JPH065988A - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
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- JPH065988A JPH065988A JP4159615A JP15961592A JPH065988A JP H065988 A JPH065988 A JP H065988A JP 4159615 A JP4159615 A JP 4159615A JP 15961592 A JP15961592 A JP 15961592A JP H065988 A JPH065988 A JP H065988A
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- laser module
- lead
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/145—Arrangements wherein electric components are disposed between and simultaneously connected to two planar printed circuit boards, e.g. Cordwood modules
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波特性を損なわずガラスエポキシ基板の
熱膨張、収縮による熱応力を吸収し、リードハンダ付部
での熱疲労劣化を防止する。 【構成】 放熱面を有する半導体レーザモジュール１と
半導体レーザモジュール１の駆動ＩＣ２とを主基板３に
搭載した光送信器において、主基板３上に駆動ＩＣ２を
搭載した補助基板１１を設け、半導体レーザモジュール
１の高周波信号入力リード１４ｂと、この高周波信号入
力リード１４ｂと同一面に整列したその他のリードと
が、電気長が最短となる形状で補助基板１１に接続さ
れ、補助基板１１は主基板３と凸状に湾曲したリード１
５によって接続する。これによって主基板３と補助基板
１１間の熱応力を凸状のリード形状によって吸収し、高
周波信号は電気長が最短となる形状で接続したリードに
よって特性が劣化することなく入力される。
熱膨張、収縮による熱応力を吸収し、リードハンダ付部
での熱疲労劣化を防止する。 【構成】 放熱面を有する半導体レーザモジュール１と
半導体レーザモジュール１の駆動ＩＣ２とを主基板３に
搭載した光送信器において、主基板３上に駆動ＩＣ２を
搭載した補助基板１１を設け、半導体レーザモジュール
１の高周波信号入力リード１４ｂと、この高周波信号入
力リード１４ｂと同一面に整列したその他のリードと
が、電気長が最短となる形状で補助基板１１に接続さ
れ、補助基板１１は主基板３と凸状に湾曲したリード１
５によって接続する。これによって主基板３と補助基板
１１間の熱応力を凸状のリード形状によって吸収し、高
周波信号は電気長が最短となる形状で接続したリードに
よって特性が劣化することなく入力される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光送信器に係り、特に、
熱による影響を抑えることができる高周波光送信器に関
する。
熱による影響を抑えることができる高周波光送信器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光送信器は半導体レーザを利用して光を
送信するもので、半導体レーザはモジュールとして基板
上に搭載される。すなわち、従来のこの種の光送信器
は、図７の平面図、図８の取付部の状態を示す正面図に
示すように、半導体レーザモジュール１と、駆動回路と
しての駆動ＩＣ２と、図示しない制御回路とからなり、
これらはガラスエポキシによって成形されたガラスエポ
キシ基板３上に搭載されている。半導体レーザモジュー
ル１は内蔵された半導体レーザの温度制御用の熱電子冷
却素子から発生する熱を放熱するため、放熱用のフラン
ジ４をガラスエポキシ基板３を支持するアルミニウムか
らなる筐体５にねじ６を介して取り付けられている。一
方、半導体レーザモジュージュ１と駆動ＩＣ２はリード
を介してガラスエポキシ基板３に固定され、半導体レー
ザモジュール１は、ガラスエポキシ基板３に形成した取
付孔７に下半分を挿入した状態で固定されている。ま
た、半導体レーザモジュール１のリード８、および駆動
ＩＣ２のリード９はガラスエポキシ基板３の熱膨張、熱
収縮による熱応力を吸収するため、下方に折り曲げた形
状に形成され、特に駆動ＩＣ２のリード９は、駆動ＩＣ
２本体をガラスエポキシ基板３から離間させるように折
り曲げられて取り付けられる。
送信するもので、半導体レーザはモジュールとして基板
上に搭載される。すなわち、従来のこの種の光送信器
は、図７の平面図、図８の取付部の状態を示す正面図に
示すように、半導体レーザモジュール１と、駆動回路と
しての駆動ＩＣ２と、図示しない制御回路とからなり、
これらはガラスエポキシによって成形されたガラスエポ
キシ基板３上に搭載されている。半導体レーザモジュー
ル１は内蔵された半導体レーザの温度制御用の熱電子冷
却素子から発生する熱を放熱するため、放熱用のフラン
ジ４をガラスエポキシ基板３を支持するアルミニウムか
らなる筐体５にねじ６を介して取り付けられている。一
方、半導体レーザモジュージュ１と駆動ＩＣ２はリード
を介してガラスエポキシ基板３に固定され、半導体レー
ザモジュール１は、ガラスエポキシ基板３に形成した取
付孔７に下半分を挿入した状態で固定されている。ま
た、半導体レーザモジュール１のリード８、および駆動
ＩＣ２のリード９はガラスエポキシ基板３の熱膨張、熱
収縮による熱応力を吸収するため、下方に折り曲げた形
状に形成され、特に駆動ＩＣ２のリード９は、駆動ＩＣ
２本体をガラスエポキシ基板３から離間させるように折
り曲げられて取り付けられる。
【０００３】このように構成した場合、外部から供給さ
れた高周波信号は、ストリップ線路１０（または、高周
波同軸線路）を通って半導体レーザの駆動ＩＣ２に入力
され、駆動ＩＣ２からの出力である駆動用高周波信号が
半導体レーザモジュール１に印加される。
れた高周波信号は、ストリップ線路１０（または、高周
波同軸線路）を通って半導体レーザの駆動ＩＣ２に入力
され、駆動ＩＣ２からの出力である駆動用高周波信号が
半導体レーザモジュール１に印加される。
【０００４】なお、１Ｇｂ／ｓ以下で動作する光送信器
の場合には上記構造においてリード８，９の曲げ形状、
寸法を最適化することでその高周波特性を満たすことが
可能になっている。
の場合には上記構造においてリード８，９の曲げ形状、
寸法を最適化することでその高周波特性を満たすことが
可能になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、２Ｇｂ／ｓ
以上で動作する光送信器の場合には、リード自身に２Ｇ
ｂ／ｓ以上の高周波信号が流れるため、リードを曲げる
とリード長が長くなり、当然インダクタンスが増加し、
インダクタンスの増加により高周波特性が損なわれると
いう欠点があった。また、基板をセラミック材質とする
ことで、発生する熱応力を低減することは可能であるが
脆性材である基板を筺体に保持することは機械的強度、
コストの面で問題があった。
以上で動作する光送信器の場合には、リード自身に２Ｇ
ｂ／ｓ以上の高周波信号が流れるため、リードを曲げる
とリード長が長くなり、当然インダクタンスが増加し、
インダクタンスの増加により高周波特性が損なわれると
いう欠点があった。また、基板をセラミック材質とする
ことで、発生する熱応力を低減することは可能であるが
脆性材である基板を筺体に保持することは機械的強度、
コストの面で問題があった。
【０００６】この発明は、このような技術的背景に鑑み
てなされたもので、その目的は、高周波特性を損なうこ
となく、基板の熱応力を吸収することができる高周波光
送信器を提供することにある。
てなされたもので、その目的は、高周波特性を損なうこ
となく、基板の熱応力を吸収することができる高周波光
送信器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、放熱面を有する半導体レーザモジュー
ルと半導体レーザモジュールの駆動回路とを基板上に搭
載した光送信器において、基板上に駆動回路を搭載した
補助基板を設け、半導体レーザモジュールの高周波信号
入力リードと、この高周波信号入力リードと同一面に整
列したその他のリードとを電気長が最短となる形状で補
助基板に接続し、補助基板と基板とを凸状に湾曲したリ
ードによって接続した構成になっている。
め、この発明は、放熱面を有する半導体レーザモジュー
ルと半導体レーザモジュールの駆動回路とを基板上に搭
載した光送信器において、基板上に駆動回路を搭載した
補助基板を設け、半導体レーザモジュールの高周波信号
入力リードと、この高周波信号入力リードと同一面に整
列したその他のリードとを電気長が最短となる形状で補
助基板に接続し、補助基板と基板とを凸状に湾曲したリ
ードによって接続した構成になっている。
【０００８】この場合、高周波信号入力リードと対向す
る面に整列したリードを、凸状に湾曲したリードによっ
て基板と接続し、基板をガラスエポキシ樹脂から、ま
た、補助基板をセラミックから成形することがのぞまし
く、さらには、補助基板の高周波信号入力リードを高周
波同軸コネクタを介し、湾曲させた高周波同軸ケーブル
によって接続することが好ましい。
る面に整列したリードを、凸状に湾曲したリードによっ
て基板と接続し、基板をガラスエポキシ樹脂から、ま
た、補助基板をセラミックから成形することがのぞまし
く、さらには、補助基板の高周波信号入力リードを高周
波同軸コネクタを介し、湾曲させた高周波同軸ケーブル
によって接続することが好ましい。
【０００９】すなわち、駆動回路を構成するＩＣパッケ
ージを熱膨張係数差が小さく、発生する熱応力を低減し
たセラミックから成る補助基板上にリードを曲げること
なく実装し、半導体レーザモジュールの高周波信号入力
リードもストレートに最短の電気長となる寸法で接続
し、外部から供給された高周波信号は柔軟性を有する高
周波同軸ケーブルによって前記セラミック補助基板の駆
動回路へ入力する構成とし、また半導体レーザモジュー
ルの高周波信号以外の電源及び直流リードは曲げ形状を
持たせセラミック補助基板が搭載されたガラスエポキシ
基板に接続する構成とした。
ージを熱膨張係数差が小さく、発生する熱応力を低減し
たセラミックから成る補助基板上にリードを曲げること
なく実装し、半導体レーザモジュールの高周波信号入力
リードもストレートに最短の電気長となる寸法で接続
し、外部から供給された高周波信号は柔軟性を有する高
周波同軸ケーブルによって前記セラミック補助基板の駆
動回路へ入力する構成とし、また半導体レーザモジュー
ルの高周波信号以外の電源及び直流リードは曲げ形状を
持たせセラミック補助基板が搭載されたガラスエポキシ
基板に接続する構成とした。
【００１０】
【作用】上記手段では、外部から供給された高周波信号
の駆動回路から半導体レーザモジュールに至る経路には
曲げ形状を有するリードは存在せず、最短の電気長にて
接続され、これにより不要なインダクタンスが付加され
ないため高周波特性が損なわれることはない。また、半
導体レーザモジュールの高周波リードと同一側に配列さ
れたその他のリードはセラミック補助基板上に直線状に
接続されているが、補助基板と基板とを接続する電源お
よび直流用リードは曲げ形状を有しているため基板の膨
張、収縮による熱応力はこの基板と補助基板との接続部
および柔軟性を有する高周波同軸線路部にて吸収され
る。
の駆動回路から半導体レーザモジュールに至る経路には
曲げ形状を有するリードは存在せず、最短の電気長にて
接続され、これにより不要なインダクタンスが付加され
ないため高周波特性が損なわれることはない。また、半
導体レーザモジュールの高周波リードと同一側に配列さ
れたその他のリードはセラミック補助基板上に直線状に
接続されているが、補助基板と基板とを接続する電源お
よび直流用リードは曲げ形状を有しているため基板の膨
張、収縮による熱応力はこの基板と補助基板との接続部
および柔軟性を有する高周波同軸線路部にて吸収され
る。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照し、この発明の実施例につ
いて説明する。なお、以下の説明において、前述の従来
例と同一とみなせる構成要素には同一の符号を付し、重
複する説明は省略する。
いて説明する。なお、以下の説明において、前述の従来
例と同一とみなせる構成要素には同一の符号を付し、重
複する説明は省略する。
【００１２】実施例に係るギガビット帯で動作可能な光
送信器は、図１の平面図、および図２の搭載状態を示す
要部正面図から分かるように、ガラスエポキシ樹脂から
なるガラスエポキシ基板（以下、主基板と称する）３
と、主基板３に搭載された半導体レーザモジュール（以
下、レーザモジュールとも称する）１と、セラミック基
板（以下、補助基板と称する）１１を介して主基板３に
搭載された駆動回路としての駆動ＩＣ２と、駆動ＩＣ２
に高周波信号を伝達する高周波同軸ケーブル１２と、主
基板３を支持する筐体５とから基本的に構成されてい
る。
送信器は、図１の平面図、および図２の搭載状態を示す
要部正面図から分かるように、ガラスエポキシ樹脂から
なるガラスエポキシ基板（以下、主基板と称する）３
と、主基板３に搭載された半導体レーザモジュール（以
下、レーザモジュールとも称する）１と、セラミック基
板（以下、補助基板と称する）１１を介して主基板３に
搭載された駆動回路としての駆動ＩＣ２と、駆動ＩＣ２
に高周波信号を伝達する高周波同軸ケーブル１２と、主
基板３を支持する筐体５とから基本的に構成されてい
る。
【００１３】筐体５は７６．２×１２７×１３．７ｍｍ
の大きさでアルミニウムから形成され、従来例と同様に
レーザモジュール１は放熱用のフランジ４をねじ６を介
して筐体５に固定されている。制御系電子部品が搭載さ
れた主基板３は６６．６×１２０×１．０ｍｍの大きさ
に成形され、筐体５にネジ１３により５箇所で固定され
ている。
の大きさでアルミニウムから形成され、従来例と同様に
レーザモジュール１は放熱用のフランジ４をねじ６を介
して筐体５に固定されている。制御系電子部品が搭載さ
れた主基板３は６６．６×１２０×１．０ｍｍの大きさ
に成形され、筐体５にネジ１３により５箇所で固定され
ている。
【００１４】レーザモジュール１はギガビット帯で高速
変調動作可能な電子冷却素子内蔵形モジュールで、Ｇａ
ＩｎＡｓＰからなる分布帰還形レーザが搭載されてい
る。この種のレーザは、発振波長が温度依存性を持つた
めレーザの温度を制御して発振波長を安定に保つ必要が
ある。したがってレーザモジュール１に内蔵された電子
冷却素子を用いて、レーザモジュール１の温度制御を行
っている。電子冷却素子からの熱はレーザモジュール１
のパッケージ外壁面に取り付けられた前記フランジ４を
介し筐体５に放熱されるのが効果的なため、前述のよう
にフランジ４は筐体５に直接に固定されている。
変調動作可能な電子冷却素子内蔵形モジュールで、Ｇａ
ＩｎＡｓＰからなる分布帰還形レーザが搭載されてい
る。この種のレーザは、発振波長が温度依存性を持つた
めレーザの温度を制御して発振波長を安定に保つ必要が
ある。したがってレーザモジュール１に内蔵された電子
冷却素子を用いて、レーザモジュール１の温度制御を行
っている。電子冷却素子からの熱はレーザモジュール１
のパッケージ外壁面に取り付けられた前記フランジ４を
介し筐体５に放熱されるのが効果的なため、前述のよう
にフランジ４は筐体５に直接に固定されている。
【００１５】レーザモジュール１は１４ピンのコバール
からなるバタフライ型給電リード１４ａ，１４ｂを備え
ている。コバールの熱膨張係数は５．３×１０-6／℃で
あり、リード１４ｂの１本は高周波信号入力リード、他
のリードは直流電圧供給用リードである。直流電圧供給
用リードは、特に高周波を配慮したリード形状にする必
要がなく、機械的に無理な形状でなければ熱応力を吸収
できるように上に凸の湾曲構造にしておけばよい。ま
た、直流電圧供給用リードの内７本のリード１４ａは、
図２に示すように上に凸となるよう湾曲した形状にフォ
ーミングし、熱膨張係数１２．５×１０-6／℃の主基板
３（コバールとの熱膨張係数差は２．４倍）とスルホー
ル半田付けしている。この湾曲した構造により直流電圧
供給用リード側１４ａにかかる熱応力の吸収が可能とな
る。
からなるバタフライ型給電リード１４ａ，１４ｂを備え
ている。コバールの熱膨張係数は５．３×１０-6／℃で
あり、リード１４ｂの１本は高周波信号入力リード、他
のリードは直流電圧供給用リードである。直流電圧供給
用リードは、特に高周波を配慮したリード形状にする必
要がなく、機械的に無理な形状でなければ熱応力を吸収
できるように上に凸の湾曲構造にしておけばよい。ま
た、直流電圧供給用リードの内７本のリード１４ａは、
図２に示すように上に凸となるよう湾曲した形状にフォ
ーミングし、熱膨張係数１２．５×１０-6／℃の主基板
３（コバールとの熱膨張係数差は２．４倍）とスルホー
ル半田付けしている。この湾曲した構造により直流電圧
供給用リード側１４ａにかかる熱応力の吸収が可能とな
る。
【００１６】一方、補助基板１１はコバールを材質とす
る高周波リードを含むリード１４ｂの熱膨張係数とほぼ
同一のセラミック材料から成形され、レーザモジュール
１のリード１４ｂは補助基板１１に半田付けにより接続
される。その際、高周波信号入力を含むリード１４ｂは
実装上可能な限り短く（２ｍｍ）かつ直線状に補助基板
上１１に半田付けされる。この構成により電気長が長く
なってインダクタンスが増加することがなくなり、高周
波信号系での高周波特性は劣化しない。また、主基板３
と補助基板１１間は、図２および詳細には図３に示すよ
うに上に凸となるよう湾曲した形状のコバールからなる
接続リード１５で接続する。このように接続リード１５
を湾曲させることにより高周波リードを含むリード１４
ｂ側にかかる熱応力を吸収することができる。
る高周波リードを含むリード１４ｂの熱膨張係数とほぼ
同一のセラミック材料から成形され、レーザモジュール
１のリード１４ｂは補助基板１１に半田付けにより接続
される。その際、高周波信号入力を含むリード１４ｂは
実装上可能な限り短く（２ｍｍ）かつ直線状に補助基板
上１１に半田付けされる。この構成により電気長が長く
なってインダクタンスが増加することがなくなり、高周
波信号系での高周波特性は劣化しない。また、主基板３
と補助基板１１間は、図２および詳細には図３に示すよ
うに上に凸となるよう湾曲した形状のコバールからなる
接続リード１５で接続する。このように接続リード１５
を湾曲させることにより高周波リードを含むリード１４
ｂ側にかかる熱応力を吸収することができる。
【００１７】レーザモジュール１への高周波信号の入力
は半導体レーザ駆動用ＧａＡｓ−ＩＣからなる駆動ＩＣ
２によって行われ、駆動ＩＣ２への高周波信号の入力は
筐体５に取り付けられた同軸型高周波コネクタ１６より
入力され、前述の高周波同軸ケーブル１２を図３に示し
たものと同様に上に凸になるよう湾曲して成形し、その
出力端部の信号線を補助基板１１上に半田付けされる。
は半導体レーザ駆動用ＧａＡｓ−ＩＣからなる駆動ＩＣ
２によって行われ、駆動ＩＣ２への高周波信号の入力は
筐体５に取り付けられた同軸型高周波コネクタ１６より
入力され、前述の高周波同軸ケーブル１２を図３に示し
たものと同様に上に凸になるよう湾曲して成形し、その
出力端部の信号線を補助基板１１上に半田付けされる。
【００１８】レーザモジュール１のリード形状は有限要
素法を用いた熱応力解析結果より決定した。従来例のよ
うに鉤形に折曲したときのレーザモジュール１のリード
の直線部分の長さをＬ１、曲げの長さをＬ２とし、半田
フィレット１７を図示（図４）の形状に形成し、長さＬ
１，Ｌ２をパラメータとした予測寿命Ｎｆを図５に示
す。この予測寿命とは温度−４０〜＋８５℃において何
サイクルで半田フィレット１７にクラックが入るかを推
定した計算値である。図５よりＬ１＝２ｍｍ，Ｌ２＝２
ｍｍでは１０００サイクル以上の寿命が得られることが
わかる。
素法を用いた熱応力解析結果より決定した。従来例のよ
うに鉤形に折曲したときのレーザモジュール１のリード
の直線部分の長さをＬ１、曲げの長さをＬ２とし、半田
フィレット１７を図示（図４）の形状に形成し、長さＬ
１，Ｌ２をパラメータとした予測寿命Ｎｆを図５に示
す。この予測寿命とは温度−４０〜＋８５℃において何
サイクルで半田フィレット１７にクラックが入るかを推
定した計算値である。図５よりＬ１＝２ｍｍ，Ｌ２＝２
ｍｍでは１０００サイクル以上の寿命が得られることが
わかる。
【００１９】なお、レーザモジュール１の直流電圧供給
側リード１４ａの形状は図６に示すようにＬ１ａ＝２ｍ
ｍ、Ｌ２ａ＝２ｍｍを確保するため、上に凸の形状に湾
曲させる。これにより図５に示すような予測寿命を得る
ことができる。また、前述の図３における接続リード１
５の形状も上に凸に成形してＬ１ｂ＝２ｍｍ、Ｌ２ｂ＝
２ｍｍを確保させている。これによってリード半田付部
全てに１０００サイクル以上の寿命が得られ、光送信器
の寿命の向上を図ることができる。
側リード１４ａの形状は図６に示すようにＬ１ａ＝２ｍ
ｍ、Ｌ２ａ＝２ｍｍを確保するため、上に凸の形状に湾
曲させる。これにより図５に示すような予測寿命を得る
ことができる。また、前述の図３における接続リード１
５の形状も上に凸に成形してＬ１ｂ＝２ｍｍ、Ｌ２ｂ＝
２ｍｍを確保させている。これによってリード半田付部
全てに１０００サイクル以上の寿命が得られ、光送信器
の寿命の向上を図ることができる。
【００２０】
【発明の効果】これまでの説明で明らかなように、基板
上に駆動回路を搭載した補助基板を設け、半導体レーザ
モジュールの高周波信号入力リードと、この高周波信号
入力リードと同一面に整列したその他のリードとを、電
気長が最短となる形状で補助基板に接続し、さらに、補
助基板を基板と凸状に湾曲したリードによって接続した
請求項１記載の発明によれば、高周波信号入力リードは
電気長が最短となる形状で接続され、基板と補助基板と
の接続は凸状に湾曲させ、基板と補助基板との熱膨張、
熱収縮による熱応力をリードの変形によって吸収するの
で、高周波特性を損なうことなくリード半田付け部の半
田クラックや熱疲労劣化を防止することができる。
上に駆動回路を搭載した補助基板を設け、半導体レーザ
モジュールの高周波信号入力リードと、この高周波信号
入力リードと同一面に整列したその他のリードとを、電
気長が最短となる形状で補助基板に接続し、さらに、補
助基板を基板と凸状に湾曲したリードによって接続した
請求項１記載の発明によれば、高周波信号入力リードは
電気長が最短となる形状で接続され、基板と補助基板と
の接続は凸状に湾曲させ、基板と補助基板との熱膨張、
熱収縮による熱応力をリードの変形によって吸収するの
で、高周波特性を損なうことなくリード半田付け部の半
田クラックや熱疲労劣化を防止することができる。
【００２１】また、請求項１における高周波信号入力リ
ードと対向する面に整列したリードを、凸状に湾曲した
リードによって基板と接続した請求項２記載の発明によ
れば、請求項１記載の発明と同様にリードの変形によっ
て熱応力を吸収するので、リード半田付け部の熱疲労劣
化を防止することができる。
ードと対向する面に整列したリードを、凸状に湾曲した
リードによって基板と接続した請求項２記載の発明によ
れば、請求項１記載の発明と同様にリードの変形によっ
て熱応力を吸収するので、リード半田付け部の熱疲労劣
化を防止することができる。
【００２２】さらに、請求項１における基板をガラスエ
ポキシ樹脂から成形し、補助基板をセラミックから成形
した請求項３記載の発明によれば、従来から使用されて
いるコストの安いガラスエポキシ樹脂をそのまま使用で
きるのでコストの上昇を抑えることができる。
ポキシ樹脂から成形し、補助基板をセラミックから成形
した請求項３記載の発明によれば、従来から使用されて
いるコストの安いガラスエポキシ樹脂をそのまま使用で
きるのでコストの上昇を抑えることができる。
【００２３】加えて、請求項１における補助基板の高周
波信号入力リードが高周波同軸コネクタを介し高周波同
軸ケーブルによって接続された請求項４記載の発明によ
れば、高周波同軸ケーブルを湾曲させて設置しているの
で、同様の理由によりその出力端部の信号線の半田付部
の熱疲労劣化を防止することができる。
波信号入力リードが高周波同軸コネクタを介し高周波同
軸ケーブルによって接続された請求項４記載の発明によ
れば、高周波同軸ケーブルを湾曲させて設置しているの
で、同様の理由によりその出力端部の信号線の半田付部
の熱疲労劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る光送信器の平面図である。
【図２】図１における半導体レーザモジュールと駆動Ｉ
Ｃの取付部を示す要部正面図である。
Ｃの取付部を示す要部正面図である。
【図３】実施例における基板と補助基板の接続リードの
形状を示す要部正面図である。
形状を示す要部正面図である。
【図４】実施例におけるレーザモジュールのリードの形
状を示す要部正面図である。
状を示す要部正面図である。
【図５】図４におけるリード形状の温度変化に対応する
予測寿命の推定図である。
予測寿命の推定図である。
【図６】実施例におけるレーザモジュールのリードの形
状を示す要部正面図である。
状を示す要部正面図である。
【図７】従来例にかかる光送信器の平面図である。
【図８】図７における半導体レーザモジュールと駆動Ｉ
Ｃの取付部を示す要部正面図である。
Ｃの取付部を示す要部正面図である。
１ （半導体）レーザモジュール ２ 駆動ＩＣ ３ ガラスエポキシ基板（主基板） ４ フランジ ５ 筐体 ６ （レーサモジュール取付用の）ねじ ７ 取付孔 ８ （レーザモジュールの）リード ９ （駆動ＩＣの）リード １０ ストリップ線路 １１ セラミック基板（補助基板） １２ 高周波同軸ケーブル １３ （主基板取付用の）ねじ １４ａ 直流電圧供給用リード １４ｂ 高周波信号用リードを含むリード １５ 接続リード １６ 同軸型高周波コネクタ １７ 半田フィレット
Claims (4)
- 【請求項１】 放熱面を有する半導体レーザモジュール
と半導体レーザモジュールの駆動回路とを基板上に搭載
した光送信器において、 基板上に駆動回路を搭載した補助基板を設け、半導体レ
ーザモジュールの高周波信号入力リードと、この高周波
信号入力リードと同一面に整列したその他のリードと
が、電気長が最短となる形状で補助基板に接続され、補
助基板は基板と凸状に湾曲したリードによって接続され
ていることを特徴とする光送信器。 - 【請求項２】 前記高周波信号入力リードと対向する面
に整列したリードを、凸状に湾曲したリードによって基
板と接続したことを特徴とする請求項１記載の光送信
器。 - 【請求項３】 基板がガラスエポキシ基板からなり、補
助基板がセラミック基板からなることを特徴とする請求
項１記載の光送信器。 - 【請求項４】 補助基板の高周波信号入力リードは高周
波同軸コネクタを介し、湾曲させて設置した高周波同軸
ケーブルによって接続されていることを特徴とする請求
項１記載の光送信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159615A JPH065988A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 光送信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159615A JPH065988A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 光送信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065988A true JPH065988A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15697588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159615A Pending JPH065988A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 光送信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018054929A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光送信装置 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159615A patent/JPH065988A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018054929A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光送信装置 |
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