图13A所示的光调制器的F部的局部详情图。
图14B是图13A所示的光调制器的GG剖视向视图。
【标号说明】
100、500、800、1000、1300…光调制器,102、502、1302…光调制元件,104、804、1004、1304…外壳,106、1306…FPC,108、110、1308、1310…光纤,112a、112b、112c、112d、512a、512b、512c、512d、1312a、1312b、1312c、1312d…RF电极,114a、814a、1014a、1314a…壳体,114b、1314b…罩,116a、116b、116c、116d、816a、816b、816c、816d、1016a、1016b、1016c、1016d、1316a、1316b、1316c、1316d…引脚,118、318、418、518、718、818、1018、1318…中继基板,120、1320…终端器,200a、200b、200c、200d、1400a、1400b、1400c、1400d…玻璃密封部,202a、202b、202c、202d、302a、302b、302c、302d、402a、402b、402c、402d、602a、602b、602c、602d、702a、702b、702c、702d、902a、902b、902c、902d、1102a、1102b、1102c、1102d、1332a、1332b、1332c、1332d、1402a、1402b、1402c、1402d…导体图案,204a、204b、204c、204d、604a、604b、604c、604d、904a、904b、904c、904d、1104a、1104b、1104c、1104d、1404a、1404b、1404c、1404d…钎料,206a、206b、206c、206d、606a、606b、606c、606d、1406a、1406b、1406c、1406d…丝线,210、610、910、1110、1410…引脚侧边缘,212、612、912、1112、1412…调制器侧边缘,410a、410b、410c、410d、710a、710b、710c、710d…电气部件,920a、920b、1120a、1120b、1120c、1120d…孔,1200…光发送装置,1204…光源,1206…调制信号生成部,1208…调制数据生成部,1330…电路基板。
具体实施方式
以下,参照附图,说明本发明的实施方式。
<第一实施方式>
图1A、1B、1C是表示本发明的第一实施方式的光调制器的结构的图。在此,图1A、1B、1C分别是本光调制器的俯视图、侧视图、仰视图。
本光调制器100具备光调制元件102、收容光调制元件102的外壳104、柔性配线板(FPC)106、用于使光向光调制元件102入射的光纤108、以及将从光调制元件102输出的光向外壳104的外部引导的光纤110。
光调制元件102是DP―QPSK光调制器,具备设置在例如LN基板上的4个马赫-曾德尔型光波导、分别设置在该马赫-曾德尔型光波导上而对于在光波导内传播的光波进行调制的4个高频电极(RF电极)112a、112b、112c、112d。从光调制元件102输出的两个光由例如透镜光学系统(未图示)进行极化合成,经由光纤110向外壳104的外部引导。
外壳104由将光调制元件102固定的壳体114a和罩114b构成。需要说明的是,为了便于理解外壳104内部的结构,在图1A中,在图示左方仅示出罩114b的一部分,但是实际上,罩114b以覆盖箱状的壳体114a的整体的方式配设而对外壳104的内部进行气密密封。
在壳体104a设置有高频信号输入用的导体即4个引脚116a、116b、116c、116d。这些引脚116a、116b、116c、116d从外壳104的底面(图1C所示的面)向外部延伸,通过钎料等而与形成在FPC106上的通孔连接。
引脚116a、116b、116c、116d经由中继基板118而与光调制元件102的RF电极112a、112b、112c、112d的一端分别电连接。需要说明的是,关于中继基板118的结构在后文叙述。
RF电极112a、112b、112c、112d的另一端分别通过终端器120而形成终端。
图2A是图1A所示的光调制器100的A部的局部详情图,图2B是图1A所示的光调制器100的BB剖视向视图。引脚116a、116b、116c、116d经由设置于壳体104a的玻璃密封部200a、200b、200c、200d,分别从外壳104内部向外壳104外部延伸,从该外壳104的下表面(图1C所示的面)突出而被钎料固定于FPC106的通孔。
引脚116a、116b、116c、116d配设在图2A中的中继基板118的图示下侧(图2B中的中继基板118的图示左侧)的边(引脚侧边缘210)的附近,分别通过钎料204a、204b、204c、204d而与设置在该中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d电连接。
另外,导体图案202a、202b、202c、202d分别通过例如金丝206a、206b、206c、206d而与配设在图2A中的中继基板118的图示上侧(图2B中的中继基板118的图示右侧)的边(调制器侧边缘212)的附近的、光调制元件102的图示下端部(图2B中的光调制元件102的图示左端部)的RF电极112a、112b、112c、112d电连接。
需要说明的是,设置在中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d可以使用微带线路、共平面线路、接地共平面线路等作为高频用的信号线路而公知的线路构造来构成,对应于该构造,在中继基板118上也可设置接地图案(未图示)。而且,该接地图案经由FPC106上的导体图案(未图示)或导电性的外壳104而与外部的接地线连接,并按照现有技术,通过引线接合等而与光调制元件102上的接地用图案(未图示)连接。
通过上述结构,从例如设置在外壳104外部的驱动装置(例如构成有驱动电路的印制配线板(PWB))经由FPC106向引脚116a、116b、116c、116d输入的高频信号经由中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d分别向光调制元件102的RF电极112a、112b、112c、112d输入,在光调制元件102中进行光调制动作。
在本实施方式中,光调制元件102的RF电极112a、112b、112c、112d分别配设在与引脚116a、116b、116c、116d相对的位置,中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d构成为直线状图案。
另外,尤其是在本实施方式中,调制器侧边缘212一侧的中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d的宽度w22构成得比引脚侧边缘210一侧的导体图案202a、202b、202c、202d的宽度w21宽。而且,导体图案202a、202b、202c、202d各自的具有宽度w22的部分(宽幅部分)的长度L21、L22、L23、L24互不相同,且导体图案202a、202b、202c、202d中的具有宽度w21的部分(窄幅部分)的长度也各不相同。
由此,导体图案202a、202b、202c、202d各自的作为分布常数线路的电长度互不相同,将引脚侧边缘210及调制器侧边缘212分别作为反射端而产生的导体图案202a、202b、202c、202d各自的谐振频率互不相同。其结果是,能抑制导体图案202a、202b、202c、202d间的高频功率的谐振迁移,能良好地确保光调制器100的光调制特性。
需要说明的是,在本实施方式中,导体图案202a、202b、202c、202d分别具有不同的谐振频率,但是并不局限于此,可以构成为例如至少一个导体图案具有与其他的至少一个导体图案不同的谐振频率。例如,可以是至少一个导体图案的宽幅部分的长度与其他的至少一个导体图案的宽幅部分的长度不同(例如,L21=L22=L23≠L24)。在这样的结构中,也能够发挥一定的(一定程度的)谐振迁移的抑制效果。
另外,可以构成为至少一个导体图案具有与和该导体图案相邻的其他的两个导体图案不同的谐振频率(例如,L22≠L21且L22≠L23,或者,(L21=L23)≠(L23=L24))。
如上所述,本实施方式梯级状地改变导体图案202a、202b、202c、202d的宽度,使导体图案202a、202b、202c、202d的电长度互不相同。由此,使该导体图案202a、202b、202c、202d的谐振频率互不相同,来防止该导体图案202a、202b、202c、202d间的谐振迁移。
在此,各导体图案的宽度的变化的方式并不局限于本实施方式那样宽度w21与宽度w22之间的梯级状的变化,只要能够使多个导体图案的电长度互不相同而使谐振频率互不相同即可,可以设为任意的方式。例如,可以使各导体图案的宽度以互不相同的方式(例如每单位长度的宽度的变化率在导体图案间互不相同)逐渐变化,或者相比图2A的各导体图案的结构(2级结构)而为更多等级(例如,各等级的长度在导体图案间互不相同)。而且,例如,各导体图案可以由长度互不相同的一个或多个宽度w21的部分和长度互不相同的一个或多个宽度w22的部分构成。此外,多个导体图案可以分别具有互不相同的宽度。
需要说明的是,本实施方式如上所述,局部地改变多个导体图案的宽度而使电长度不同,由此使该多个导体图案的谐振频率不同而防止谐振迁移,但是并不局限于此,也可以通过使多个导体图案的物理长度不同而使电长度不同。这种情况下,在多个导体图案间,高频信号传播的时滞增大,但是这样的时滞通过在输出用于使光调制器100进行调制动作的信号的电路(驱动电路、driver电路)中使用数字信号处理器(DSP,Digital SignalProcessor)等能够补偿。
另外,在本实施方式中,多个导体图案分别具有互不相同的一个谐振频率,但是并不局限于此,可以是各导体图案分别具有多个谐振频率,且至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率不同。在这样的结构中,能够在一定程度上抑制多个导体图案间的谐振迁移。
接下来,使用图3及图4,说明第一实施方式的变形例。以下所示的中继基板可以取代中继基板118而使用于光调制器100。
〔第一变形例〕
首先,说明第一变形例。
在图2A所示的中继基板118中,通过使直线状的导体图案202a、202b、202c、202d的电长度互不相同而使该导体图案的谐振频率互不相同,从而防止导体图案间的谐振迁移。
相对于此,在本变形例中,在多个导体图案分别设置弯曲部,通过该弯曲部划分的部分的物理长度在导体图案间互不相同。
设置于各导体图案的弯曲部作为高频波的反射点发挥功能,因此各导体图案分别具有多个谐振频率,且通过弯曲部划分的部分的物理长度在导体图案间互不相同,因此各导体图案具有的该多个谐振频率在导体图案间互不相同。其结果是,能减轻或抑制或防止导体图案间的高频功率的谐振迁移。
图3是通过与图2A对应的局部详情图来表示能够取代中继基板118而使用的本变形例的中继基板318的结构的图。在图3中,关于与图2A所示的中继基板118相同的结构元件,使用与图2A中的标号相同的标号,并引用上述的关于图2A的说明。
图3所示的中继基板318具有与图2A所示的中继基板118同样的结构,但是取代导体图案202a、202b、202c、202d而具备与这些导体图案的配置不同的导体图案302a、302b、302c、302d。在此,光调制元件102的RF电极112a、112b、112c、112d分别从与引脚116a、116b、116c、116d相对的位置向图示右方向(例如沿着引脚侧边缘210或调制器侧边缘212的方向)位移规定距离。这样的结构例如在将光调制元件102向壳体104a安装时,通过将该光调制元件102的安装位置向图示右方向错开上述规定距离来实现。需要说明的是,在图3所示的例子中,全部的RF电极112a、112b、112c、112d沿着引脚侧边缘210或调制器侧边缘212的方向位移相同规定距离,但是规定距离可以不是全部相同的距离。例如,可以是在光调制元件102中使RF电极112a、112b、112c、112d的间隔为不等间隔,RF电极112a、112b、112c、112d分别从与引脚116a、116b、116c、116d相对的位置分别位移不同的规定的距离。
中继基板318的各导体图案302a、302b、302c、302d分别具备两个弯曲部R31及R32、R33及R34、R35及R36、以及R37及R38。而且,在两个弯曲部之间分别具有沿图示左右方向延伸规定距离的部分,由此将RF电极112a、112b、112c、112d与对应的引脚116a、116b、116c、116d连接。
尤其是在本变形例中,各导体图案302a、302b、302c、302d的从调制器侧边缘212至最近的弯曲部R31、R33、R35、R37的距离L31、L32、L33、L34互不相同,且从引脚侧边缘210至最近的弯曲部R32、R34、R36、R38的距离也互不相同。
如上所述,导体图案的弯曲部作为高频信号的反射点发挥功能,因此各导体图案302a、302b、302c、302d分别具有由引脚侧边缘210与弯曲部R32、R34、R36、R38的反射产生的谐振频率、及由调制器侧边缘212与弯曲部R31、R33、R35、R37的反射产生的谐振频率。
并且,从调制器侧边缘212至最近的弯曲部R31、R33、R35、R37的距离L31、L32、L33、L34互不相同,且从引脚侧边缘210至最近的弯曲部R32、R34、R36、R38的距离也互不相同,因此由引脚侧边缘210与弯曲部R32、R34、R36、R38的反射产生的谐振频率、及由调制器侧边缘212与弯曲部R31、R33、R35、R37的反射产生的谐振频率分别在导体图案间互不相同。
其结果是,能防止导体图案302a、302b、302c、302d间的高频功率的谐振迁移。而且,在本变形例中,导体图案302a、302b、302c、302d间的物理长度相同,因此能够使在各导体图案302a、302b、302c、302d中传播的高频信号的时滞大致为0。需要说明的是,关于各导体图案302a、302b、302c、302d中的由引脚侧边缘210的端面反射与调制器侧边缘212的端面反射产生的谐振,设置于各导体图案的弯曲部R31等作为高频损失部发挥功能,因此该谐振的Q值下降,因此能够降低包含弯曲部R31等的导体图案302a等的整体的电长度的对于谐振的贡献。
另外,在本变形例中,导体图案302a中的弯曲部R31与R32之间的部分、导体图案302b中的弯曲部R33与R34之间的部分、导体图案302c中的弯曲部R35与R36之间的部分、导体图案302d中的弯曲部R37与R38之间的部分的距离短且该部分的谐振频率成为光调制元件102的动作频率范围外,因此具有相同的物理长度。但是,这些部分的物理长度也可以构成为互不相同。
此外,在本变形例中,各导体图案302a、302b、302c、302d分别具有一定的宽度,但是通过弯曲部R31等划分的各部分也可以在导体图案间成为互不相同的宽度。更具体而言,可以构成为从弯曲部R31、R33、R35、R37分别至调制器侧边缘212的部分在导体图案间成为互不相同的宽度,或者构成为从弯曲部R31、R33、R35、R37分别至弯曲部R32、R34、R36、R38的部分在导体图案间成为互不相同的宽度,或者从弯曲部R32、R34、R36、R38分别至引脚侧边缘210的部分在导体图案间成为互不相同的宽度。这种情况下,构成为在导体图案间成为互不相同的宽度的各部分即使构成为在导体图案间物理长度成为相同(例如,在构成为从弯曲部R31、R33、R35、R37分别至调制器侧边缘212的部分在导体图案间成为互不相同的宽度时,即使L31=L32=L33=L34),该各部分的电长度也互不相同,因此各导体图案的谐振频率互不相同,能够防止谐振迁移。
另外,在本变形例中,使从导体图案302a、302b、302c、302d各自的调制器侧边缘212至最近的弯曲部R31、R33、R35、R37的距离L31、L32、L33、L34全部互不相同,使各导体图案302a、302b、302c、302d(至少在光调制器102的动作频率范围内)分别具有不同的谐振频率,但是并不局限于此,至少在相邻的导体图案间使距离L31、L32、L33、L34互不相同(例如,(L31=L33)≠(L32=L34)),即使在该相邻的导体图案间谐振频率不同,也能够在一定程度上抑制谐振迁移。
另外,在本变形例中,各导体图案302a、302b、302c、302d分别具有不同的谐振频率,但是并不局限于此,可以构成为至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率不同。即使是这样的结构,也能够在一定程度上降低导体图案间的谐振迁移的影响而减轻或防止光调制特性的恶化。这种情况下,上述其他的至少一个导体图案优选为与上述至少一个导体图案相邻的导体图案。例如,可以使一个导体图案中的通过至少一个弯曲部划分的至少一个部分的电长度(例如,物理长度或宽度)与其他的至少一个导体图案中的通过至少一个弯曲部划分的至少一个部分的电长度不同。
另外,在本变形例中,在图3中,各导体图案302a、302b、302c、302d各自的两个弯曲部记载为使分别对应的导体图案弯折90度的结构,但是并不局限于此,该弯曲部可以由具有有限的曲率半径的曲线构成。而且,该弯曲部的弯曲角只要在该弯曲部分产生有助于谐振的高频反射即可,可以设为任意的角度。
〔第二变形例〕
接下来,说明图1所示的光调制器100使用的中继基板118的第二变形例。
在图2A所示的中继基板118中,导体图案202a、202b、202c、202d分别包括宽幅部分和窄幅部分,在导体图案间使宽幅部分及窄幅部分的长度互不相同而使各导体图案的电长度互不相同,由此使该导体图案的谐振频率不同,从而防止导体图案间的谐振迁移。
相对于此,本变形例的中继基板与中继基板118同样,多个导体图案分别包括宽幅部分和窄幅部分,且该宽幅部分的长度及窄幅部分的长度在导体图案间互不相同,但是宽幅部分与窄幅部分经由电气部件(例如,由被动电气部件构成的高通滤波器或带通滤波器)而连接。该电气部件与宽幅部分及窄幅部分的连接点分别作为高频波的反射点发挥功能,在宽幅部分及窄幅部分分别产生谐振,因此在本变形例中,多个导体图案分别具有多个谐振频率(宽幅部分的谐振频率和窄幅部分的谐振频率)。并且,该宽幅部分的长度及窄幅部分的长度在导体图案间互不相同,因此多个导体图案分别具有的多个谐振频率在导体图案间互不相同,能防止导体图案间的高频功率的谐振迁移。
图4是通过与图2A对应的局部详情图来表示可以取代中继基板118而使用的本变形例的中继基板418的结构的图。在图4中,关于与图2A所示的中继基板118相同的结构元件,使用与图2A中的标号相同的标号,引用上述的关于图2A的说明。
图4所示的中继基板418具有与图2A所示的中继基板118同样的结构,但是取代导体图案202a、202b、202c、202d而具备与这些导体图案的结构不同的直线状的导体图案402a、402b、402c、402d。
各导体图案402a、402b、402c、402d分别由从引脚侧边缘210延伸的具有宽度w41的窄幅部分和具有比宽度w41宽的宽度w42并从调制器侧边缘212延伸的宽幅部分构成。而且,导体图案402a、402b、402c、402d分别将窄幅部分与宽幅部分经由电气部件410a、410b、410c、410d进行电连接(即,宽幅部分与窄幅部分之间成为间隙部分,隔着该间隙而相对的宽幅部分与窄幅部分由电气部件连接)。此外,导体图案402a、402b、402c、402d各自的宽幅部分具有互不相同的长度L41、L42、L43、L44,且导体图案402a、402b、402c、402d各自的窄幅部分也具有互不相同的长度。
由此,各导体图案402a、402b、402c、402d中的宽幅部分及窄幅部分的电长度分别在这些导体图案间互不相同,因此能够使上述宽幅部分及窄幅部分各自的谐振频率在导体图案间互不相同,从而防止导体图案402a、402b、402c、402d间的谐振迁移。
尤其是在本变形例中,各导体图案402a、402b、402c、402d中的宽幅部分与窄幅部分经由电气部件来连接,因此各导体图案402a、402b、402c、402d实质上由在该间隙部分被分割的独立的两个分布常数线路构成。因此,不会发生以各导体图案402a、402b、402c、402d的两端部(引脚侧边缘210的端部和调制器侧边缘212的端部)的反射为起因的谐振,与图2A所示的中继基板118相比,能够更有效地防止谐振迁移。
需要说明的是,作为电气部件410a、410b、410c、410d,可以为例如使光调制所需的动作频率域的高频信号通过的高通滤波器(低阻滤波器)、带通滤波器或低通滤波器(高阻滤波器)、或者其他的被动部件等。而且,在设置于各导体图案的电气部件作为高频损失部发挥功能的情况下,该谐振的Q值下降,实质上可忽视。
另外,在本变形例中,在导体图案402a、402b、402c、402d的全部设置了电气部件L410a等,但是也可以关于至少一个导体图案设置电气部件,其他的导体图案不设置电气部件而设为与图2A同样的结构。
<第二实施方式>
接下来,说明本发明的第二实施方式。图5是表示本发明的第二实施方式的光调制器的结构的图。在图5中,关于与图1A所示的第一实施方式的光调制器100相同的结构元件,使用与图1中的标号相同的标号,并引用上述的关于第一实施方式的说明。
图5所示的本实施方式的光调制器500具有与第一实施方式的光调制器100同样的结构,但是在取代光调制元件102而具有光调制元件502且取代中继基板118而具有中继基板518的点上不同。光调制元件502具有与光调制元件102同样的结构,但是在取代RF电极112a、112b、112c、112d而具备RF电极512a、512b、512c、512d的点上不同。该RF电极512a、512b、512c、512d具有与RF电极112a、112b、112c、112d同样的结构,但是在光调制元件502的中继基板518侧的边缘配置的RF电极512a、512b、512c、512d相互的间隔比引脚116a、116b、116c、116d的间隔缩窄的点上不同。
图6是图5所示的光调制器500的C部的局部详情图。中继基板518具有与中继基板118同样的结构,但是取代导体图案202a、202b、202c、202d而具备与上述的导体图案的配置不同的导体图案602a、602b、602c、602d。导体图案602a、602b、602c、602d分别在中继基板518的图示下侧的边(引脚侧边缘610)处,通过钎料604a、604b、604c、604d而与引脚116a、116b、116c、116d电连接。
另外,导体图案602a、602b、602c、602d在图6中的中继基板518的图示上侧的边(调制器侧边缘612)处,分别通过例如金丝606a、606b、606c、606d而与光调制元件502的RF电极512a、512b、512c、512d电连接。
尤其是在本实施方式中,导体图案602a、602b、602c、602d分别为直线状,且由从引脚侧边缘210延伸的宽度w61的窄幅部分和具有比宽度w61宽的宽度w62而从调制器侧边缘612延伸的宽幅部分构成。而且,该宽幅部分的长度在导体图案602a、602b、602c、602d间构成为互不相同的长度,且窄幅部分的长度也构成为互不相同。
此外,导体图案602a、602b、602c、602d由于RF电极512a、512b、512c、512d的间隔与引脚116a、116b、116c、116d的间隔不同,因此分别具有互不相同的斜度而从引脚侧边缘610延伸至调制器侧边缘612,因此,分别具有不同的物理长度L61、L62、L63、L64。
由此,导体图案602a、602b、602c、602d各自的电长度与图2A所示的导体图案202a、202b、202c、202d的情况相比互不相同的程度更大,分别在导体图案602a、602b、602c、602d中将引脚侧边缘610及调制器侧边缘612分别作为反射端而产生的谐振频率相互差异较大。其结果是,能够进一步抑制导体图案602a、602b、602c、602d间的高频功率的谐振迁移。
接下来,说明第二实施方式的变形例。本变形例是将图2A、图3、图4及图6所示的导体图案的结构特征组合的结构。
图7是通过与图6对应的局部详情图来表示可以取代中继基板518而使用的本变形例的中继基板718的结构的图。在图7中,关于与图6所示的中继基板518相同的结构元件,使用与图6中的标号相同的标号,并引用上述的关于图6的说明。
图7所示的中继基板718取代图6所示的中继基板518的导体图案602a、602b、602c、602d而具备与这些导体图案的配置不同的导体图案702a、702b、702c、702d。
导体图案702a、702b、702c、702d分别具备两个弯曲部,且具有沿图示左右方向(例如沿引脚侧边缘610或调制器侧边缘612的方向)延伸的部分。而且,各导体图案702a、702b、702c、702d的从调制器侧边缘612至最近的弯曲部的距离L71、L72、L73、L74互不相同,因此,从引脚侧边缘610至最近的弯曲部的距离也互不相同。而且,导体图案702a、702b、702c、702d分别由两个弯曲部夹持的部分(即,沿图示左右方向延伸的部分)的长度也互不相同。
另外,导体图案702a、702b、702c、702d分别接近调制器侧边缘612的一侧的弯曲部分别经由电气部件710a、710b、710c、710d而电连接(即,导体图案702a、702b、702c、702d在各自的该弯曲部具有间隙,隔着该间隙而相对的导体部分由对应的电气部件710a等来连接)。
此外,导体图案702a、702b、702c、702d分别从引脚侧边缘610延伸至最近的弯曲部的部分具有宽度w71,从调制器侧边缘612延伸至最近的弯曲部的部分具有比宽度w71宽的宽度w73,由两个弯曲部夹持的部分具有比宽度w71宽且比宽度w73窄的宽度w72。
由此,导体图案702a、702b、702c、702d各自的宽度w71的部分、宽度w72的部分、宽度w73的部分的谐振频率互不相同,因此能有效地防止导体图案702a、702b、702c、702d间的高频功率的谐振迁移。而且,导体图案702a、702b、702c、702d在其一部分具有间隙部分,隔着该间隙部分而相对的部分经由电气部件710a等来连接,因此不会产生以各导体图案702a、702b、702c、702d的两端部(引脚侧边缘610的端部和调制器侧边缘612的端部)处的反射为起因的谐振,能更有效地防止谐振迁移。
需要说明的是,在本变形例中,在导体图案702a、702b、702c、702d的全部设置了电气部件L710a等,但是也可以关于至少一个导体图案设置电气部件,其他的导体图案未设置电气部件而设为与图3的导体图案302a等同样的结构。
另外,在本变形例中,通过电气部件710a、710b、710c、710d划分的导体图案702a、702b、702c、702d各自的具有宽度w73的部分和具有宽度w72的部分分别在导体图案间具有互不相同的电长度而具有互不相同的谐振频率,但是并不局限于此,可以是至少一个导体图案中的由电气部件划分的至少一个部分的谐振频率与其他的至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率不同。
例如,使用由电气部件710a划分的导体图案702a和图3的导体图案302b、302c、302d来构成中继基板,能够使通过电气部件710a划分的导体图案702a的具有宽度w73的部分或者具有宽度w72的部分的谐振频率与其他的导体图案的至少一个(即,导体图案302b、302c、302d中的任一个)具有的至少一个谐振频率不同。这种情况下,上述其他的导体图案的至少一个优选为与导体图案702a相邻的导体图案。
<第三实施方式>
接下来,说明本发明的第三实施方式。图8是表示本发明的第三实施方式的光调制器的结构的图。在图8中,关于与图5所示的第二实施方式的光调制器500相同的结构元件,使用与图5中的标号相同的标号,并引用上述的关于第二实施方式的说明。
图8所示的本实施方式的光调制器800具有与第二实施方式的光调制器500同样的结构,但是取代包含壳体114a的外壳104而具备包含壳体814a的外壳804。壳体814a具有与壳体114a同样的结构,但是在取代引脚116a、116b、116c、116d而具备引脚816a、816b、816c、816d的点上不同。
引脚816a、816b、816c、816d具有与引脚116a、116b、116c、116d同样的结构,但是配设在与光调制元件502的RF电极512a、512b、512c、512d相对的位置(相对于对应的RF电极而沿左右方向不位移的位置),且以直至对应的RF电极的距离与相邻的引脚的该距离不同的方式配设(即,引脚816a、816b、816c、816d沿图示左右方向(例如光调制元件502的长度方向)配设成锯齿状)。而且,光调制器800取代中继基板518而具备中继基板818。
图9是图8所示的光调制器800的D部的局部详情图。中继基板818具有与中继基板518同样的结构,但是取代导体图案602a、602b、602c、602d而具备与这些导体图案的配置不同的导体图案902a、902b、902c、902d。导体图案902a、902c分别在中继基板818的图示下侧的边(引脚侧边缘910)处,通过钎料904a、904c而与引脚816a、816c电连接。而且,导体图案902b、902d分别通过钎料904b、904d而与向设置于中继基板818的孔(贯通孔)920a、920b中插通的引脚816b、816d电连接。
另外,导体图案902a、902b、902c、902d在图9的中继基板818的图示上侧的边(调制器侧边缘912)处,分别通过例如金丝606a、606b、606c、606d而与光调制元件502的RF电极512a、512b、512c、512d电连接。
如上所述,引脚816a、816b、816c、816d配设在与光调制元件502的RF电极512a、512b、512c、512d相对的位置(相对于对应的RF电极而沿左右方向不位移的位置),且以直至对应的RF电极的距离与相邻的引脚的该距离不同的方式配设。因此,导体图案902a、902b、902c、902d各自的物理长度与相邻的导体图案不同。
由此,在本实施方式中,在导体图案902a、902b、902c、902d中的相邻的导体图案间使谐振频率不同,能够防止该相邻的导体图案间的高频功率的谐振迁移。需要说明的是,在本实施方式中,引脚816a、816b、816c、816d配设成锯齿状,引脚816a、816c在中继基板818的外周的一部分(图9下侧的边)处与导体图案902a、902c电连接,引脚816b、816d向设置于中继基板818的孔920a、920b插通而与导体图案902b、902d连接,但是并不局限于此,只要导电图案902a、902b、902c、902d中的至少一个导电图案的电长度与其他的导电图案的电长度不同即可,也可以设为其他的结构。例如,可以是引脚的至少一个在中继基板的外周的一部分与导体图案的一个电连接,引脚的其他的至少一个向设置于中继基板的贯通孔插通而与导体图案的其他的一个电连接。
<第四实施方式>
接下来,说明本发明的第四实施方式。
图10是表示本发明的第四实施方式的光调制器的结构的图。在图10中,关于与图5所示的第二实施方式的光调制器500相同的结构元件,使用与图5中的标号相同的标号,并引用上述的关于第二实施方式的说明。
图10所示的本实施方式的光调制器1000具有与第二实施方式的光调制器500同样的结构,但是取代包含壳体114a的外壳104而具备包含壳体1014a的外壳1004。壳体1014a具有与壳体114a同样的结构,但是在取代引脚116a、116b、116c、116d而具备引脚1016a、1016b、1016c、1016d的点上不同。
引脚1016a、1016b、1016c、1016d具有与引脚116a、116b、116c、116d同样的结构,但是以沿图示左右方向(例如光调制元件502的长度方向)排列成锯齿状且相互的间隔成为比光调制元件502的RF电极512a、512b、512c、512d的配置间隔宽的间隔的方式配置。而且,光调制器1000取代中继基板518而具备中继基板1018。
图11是图10所示的光调制器1000的E部的局部详情图。中继基板1018具有与中继基板518同样的结构,但是取代导体图案602a、602b、602c、602d而具备与这些导体图案的配置不同的导体图案1102a、1102b、1102c、1102d。导体图案1102a、1102b、1102c、1102d分别是具有相同宽度的直线状图案,分别通过钎料1104a、1104b、1104c、1104d而与在设置于中继基板818的孔(贯通孔)1120a、1120b、1120c、1120d中插通的引脚1016a、1016b、1016c、1016d电连接。
另外,导体图案1102a、1102b、1102c、1102d在图11中的中继基板1018的图示上侧的边(调制器侧边缘1112)处,分别通过例如金丝606a、606b、606c、606d而与光调制元件502的RF电极512a、512b、512c、512d电连接。
尤其是在本实施方式中,导体图案1102a、1102b、1102c、1102d的引脚1016a、1016b、1016c、1016d以比RF电极512a、512b、512c、512d的配置间隔宽的间隔配设,因此分别具有互不相同的斜度而从引脚侧边缘1110延伸至调制器侧边缘1112,且引脚1016a、1016b、1016c、1016d配设成锯齿状。因此,导体图案1102a、1102b、1102c、1102d具有互不相同的物理长度,因此分别具有不同的电长度。由此,在本实施方式中,导体图案1102a、1102b、1102c、1102d各自的谐振频率互不相同,能够防止这些导体图案间的高频功率的谐振迁移。
<第五实施方式>
接下来,说明本发明的第五实施方式。本实施方式是搭载有第一至第四实施方式的图1A、图5、图8、图10所示的光调制器100、500、800、1000(包括具备图3、图4、图7所示的变形例的中继基板的光调制器)中的任一个的光发送装置。
图12是表示本实施方式的光发送装置的结构的图。本光发送装置1200具有光调制器1202、使光向光调制器1202入射的光源1204、调制信号生成部1206、和调制数据生成部1208。
光调制器1202可以设为图1A、图5、图8、图10所示的光调制器100、500、800、1000(包括具备图3、图4、图7所示的变形例的中继基板的光调制器)中的任一个光调制器。但是,在以下的说明中,为了避免冗长的记载且便于理解,而使用光调制器100作为光调制器1202。
调制数据生成部1208接收从外部提供的发送数据,生成用于发送该发送数据的调制数据(例如,将发送数据转换或加工成规定的数据格式的数据),并将该生成的调制数据向调制信号生成部1206输出。
调制信号生成部1206是输出用于使光调制器1202进行调制动作的电信号的电路(驱动电路),基于调制数据生成部1208输出的调制数据,生成用于使光调制器1202进行遵照该调制数据的光调制动作的高频信号即调制信号,并向光调制器1202输入。该调制信号由作为光调制器1202的光调制器100具备的光调制元件102的4个RF电极112a、112b、112c、112d所对应的4个RF信号构成。
该4个RF信号经由作为光调制器1202的光调制器100的FPC106向引脚116a、116b、116c、116d输入,并经由中继基板118向上述RF电极112a、112b、112c、112d分别施加。
由此,从光源1204输出的光由光调制器1202调制,成为调制光而从光发送装置1200输出。
尤其是在本光发送装置1200中,使用具有上述的结构的光调制器100(或者图5、图8、图10所示的光调制器100、500、800、1000(包括具备图3、图4、图7所示的变形例的中继基板的光调制器)中的任一个光调制器)作为光调制器1202,因此能够防止在光调制器1202的内部使用的中继基板(118等)上设置的导体图案(202a等)间的高频波的谐振迁移,确保稳定且良好的光调制特性,因此,能够实现稳定且良好的传送特性。
需要说明的是,在上述的各实施方式中,示出了使用LN作为基板的具备具有4个RF电极的光调制元件的光调制器,但是本发明并不局限于此,在具有4个以外的个数的多个RF电极的光调制器、或者使用LN以外的材料作为基板的光调制器中也同样能够适用。
以上,如说明所述,上述的第一至第四实施方式及关联的变形例的光调制器具备:具备多个信号电极(112a等)的光调制元件(102等);用于输入高频信号的多个引脚(116a等);及形成有将上述引脚与上述信号电极电连接的导体图案(202a等)的中继基板(118等),至少一个导体图案以该至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率不同的方式构成。由此,在本发明的光调制器中,能够降低上述导体图案间的谐振迁移的影响,防止光调制特性的恶化。
需要说明的是,上述至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率的关系优选为不是基波与高次谐波的关系,即,任一者的谐振频率不是另一者的谐振频率的整数倍。由此,在例如至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率为基波时,能够有效地防止具有相当于该基波的高次谐波的谐振频率的其他的一个导体图案与上述至少一个导体图案之间会产生的谐振迁移。
这样的结构通过例如至少一个导体图案中的与至少一个谐振频率对应的部分的电长度和其他的至少一个导体图案中的与至少一个谐振频率对应的部分的电长度不处于整数倍的关系,即一者的电长度不是另一者的电长度的整数倍而能够实现。尤其是设置于中继基板上的导体图案形成的电长度(即,有助于谐振的电长度)中的一个最短的电长度为Lr时,如果其他的电长度比2Lr短,则能够防止上述那样的基波与高次谐波之间的谐振迁移,并能够使中继基板小型化而降低光调制器的尺寸。
Claims (12)
1.一种光调制器,具备:
光调制元件,具备多个信号电极;
多个引脚,用于输入高频信号;及
中继基板,形成有将所述引脚与所述信号电极电连接的导体图案,其中,
至少一个所述导体图案构成为,该至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与其他的至少一个所述导体图案具有的至少一个谐振频率不同。
2.根据权利要求1所述的光调制器,其中,
所述至少一个所述导体图案构成为,该至少一个导体图案具有的至少一个谐振频率与和该至少一个导体图案相邻的所述导体图案具有的至少一个谐振频率不同。
3.根据权利要求1或2所述的光调制器,其中,
所述至少一个导体图案构成为,通过具有与其他的至少一个所述导体图案不同的电长度,而该至少一个所述导体图案具有的至少一个谐振频率与所述其他的至少一个所述导体图案具有的谐振频率不同。
4.根据权利要求3所述的光调制器,其中,
所述至少一个导体图案构成为,通过具有与其他的至少一个所述导体图案不同的物理长度,而具有与所述其他的至少一个所述导体图案不同的电长度。
5.根据权利要求3所述的光调制器,其中,
所述至少一个导体图案构成为,通过包括具有与其他的至少一个所述导体图案不同的宽度的部分,而具有与所述其他的至少一个所述导体图案不同的电长度。
6.根据权利要求3所述的光调制器,其中,
所述至少一个导体图案构成为,通过该至少一个导体图案的宽度构成为以与其他的至少一个所述导体图案不同的方式变化,而具有与该其他的一个导体图案不同的电长度。
7.根据权利要求1或2所述的光调制器,其中,
所述至少一个导体图案构成为,包括由一个或多个弯曲部分划分的部分,且该划分的部分的至少一个部分的谐振频率与其他的一个所述导体图案的至少一个谐振频率不同。
8.根据权利要求1或2所述的光调制器,其中,
所述至少一个导体图案构成为,包括经由电气部件而连接的部分,经由该电气部件而连接的部分的至少一方的谐振频率与其他的一个所述导体图案的至少一个谐振频率不同。
9.根据权利要求1或2所述的光调制器,其中,
所述引脚的至少一个引脚在所述中继基板的外周的一部分处与一个所述导体图案电连接,并且,
所述中继基板具有至少一个贯通孔,所述引脚的其他的至少一个引脚插通于所述贯通孔而与所述导体图案的其他的一个导体图案电连接。
10.根据权利要求1或2所述的光调制器,其中,
所述中继基板具有供所述引脚的各个引脚分别插通的多个贯通孔,
所述引脚的各个引脚分别插通于所述贯通孔的各个贯通孔而与所述导体图案的各个导体图案分别电连接,并且,
所述光调制元件的所述信号电极在所述中继基板的一条边处与所述导体图案的各个导体图案分别电连接,
从至少一个所述贯通孔至所述一条边的距离与从其他的所述贯通孔至所述一条边的距离不同。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的光调制器,其中,
所述至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率所对应的该导体图案的部分的电长度、及所述其他的至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率所对应的该导体图案的部分的电长度不是一者的电长度为另一者的电长度的整数倍的关系,或者,
所述至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率、及所述其他的至少一个所述导体图案具有的所述至少一个谐振频率不是一者的谐振频率为另一者的谐振频率的整数倍的关系。
12.一种光发送装置,具备:
权利要求1~11中任一项所述的光调制器;及
输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号的电路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-191695 | 2016-09-29 | ||
JP2016191695A JP6432582B2 (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 光変調器、及び光送信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107884960A true CN107884960A (zh) | 2018-04-06 |
CN107884960B CN107884960B (zh) | 2022-07-12 |
Family
ID=61687924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710895741.4A Active CN107884960B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-28 | 光调制器及光发送装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10921620B2 (zh) |
JP (1) | JP6432582B2 (zh) |
CN (1) | CN107884960B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6332436B1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-05-30 | 住友大阪セメント株式会社 | Fpc付き光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP6332490B1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-05-30 | 住友大阪セメント株式会社 | Fpc付き光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP7215249B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-01-31 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP7255385B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2023-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
EP3754418B1 (en) * | 2019-06-18 | 2023-10-04 | Qubig GmbH | Device for modulating a physical property of a light beam in response to an electrical signal |
JP7263972B2 (ja) | 2019-08-08 | 2023-04-25 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP7310496B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-07-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP7310497B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-07-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040202397A1 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Differential drive semiconductor optical modulator |
US20110157673A1 (en) * | 2008-08-22 | 2011-06-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulator |
CN102511016A (zh) * | 2009-09-25 | 2012-06-20 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光波导元件模块 |
US20160054638A1 (en) * | 2013-03-29 | 2016-02-25 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulation device |
US20160161771A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-09 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical module |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198892A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Nec Corp | Dip型半導体レーザモジュール |
JPH065988A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Hitachi Ltd | 光送信器 |
US6192167B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-02-20 | Uniphase Telecommunications Products | Differential drive optical modulator |
US6937790B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-08-30 | California Institute Of Technology | Corporate feed for 40 GHz modulators and method for use of the same |
JP4027109B2 (ja) | 2002-02-08 | 2007-12-26 | 富士通株式会社 | 電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール |
JP2007013040A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 光モジュールおよび光伝送装置 |
JP5124382B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-01-23 | アンリツ株式会社 | 光変調器 |
JP5263210B2 (ja) | 2010-03-29 | 2013-08-14 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子モジュール |
JP5682182B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2015-03-11 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器モジュール |
JP5285719B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2013-09-11 | アンリツ株式会社 | 高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュール |
JP6168171B1 (ja) | 2016-01-25 | 2017-07-26 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
-
2016
- 2016-09-29 JP JP2016191695A patent/JP6432582B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-28 CN CN201710895741.4A patent/CN107884960B/zh active Active
- 2017-09-29 US US15/719,730 patent/US10921620B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040202397A1 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Differential drive semiconductor optical modulator |
US20110157673A1 (en) * | 2008-08-22 | 2011-06-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulator |
CN102511016A (zh) * | 2009-09-25 | 2012-06-20 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光波导元件模块 |
US20160054638A1 (en) * | 2013-03-29 | 2016-02-25 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulation device |
US20160161771A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-09 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180088361A1 (en) | 2018-03-29 |
US10921620B2 (en) | 2021-02-16 |
JP6432582B2 (ja) | 2018-12-05 |
CN107884960B (zh) | 2022-07-12 |
JP2018054929A (ja) | 2018-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107884960A (zh) | 光调制器及光发送装置 | |
US10473998B2 (en) | FPC-attached optical modulator and optical transmission apparatus using same | |
CN107783320B (zh) | 光调制器及光发送装置 | |
JP6136473B2 (ja) | 光変調装置 | |
JPWO2018174083A1 (ja) | Iq光変調器 | |
JP6458603B2 (ja) | 光デバイス | |
CN110573940B (zh) | 半导体马赫-曾德尔型光调制器 | |
CN108254836A (zh) | 带fpc的光调制器及使用该光调制器的光发送装置 | |
US20220334415A1 (en) | Optical modulator and optical transmission apparatus using same | |
JP7310496B2 (ja) | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 | |
JP7263972B2 (ja) | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 | |
CN108700761A (zh) | 带有fpc的光调制器及使用该光调制器的光发送装置 | |
CN107884959B (zh) | 光调制器模块 | |
US20220357605A1 (en) | Optical modulator and optical transmission device using same | |
CN107924076A (zh) | 带有fpc的光调制器及使用其的光发送装置 | |
JP2021078055A (ja) | インピーダンス変換回路及びインピーダンス変換器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |