CN107851640A - 包括数个半导体组件的光源 - Google Patents
包括数个半导体组件的光源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107851640A CN107851640A CN201680042301.8A CN201680042301A CN107851640A CN 107851640 A CN107851640 A CN 107851640A CN 201680042301 A CN201680042301 A CN 201680042301A CN 107851640 A CN107851640 A CN 107851640A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diode
- row
- semiconductor subassembly
- control circuit
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 7
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 235000007516 Chrysanthemum Nutrition 0.000 claims 1
- 244000189548 Chrysanthemum x morifolium Species 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/141—Analog devices
- H01L2924/1426—Driver
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种包括数个半导体组件的光源,其中半导体组件具有数个发光二极管,其中二极管布置在半导体组件上的至少一列中的预确定的网格中,其中用于控制各个二极管的控制电路布置在半导体组件上。本发明还涉及具有数个发光二极管的半导体组件,其中二极管布置在半导体组件上的至少一列中的预确定的网格中,其中用于控制各个二极管的控制电路布置在半导体组件上,其中控制电路设计为单独地控制二极管。
Description
技术领域
本发明涉及根据专利权利要求1的包括多个发光半导体组件的光源,以及根据专利权利要求15的发光半导体组件。
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2015 107 739.6的优先权,该德国专利申请的公开内容由此通过引用并入。
背景技术
DE 10 2013 104 046 A1公开了一种光学装置和一种显示设备。该光学装置包括载体上的多种多样的发光芯片。在该情况下,第一发光芯片各自包括第一群组的像素,并且第二发光芯片各自包括第二群组的像素。第一发光芯片中的一个和第二发光芯片中的一个分别以平面方式在载体上布置于第一单位信元中。此外,提供了光学元件,其在发射方向上设置于发光芯片的下游。该光学元件被配置为以使得能够实现以下的方式引导由第一和第二群组的像素发射的光:第一群组的第一像素的光和第二群组的第二像素的光以使得第二单位信元各自包括比第一单位信元中的每一个第一单位信元的区域小的区域的这种方式在耦出平面中再分布于第二单位信元中。在该情况下,耦出平面中的每一个像素通过激活发光芯片的对应像素而可被单独地寻址。
发明内容
本发明的目标是提供对具有单独可驱动的光点的光源的简化电子驱动,所述光源由多个发光半导体组件组成,并且提供改进的发光半导体组件。
本发明的目标借助于根据专利权利要求1的光源和根据专利权利要求15的发光半导体组件来实现。光源的另外的实施例在从属权利要求中指定。
所描述的光源的一个优点在于,以成本有效的方式提供了包括特别是用于逐像素驱动的改进的光性质的光源。
在一个实施例中,以使得相邻二极管包括相同间距的这种方式在半导体组件上或半导体组件中成列地在预限定的网格中布置二极管,其中以使得相邻半导体组件的二极管包括与半导体组件的相邻二极管相同的间距的这种方式来布置多个半导体组件。作为结果,改进了光源的光束的均匀性。
在另外的实施例中,每一个半导体组件与二极管的数目无关地包括仅四个电气接触部,其中第一接触部被提供用于接地,第二接触部被提供用于电压供应,第三接触部被提供用于信号输入,并且第四接触部被提供用于信号输出。这提供了半导体组件的简单结构,其给予控制电路和发光二极管的电气供应。
在另外的实施例中,控制电路被配置为以菊花链协议的形式获取和处理信息。以该方式,可以通过对应的控制电路以简单的方式为多种多样的半导体组件供应用于单独驱动发光二极管的控制信号。
在另外的实施例中,控制电路布置在两列二极管之间。作为结果,使得同时具有二极管的均一分布的紧凑构造成为可能。
在另外的实施例中,这两列二极管布置在所述控制电路与另外的控制电路之间。以该方式实现了半导体组件上的二极管和两个控制电路的紧凑布置。
在另外的实施例中,半导体组件包括两列二极管,其中这两列布置在控制电路的相对的侧上,并且其中这两列包括至少两个,特别是三个或更多的二极管。通过这种手段也提供了包括多种多样的二极管的紧凑布置。
在另外的实施例中,提供了至少两列半导体组件,其中在每一种情况下一列的两个相邻的半导体组件包括关于彼此的相同间距,其中第二列的半导体组件关于第一列的半导体组件横向偏移地布置,其中特别地,第二列的半导体组件布置在第一列的两个半导体组件之间的中途位置。以该方式实现了各个半导体组件的发光二极管的均一分布。
在另外的实施例中,提供了至少一个光学设备以便组合半导体组件的各个二极管的射束,从而形成连续的、均一的光区域。光区域的光分布的自适应配置可以通过有针对性地驱动各个二极管来予以实现。
在另外的实施例中,多个二极管布置在至少两列和多行中,其中行的二极管(3)布置在直线上,其中列的二极管(3)布置在直线上,其中二极管布置在包括相邻二极管之间的相同幅度的间距的网格中,其中将用于第一行和第一列的第一二极管的第一接触轨道横向地引到该二极管,其中将第二列和第一行的第二二极管的第二接触轨道在两行二极管之间横向地引到第二列和第一行的第二二极管。以该方式使得去往二极管的接触轨道的简单且节省空间的布置成为可能。
在另外的实施例中,二极管布置在至少三列和多行中,其中将用于第一行和第一列的第一二极管的第一接触轨道横向地引到该二极管,其中将第二列和第一行的第二二极管的第二接触轨道在两行二极管之间横向地引到第二列和第一行的第二二极管,并且其中在两行二极管之间将第三接触轨道引到第三列和第一行的第三二极管。
在另外的实施例中,提供了二极管的第一阵列和二极管的第二阵列。第一和第二阵列关于镜面轴线镜面对称地布置。在每一种情况下从外部横向地将对应的接触轨道引到各个二极管。以该方式使得接触轨道和二极管的紧凑布置成为可能。
在另外的实施例中,控制电路关于中心轴线对称地布置,其中用于馈送信号的第一接触焊盘和用于传递信号的第二接触焊盘关于半导体组件的中心轴线镜面对称地布置,并且其中用于所述至少一个控制电路的电力供应的第三接触焊盘关于中心轴线镜面对称地布置。以该方式提供了生产起来简单的半导体组件的紧凑构造。
此外,本专利申请涉及对应配置的半导体芯片。
附图说明
以上描述的本发明的性质、特征和优点以及实现它们的方式将与示例性实施例的以下描述相关联地变得更清楚和更清晰地理解,与附图相关联更加详细地解释所述示例性实施例,其中
图1示出了包括多个半导体组件的混合组件的第一实施例的示意性俯视图,
图2示出了从来自图1的布置下方的视图,
图3示出了来自包括载体晶片的组件装配体的后侧的节录的示意性图示,
图4示出了包括依照图1的多个半导体组件的光源,
图5示出了半导体组件的另外的实施例的示意性俯视图,
图6示出了半导体组件的另外的实施例的俯视图,
图7示出了包括多个依照图6的半导体组件的光源的示意性图示,
图8示出了三个半导体组件的布置以及这些半导体组件的发光二极管的辐射的光学偏移的示意性图示,
图9示出了包括用于对多个半导体组件的光束进行成像的光学元件的光源的示意性截面视图,
图10示出了包括多个单独可驱动的发光二极管的像素化半导体芯片的示意性图示,
图11示出了半导体组件上的发光二极管的另外的布置的示意性图示,
图12示出了来自具有二极管的电气接触的发光二极管的另外的布置的节录,
图13示出了半导体芯片的另外的实施例的示意性俯视图,
图14示出了半导体组件的另外的实施例,以及
图15示出了包括多种多样的依照图14的半导体组件的光源。
具体实施方式
图1在示意性图示中示出了包括控制电路2和六个发光二极管3的半导体芯片1的俯视图。半导体组件1包括载体17,在载体17上施加二极管3和控制电路2或者集成所述二极管3和控制电路2。替代于载体,还可以提供其中二极管3和控制电路2嵌入在塑料材料中并且形成半导体组件1的布置。六个二极管3被布置为使得在每一种情况下两个相邻二极管都包括关于彼此的相同幅度的间距。二极管3布置在两列4、5以及三行6、7、8中。第一和第二列4、5具有与行6、7、8关于彼此相同的间距。控制电路2居中地布置在第一和第二列4、5之间。控制电路2在每一种情况下经由电气线路9连接到每一个二极管3的第一电气接触部10。为此目的,控制电路2包括第一接触焊盘11。此外,控制电路2包括第二接触焊盘12,控制电路经由该第二接触焊盘12连接到供应电压。此外,控制电路2包括第三和第四接触焊盘13、14。第三接触焊盘13被提供用于馈送控制信号。第四接触焊盘14被提供用于传递控制信号。
在控制电路2的所图示的实施例中,各个接触焊盘11到14关于中心轴线26镜面对称地布置。此外,在图1中图示的实施例中,二极管3还关于半导体组件1的中心轴线26镜面对称地布置。
用于馈送控制信号的第一控制线路15和用于传递控制信号的第二控制线路16分别连接到对应的第三和第四接触焊盘13、14。
控制电路2被配置用于例如依照菊花链协议来获取、处理以及对应地传递控制信号。此外,控制电路2被配置为彼此独立地且单独地驱动各个二极管3。
图2在示意性图示中示出了半导体组件1的后侧18。
构成用于地电势的电气端子的第一导电区域19被提供在载体17的后侧18上。此外,后侧18包括可以连接到供应电压的第二导电区域20。此外,提供了用于馈送控制信号的第三导电区域21。另外,提供了用于输出和转发控制信号的第四导电区域22。导电区域19、20、21、22经由对应的隔离区23彼此电气隔离。
此外,在图2中,第二导电区域20以及还有第三和第四导电区域21、22都关于中心轴线26镜面对称地布置。
因为对于半导体组件1而言仅要求四个外部电气接触部,所以对于半导体组件1的配置而言简单的布局是充足的。此外,由于二极管的对称布置而可以实现良好的热耗散。
图3在示意性图示中示出了包括载体表面24的载体带50。载体表面24可以通过对应的分离处理而被划分为单独的载体17。单独的载体17以彼此分离的方式以图3中的虚线形式图示。
在该配置的基础上,可以使用简单的布局来从连续的载体表面24形成依照图2的包括对应载体单元的多个载体17。在该情况下,可以通过对应的分离将接触轨道51划分为第三导电区域21和第四导电区域22。
图4示出了光源27的示意性图示,其中依照图1中的实施例的八个半导体组件1布置在两列中。在所示示例中,半导体组件在每一种情况下在一列中包括三个发光二极管3。此外,这两列的二极管3在每一种情况下在半导体组件1上布置于三行中。因此,在所图示的示例中,半导体组件1的所有行的相邻二极管包括关于彼此的相同间距。同样地,半导体组件1的所有列的相邻二极管在每一种情况下包括相同间距。半导体组件1的行的二极管和列的二极管之间的间距可以具有相同幅度,如在所示示例中,即便控制电路2布置在二极管3之间。取决于所选取的实施例,与沿列的二极管的间距相比,沿行的相邻二极管的间距可以具有不同的幅度。
半导体组件1可以被相同地配置。此外,在所图示的示例中,半导体组件1被布置为使得在半导体组件1上,沿行的两个不同的相邻半导体组件1的相邻二极管3的间距具有与沿行的二极管3的间距精确相同的幅度。此外,在所图示的示例中,半导体组件1被布置为使得在半导体组件上,沿列的两个不同的相邻半导体组件1的相邻二极管3的间距具有与沿列的二极管的间距精确相同的幅度。
沿行的两个相邻半导体组件1的相邻二极管3的间距可以具有关于两个相邻半导体组件的列的相邻二极管的间距相同的幅度或者不同的幅度。此外,半导体组件还可以包括比两列更多或更少的二极管3。此外,半导体组件还可以包括比三行更多或更少的二极管3。此外,半导体组件1还可以包括多于一个控制电路。即使在这些不同的实施例中,半导体组件1可以被布置或配置为使得相邻半导体组件1的二极管3包括与布置在半导体组件上的二极管3相同的沿行的间距。此外,即使在这些不同的实施例中,半导体组件1可以被布置或配置为使得相邻半导体组件1的二极管3包括与布置在半导体组件1上的二极管3相同的沿列的间距。以该方式实现了光源中的二极管的均一分布。
取决于所选取的实施例,还可以布置更多或更少的半导体组件1。此外,半导体组件1还可以布置在包括多个列和/或行的不同布置中。为了实现包括300个像素的光源27,可以提供五十个半导体组件1,其中分别地布置分别包括二十五个半导体组件1的两列。取决于所选取的实施例,可以提供用于均匀化和/或用于均一地分布光源27的二极管3的光辐射的光学元件。
图5示出了半导体组件1的另外的实施例,其中半导体组件1包括载体17,在载体17上布置控制电路2和七个二极管3。控制电路2包括第一接触焊盘11,第一接触焊盘11在每一种情况下经由电气线路9连接到二极管3的第一接触部10。此外,控制电路2包括用于馈送供应电压的第二接触焊盘12。此外,控制电路2包括第三和第四接触焊盘13、14。第三接触焊盘13被提供用于馈送控制信号。第四接触焊盘14被提供用于传递控制信号。
在所图示的实施例中,二极管3以关于彼此相同的间距布置在列中。控制电路2与二极管3的列并排地布置在载体17上并且具有与二极管3的列的轴线平行的纵向轴线。
图6示出了半导体组件1的另外的实施例,其中该布置依照图5予以配置,但是包括二极管3的第二列和第二控制电路28。二极管3的第二列相对于二极管的第一列关于半导体组件1的中心轴线26镜面对称地布置。同样地,第二控制电路28关于中心轴线26和第一控制电路2镜面对称地布置。同样地,除第三和第四接触焊盘13、14之外,关于控制电路2的接触焊盘镜面对称地提供第二控制电路28的接触焊盘。第二控制电路28与第一控制电路2相似地配置,以便单独地驱动连接到第二控制电路28的各个二极管3。取决于所选取的实施例,控制电路2和第二控制电路28可以被相同地配置。控制电路2的第四接触焊盘14经由电气线路连接到第二控制电路28的第三接触焊盘13。
图7在示意性图示中示出了包括依照图6配置的二十个半导体组件1的光源27。半导体组件1布置在两列中,其中每一列中布置十个半导体组件1。半导体组件1在纵向跨度垂直于列的轴线的情况下进行布置。这两列的半导体组件1以关于彼此相互偏移的方式布置,使得第二列的半导体组件布置在第一列的两个相邻半导体组件之间的中途位置。作为结果,使得光源27的各个LED的更均一布置成为可能。取决于所选取的实施例,还可以布置每一列包括更多或更少半导体组件的多个列的半导体组件。
图8在示意性图示中示出了类似于图6构造的三个半导体组件1。在该情况下,仅图示了来自包括三个半导体组件1的光源27的节录。在半导体组件1之间示意性图示了光学元件29,所述光学元件被提供用于均匀化成像平面中的光束。在该情况下,在成像平面中图示了经再分布的像素30,所述像素由光学元件29在所图示的三个半导体组件的各个二极管的光束的基础上生成。因而将三个半导体组件1的二极管3的光束成像到24个经再分布的像素30上。
图9在示意性截面图示中示出了包括多个半导体组件1的光源27,每一个半导体组件1包括多个二极管3。光学元件29被提供用于生成均匀或连续的光区域31。紧随有棱镜阵列33的微透镜阵列32被提供在二极管3的发射方向上。此外,另外的棱镜阵列34和另外的微透镜阵列35布置在发射方向上。这些光学组件形成用于准直和定向由半导体组件1的二极管3发射的光的光学元件29。可替换地或者补充性地,还可以使用光栅、全息元件、菲涅尔透镜和二元衍射元件来替代微透镜和/或棱镜。在光区域31的平面中,以该方式生成了均匀光照的连续光区域。连续光区域不是由各个二极管的光束的光混合来生成,而是由各个二极管(像素)的光束的特别是无缝的再分布来生成。此外,在光区域31中,每一个单独的像素可以通过驱动“芯片”阵列中的对应像素来被单独地驱动。
图10在示意性图示中示出了来自像素化LED半导体芯片的第一阵列38的部分节录,其中第一阵列38包括六个二极管3。二极管3布置在两列4、5以及三行6、7、8中。第一列4的二极管在每一种情况下经由第一接触轨道36被电气接触,其中将接触轨道36横向地引到二极管3。第一接触轨道36连接到二极管3的第一电气接触部10。二极管3的第二电气端子经由后侧连接到地电势。
此外,提供了第二接触轨道37,其被提供用于电气接触第二列5的二极管3。第二接触轨道37在第一列4和两个相邻行6、7、8的两个二极管之间引到第二列5的二极管3。第二接触轨道37在面向第二列5的相邻二极管的侧面上接触第二列5的二极管3。以该方式使得半导体组件1上的接触轨道36、37和二极管的节省空间的布置成为可能。
图11示出了半导体组件1的另外的实施例,其中提供了二极管3的第一阵列38。第一阵列38包括二极管3的两列4、5和六行。以对应于图10中的接触的方式来体现二极管的接触。此外,提供了第二阵列39,其关于中心轴线26镜面对称地布置并且与第一阵列38相似地构造。在第二阵列39中,也提供了二极管3的两列4、5和六行,利用接触轨道36、37来接触这些二极管,其中接触轨道36、37从纵向侧前进地横向地引到二极管3。
图12示出了来自包括二极管3的另外的布置的半导体组件1的节录。在该布置中,提供了二极管3的三列4、5、6。行的二极管3经由第一、第二和第三接触轨道36、37、41被电气接触。第三列40的二极管3经由第三接触轨道41被接触,第三接触轨道41同样地在二极管的两个行之间从纵向侧前进而引到对应的二极管3。因此,在每一种情况下,第二和第三接触轨道37、41布置在二极管的两个行之间。以该方式,即使对于三列和多行而言,也可获得二极管3和接触轨道36、37、41的紧凑布置。
图13示出了包括来自图10的第一阵列38的半导体组件1的视图,其中除二极管3之外还提供控制电路2。控制电路2包括第一接触焊盘11,其经由电气线路9(例如,键合导线)连接到接触轨道36、37。接触轨道36、37连接到二极管3的第一接触部10。此外,控制电路2包括用于供应电气电压的第二接触焊盘12,用于馈送控制信号和用于传递控制信号的第三和第四接触焊盘13、14。控制电路2基本上依照来自图5的实施例进行构造。
图14示出了包括依照图11的布置中的发光二极管3的另外的半导体组件1的示意性图示,其中附加地在每一种情况下,将控制电路2、28布置在阵列38、39的两侧上。此外,在其上布置有半导体组件1的载体17包括第一、第二、第三和第四电气接触部42、43、44、45。第一电气接触部42以伸长条带的形式进行配置并且从第一控制电路2延伸到第二控制电路28那么远。第一电气接触部42服务于转发控制信号,该控制信号由控制电路2接收、以菊花链协议的形式处理、并且被传递到第二控制电路28。第二电气接触部43同样地以伸长条带的形式进行配置并且服务于针对控制电路2和针对第二控制电路28二者的电压供应。第三和第四电气接触部44、45分别服务于馈送控制信号和传递控制信号,例如,菊花链协议的控制信号。
图15在示意性图示中示出了包括半导体组件1的两行的光源27,其中每一个半导体组件依照图14来构造。以使得一行的半导体组件1相对于另一行的两个半导体组件居中地布置的这种方式来布置这两行的半导体组件1。以该方式实现了尽可能均一的发光二极管的分布。为了均匀地生成光区域,提供了如上文所解释的光学元件29。图15仅图示了来自光源27的部分节录。光源27可以包括多种多样的行和列。
尽管已经借助于优选的示例性实施例详细地更加具体图示和描述了本发明,但是无论如何本发明都不受所公开的示例的约束,并且可以由本领域技术人员从其导出其它变形,而没有脱离本发明的保护范围。
附图标记列表
1 发光半导体组件
2 控制电路
3 二极管
4 第一列
5 第二列
6 第一行
7 第二行
8 第三行
9 电气线路
10 第一接触部
11 第一接触焊盘
12 第二接触焊盘
13 第三接触焊盘
14 第四接触焊盘
15 第一控制线路
16 第二控制线路
17 载体
18 后侧
19 第一导电区域
20 第二导电区域
21 第三导电区域
22 第四导电区域
23 隔离区域
24 载体表面
26 中心轴线
27 光源
28 第二控制电路
29 光学元件
30 经再分布的像素
31 光区域
32 微透镜
33 棱镜阵列
34 另外的棱镜阵列
35 另外的微透镜阵列
36 第一接触轨道
37 第二接触轨道
38 第一阵列
39 第一阵列
40 第三列
41 第三接触轨道
42 第一电气接触部
43 第二电气接触部
44 第三电气接触部
45 第四电气接触部
50 载体带
51 接触轨道。
Claims (24)
1.一种光源(27),包括多个半导体组件(1),其中半导体组件(1)包括多个发光二极管(3),其中所述二极管(3)在该半导体组件(1)上或该半导体组件(1)中的至少一列(4、5)中布置在预限定的网格中,其中用于驱动各个二极管(3)的控制电路(2、28)布置在该半导体组件(1)上。
2.根据权利要求1所述的光源,其中以使得相邻的二极管(3)包括相同间距的方式将所述二极管(3)布置在所述半导体组件上的列(4、5)中的预限定的网格中,其中以使得相邻半导体组件(1)的二极管(3)包括与半导体组件(1)的相邻二极管(3)相同的间距的方式来布置多个半导体组件(1)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中每一个半导体组件(1)包括四个电气接触部,其中第一接触部被提供用于接地,第二接触部(12)被提供用于电压供应,第三接触部被提供用于信号输入(13),并且第四接触部(14)被提供用于信号输出。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中所述控制电路(2、28)被布置为以菊花链协议的形式来获取、处理和传递信息。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中所述控制电路(2、28)布置在二极管(3)的两列(4、5)之间。
6.根据权利要求1到3中一项所述的光源,其中二极管的两列(4、5)布置在所述控制电路(2)和另外的控制电路(28)之间。
7.根据权利要求1到4中任一项所述的光源,其中半导体组件(1)包括二极管(3)的两列(4、5),其中所述两列(4、5)布置在所述控制电路(2)的相对的侧上,并且其中所述两列(4、5)包括至少两个,特别是三个或更多的二极管(3)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中提供了半导体组件(1)的至少两列(4、5),其中一列(4)的两个相邻半导体组件(1)在每一种情况下包括关于彼此的相同间距,其中第二列(5)的半导体组件(1)关于第一列(4)的半导体组件(1)横向偏移地布置,其中特别是第二列(5)的半导体组件(1)布置在第一列的两个半导体组件(1)之间的中途位置。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中提供至少一个光学设备(29、32、33、34、35),以便向连续的光区域(31)再分布所述半导体组件(1)的二极管(3)的辐射。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中多个二极管(3)布置在至少两列(4、5)和多行(6、7、8)中,其中行(6)的二极管(3)布置在直线上,其中列(4、5)的二极管(3)布置在直线上,其中二极管(3)布置在包括相邻二极管(3)之间的相同幅度的间距的网格中,其中将用于第一行(6)和第一列(4)的第一二极管(3)的第一接触轨道(36)横向地引到所述二极管(3),其中将第二列(5)和第一行(6)的第二二极管(3)的第二接触轨道(37)在二极管(3)的两行(6、7)之间横向地引到所述第二二极管(3)。
11.根据权利要求9所述的光源,其中二极管(3)布置在至少三列(4、5、40)和多行(6、7、8)中,其中将用于第一行(6)和第一列(4)的第一二极管(3)的第一接触轨道(36)横向地引到所述二极管(3),其中将第二列(5)和第一行(6)的第二二极管的第二接触轨道(37)在二极管(3)的两行(6、7)之间横向地引到所述第二二极管,并且其中将第三接触轨道(41)在二极管(3)的两行(7、8)之间引到第三列(40)和第一行(6)的第三二极管。
12.根据权利要求9或10所述的光源,其中提供了包括至少两列(4、5)和包括多行(6、7、8)且包括接触轨道(36、37、40)的二极管(3)的第一阵列(38),其中提供了包括二极管(3)的至少两列(4、5)且包括二极管(3)的多行(6、7、8)和对应的接触轨道(36、37、40)的第二阵列(39),其中这两个阵列(38、39)配置和布置为关于镜面轴线(26)镜面对称,其中所述镜面轴线(26)布置为平行于第一阵列(38)的列(4、5),使得在每一种情况下将所述接触轨道(36、37、40)从外部横向地引到所述阵列(38、39)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中所述控制电路(2、28)关于中心轴线(26)对称地布置,其中关于所述半导体组件(1)的中心轴线(26)镜面对称地布置用于馈送信号的第三接触焊盘(13)和用于传递信号的第四接触焊盘(14),其中用于所述至少一个控制电路的电力供应的第一接触焊盘(12)关于所述中心轴线镜面对称地布置。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光源,其中至少两个半导体组件被相同地配置。
15.一种半导体组件(1),包括多个发光二极管(3),其中所述二极管(3)布置在所述半导体组件(1)上的至少一列(4、5)中的预限定的网格中,其中用于驱动各个二极管(3)的控制电路(2、28)布置在所述半导体组件(1)上,其中所述控制电路(2、28)配置为单独地驱动所述二极管(3)。
16.根据权利要求15所述的半导体组件,其中以相邻的二极管(3)包括相同间距的方式将所述二极管(3)布置在所述半导体组件上的列(4、5)中的预限定的网格中。
17.根据权利要求15和16中任一项所述的半导体组件,其中每一个半导体组件(1)包括四个电气接触部,其中第一接触部被提供用于接地,第二接触部(12)被提供用于电压供应,第三接触部(13)被提供用于信号输入,并且第四接触部(14)被提供用于信号输出,使得能够以菊花链控制的形式驱动半导体组件(1)。
18.根据权利要求15到17中任一项所述的半导体组件,其中半导体组件(1)配置为像素化LED半导体芯片。
19.根据权利要求15到18中任一项所述的半导体组件,其中所述控制电路(2、28)布置在二极管(3)的两列(4、5)之间。
20.根据权利要求15到18中任一项所述的半导体组件,其中二极管的两列(4、5)布置在所述控制电路(2)与另外的控制电路(28)之间。
21.根据权利要求15到20中任一项所述的半导体组件,其中多个二极管(3)布置在至少两列(4、5)和多行(6、7、8)中,其中行(6、7、8)的二极管(3)布置在直线上,其中列(4、5)的二极管(3)布置在直线上,其中二极管(3)布置在包括相邻二极管(3)之间的相同幅度的间距的网格中,其中将用于第一行(6)和第一列(4)的第一二极管(3)的第一接触轨道(36)横向地引到所述第一二极管(3),其中将第二列(5)和第一行(6)的第二二极管(3)的第二接触轨道(37)在二极管(3)的两行(6、7)之间横向地引到所述第二二极管(3)。
22.根据权利要求21所述的半导体组件,其中二极管(3)布置在至少三列(4、5、40)和多行(6、7、8)中,其中将用于第一行(6)和第一列(4)的第一二极管(3)的第一接触轨道(36)横向地引到所述第一二极管(3),其中将第二列(5)和第一行(6)的第二二极管的第二接触轨道(37)在二极管(3)的两行(6、7)之间横向地引到所述第二二极管(3),并且其中将第三接触轨道(41)在二极管(3)的两行(7、8)之间引到所述第三二极管(3)。
23.根据权利要求21或22所述的半导体组件,其中提供了包括至少两列(4、5)和包括多行(6、7、8)且包括接触轨道(36、37、41)的二极管(3)的第一阵列(38),其中提供了包括二极管(3)的至少两列(4、5)且包括二极管(3)的多行(6、7、8)和对应的接触轨道(36、37、41)的第二阵列(39),其中这两个阵列(38、39)关于镜面轴线(26)相互镜面对称地布置,其中所述镜面轴线(26)布置为平行于第一阵列(38)的列(4、5),使得在每一种情况下从外部将所述接触轨道(36、37、41)横向地引到所述阵列(38、39)。
24.根据权利要求15到23中任一项所述的半导体组件,其中所述控制电路(2、28)关于所述半导体组件(1)的中心轴线(26)对称地布置,其中用于馈送信号的接触焊盘(13)和用于传递信号的另外的接触焊盘(14)关于所述半导体组件(1)的所述中心轴线(26)镜面对称地布置,其中用于所述至少一个控制电路(2、28)的电力供应的附加的接触焊盘(12)关于所述中心轴线(26)镜面对称地布置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015107739.6 | 2015-05-18 | ||
DE102015107739.6A DE102015107739A1 (de) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | Lichtquelle mit mehreren Halbleiterkomponenten |
PCT/EP2016/061020 WO2016184854A1 (de) | 2015-05-18 | 2016-05-17 | Lichtquelle mit mehreren halbleiterkomponenten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107851640A true CN107851640A (zh) | 2018-03-27 |
Family
ID=56132886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680042301.8A Pending CN107851640A (zh) | 2015-05-18 | 2016-05-17 | 包括数个半导体组件的光源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10672749B2 (zh) |
JP (1) | JP2018517290A (zh) |
KR (1) | KR102590402B1 (zh) |
CN (1) | CN107851640A (zh) |
DE (2) | DE102015107739A1 (zh) |
WO (1) | WO2016184854A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110707118A (zh) * | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 三星电子株式会社 | 发光器件和包括该发光器件的光源模块 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018129209B4 (de) * | 2018-11-20 | 2022-04-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Multi-pixel-anzeigevorrichtung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101345236A (zh) * | 2008-05-07 | 2009-01-14 | 蒋峰 | 一种均匀照明的白光led模组封装光学方案 |
CN102737578A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 索尼公司 | 像素芯片、显示面板、照明面板、显示单元和照明单元 |
WO2014173736A1 (de) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische anordnung und anzeigegerät |
CN104521324A (zh) * | 2012-08-07 | 2015-04-15 | 皇家飞利浦有限公司 | Led电路 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6307527B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-10-23 | John S. Youngquist | LED display assembly |
DE10137042A1 (de) | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Planare Lichtquelle auf LED-Basis |
JP3659407B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2005-06-15 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
JP2003308028A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Sony Corp | 表示用デバイス及びその製造方法、並びに駆動用回路素子及びその実装方法 |
US8130175B1 (en) * | 2007-04-12 | 2012-03-06 | Daktronics, Inc. | Pixel interleaving configurations for use in high definition electronic sign displays |
TW200830583A (en) | 2007-01-12 | 2008-07-16 | Tai Sol Electronics Co Ltd | Combined assembly of LED and liquid/gas phase heat dissipation device |
JP2009016093A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Sharp Corp | Ledモジュール及び照明装置 |
JP2009038302A (ja) | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びその照明装置を備えた液晶表示装置 |
US8264482B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-09-11 | Global Oled Technology Llc | Interleaving drive circuit and electro-luminescent display system utilizing a multiplexer |
US7982409B2 (en) * | 2009-02-26 | 2011-07-19 | Bridgelux, Inc. | Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs |
DE102009014535A1 (de) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtmodul, Nullkraftverbindungselement und Stromversorgung für ein Leuchtband |
WO2011017891A1 (zh) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | 智点科技有限公司 | 一种有源触控系统 |
DE202010008460U1 (de) * | 2010-09-06 | 2011-02-17 | APA Electronic Co., Ltd., Chung-Ho City | Modulierte LED-Anzeigetafelanordnung und deren System |
JP2012204020A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Ledモジュール及び照明器具 |
KR102037295B1 (ko) * | 2011-10-03 | 2019-10-28 | 가부시키가이샤 파람 | 전자빔 묘화 장치 및 묘화 방법 |
JP6103497B2 (ja) | 2012-05-25 | 2017-03-29 | 株式会社Param | 電子ビーム描画装置 |
DE102012217932B4 (de) | 2012-10-01 | 2019-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit Schutzschaltung |
US9252375B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
-
2015
- 2015-05-18 DE DE102015107739.6A patent/DE102015107739A1/de not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-05-17 US US15/574,926 patent/US10672749B2/en active Active
- 2016-05-17 DE DE112016002282.4T patent/DE112016002282A5/de active Pending
- 2016-05-17 KR KR1020177035922A patent/KR102590402B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-17 CN CN201680042301.8A patent/CN107851640A/zh active Pending
- 2016-05-17 JP JP2017558993A patent/JP2018517290A/ja active Pending
- 2016-05-17 WO PCT/EP2016/061020 patent/WO2016184854A1/de active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101345236A (zh) * | 2008-05-07 | 2009-01-14 | 蒋峰 | 一种均匀照明的白光led模组封装光学方案 |
CN102737578A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 索尼公司 | 像素芯片、显示面板、照明面板、显示单元和照明单元 |
CN104521324A (zh) * | 2012-08-07 | 2015-04-15 | 皇家飞利浦有限公司 | Led电路 |
WO2014173736A1 (de) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische anordnung und anzeigegerät |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110707118A (zh) * | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 三星电子株式会社 | 发光器件和包括该发光器件的光源模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180166428A1 (en) | 2018-06-14 |
KR102590402B1 (ko) | 2023-10-18 |
KR20180008617A (ko) | 2018-01-24 |
JP2018517290A (ja) | 2018-06-28 |
US10672749B2 (en) | 2020-06-02 |
DE102015107739A1 (de) | 2016-11-24 |
WO2016184854A1 (de) | 2016-11-24 |
DE112016002282A5 (de) | 2018-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10284824B2 (en) | Opto-electronic stacked sensor | |
KR102514503B1 (ko) | 디스플레이 장치 제조 방법 | |
US20180190184A1 (en) | Led display module | |
KR102054337B1 (ko) | Led 패키지 및 제조 방법 | |
JP2018014475A (ja) | マイクロledアレイディスプレイ装置 | |
CN107851640A (zh) | 包括数个半导体组件的光源 | |
US11023194B2 (en) | Modular module | |
CA2204432A1 (en) | Arrays of optoelectronic devices and method of making same | |
US8559824B2 (en) | Parallel optical transceiver module having a balanced laser driver arrangement | |
KR20110066947A (ko) | 복수 개의 발광 다이오드 방출체를 포함한 전조등 | |
KR20150082266A (ko) | 광 인터커넥션 장치 | |
US9947833B2 (en) | Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device | |
US20140361709A1 (en) | Topology of distributing and connecting LEDs in a large area matrix | |
JP7447604B2 (ja) | 発光装置、光学装置、計測装置及び情報処理装置 | |
CN104428868B (zh) | 调制装置和电源配置 | |
CN108352147A (zh) | 用于视频墙的模块 | |
DE102009007498B4 (de) | Optoelektronisches Leuchtmodul | |
KR20130068389A (ko) | 발광 다이오드 칩 어레이 | |
JP5932398B2 (ja) | Led素子、led素子アレイおよびその駆動方法 | |
KR102145275B1 (ko) | 반도체 장치 | |
TWI750700B (zh) | 觸控顯示裝置 | |
JP7282185B2 (ja) | 調整可能アーキテクチャを有するマトリックス光源 | |
US20120028400A1 (en) | Ccd sensors with multiple contact patterns | |
US20230261034A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
CN102339739A (zh) | 激光照射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180327 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |