CN107783320B

CN107783320B - 光调制器及光发送装置

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Publication number: CN107783320B
Application number: CN201710734355.7A
Authority: CN
Inventors: 菅又徹; 宫崎德一
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 2016-08-24
Filing date: 2017-08-24
Publication date: 2023-04-07
Anticipated expiration: 2037-08-24
Also published as: JP2018031889A; JP6432574B2; US20180059503A1; CN107783320A; US10061179B2

Abstract

本发明提供一种光调制器及光发送装置。光调制器具备对高频信号输入用的管脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板，有效地抑制从管脚与中继基板之间的电连接部产生的放射噪声对调制动作造成的影响。光调制器具备：光调制元件，具备多个信号电极；多个管脚，用于输入高频信号；中继基板，形成有对所述管脚的每一个与对应的所述信号电极的每一个之间的电连接进行中继的导体图案，所述中继基板配置成使在所述管脚中传播的所述高频信号的传播方向弯折而导向所述导体图案，所述中继基板构成为，所述中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度小于所述管脚侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度，优选小于50％。

Description

光调制器及光发送装置

技术领域

本发明涉及光调制器，尤其是涉及具备对设于壳体的高频信号输入用的管脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器及使用该光调制器的光发送装置。

背景技术

在高速/大容量光纤通信系统中，多使用装入有波导型的光调制元件的光调制器。其中，将具有电光效应的LiNbO₃(以下，也称为LN)使用于基板的光调制元件能实现光的损失少且宽带的光调制特性，因此能广泛地使用于高速/大容量光纤通信系统。

在该使用了LN基板的光调制元件中，设有马赫－曾德型光波导、用于向该光波导施加调制信号即高频信号的RF电极、为了良好地保持该波导的调制特性而用于进行各种调整的偏压电极。并且，设于光调制元件的上述的电极经由在收容该光调制元件的光调制器的壳体上设置的管脚或连接器而连接于搭载有用于使光调制器进行调制动作的电子电路的电路基板。

光纤通信系统的调制方式顺应着近年来的传送容量的增大化的潮流，QPSK(Quadrature Phase Shift Keying：正交相移键控)或DP-QPSK(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying：双极化正交相移键控)等多值调制或向多值调制取入极化复用的传送格式成为主流，在基干光传送网络中使用，但是也逐渐导入到城域网中。

进行QPSK调制的光调制器(QPSK光调制器)或进行DP-QPSK调制的光调制器(DP-QPSK光调制器)具备被称为所谓嵌套式的成为套匣构造的多个马赫－曾德型光波导，并且具备多个高频信号电极及多个偏压电极(例如，参照专利文献1)，因此存在光调制器的壳体的尺寸大型化的倾向。然而最近，与之相反而对于该调制器的小型化的要求逐渐升高。

作为应对该小型化的要求的一个对策，以往，提出了通过将作为RF电极的接口而设于光调制器的壳体的插入型的同轴连接器置换为与偏压电极用的接口同样的管脚及与上述的管脚电连接的FPC(柔性配线板(FPC：Flexible Printed Circuits)，由此能够进行与外部的电路基板的电连接的光调制器(例如，参照专利文献1)。

例如，在DP-QPSK光调制器中，使用由分别具有RF电极的4个马赫－曾德型光波导构成的光调制元件。这种情况下，在光调制器的壳体设置4个插入型同轴连接器的话，壳体的大型化不可避免，但是如果取代同轴连接器而使用管脚和FPC，则能够小型化。

另外，光调制器的壳体的管脚与搭载有用于使该光调制器进行调制动作的电子电路(驱动电路)的电路基板之间经由上述FPC连接，因此不需要进行以往使用的同轴线缆的余长处理，能够缩小光发送装置内的光调制器的安装空间。

在这样的壳体具备高频电信号输入用的管脚的光调制器中，通常该管脚与收容在壳体内的光调制元件的电极之间经由配置在该壳体内的中继基板来连接(例如，参照专利文献1)。

图8A、8B、8C是表示这样的现有的光调制器的结构的一例的图。在此，图8A是表示搭载在电路基板830上的现有的光调制器800的俯视图，图8B是该现有的光调制器800的侧视图，图8C是该现有的该光调制器800的仰视图。该光调制器800具备光调制元件802、收容光调制元件802的壳体804、柔性配线板(FPC)806、用于使光向光调制元件802入射的光纤808、将从光调制元件802输出的光向壳体804的外部引导的光纤810。

光调制元件802是DP-QPSK光调制器，具备例如设置在LN基板上的4个马赫－曾德型光波导、分别设置在该马赫－曾德型光波导上而对于在光波导内传播的光波进行调制的4个高频电极(RF电极)812a、812b、812c、812d。

壳体804由固定有光调制元件802的壳体814a和罩814b构成。需要说明的是，为了便于理解壳体804内部的结构，在图8A中，仅将罩814b的一部分在图示左方示出。

在壳体804a设有4个管脚816a、816b、816c、816d。这些管脚816a、816b、816c、816d由玻璃密封部900a、900b、900c、900d(后述)密封，从壳体804的底面(图8C所示的面)向外部延伸，通过形成在FPC806上的通孔和焊料等来连接。

管脚816a、816b、816c、816d的一端分别经由中继基板818而与光调制元件802的RF电极812a、812b、812c、812d分别电连接。

RF电极812a、812b、812c、812d的另一端分别通过终端器820而电气性地成为终端。

图9A是图8A所示的光调制器800的C部的局部详细图，图9B是图8A所示的光调制器800的DD剖视向视图。管脚816a、816b、816c、816d是玻璃端子，经由设于壳体814a的玻璃密封部900a、900b、900c、900d分别从壳体804内部向壳体804外部延伸，从该壳体804的下表面(图8C所示的面)突出而钎焊固定于FPC806的通孔。

管脚816a、816b、816c、816d配置在图9A中的中继基板818的图示下侧(图9B中的中继基板818的图示左侧)的边(管脚侧边缘910)的附近，分别通过焊料904a、904b、904c、904d而与设置在该中继基板818上的导体图案902a、902b、902c、902d电连接。

另外，导体图案902a、902b、902c、902d分别通过例如金属线906a、906b、906c、906d而与配置在图9A中的中继基板818的图示上侧(图9B中的中继基板818的图示右侧)的边(调制器侧边缘912)的附近的、光调制元件802的图示下端部(图9B中的光调制元件802的图示左端部)的RF电极812a、812b、812c、812d电连接。

形成在中继基板818上的导体图案902a、902b、902c、902d通常为了使从各管脚816a、816b、816c、816d至与该各管脚816a、816b、816c、816d对应的各RF电极812a、812b、812c、812d的高频信号的传播距离最短并使信号传播损失和时滞(传播延迟时间差)最小，而构成作为相互平行的直线图案。因此，光调制器800以使各管脚816a、816b、816c、816d间的间隔与各RF电极812a、812b、812c、812d间的间隔成为相同的方式构成。

通过上述结构，在光调制器800中，从形成在电路基板830上的导体图案832a、832b、832c、832d经由FPC806向管脚816a、816b、816c、816d输入的高频电信号经由中继基板818向调制元件802的RF电极812a、812b、812c、812d输入。

然而，在上述现有的光调制器的结构中，在管脚816a、816b、816c、816d中传播的高频电信号从该管脚816a、816b、816c、816d向中继基板818的导体图案902a、902b、902c、902d输入时，其传播方向弯折，因此在该弯折部分处，其一部分成为空间传播模式而容易放射。

即，通常，管脚816a、816b、816c、816d为了使经由FPC806的与电路基板830的电连接容易而以与壳体804的下表面垂直(因此，与壳体814a的下表面垂直)地朝向下方延伸的方式配置。另一方面，中继基板818为了稳定地固定并收容在壳体804内而其表面配置成沿着壳体814a的下表面的方向。因此，经由FPC840从电路基板830的导体图案832a、832b、832c、832d输入的高频电信号以从管脚816a、816b、816c、816d朝向中继基板818上的导体图案902a、902b、902c、902d大致垂直地弯折的方式其传播方向弯曲，在该弯折部分处，其功率的一部分容易向空间放射。

并且，该放射的高频信号与配置在隔着中继基板818而与该弯折部相对的位置上的RF电极812a、812b、812c、812d耦合，作为放射噪声而对光调制元件802的动作造成影响，可能会给使用光调制元件802调制的光信号的传送特性造成不良影响。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2016-109941号

发明内容

【发明的概要】

【发明要解决的课题】

由于上述背景，在具备将高频信号输入用的管脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器中，希望有效地抑制从管脚与中继基板之间的电连接部产生的放射噪声给调制动作造成的影响。

【用于解决课题的方案】

本发明的一方式是光调制器，具备：光调制元件，具备多个信号电极；多个管脚，用于输入高频信号；及中继基板，形成有将所述管脚与所述信号电极电连接的导体图案。该光调制器构成为，所述中继基板的光调制器侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度d中的至少一个比管脚侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度L中的至少一个的宽度小。

根据本发明的另一方式，在所述中继基板中，该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度d比所述管脚侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度L的50％小。

根据本发明的另一方式，所述中继基板构成为，该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述导体图案的配置范围的中心线与该中继基板的所述管脚侧边缘处的所述导体图案的配置范围的中心线一致。

根据本发明的另一方式，所述中继基板在与该中继基板的所述管脚侧边缘处的所述导体图案的配置范围对应的所述光调制器侧边缘的范围内包括该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述导体图案的配置范围，且在与所述光调制器侧边缘处的所述配置范围的一个端部对应的所述管脚侧边缘的位置配置所述管脚侧边缘处的所述配置范围的一个端部。

根据本发明的另一方式，所述中继基板在与该中继基板的所述管脚侧边缘处的所述导体图案的配置范围对应的所述光调制器侧边缘的范围之外设置该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述导体图案的配置范围的一部分。

根据本发明的另一方式，所述中继基板在与该中继基板的所述管脚侧边缘处的所述导体图案的配置范围对应的所述光调制器侧边缘的范围之外设置该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述导体图案的配置范围的全部。

根据本发明的另一方式，所述中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述多个导体图案的配置范围的宽度为所述管脚侧边缘处的所述多个导体图案的配置范围的宽度的50％以下。

根据本发明的另一方式，所述多个管脚配置为等间隔或不等间隔。

本发明的另一方式是光发送装置，具备：上述任一个光调制器；及输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号的电子电路。

附图说明

图1A是表示本发明的第一实施方式的光调制器的结构的该光调制器的俯视图。

图1B是表示本发明的第一实施方式的光调制器的结构的该光调制器的侧视图。

图1C是表示本发明的第一实施方式的光调制器的结构的该光调制器的仰视图。

图2A是图1A所示的光调制器的A部的局部详细图。

图2B是图1A所示的光调制器的BB剖视向视图。

图3是表示图2A所示的第一实施方式的光调制器的中继基板的第一变形例的图。

图4是表示图2A所示的第一实施方式的光调制器的中继基板的第二变形例的图。

图5是表示图2A所示的第一实施方式的光调制器的中继基板的其他的结构的第一例的图。

图6是表示图2A所示的第一实施方式的光调制器的中继基板的其他的结构的第二例的图。

图7是表示本发明的第二实施方式的光发送装置的结构的图。

图8A是表示现有的光调制器的结构的该光调制器的俯视图。

图8B是表示现有的光调制器的结构的该光调制器的侧视图。

图8C是表示现有的光调制器的结构的该光调制器的仰视图。

图9A是图8A所示的光调制器的C部的局部详细图。

图9B是图8A所示的光调制器的DD剖视向视图。

【标号说明】

100、800…光调制器，102、802…光调制元件，104、804…壳体，106、806…FPC，108、110、808、810…光纤，112a、112b、112c、112d、812a、812b、812c、812d…RF电极，114a、814a…壳体，114b、814b…罩，116a、116b、116c、116d、816a、816b、816c、816d…管脚，118、818…中继基板，120、820…终端器，200a、200b、200c、200d、900a、900b、900c、900d…玻璃密封部，202a、202b、202c、202d、902a、902b、902c、902d…导体图案，204a、204b、204c、204d、904a、904b、904c、904d…焊料，206a、206b、206c、206d、906a、906b、906c、906d…丝线，210、910…管脚侧边缘，212、912…调制器侧边缘，214、216、914、916…配置范围

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。

<第一实施方式>

图1A、1B、1C是表示本发明的第一实施方式的光调制器的结构的图。在此，图1A、1B、1C分别是该光调制器的俯视图、侧视图、仰视图。

该光调制器100具备光调制元件102、收容光调制元件102的壳体104、柔性配线板(FPC)106、用于使光向光调制元件102入射的光纤108、将从光调制元件102输出的光向壳体104的外部引导的光纤110。

光调制元件102是DP-QPSK光调制器，具备例如设置在LN基板上的4个马赫－曾德型光波导、分别设置在该马赫－曾德型光波导上而对于在光波导内传播的光波进行调制的4个高频电极(RF电极)112a、112b、112c、112d。从光调制元件102输出的2个光例如通过透镜光学系统(未图示)而被极化合成，经由光纤110被导向壳体104的外部。

壳体104由固定有光调制元件102的壳体114a和罩114b构成。需要说明的是，为了便于理解壳体104内部的结构，在图1A中，在图示左方仅示出罩114b的一部分，但是实际上，罩114b以覆盖箱状的壳体114a的整体的方式配置而将壳体104的内部进行气密密封。

在壳体104a设有4个管脚116a、116b、116c、116d。这些管脚116a、116b、116c、116d例如为玻璃端子，从壳体104的底面(图1C所示的面)向外部延伸，通过焊料等而与形成在FPC106上的通孔连接。

管脚116a、116b、116c、116d经由中继基板118而与光调制元件102的RF电极112a、112b、112c、112d的一端分别电连接。需要说明的是，关于中继基板118的结构在后文叙述。

RF电极112a、112b、112c、112d的另一端分别通过终端器120而形成终端。

图2A是图1A所示的光调制器100的A部的局部详细图，图2B是图1A所示的光调制器100的BB剖视向视图。管脚116a、116b、116c、116d是玻璃端子，经由设于壳体104a的玻璃密封部200a、200b、200c、200d分别从壳体104内部向壳体104外部延伸，从该壳体104的下表面(图1C所示的面)突出而钎焊固定于FPC106的通孔。

管脚116a、116b、116c、116d配置在图2A中的中继基板118的图示下侧(图2B中的中继基板118的图示左侧)的边(管脚侧边缘210)的附近，分别通过焊料204a、204b、204c、204d而与设于该中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d电连接。

另外，导体图案202a、202b、202c、202d分别通过例如金属线206a、206b、206c、206d而与配置在图2A中的中继基板118的图示上侧(图2B中的中继基板118的图示右侧)的边(调制器侧边缘212)的附近的、光调制元件102的图示下端部(图2B中的光调制元件102的图示左端部)的RF电极112a、112b、112c、112d电连接。

需要说明的是，设置在中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d可以使用微带线路、共平面线路、接地共平面线路等作为高频用的信号线路而公知的线路构造构成，对应于该构造，在中继基板118上也可设置接地图案(未图示)。而且，该接地图案经由FPC106上的导体图案(未图示)或导电性的壳体104而与外部的接地线连接，并且按照现有技术，通过引线接合等而与光调制元件102上的接地用图案(未图示)连接。

通过上述结构，从例如设于壳体104外部的驱动装置(例如构成有驱动电路的印制配线板(PWB))经由FPC106向管脚116a、116b、116c、116d输入的高频信号经由中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d分别向光调制元件102的RF电极112a、112b、112c、112d输入，在光调制元件102中进行光调制动作。

尤其是在本实施方式中，调制器侧边缘212处的中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d的配置范围214的宽度构成得比管脚侧边缘210处的导体图案202a、202b、202c、202d的配置范围216的宽度窄。由此，能够降低从管脚侧边缘210处的导体图案202a、202b、202c、202d与管脚116a、116b、116c、116d之间的连接部分发出的电磁放射噪声中的、与调制器侧边缘212处的导体图案202a、202b、202c、202d与RF电极112a、112b、112c、112d之间的连接部耦合的噪声功率的总量。

即，在现有技术的说明中，与上述的情况同样，从外部的驱动电路向管脚116a、116b、116c、116d输入而向图2B的图示上方传播的高频信号在中继基板118的管脚侧边缘210处的与导体图案202a、202b、202c、202d连接的连接部，其传播方向以向沿着导体图案202a、202b、202c、202d的图示右方向大致垂直地弯折的方式弯曲，在该弯折部分，其功率的一部分向空间放射而成为放射噪声。

这样的放射噪声通常具有随着距噪声源的距离变远而衰减的立体角密度，放射噪声通过电极等导体而接收的功率与该导体的面积成比例。另一方面，接收放射噪声的导体的对于该放射噪声的灵敏度分布通常不只限于该导体图案的扩展范围内(从放射噪声源观察的该导体的面积内)，具有超过该扩展范围而引出下摆的弧线形的形状。其结果是，导体相对于放射噪声而实质上具有比该导体的面积大的有效接收面积。

本实施方式的放射噪声接收功率的降低效果是以上述那样的超过导体图案的面积范围而引出下摆的接收灵敏度分布为起因的效果。具体而言，与将各导体图案相互隔离而避免有效接收面积重叠地散布的情况相比，有效接收面积重叠地接近并集中配置时的多个导体图案接收放射噪声的总有效接收面积减小。

因此，在调制器侧边缘处导体图案接收的放射噪声的总功率的降低效果依赖于调制器侧边缘处的导体图案的间隙d及管脚侧边缘处的导体图案的间隙L，根据本申请发明的发明人的见解，如果该间隙d是比L的50％小的范围，则与现有的结构相比能得到充分的降低效果。例如，可以将d设为1～2mm的范围，将L设为2.5～5mm的范围，在本实施方式的中继基板118中，L为2.5mm，d为L的约40％即1mm。而且以小型化为目标而进一步减小管脚侧边缘处的导体图案的间隙L的情况下，调制器侧边缘处的导体图案的间隙d也从比L的50％小的范围进行选定。

在此，从管脚116a、116b、116c、116d产生的放射噪声当然也会到达从管脚侧边缘210至调制器侧边缘212为止的区间的导体图案202a、202b、202c、202d，但是尤其调制器侧边缘212的附近是光调制元件102的与RF电极的接口部分，且容易产生作为高频传送线路的阻抗不匹配而容易受到放射噪声的影响的部分，因此通过如上所述构成该调制器侧边缘212处的导体图案的配置范围214，能够提高作为中继基板118整体的放射噪声抗性。

需要说明的是，在本实施方式中，调制器侧边缘212处的导体图案202a、202b、202c、202d间的全部的间隙为相同值d，且管脚侧边缘210处的导体图案202a、202b、202c、202d间的全部的间隙为相同值L，但是并不局限于此，只要光调制器侧边缘212处的导体图案间的间隙中的至少一个间隙比管脚侧边缘处的导体图案间的间隙的宽度中的至少一个宽度小，就能够与上述同样地提高对于放射噪声的抗性。

另外，配置范围214与配置范围216之间的位置关系在本实施方式中成为例如上述配置范围214、216的宽度方向的中心线相互一致的位置。但是，并不局限于此，配置范围214、216只要调制器侧边缘212处的导体图案202a、202b、202c、202d的间隙的尺寸按照上述的条件构成，就可以配置成为任意的位置关系。

接下来，使用图3、4、5、6，说明本实施方式的变形例。可以将以下所示的中继基板取代中继基板118而使用于光调制器100。

〔第一变形例〕

首先，说明图1所示的光调制器100使用的中继基板118的第一变形例。

在图3所示的本变形例中，与图2A所示的中继基板118同样，与管脚侧边缘处的导体图案的配置范围对应的调制器侧边缘的范围内(即，将管脚侧边缘处的导体图案的配置范围向调制器侧边缘投影时的、该投影的该配置范围的范围内)包括该调制器侧边缘处的导体图案的配置范围，但是尤其在与管脚侧边缘处的导体图案的配置范围的一个端部对应的调制器侧边缘的位置配置该调制器侧边缘处的导体图案的配置范围的一个端部。

图3是通过与图2A对应的局部详细部来表示可以取代中继基板118使用的本变形例的中继基板300的结构的图。在图3中，关于与图2A所示的中继基板118相同的结构元件，使用与图2A的标号相同的标号，引用上述的关于图2A的说明。

图3所示的中继基板300取代图2A所示的中继基板118的导体图案202a、202b、202c、202d而具备与这些导体图案的配置不同的导体图案302a、302b、302c、302d。并且，调制器侧边缘212处的这些导体图案的配置范围314以该配置范围314的图示右侧的端部成为与管脚侧边缘210处的导体图案的配置范围216的图示右侧的端部对应的位置的方式配置。需要说明的是，配置范围314中的导体图案302a、302b、302c、302d的间隙的尺寸与配置范围214中的导体图案202a、202b、202c、202d的间隙的尺寸相同。

由此，在本变形例的中继基板300中，在与管脚侧边缘210的配置范围216对应的调制器侧边缘212的范围的端部配置导体图案302a、302b、302c、302d的配置范围314的端部，因此从作为噪声源的管脚116a、116b、116c、116d的位置至调制器侧边缘212处的配置范围214为止的平均距离变远，从该管脚116a、116b、116c、116d产生的放射噪声中的在配置范围314接收的噪声的总功率相比中继基板118上的配置范围214的情况而减少。

〔第二变形例〕

接下来，说明图1所示的光调制器100使用的中继基板118的第二变形例。

在图4所示的本变形例中，与中继基板118不同，在与管脚侧边缘处的导体图案的配置范围对应的调制器侧边缘处的范围的外侧配置该调制器侧边缘处的导体图案的配置范围。

图4是通过与图2A对应的局部详细部来表示可以取代中继基板118使用的本变形例的中继基板400的结构的图。在图4中，关于与图2A所示的中继基板118及其周边部分的结构元件相同的结构元件，使用与图2A的标号相同的标号，并引用上述的关于图2A的说明。

图4所示的中继基板400具有比图2A所示的中继基板118宽的图示左右方向的宽度。该中继基板400的管脚侧边缘410、调制器侧边缘412及配置范围416分别对应于中继基板118的管脚侧边缘210、调制器侧边缘212及配置范围216。

中继基板400具有与中继基板118同样的结构，但是取代导体图案202a、202b、202c、202d而具备与这些导体图案的配置不同的导体图案402a、402b、402c、402d。并且，调制器侧边缘412处的这些导体图案的配置范围414设置在与管脚侧边缘410处的导体图案的配置范围416对应的调制器侧边缘处的范围的外侧的区域。

由此，在本变形例的中继基板400中，从作为噪声源的管脚116a、116b、116c、116d的位置至调制器侧边缘412处的配置范围414为止的平均距离比图3所示的配置范围314的情况更大，能够进一步降低在配置范围414接收的噪声功率。

需要说明的是，在上述的实施方式及其变形例中，管脚116a、116b、116c、116d等间隔地配置，但也可以不等间隔地配置。这种情况下，中继基板可以例如图5及图6所示那样构成。图5及图6所示的中继基板500、600除了管脚的配置不同之外，可以使用在与光调制器100同样的结构的光调制器中。

图5是管脚516a与516b之间及516c与516d之间都分离距离d1，管脚516b与516c之间分离与d1不同的距离d2的例子。并且，导体图案502a、502b、502c、502d以与管脚516a、516b、516c、516d的位置对应的方式配置在管脚侧边缘510的配置范围516内。中继基板500的设于调制器侧边缘512的配置范围514中的导体图案502a、502b、502c、502d的间隙的尺寸可以与中继基板118的设于调制器侧边缘212的配置范围214中的导体图案202a、202b、202c、202d的间隙的尺寸相同。

另一方面，图6是管脚616a与616b之间、616b与616c之间、及616c与616d之间分别分离不同的距离d4、d5、d6的例子。并且，中继基板600将导体图案602a、602b、602c、602d以与管脚616a、616b、616c、616d的位置对应的方式配置在管脚侧边缘610的配置范围616内。中继基板600的设于调制器侧边缘612的配置范围614中的导体图案602a、602b、602c、602d的间隙的尺寸可以与中继基板118的设于调制器侧边缘212的配置范围214中的导体图案202a、202b、202c、202d的间隙的尺寸相同。

通过设为图5或图6那样的结构，能够使中继基板的调制器侧边缘处的放射噪声的功率分布的峰值实现不均化。由此与等间隔地配置管脚的情况相比，能够将功率等级低的部位形成在所述放射噪声的功率分布内，因此成为能够进一步降低放射噪声的影响的结构。

<第二实施方式>

接下来，说明本发明的第二实施方式。本实施方式是搭载有第一实施方式所示的光调制器100(包括具备图3、图4、图5、图6所示的变形例或构成例的中继基板的光调制器)的光发送装置。

图7是表示本实施方式的光发送装置的结构的图。本光发送装置700具备光调制器702、使光向光调制器702入射的光源704、调制信号生成部706、调制数据生成部708。

光调制器702是图1所示的光调制器100(也可以取代中继基板118而具备图3、图4、图5、图6所示的变形例或构成例的任一中继基板)。调制数据生成部708接收从外部提供的发送数据，生成用于发送该发送数据的调制数据(例如，将发送数据转换或加工成规定的数据格式的数据)，并将该生成的调制数据向调制信号生成部706输出。

调制信号生成部706是输出用于使光调制器702进行调制动作的电信号的电子电路，基于调制数据生成部708输出的调制数据，生成用于使光调制器702进行按照该调制数据的光调制动作的高频信号即调制信号，向光调制器100输入。该调制信号由与光调制器100具备的光调制元件102的4个RF电极112a、112b、112c、112d对应的4个RF信号构成。

该4个RF信号经由FPC106向光调制器100的管脚116a、116b、116c、116d输入，经由中继基板118(可以是图3、图4、图5、图6所示的变形例或构成例的中继基板)向上述RF电极112a、112b、112c、112d分别施加。

由此，从光源704输出的光由光调制器100调制，成为调制光而从光发送装置700输出。

尤其是在本光发送装置700中，由于使用具有上述的结构的光调制器100，因此能够有效地防止光调制器100内部的高频信号(RF信号)的传播路径的弯折部(即，从管脚116a、116b、116c、116d朝向设于中继基板118等的对应的导体图案而该高频信号的传播方向大致垂直地弯曲的部分)产生的放射噪声由设于中继基板118等的导体图案接收而对光调制动作造成影响的情况、及结果是使调制后的光信号的传送特性变差的情况。

需要说明的是，在上述的各实施方式中，示出了具备使用LN作为基板的具有4个RF电极的光调制元件的光调制器，但是本发明并不局限于此，在具有4个以外的个数的多个RF电极的光调制器及/或使用LN以外的材料作为基板的光调制器中也同样能够适用。

Claims

1.一种光调制器，具备：

光调制元件，具备多个信号电极；

壳体，收容所述光调制元件；

多个管脚，以与所述壳体的下表面垂直地朝向下方延伸的方式配置，经由FPC基板输入高频信号；及

中继基板，形成有将所述管脚与所述信号电极电连接的多个导体图案，该中继基板的表面配置成沿着所述壳体的下表面的方向，其中，

该中继基板的光调制器侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度(d)中的至少一个宽度构成为比管脚侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度(L)中的至少一个宽度小，

所述中继基板中，在与该中继基板的所述管脚侧边缘处的所述导体图案的配置范围对应的所述光调制器侧边缘的范围之外设置该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述导体图案的配置范围的一部分或全部。

2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述中继基板中，该中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度(d)比所述管脚侧边缘处的所述多个导体图案之间的间隙的宽度(L)的50％小。

3.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述中继基板的所述光调制器侧边缘处的所述多个导体图案的配置范围的宽度为所述管脚侧边缘处的所述多个导体图案的配置范围的宽度的50％以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光调制器，其中，

所述多个管脚配置成等间隔或不等间隔。

5.一种光发送装置，具备：

权利要求1～4中任一项所述的光调制器；及

电子电路，输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号。